CN201942793U - 一种半导体高温扩散炉管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及的是一种半导体高温扩散或钝化等过程中生产设备,尤其是一种半导体高温扩散炉管。本实用新型公开了一种半导体高温扩散炉管,包括有炉体(8)、进气管(5)、炉帽,其特在于:在所述炉体(8)的进气管(5)上设置气体缓冲室(4)。由于在该方案中,在炉体进气口采用气体缓冲室设计,防止气体通入时过量或不足,使气体通入保持均匀,从而保证晶圆表面温度的变化相对稳定。同时具备一个预热的过程。且该设备结构简单、安装方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及的是一种半导体高温扩散或钝化等过程中生产设备,尤其是一种半导体高温扩散炉管。
背景技术
扩散炉管是半导体器件制造过程中用于对硅片进行扩散、氧化及烧结等工艺的一种热加工设备。主要反应装置一般分为水平式和直立式两种,半导体材料在高纯净的反应腔内进行高温反应,此过程一般需要通入不同种类的气体或对腔体进行抽真空处理。整个生产过程需要操作、生产设备需要纯净、轻便、耐高温。目前多数设备一般为直通式进气口,无缓冲室的缓冲预热作用,容易造成晶片的扩散不均匀性。炉体部分的进气口主要设置在侧壁或尾部两种。炉帽部分无观察孔或观察孔无遮挡板,造成观察操作不便或生产过程观察孔一直开放,这是现有技术所存在的不足之处。
发明内容
本实用新型的目的,就是针对现有技术所存在的不足,而提供一种新型的简单实用的一种半导体高温扩散炉管。
本方案是通过如下技术措施来实现的:一种高温扩散炉管,包括有炉体、进气管、炉帽,在所述炉体的进气管上设置气体缓冲室。
上述气体缓冲室是一个密闭的容器,所述气体缓冲室上至少设置两个以上开口,所述气体缓冲室的一端开口通过连接管与所述炉体的进气口相连,其另一端的开口与进气管相连。这样气体在进入炉腔前,首先进入气体缓冲室预热,这样保证了气体温度的均匀性。还可以根据需要多设置开口,目的就是根据需要可以提供不同的气体。还可以将多个缓冲室串联。
本使用新型的进一步改进还有上述炉帽由端盖、外圈、把手组成,外圈与炉体炉壁配合,端盖上设置观察孔。
在上述观察孔的上面设置观察盖,观察盖固定在端盖上,并能在端盖上转动。这样就解决了观察孔一直开放的问题,需要观察炉腔时,转动观察盖,不需要时则把观察盖盖上。
工作时,炉管使用在扩散炉上,外围为加热丝,通过扩散炉控制装置进行加热,炉管内为产品,一般产品位于炉管中部的恒温区,温度根据需要在800℃以上或1200℃以上,要求温度变化在2℃以内,因此除了加热控制系统的稳定性外,通入的气体成为影响炉温变化的主要因素。当有较大量的气体通入且气体温度较低时,会影响炉管内温度的稳定性,从而影响晶圆表面温度的变化,使同一片晶圆不同位置的物质扩散活动产生较大的差别,最终产品将超出产品质量的控制范围。
本方案的有益效果可根据对上述方案的叙述得知,由于在该方案中,在炉体进气口采用气体缓冲室设计,防止气体通入时过量或不足,使气体通入保持均匀,从而保证晶圆表面温度的变化相对稳定。同时也具备一个预热的过程。在炉帽上增加观察孔盖,解决了观察孔一直开放的问题。且该设备结构简单、安装方便。由此可见,本实用新型与现有技术相比,具有实质性特点和进步,其实施的有益效果也是显而易见的。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图2为炉帽的示意图。
图3为气体缓冲室的第二个实施例。
图中,1为把手,2为端盖,3为外圈,4为气体缓冲室,5进气管为,6为观察盖,7为观察孔,8为炉体,9为连接管,10为固定销轴。
具体实施方式
为能清楚说明本方案的技术特点,下面通过一个具体实施方式,并结合其附图,对本方案进行阐述。
通过附图1可以看出,本方案的提供了一种半导体高温扩散炉,包括有炉体8、进气管5、炉帽,在所述炉体8的进气管5上设置气体缓冲室4。
通过附图1可以看出,上述气体缓冲室4是一个密闭的容器,所述气体缓冲室4上至少设置两个以上开口,所述气体缓冲室4的一端开口通过连接管9与所述炉体8的进气口相连,其另一端的开口与进气管5相连。可以根据需要将多个缓冲室串联使用。
上述炉帽由端盖2、外圈3、把手1组成,所述外圈3与炉体炉壁配合,所述端盖上设置观察孔7。炉帽体采用石英材料。
在所述观察孔7的上面设置观察盖6,所述观察盖6用固定销轴9固定在所述端盖2上,并能在端盖2上转动。
在炉体外部附有加热丝进行加热,并用石棉等耐热保温材料包裹。
本实用新型主要材料为石英制品,也可以采用碳化硅制品。
本实用新型未经描述的技术特征可以通过现有技术实现,在此不再赘述。当然,上述说明并非是对本实用新型的限制,本实用新型也并不仅限于上述举例,本技术领域的普通技术人员在本实用新型的实质范围内所做出的变化、改型、添加或替换,也应属于本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.一种半导体高温扩散炉管,包括有炉体(8)、进气管(5)、炉帽,其特在于:在所述炉体(8)的进气管(5)上设置气体缓冲室(4)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体高温扩散炉,其特征在于:所述气体缓冲室(4)是一个密闭的容器,所述缓冲室(4)上至少设置两个以上开口,所述缓冲室(4)的一端开口通过连接管(9)与所述炉体(8)的进气口相连,其另一端的开口与进气管(5)相连。
3.根据权利要求1所述的一种半导体高温扩散炉管,其特征在于:所述炉帽由端盖(2)、外圈(3)、把手(1)组成,所述外圈(3)与炉体炉壁配合,所述端盖上设置观察孔(7)。
4.根据权利要求3所述的一种半导体高温扩散炉管,其特征在于:在所述观察孔(7)的上面设置观察盖(6),所述观察盖(6)用固定销轴(9)固定在所述端盖(2)上,并能在端盖(2)上转动。
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Cited By (4)
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CN103243393A (zh) * | 2013-05-06 | 2013-08-14 | 上海煦康电子科技有限公司 | 一种气体预热装置、扩散炉及进气预热的方法 |
CN103295929A (zh) * | 2013-05-31 | 2013-09-11 | 上海华力微电子有限公司 | 炉管挡板的驱动系统及其初始化方法 |
CN103556229A (zh) * | 2013-11-01 | 2014-02-05 | 山东科芯电子有限公司 | 一种扩散炉管 |
CN109112636A (zh) * | 2018-10-29 | 2019-01-01 | 珠海格力电器股份有限公司 | 扩散炉管及扩散炉 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103243393A (zh) * | 2013-05-06 | 2013-08-14 | 上海煦康电子科技有限公司 | 一种气体预热装置、扩散炉及进气预热的方法 |
CN103295929A (zh) * | 2013-05-31 | 2013-09-11 | 上海华力微电子有限公司 | 炉管挡板的驱动系统及其初始化方法 |
CN103295929B (zh) * | 2013-05-31 | 2016-01-27 | 上海华力微电子有限公司 | 炉管挡板的驱动系统及其初始化方法 |
CN103556229A (zh) * | 2013-11-01 | 2014-02-05 | 山东科芯电子有限公司 | 一种扩散炉管 |
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