CN201556628U - 一种烧结型太阳电池背膜 - Google Patents

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林建伟
张育政
司琼
夏文进
郑向阳
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Jolywood (Suzhou ) Sunwatt Co., Ltd.
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JOLYWOOD (SUZHOU) SOLAR MATERIAL TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

一种烧结型太阳电池背膜，包括网状主体，所述主体两侧包覆有耐候层，再经过高温烧结工艺处理而成。本实用新型采用网状结构的基材作为背膜支撑的主体结构结，耐候层将主体完全包覆填充，具有很高的绝缘性能和耐老化性能；其次，对背膜的表面进行氟硅氧烷化处理，使背膜与EVA的粘接性能提高，本实用新型的膜层密实，提高了阻隔性能，尤其对水蒸气的具有更好阻隔。

Description

一种烧结型太阳电池背膜
技术领域：
本实用新型涉及一种用于太阳能电池中的组件，尤其涉及一种烧结型太阳电池背膜。
背景技术：
太阳能电池板通常是一个叠层结构，主要包括玻璃表层、EVA密封层、太阳能电池片、EVA密封层和太阳能电池背膜，其中太阳能电池片被两层EVA密封层密封包裹。太阳能电池背膜的主要作用是提高太阳能电池板的整体机械强度，另外可以防止水汽渗透到密封层中，影响电池片的使用寿命。为了提高背膜的整体性能，现有技术中出现了大量针对背膜进行改进的方案。例如，中国专利申请号为CN200710185202.8号、公开日为2008年5月14日、公开号为CN101177514的发明专利申请，公开了一种太阳能电池背板及其制备方法，该背板包括基材和含氟聚合物层，含氟聚合物层各组分按重量份数计为：含氟树脂25～45份；改性树脂1.5～3份；聚合物填料0.5～3份；无机填料0.1～1份；溶剂50～70份。上述方案的生产成本低，性能优良，其剥离强度高，阻水性能好，耐候性好。再例如，EP1938967号欧洲专利申请，公开日为2008年7月2日，国际申请号PCT/JP2006/312501，国际公布号为WO2007/010706，公布日为2007年1月25日，公开了一种具有良好不透水板的太阳能电池背板，该太阳能电池背板组件至少在防水板的一个表面上具有固化涂料膜，该固化涂料膜包括具有可固化功能团的含氟聚合体的涂料。以上发明的内层材料为非含氟材料，其绝缘和耐老化性能不是非常理想。
实用新型内容：
本实用新型所要解决的技术问题在于克服上述现有技术之不足，提供一种具有较高绝缘性能和耐老化性能的烧结型太阳电池背膜。
按照本实用新型提供的一种烧结型太阳电池背膜，包括网状主体，所述主体两侧包覆有耐候层，再经过高温烧结工艺处理而成。
按照本实用新型提供的一种烧结型太阳电池背膜还具有如下附属技术特征：
所述两侧耐候层通过网孔连接成一体，并将网孔填充。
所述耐候层的厚度为0.003mm～0.03mm。
所述耐候层的厚度为0.01mm～0.02mm。
所述基材的厚度为0.05mm～0.35mm。
所述主体的表面通过辐照或等离子体氟硅氧烷处理形成有氟硅氧烷化成膜层。
所述耐候层的表面通过辐照或等离子体氟硅氧烷处理形成有氟硅氧烷化成膜层。
所述氟硅氧烷化成膜层厚度为0.01微米至5微米。
所述氟硅氧烷化成膜层厚度为0.1微米至2微米。
按照本实用新型提供的一种烧结型太阳电池背膜具有如下优点：首先，本实用新型采用网状结构的基材作为背膜支撑的主体结构结，耐候层将主体完全包覆填充，具有很高的绝缘性能和耐老化性能；其次，对背膜的表面进行氟硅氧烷化处理，使背膜与EVA的粘接性能提高，本实用新型的膜层密实，提高了阻隔性能，尤其对水蒸气的具有更好阻隔，防潮性能好。
附图说明：
图1是本实用新型的一种实施例的结构示意图。
具体实施方式：
如图1所示，一种烧结型太阳电池背膜的实施例，包括网状结构的主体1，所述网状结构的主体1的两侧有耐候层2，两侧耐候层将所述主体的网孔填充而构成一体。所述主体1为玻璃纤维布，两侧所述耐候层2通过所述网孔与主体1连接成一体，并将所述网孔填充。本实用新型再经过高温烧结工艺处理而成。本实用新型采用玻璃纤维布具有更高的绝缘性能，被广泛的使用于高压电设备中。将此类具有高绝缘性能的材料作为主体，使得背膜的绝缘性能显著提高。
所述耐候层2为经过改性剂改性的四氟树脂，所述改性剂为FEP(聚全氟乙丙稀)或FPA(氧化烷氧基乙稀树脂)的一种或者混合物。
本实用新型在所述基材1的表面通过辐照或等离子体氟硅氧烷处理形成有氟硅氧烷化成膜层，然后再与耐候层2进行包覆，可以提高耐候层2的包覆效果。
本实用新型还在耐候层2采用辐照或等离子体激活其表面，并加入硅烷偶联剂、氟硅氧烷或聚硅氧烷的一种或多种的混合物作为改性剂，在其内表面形成有氟硅氧烷化成膜层3，使得背膜具有较高的粘结性，更加容易与EVA进行粘结。
本实用新型的耐候层2的厚度为0.003mm～0.03mm，优选为0.01mm～0.02mm。具体数值可以选为0.003mm、0.008mm、0.010mm、0.015mm、0.020mm、0.025mm、0.030mm。将所述耐候层2的厚度限定在上述范围内，可以更好的使耐候层2发挥作用，进一步的提高背膜的耐候性。该优选方案及具体数值的选择能够更好的满足对于耐候层2的性能要求。
所述主体1的厚度为0.05mm～0.35mm，优选的方案为0.10mm～0.20mm，具体数值可以选为0.05mm、0.08mm、0.10mm、0.15mm、0.20mm、0.25mm、0.30mm、0.35mm。选用该上述厚度的主体1不仅能够满足背膜对于性能的要求，而且使得背膜的厚度和所用材料达到最优化。主体1为玻璃纤维布，其具有非常高的绝缘性能，且成本低，强度高，易加工。当然，本发明的主体1也可以采用无纺布。同样，具有绝缘性能高，成本低，强度高，易加工的优点。
本实用新型给出的制备上述实施例的一种烧结型太阳电池背膜包括以下步骤：
(1)通过高温预处理将玻璃纤维布表面的石蜡去除；
(2)通过辐照或者等离子体处理在玻璃纤维布激活玻璃纤维布的表面，同时添加改性剂，在玻璃纤维布表面形成氟硅氧烷化成膜层；
(3)将玻璃纤维布浸润在添加有改性剂的四氟树脂乳液中；
(4)将玻璃纤维布取出，进行低温干燥，可以进行重复的浸润和干燥从而增加涂层的厚度；
(5)将浸润有四氟树脂的玻璃纤维布进行高温烧结，温度为340～380℃，时间为5～20分钟；
(6)对烧结后的背膜进行辐照或等离子体氟硅氧烷处理，激活背膜的表面，同时添加硅烷偶联剂、氟硅氧烷或聚硅氧烷的一种或多种的混合物作为改性剂，形成氟硅氧烷化成膜层。使得背膜具有较高的粘结性，更加容易与EVA进行粘结。
所述四氟树脂乳液中的四氟树脂的固含量为10～15％，所述改性剂的含量为1～3％。通过FEP或FPA改性的四氟树脂烧结成的薄膜具有很好的致密性和流平性，可以提高背膜的耐化学、绝缘和阻隔等性能。
本实用新型的实施例中的氟硅氧烷化成膜层厚度为0.01微米至5微米，优选的方案是在0.1微米至2微米之间，具体数值可以选为0.01微米、0.05微米、0.1微米、0.2微米、0.5微米、0.8微米、1微米、1.5微米、2微米。将氟硅氧烷化成膜层厚度限定在上述尺寸范围内可以更好的满足粘结性的需求，而选择上述具体厚度值，可以更好的满足工艺要求。
本实用新型的所选用的材料均为市售产品。这些材料可以充分满足背膜的需求，可以制作成具有高强度的、高耐候、高绝缘和柔性的太阳能电池背膜，并且成本经济。

Claims (9)

1.一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：包括网状主体，所述主体两侧包覆有耐候层，再经过高温烧结工艺处理而成。
2.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述两侧耐候层通过网孔连接成一体，并将网孔填充。
3.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述耐候层的厚度为0.003mm～0.03mm。
4.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述耐候层的厚度为0.01mm～0.02mm。
5.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述主体的厚度为0.05mm～0.35mm。
6.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述主体的表面通过辐照或等离子体氟硅氧烷处理形成有氟硅氧烷化成膜层。
7.如权利要求1所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述耐候层的表面通过辐照或等离子体氟硅氧烷处理形成有氟硅氧烷化成膜层。
8.如权利要求7所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述氟硅氧烷化成膜层厚度为0.01微米至5微米。
9.如权利要求8所述的一种烧结型太阳电池背膜，其特征在于：所述氟硅氧烷化成膜层厚度为0.1微米至2微米。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102054879B (zh) * 2009-10-27 2012-09-05 苏州中来光伏新材股份有限公司 一种烧结型太阳电池背膜及其加工工艺
CN105047761A (zh) * 2015-08-25 2015-11-11 常州回天新材料有限公司 高性能太阳能电池背膜制作工艺

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Owner name: SUZHOU JOLYWOOD SUNWATT CO., LTD.

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Address after: 215542 Chang Kun Industrial Park, 32, Sha Bang Town, Jiangsu, Qingnian Road, Changshou City

Patentee after: Jolywood (Suzhou ) Sunwatt Co., Ltd.

Address before: 215550 Jiangsu province Changshou City Yushan High-tech Industrial Park Jianye Road No. 3

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