CN201623840U - 一种静音电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种静音电路，包括音频信号输入电路，在所述音频信号输入电路中并联一个MOS场效应管，其中，所述MOS场效应管的栅极通过一个电阻与静音处理器相连，漏极与所述音频信号输入电路相连，源极接地，在所述MOS管的栅极与地之间连接有另一个电阻。利用MOS管的Rds导通内阻很低，对高阻抗的音频信号通道而言几乎相当于短路的原理，使得启动静音电路时，后级功放几乎得不到任何信号，彻底消除残余输出，能有效消除电视、音响设备中开关机的噗噗杂音以及各种切换动作中的杂音，以及在播放音乐时按下静音按键可以实现彻底静音，尤其是对于耳机用户更为明显，且电路结构简单，体积小，成本低廉，可靠。
Description
技术领域
本实用新型涉及音频输出设备技术领域，尤其涉及一种静音电路。
背景技术
如图1所，现有的静音电路通常是采用单只NPN三极管并联在音频信号电路中，通常是并联在功放电路的输入端，但由于普通晶体三极管的导通内阻很高，往往静音效果不佳，即使在静音电路启动时依然会有较大的残余输出，给用户带来很多烦恼，尤其是在用耳机端口时，由于耳机灵敏度非常高，又属于近场聆听，只要有一点点残余输出都会比较明显。如图2所示，即使采用两只同极性普通三极管反相并联后连接在功放电路的输入端，也不能彻底解决残余输出问题。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的缺陷，本实用新型实施例提供了一种静音电路，能在启动静音功能后，有效消功放电路中的残余输出。
为了达到上述技术效果，本实用新型实施例提供了一种静音电路，包括音频信号输入电路，在所述音频信号输入电路中并联一个MOS场效应管，其中，所述MOS场效应管的栅极通过第一电阻与静音处理器相连，漏极与所述音频信号输入电路相连，源极接地，在所述MOS管的栅极与地之间连接有第二电阻。
优选的，所述MOS场效应管为N型MOS管。
优选的，在所述MOS管的栅极与地之间还连接有一个用于滤除杂波干扰的电容，该电容与所述MOS管的栅极与地之间连接的电阻并联。
优选的，所述静音处理器输出高电平有效。
实施本实用新型实施例，在所述音频信号输入电路中并联一个MOS场效应管，利用MOS管的Rds导通内阻很低，对高阻抗的音频信号通道而言几乎相当于短路的原理，使得启动静音电路时，后级功放几乎得不到任何信号，没有残余输出。利用本实用新型实施例提供的静音电路，能有效消除电视、音响设备中开关机的噗噗杂音以及各种切换动作中的杂音，以及在播放音乐时按下MUTE静音按键可以实现彻底静音，尤其是对于耳机用户更为明显。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中一种静音电路的电路原理图；
图2是现有技术中另一种静音电路的电路原理图；
图3是本实用新型实施例中一种静音电路的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型实施例中，在所述音频信号输入电路中并联一个MOS场效应管，利用MOS管的Rds导通内阻很低，对高阻抗的音频信号通道而言几乎相当于短路的原理，使得启动静音电路时，后级功放几乎得不到任何信号，彻底消除残余输出。
下面将结合附图更详细的描述本实用新型优选实施例。
参见图3，为本实用新型实施例中一种静音电路的电路原理图，其中，串联的电容C1、电阻R1、电阻R2和电容C2组成音频信号输入电路，其中，图3中T1端口为音频信号输入电路的音频输入端，T2端口为音频信号输入电路的音频输出端，T2端口连接后级功放电路，在所述音频信号输入电路中并联一个MOS场效应管Q1，所述MOS场效应管Q1的栅极通过第一电阻R3与静音处理器Mute-controle相连，在图3中，所述静音处理器Mute-controle未示出，其连接在图3所示的T3端口，Q1的源极接地，漏极与所述音频信号输入电路相连，实际应用时，，Q1的漏极不限制于连接在音频信号输入电路的某一具体位置，只需要连接在功放耦合电容之前，以保证MOS管的漏极上没有直流电源即可。在所述MOS管Q1的栅极与地之间连接有第二电阻R4。其中，第一电阻R3和第二电阻R4均为分压电阻，设置在电路中主要是为了保护MOS管Q1不被烧坏，其具体电阻值需要在应用中根据实际情况配置。在本实用新型实施例中，所述MOS场效应管一般为N型MOS管，所述静音电路在所述静音处理器输出高电平时才有效。
当系统正常工作时，所述静音处理器输出的电平为低，即MOS管Q1的栅极G的电平为低时，Q1的漏极D与源极S相当于开路，对音频信号无影响，后级功放电路正常工作，将接收到的音频信号进行放大处理后，通过其左右声道音频信号输出。
当系统需要静音时，所述静音处理器Mute-controle发出高电平的静音Mute信号，MOS管Q1导通，由于MOS管Q1的漏极与源极之间的导通内阻Rds很低，通常在几十毫欧姆到几百毫欧姆，对高阻抗的音频信号通道而言几乎相当于短路，因此在所述静音处理器发出高电平信号后，后级功放几乎得不到任何信号，使电路进入静音模式，彻底消除残余输出。
所述静音处理器Mute-controle发出高/低电平可以通过软件方式控制，也可以通过其他触发方式触发，方式不限。
本实用新型实施例中，在所述MOS管的栅极与地之间还可以连接一个容量较小的电容以滤除杂波干扰，其电容值在1000PF～0.1UF之间，该电容与所述MOS管的栅极与地之间连接的电阻并联，可以通过调整这个电容与R4的阻止来实现控制静音的缓冲释放时间。
实施本实用新型实施例，在所述音频信号输入电路中并联一个MOS场效应管，利用MOS管的Rds导通内阻很低，对高阻抗的音频信号通道而言几乎相当于短路的原理，使得启动静音电路时，后级功放几乎得不到任何信号，所以没有残余输出。利用本实用新型实施例提供的静音电路，能有效消除电视、音响设备中开关机的噗噗杂音以及各种切换动作中的杂音，以及在播放音乐时按下MUTE静音按键可以实现彻底静音，尤其是对于耳机用户更为明显，且电路结构简单，体积小，成本低廉，可靠。
以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (4)
1.一种静音电路，包括音频信号输入电路，其特征在于，在所述音频信号输入电路中并联一个MOS场效应管，其中，所述MOS场效应管的栅极通过第一电阻与静音处理器相连，漏极与所述音频信号输入电路相连，源极接地，在所述MOS管的栅极与地之间连接有第二电阻。
2.如权利要求1所述的静音电路，其特征在于，所述MOS场效应管为N型MOS管。
3.如权利要求2所述的静音电路，其特征在于，在所述MOS管的栅极与地之间还连接有一个用于滤除杂波干扰的电容，该电容与所述MOS管的栅极与地之间连接的第二电阻并联。
4.如权利要求1至3中任一项所述的静音电路，其特征在于，所述静音处理器输出高电平有效。
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