CN201981292U - 一种硅单晶生长炉 - Google Patents

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蔡光进
韩喆
李国迪
蒋明霞
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Abstract

本实用新型公开了一种硅单晶生长炉，包括炉筒和设在炉筒内部的坩埚和导流筒，坩埚的外侧设有保温桶，保温桶的外圆与炉筒的内筒壁接触，保温桶的上方放置有盖板，导流筒设于坩埚的上方并支在盖板上，其特征在于：所述盖板的上方放置有密封圈，密封圈贴紧在盖板的上表面，密封圈的外圆与所述炉筒的内筒壁贴紧形成密封。本实用新型的结构有利于导入炉筒的氩气将硅料与石英坩埚反应生成的一氧化硅蒸汽、杂质等有害气体带走，利于单晶硅的稳定生长。

Description

一种硅单晶生长炉
【技术领域】
本实用新型涉及一种生产单晶硅的设备，具体涉及一种硅单晶生长炉。
【背景技术】
硅单晶生长炉是生产单晶硅的设备，单晶硅在炉内生长过程中，需要从炉筒上方导入氩气，氩气是惰性气体，化学性质非常稳定，拉晶过程中用来保护融化的硅料不与空气中的氧、氮等物质起化学反应，另外，氩气从导流筒进入，将硅料与石英坩埚反应生成的一氧化硅蒸汽、杂质等有害气体带走，利于单晶硅稳定生长，最后，含有害气体的氩气从炉筒底部两侧的排气管道通过真空泵抽走。但是，现有的硅单晶生长炉，由于盖板的外圆与炉筒的内筒壁之间留有间隙，这样一来，就有部分氩气不经导流筒，而通过保温桶(由碳毡材料制成)本身具有的空隙直接从炉筒底部两侧的排气管道排走，造成部分氩气不能正常参与带走一氧化硅蒸汽、杂质等有害气体的工作，既不利于单晶硅稳定生长，又造成浪费。
【发明内容】
鉴于背景技术存在的不足，本实用新型的目的旨在提供一种有利于氩气将硅料与石英坩埚反应生成的一氧化硅蒸汽、杂质等有害气体带走，利于单晶硅稳定生长的硅单晶生长炉。
本实用新型是通过以下技术方案来实现的：
一种硅单晶生长炉，包括炉筒和设在炉筒内部的坩埚和导流筒，坩埚的外侧设有保温桶，保温桶的外圆与炉筒的内筒壁接触，保温桶的上方放置有盖板，导流筒设于坩埚的上方并支在盖板上，其特征在于：所述盖板的上方放置有密封圈，密封圈贴紧在盖板的上表面，密封圈的外圆与所述炉筒的内筒壁贴紧形成密封。所述密封圈选用碳碳复合材料。
上述结构中，密封圈的设置封堵掉了盖板外圆与炉筒内筒壁之间留有的间隙，这样氩气就不能通过保温桶的空隙直接从炉筒底部两侧的排气管道排走，而只能从导流筒进入，所以有利于氩气将硅料与石英坩埚反应生成的一氧化硅蒸汽、杂质等有害气体带走，利于单晶硅稳定生长。
【附图说明】
图1为本实用新型的结构图
【具体实施方式】
参照附图1，这种硅单晶生长炉，包括炉筒7和设在炉筒内部的石英坩埚6和导流筒4，石英坩埚6的外侧设有保温桶5，保温桶5的外圆与炉筒7的内筒壁接触，保温桶5的上方放置有盖板2，导流筒4设于石英坩埚6的上方并支在盖板2上，所述盖板2的上方放置有密封圈3，密封圈3贴紧在盖板2的上表面，密封圈3的外圆与所述炉筒7的内筒壁贴紧形成密封，将盖板外圆与炉筒内筒壁之间的间隙9封堵住，所述密封圈3选用碳碳复合材料。
本实用新型是这样实施的：单晶硅在炉内生长过程中，氩气从炉筒上方的炉口1进入，全部被导入导流筒4，经过石英坩埚6中的融硅液面，将硅料与石英坩埚反应生成的一氧化硅蒸汽、杂质等有害气体带走，最后含有害气体的氩气从炉筒底部两侧的排气管道8通过真空泵抽走。

Claims (2)

1.一种硅单晶生长炉，包括炉筒和设在炉筒内部的坩埚和导流筒，坩埚的外侧设有保温桶，保温桶的外圆与炉筒的内筒壁接触，保温桶的上方放置有盖板，导流筒设于坩埚的上方并支在盖板上，其特征在于：所述盖板的上方放置有密封圈，密封圈贴紧在盖板的上表面，密封圈的外圆与所述炉筒的内筒壁贴紧形成密封。
2.如权利要求1所述的一种硅单晶生长炉，其特征在于：所述密封圈选用碳碳复合材料。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN104630886A (zh) * 2015-02-09 2015-05-20 洛阳巨子新能源科技有限公司 一种晶体硅生长装置
CN111962144A (zh) * 2020-07-13 2020-11-20 大同新成新材料股份有限公司 一种直拉法单晶炉半导体石墨热场导流罩

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Addressee: Jiang Mingxia

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C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

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