CN202042507U - 一种硅太阳能电池 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种硅太阳能电池，包括电池电极、含PN结的硅片以及硅片背面的背接触，在所述硅片的正面沉积一层绒面的透明导电薄膜。这种具备绒度的绒面透明导电薄膜可以更好的陷光，使硅片表面反射的光线更小。同时透明导电薄膜还起到电极的作用，从而使硅片上栅线电极的栅线条数减少或者去掉，使得挡光面积大大减少。这两方面的作用都是为了使电池获得更多的太阳光，有效提高太阳光的利用效率。

Description

一种硅太阳能电池
技术领域     
本实用新型涉及一种太阳能电池，更具体的说，涉及一种硅太阳能电池的表面结构。
背景技术
太阳能电池的正面是接受太阳光的表面，因此，正面的陷光性好坏和挡光的面积直接决定了太阳能电池的效率高低。太阳能电池表面的结构的研究一直没有停止过，直接在硅片上做正金字塔和倒金字塔便是为了使得陷光性能更好。同时，电池栅线电极的挡光面积大小也是决定太阳能电池转化效率的主要因素，背接触电池就是为了增大正表面的吸光面积而作的改进，但这种改进仍然不能很好的提高太阳能的利用效率。 
实用新型内容
本实用新型针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种硅太阳能电池，通过更好的陷光，来有效的提高对太阳光的利用效率。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：
一种硅太阳能电池，包括电池电极、含PN结的硅片以及硅片背面的背接触，在所述硅片的正面沉积一层绒面的透明导电薄膜。
所述电池电极是从透明导电薄膜边角引出的电极线。
所述硅片上生长一层SiNx减反射膜后，再沉积一层绒面的透明导电薄膜。
所述透明导电薄膜的厚度为100-1000nm。
所述硅片正面为绒面。
所述硅片上生长一层SiNx减反射膜后，再沉积一层绒面的透明导电薄膜。
所述透明导电薄膜的厚度为50-600nm。
所述硅片正面为绒面，所述电池电极是在透明导电薄膜上印刷的栅线电极。
所述硅片上生长一层SiNx减反射膜后，再沉积一层绒面的透明导电薄膜。
所述透明导电薄膜的厚度为5-80nm。
本实用新型所采用的技术方案，是在硅片正面上沉积一层具有一定厚度和绒度的透明导电薄膜。这种具备绒度的绒面透明导电薄膜可以更好的陷光，使硅片表面反射的光线更小。同时透明导电薄膜还起到电极的作用，从而使硅片上栅线电极的栅线条数减少或者去掉，使得挡光面积大大减少。这两方面的作用都是为了使电池获得更多的太阳光，有效提高太阳光的利用效率。   
附图说明      
    以下通过附图对本实用新型技术方案做进一步详细的描述：
图1是常规硅太阳能电池结构示意图；
图2是本实用新型实施例一的结构示意图；
图3是本实用新型实施例二的结构示意图；
图4是本实用新型实施例三的结构示意图；
图5是本实用新型实施例四的结构示意图；
图6是本实用新型实施例五的结构示意图；
图7是本实用新型实施例六的结构示意图。
具体实施方式
图1是常规硅太阳能电池的结构示意图，1为电池电极，2为SiNx减反射膜，3为硅表面的金字塔，4为含pn结的硅片，5为背接触。
图2所示，先在硅片4表面制备绒面，然后在绒面表面生长上一层SiNx减反射膜2，在SiNx减反射膜2的上边沉积一层5-80nm的TCO透明导电薄膜6（包括FTO、ITO或者AZO等），透明导电薄膜6有一定绒度，对光有减少反射的作用。然后在透明导电薄膜6上印刷栅线电池电极1，栅线的条数为2-44条。由于透明导电薄膜6可以起到电极的作用，因此，在透明导电薄膜6上就可以适量的减少栅线条数，使得挡光面积大大减少。两方面的作用都是为了使电池获得更多的太阳光。
图3所示，先在硅片4表面制备绒面，在绒面上沉积一层5-80nm厚度的透明导电薄膜6（包括FTO、ITO或者AZO等），透明导电薄膜6有一定绒度，对光有减少反射的作用。然后在透明导电薄膜6上印刷栅线电池电极1，栅线的条数为2-44条。栅线条数较少。电池绒面和透明导电绒面6在一定程度上已经可以起到减小反射的作用，省去了镀SiNx减反射膜2的工序，可以节约成本和工艺时间。
图4所示，制完绒面的硅片4在生长完SiNx减反射膜2后再制备一层50-600nm厚度具有一定绒度的透明导电薄膜7，透明导电薄膜7上不再印刷栅线电池电极1，而是在透明导电薄膜7边角引出电极线（图中未示出）。一定绒度的透明导电薄膜7能够增加光的入射，减少反射。同时较厚的透明导电薄膜7电阻较小，可以直接用来收集电流，因此，栅线电池电极1的印刷就可以省去，完全避免挡光部分。 
图5所示，制完绒面的硅片4不再生长SiNx减反射膜2，而是直接生长上一层50-600nm厚度具有一定绒度的透明导电薄膜7，透明导电薄膜7上不再印刷栅线电池电极1，而是在透明导电薄膜7边角引出电极线（图中未示出）。电池绒面和透明导电薄膜7在一定程度上已经可以起到减小反射的作用，省去了镀SiNx减反射膜2的工序，可以节约成本和工艺时间。
图6所示，不制绒的硅片4在生长完SiNx减反射膜2后再制备一层100-1000nm的一定绒度的透明导电薄膜8，透明导电薄膜8上不再印刷栅线电池电极1，而是在透明导电薄膜8边角引出电极线（图中未示出）。电池表面SiNx减反射膜2和透明导电薄膜8在一定程度上已经可以起到减小反射的作用，省去制绒工艺，可以节约成本和工艺时间。
图7所示，没有制绒的硅片4不再镀SiNx减反射膜2，而是直接生长上一层100-1000nm厚度具有一定绒度的透明导电薄膜8，透明导电薄膜8上不再印刷栅线电池电极1，而是在透明导电薄膜8边角引出电极线（图中未示出）。透明导电薄膜8在一定程度上已经可以起到减小反射的作用，省去制绒和镀SiNx减反射膜2的工艺，可以更加节省成本和工艺时间。

Claims (10)

1.一种硅太阳能电池，包括电池电极、含PN结的硅片以及硅片背面的背接触，其特征在于：在所述硅片的正面沉积一层绒面的透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的硅太阳能电池，其特征在于：所述电池电极是从透明导电薄膜边角引出的电极线。
3.根据权利要求2所述的硅太阳能电池，其特征在于：所述硅片上生长一层SiNx减反射膜后，再沉积一层绒面的透明导电薄膜。
4.根据权利要求1或2所述的硅太阳能电池，其特征在于：所述透明导电薄膜的厚度为100-1000nm。
5.根据权利要求2所述的硅太阳能电池，其特征在于：所述硅片正面为绒面。
6.根据权利要求5所述的硅太阳能电池，其特征在于：所述硅片上生长一层SiNx减反射膜后，再沉积一层绒面的透明导电薄膜。
7.根据权利要求5或6所述的硅太阳能电池，其特征在于：所述透明导电薄膜的厚度为50-600nm。
8.根据权利要求1所述的硅太阳能电池，其特征在于：所述硅片正面为绒面，所述电池电极是在透明导电薄膜上印刷的栅线电极。
9.根据权利要求8所述的硅太阳能电池，其特征在于：所述硅片上生长一层SiNx减反射膜后，再沉积一层绒面的透明导电薄膜。
10.根据权利要求8或9所述的硅太阳能电池，其特征在于：所述透明导电薄膜的厚度为5-80nm。
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