CN201504297U - Onu光模块发射信号误报自判电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种ONU光模块发射信号误报自判电路，包括：一充放电RC电路，包括：一充电电阻、一储能电容、一N-MOS管控制开关；一发射光信号监测功能TX-SD误报判断输出电路，包括：一模拟开关和一采样电阻，所述N-MOS管控制开关的源极S、充电电阻的第一端点和模拟开关的第一输出端三者连接所述ONU光模块发射光信号监测功能TX-SD电路的输出端，所述N-MOS管控制开关的漏极D、储能电容的第一端和模拟开关的控制端连接充电电阻的第二端点B，所述模拟开关的第二输出端连接发射光信号监测功能TX-SD误报判断电路输出端和采样电阻的第一端，所述采样电阻和储能电容两者的第二端接地；所述N-MOS管控制开关的栅极G连接电源VCC。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种无源光网络(Passive Optical Network，简称PON)系统的光收发模块的发射光信号监测功能的误报自判电路，尤其适用于千兆以上无源光网络(GPON)ONU光模块发射信号误报自判电路。
背景技术
光纤接入在全球范围内已经逐渐成为接入网建设的首选方式，而无源光网络PON技术在光纤接入网建设中更是成为性价比最高的技术方案。无源光网络PON技术凭借其时分复用(TDMA)上行、广播式下行的传输手段使光网络的带宽应用率更高。在PON网络系统中，位于终端的各ONU接受光网络局端OLT的控制信号在有效时间内上传光信号，但是在目前的应用中，存在一个技术问题：当某一终端的ONU发生故障，不再受到OLT的控制，ONU一直处于连续发光状态，即所谓“流氓ONU，将导致整个通信系统中的其它ONU无法与OLT完成正常数据传输，从而使整个PON网络系统瘫痪。为解决上述问题，将GPON光网络单元ONU模块设计中采用了发射光信号监测功能TX-SD。但从应用的角度来说，在ONU光模块向OLT端上传光信号的过程中，包长不一。但对于每个系统设计商来说都有具体的最大包长要求。目前的发射光信号监测功能TX-SD无法实现对包长的判断功能。
发明内容
为克服以上缺点，本实用新型提供了一种结构简单的ONU光模块发射信号误报自判电路。
为达到以上发明目的，本实用新型提供一种ONU光模块发射信号误报自判电路，包括：一充放电RC电路，包括：一充电电阻、一储能电容、一N-MOS管控制开关；一发射光信号监测功能TX-SD误报判断输出电路，包括：一模拟开关和一采样电阻，所述N-MOS管控制开关的源极S、充电电阻的第一端点和模拟开关的第一输出端三者连接所述ONU光模块发射光信号监测功能TX-SD电路的输出端，所述N-MOS管控制开关的漏极D、储能电容的第一端和模拟开关的控制端连接充电电阻的第二端点B，所述模拟开关的第二输出端连接发射光信号监测功能TX-SD误报判断电路输出端和采样电阻的第一端，所述采样电阻和储能电容两者的第二端接地；所述N-MOS管控制开关的栅极G连接电源VCC。
所述充放电RC电路，还包括：第一分压电阻和第二分压电阻，所述N-MOS管控制开关的栅极G通过第一分压电阻连接电源VCC，同时通过第二分压电阻接地。
所述充放电RC电路，还包括：第一分压电阻，所述N-MOS管控制开关由一NPN三极管替换，N-MOS管控制开关的栅极G、漏极D和源极S分别由NPN三极管的基极b、发射极e和集电极c代替，其基极b通过第一分压电阻连接电源VCC。
由于上述电路中采用了充放电RC电路和发射光信号监测功能TX-SD误报判断输出电路，在ONU系统工作异常时，向光模块发出的突发使能开启信号过长、光模块的激光器驱动器工作异常以及ONU光模块的光信号监测电路工作异常而导致的TX-SD输出高电平大于最大包长时的情况下，可以实时检测出上述问题所引起的ONU系统故障，从而避免因此引起的ONU系统的时序混乱以至整个网络的瘫痪。
附图说明
图1表示本实用新型ONU光模块发射信号误报自判电路第一实施例原理图。
图2表示本实用新型ONU光模块发射信号误报自判电路第二实施例原理图。
具体实施方式
下图结合附图详细描述本实用新型最佳实施例。
由图1所示的ONU光模块发射信号误报自判电路，包括：一充放电RC电路，包括：一充电电阻R1、一储能电容C1、一N-MOS管控制开关Q1、第一分压电阻R3和第二分压电阻R4；一发射光信号监测功能TX-SD误报判断输出电路，包括：一模拟开关Q2和一采样电阻R2，N-MOS管控制开关Q1的源极S、充电电阻R1的第一端点和模拟开关Q2的第一输出端三者连接所述ONU光模块发射光信号监测功能TX-SD电路的输出端，N-MOS管控制开关Q1的漏极D、储能电容C1的第一端和模拟开关Q2的控制端连接充电电阻R1的第二端点B，模拟开关Q2的第二输出端连接发射光信号监测功能TX-SD误报判断电路输出端和采样电阻R2的第一端，采样电阻R2和储能电容C1两者的第二端接地；第一分压电阻R3的第一端连接电源VCC，其第二端连接所述N-MOS管控制开关Q1的栅极G和第二分压电阻R4的第一端，该分压电阻的第二端接地。对于第一分压电阻R3与第二分压电阻的R4的作用作如下描述：当突发使能关断信号结束，突发使能开启信号到来时，N-MOS管控制开关Q1源极S为高电平，大于N-MOS管控制开关Q1栅极G，从而避免N-MOS管Q1的结间电容影响N-MOS管控制开关Q1关闭速度，使得N-MOS管控制开关Q1最快关闭，这对于包长要求严格的光信号监测功能误报判断电路来说是必要的。如果对包长要求不够严格的情况下，可以省去第一分压电阻R3与第二分压电阻R4，将N-MOS管控制开关Q1栅极直接连到电源VCC。当取消第二分压电阻R4时，N-MOS管控制开关Q1由一NPN三极管替换，N-MOS管控制开关Q1的栅极G、漏极D和源极S分别由NPN三极管的基极b、发射极e和集电极c代替，其基极b通过第一分压电阻R3连接电源VCC，如图2所示，其余电路不变。
当突发使能开启信号到来，ONU模块的激光器发光，同时发射光信号监测功能TX-SD电路输出高电平，与其连接的N-MOS管控制开关Q1源极S也为高电平，此时N-MOS管控制开关Q1关断。充放电RC电路开始充电，对于充电时间的长短可以通过改变RC时间常数设置，当端点B电平VB小于模拟开关Q2的开启电平时，模拟开关Q2断开，发射光信号监测功能TX-SD误报判断电路输出低电平；当端点B电平VB大于模拟开关Q2的开启电平时，模拟开关Q2闭合通电，发射光信号监测功能TX-SD误报判断电路输出高电平，此时上报TX-SD误报。可以根据系统所设计的最大包长来确定充放电RC电路充电时间常数，使得当到来的包长或发射光信号监测功能TX-SD电路输出的告警高电平时间小于最大包长时，B点电平VB始终小于模拟开关Q2的开启电平，则发射光信号监测功能TX-SD误报判断电路一直保持输出低电平，上报TX-SD没有发生误报；当到来的包长或发射光信号监测功能TX-SD电路输出的告警高电平时间大于最大包长时，B点电平VB将会大于模拟开关Q2的开启电平，则发射光信号监测功能TX-SD误报判断电路将输出高电平，表示此时TX-SD发生误报。
当突发使能关断信号到来，ONU模块的激光器关断不发光，同时发射光信号监测功能TX-SD电路输出低电平，与其连接的N-MOS管控制开关Q1源极S为低电平，通过设置电路中第一分压电阻R3和第二分压电阻R4使得N-MOS管控制开关Q1栅极G电平保持在2V左右，此时N-MOS管Q1导通，则储能电容C1快速放电，使B点电平Vb降低到零，以待下个包到来。由于B点电平Vb小于模拟开关Q2的开启电平而断开，所以发射光信号监测功能TX-SD误报判断电路输出低电平。
由于模块上电后起始时B点电平Vb为零，所以无论是短包长还是长包长时，光信号监测电路输出的高电平都会对RC电路进行充电，但在包结束时，由于N-MOS管控制开关Q1的导通都会使B点电平Vb下降到零，则每个包长到来时的充电起始电平相同，就不会对后面的判断造成影响。
采样电阻R2的取值不宜过小，避免增加整个模块的功耗，应该取值到10K以上。充电电阻R1及储能电容C1的取值应该根据最大允许包长而决定的时间常数来确定。
Claims (3)
1.一种ONU光模块发射信号误报自判电路，其特征在于，包括：一充放电RC电路，包括：一充电电阻(R1)、一储能电容(C1)、一N-MOS管控制开关(Q1)；一发射光信号监测功能TX-SD误报判断输出电路，包括：一模拟开关(Q2)和一采样电阻(R2)，所述N-MOS管控制开关(Q1)的源极S、充电电阻(R1)的第一端点和模拟开关(Q2)的第一输出端三者连接所述ONU光模块发射光信号监测功能TX-SD电路的输出端，所述N-MOS管控制开关(Q1)的漏极D、储能电容(C1)的第一端和模拟开关(Q2)的控制端连接充电电阻(R1)的第二端点B，所述模拟开关(Q2)的第二输出端连接发射光信号监测功能TX-SD误报判断电路输出端和采样电阻(R2)的第一端，所述采样电阻(R2)和储能电容(C1)两者的第二端接地；所述N-MOS管控制开关(Q1)的栅极G连接电源VCC。
2.根据权利要求1所述的ONU光模块发射信号误报自判电路，其特征在于，所述充放电RC电路，还包括：第一分压电阻(R3)和第二分压电阻(R4)，所述N-MOS管控制开关(Q1)的栅极G通过第一分压电阻(R3)连接电源VCC，同时通过第二分压电阻(R4)接地。
3.根据权利要求1所述的ONU光模块发射信号误报自判电路，其特征在于，所述充放电RC电路，还包括：第一分压电阻(R3)，所述N-MOS管控制开关(Q1)由一NPN三极管替换，N-MOS管控制开关(Q1)的栅极G、漏极D和源极S分别由NPN三极管的基极b、发射极e和集电极c代替，其基极b通过第一分压电阻(R3)连接电源VCC。
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|---|---|
| CN201504297U true CN201504297U (zh) | 2010-06-09 |
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| CN2009202063669U Expired - Lifetime CN201504297U (zh) | 2009-10-28 | 2009-10-28 | Onu光模块发射信号误报自判电路 |
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| CN (1) | CN201504297U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103281116A (zh) * | 2013-05-06 | 2013-09-04 | 上海斐讯数据通信技术有限公司 | 一种onu长发光检测电路和应用系统及其应用方法 |
| CN107453881A (zh) * | 2017-08-08 | 2017-12-08 | 博为科技有限公司 | 一种旁路电路及pse设备 |
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2009
- 2009-10-28 CN CN2009202063669U patent/CN201504297U/zh not_active Expired - Lifetime
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