CN201741709U - 3GHz带宽光电探测器 - Google Patents
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Abstract
3GHz带宽光电探测器，涉及一种光电探测器。提供一种可明显提高回波损耗，产品一致性较好的3GHz带宽光电探测器。设有管座、管帽、芯片、陶瓷基片和透镜，管帽与管座熔接成一体，芯片和陶瓷基片固定在管座上，所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴，芯片通过金丝与设于管座上的电极连接，透镜设在管帽上。所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴的距离可为1/2芯片光敏面，所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴的距离最好为0.03～0.035mm。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种光电探测器，尤其是涉及一种3GHz带宽光电探测器。
背景技术
现有的3GHz带宽光电探测器主要用于光接入网、1～3G以太网、光通道等，它既适用于数据信号通信，也适用于模拟信号通信。由于该探测器多用于模拟信号通信，对光的回波损耗要求比较高。
现有的TO封装型式的3GHz带宽光电探测器(参见图1)一般由管座1、管帽2、芯片3、陶瓷基片4和透镜5等组成。芯片3和陶瓷基片4固定在管座1上，通过金丝连接芯片3和管座1上的电极7和8，最后将管帽2与管座1熔接成一体。由光纤输入的光信号通过管帽2上的透镜5聚焦到芯片3上，芯片3将接收到的光信号转换成电信号并通过管座1的引脚71和81输出，这样就实现了光电信号的转换和传输。
但是光电探测器的结构对回波损耗有很大的影响，一般的光电探测器，芯片的光敏面都位于管座和管帽的正中间，这样有利于光电探测器与光纤的耦合，提高光电探测器的响应度。但是采用此结构的光电探测器的内部光波反射严重，影响光电探测器的性能，因为芯片在接收入射光的同时，会反射出一部分光，反射光在芯片与透镜之间形成往复发射产生噪声。回波对用于模拟信号通信的光电探测器影响很大，必须予以消除。
为了解决光电探测器的反射波(回波)问题，现有的做法是将芯片倾斜一定的角度α(参见图1)，这样，虽然也能提高光电探测器的回波损耗，但是由于芯片尺寸很小(一般＜1mm)，因此倾斜角度很难控制，不仅增加加工难度，而且容易造成产品的一致性差，实际效果并不好。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种可明显提高回波损耗，产品一致性较好的3GHz带宽光电探测器。
本实用新型设有管座、管帽、芯片、陶瓷基片和透镜，管帽与管座熔接成一体，芯片和陶瓷基片固定在管座上，所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴，芯片通过金丝与设于管座上的电极连接，透镜设在管帽上。
所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴的距离可为1/2芯片光敏面，所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴的距离最好为0.03～0.035mm。
由光纤输入的光信号通过设于管帽上的透镜聚焦到芯片上，芯片将接收到的光信号转换成电信号并通过连接电极的引脚输出，这样就实现了光电信号的转换和传输。
与现有的3GHz带宽光电探测器相比，由于芯片的光敏面中心偏离管座和管帽的中心轴，即芯片的光敏面不是位于管座和管帽的正中间，而是略有偏心，因此本实用新型具有以下突出优点：
1)在保证光电探测器响应度的同时，可大幅度提高回波损耗，对响应度的影响很小，经测试，平均回波损耗可提高约5dB。
2)结构简单，生产工艺简单且容易控制，加工过程与一般的光电探测器相同，不需要改造或添置设备。
3)可提高光电探测器的综合性能，产品一致性好。
附图说明
图1为现有的3GHz带宽光电探测器的结构组成示意图。
图2为本实用新型实施例的结构组成示意图。
图3为本实用新型实施例的芯片偏心结构示意图。
具体实施方式
以下实施例将结合附图对本实用新型作进一步的说明。
参见图2和3，本实用新型实施例设有管座1、管帽2、芯片3、陶瓷基片4和透镜5，管帽2与管座1熔接成一体，芯片3和陶瓷基片4固定在管座1上，所述芯片的光敏面中心轴9偏离管座1和管帽2的中心轴6的距离δ约为1/2芯片光敏面，最好为0.03～0.035mm。所述芯片3的偏心方向是偏向引脚81的方向，芯片3通过金丝与设于管座1上的电极7和8连接，透镜5设在管帽2上。
所述芯片的光敏面中心轴偏离管座1和管帽2的中心轴6的距离可为1/2芯片光敏面，所述芯片的光敏面中心轴偏离管座1和管帽2的中心轴6的距离最好为0.03～0.035mm。
由光纤输入的光信号通过设于管帽2上的透镜5聚焦到芯片3上，芯片3将接收到的光信号转换成电信号并通过连接电极7和8的引脚71和81输出，这样就实现了光电信号的转换和传输。
经测试，本实施例的主要性能参数参见表1。
测试条件：VR＝5V，T＝25℃(VR：工作偏压、T：工作温度)。
表1
Claims (3)
1.3GHz带宽光电探测器，其特征在于设有管座、管帽、芯片、陶瓷基片和透镜，管帽与管座熔接成一体，芯片和陶瓷基片固定在管座上，所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴，芯片通过金丝与设于管座上的电极连接，透镜设在管帽上。
2.如权利要求1所述的3GHz带宽光电探测器，其特征在于所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴的距离为1/2芯片光敏面。
3.如权利要求1所述的3GHz带宽光电探测器，其特征在于所述芯片的光敏面中心轴偏离管座和管帽的中心轴的距离为0.03～0.035mm。
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