CN201437559U - 一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置 - Google Patents
一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置 Download PDFInfo
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Abstract
一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置，包括圆桶状的屏蔽体和上下两个环形的屏蔽盖，所述屏蔽盖的内环边缘具有伸向屏蔽体内的凸缘。本实用新型的屏蔽装置能够有效防止磁场向外辐射，并且有利于屏蔽体内的磁场导通，形成磁回路，减少磁损耗。
Description
技术领域
本实用新型属于一种硅单晶生长装置，尤其涉及一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置。
背景技术
电磁场可由变化的电流引起，电磁场总是以光速向四周传播。电磁屏蔽是用于减弱空间某个区域内电磁场的技术。通常的办法是用金属网或者金属壳将产生电磁场的区域与需防止电磁场进入的区域隔开。一般来说电磁屏蔽体都是由金属(铝，铜，钢)制成。电磁屏蔽类型的选择取决于干扰源的距离，场的性质，频率和被保护空间对抗干扰的要求等因素。
将磁场应用到硅单晶生长过程中可起到有效抑制热对流的作用，对产生的磁场应当进行屏蔽。目前的磁屏蔽装置只起到了简单的屏蔽功能，不会对磁场产生有益的效果。
实用新型内容
鉴于上述现有技术所存在的问题，本实用新型的目的是提供一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：
一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置，包括圆桶状的屏蔽体和上下两个环形的屏蔽盖，所述屏蔽盖的内环边缘具有伸向屏蔽体内的凸缘；
所述屏蔽体和屏蔽盖采用低磁阻材料DT4E电工纯铁制成；
所述屏蔽体的侧壁设有至少一个孔；
所述屏蔽体的侧壁设有上下两个长方形孔；
所述凸缘的长度为8-12mm；
所述凸缘的厚度为12-18mm；
所述屏蔽体的厚度为20-30mm。
由上述本实用新型提供的技术方案可以看出，本实用新型所述的硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置能够有效防止磁场向外辐射，并且有利于屏蔽体内的磁场导通，形成磁回路，减少磁损耗。
附图说明
图1为本实用新型的一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置的示意图；
图2为本实用新型的一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置的剖面示意图；
图3为本实用新型屏蔽装置屏蔽体厚度与磁场强度的关系曲线图；
图4为本实用新型屏蔽装置凸缘厚度与磁场强度的关系曲线图。
具体实施方式
本实用新型较佳的具体实施方式如图1所示，包括圆桶状的屏蔽体1和上下两个环形的屏蔽盖2，所述屏蔽盖2的内环边缘具有向内伸出的凸缘3。
如图2所示，本实用新型的屏蔽装置设置于电磁场装置6的外围。屏蔽装置采用低磁阻材料DT4E电工纯铁制成。通过实验可以确定屏蔽体1的厚度：磁场装置的线圈匝数为45(5×9)匝、通电电流为400A，线圈间距250mm。
图3的横坐标为屏蔽体厚度d，纵坐标为磁场强度。从图3可以看出，当屏蔽体1的厚度d从17.5mm到25mm时，磁场强度随屏蔽体1厚度d增加而线性增大；当厚度d大于25mm时，磁场强度不再随屏蔽体1厚度d增加而线性增大，而达到了饱和。原因在于厚度d小于25mm时屏蔽体1内最大磁通量小于线圈产生的磁通量，磁损耗较大。随着屏蔽体1厚度d增加，磁路回路磁阻和磁损耗减小，磁场强度将随之增加。当厚度d大于25mm时，屏蔽体1内最大磁通量大于线圈产生的磁通量，磁力线全部通过低磁阻通路，减少了磁损耗。通过以上分析选取屏蔽体1厚度d为20-30mm，最佳厚度d为22-26mm。
屏蔽盖2为相同的低磁阻材料DT4E电工纯铁制成。与屏蔽体1固定连接。屏蔽盖2内环边缘具有伸向屏蔽体1内的凸缘3，凸缘3的厚度与磁场强度有对应关系，通过实验可以得到最佳的凸缘厚度。图4的横坐标为凸缘厚度，纵坐标为磁场强度。从图4看出，凸缘3厚度小于15mm时，磁场强度随着凸缘3厚度增大而增大，当凸缘3厚度为15mm时磁场强度达到最大值。其原因在于：凸缘3厚度小于15mm时，将会有比较大的磁漏；大于15mm时，凸缘3对磁力线有屏蔽作用，相应的磁场强度也会降低。因此，选择凸缘3厚度为12-18mm。
凸缘3的长度与磁场强度相关，通过实验可以获得最佳的凸缘长度为8-12mm。
屏蔽体1侧壁开通上下两个长方形孔4和5(如图1所示)，用于屏蔽体内的磁场装置连接外部的电源或水路。长方形孔尺寸为：长150-250mm，宽15-30mm。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置，其特征在于，包括圆桶状的屏蔽体和上下两个环形的屏蔽盖，所述屏蔽盖的内环边缘具有伸向屏蔽体内的凸缘。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述屏蔽体和屏蔽盖采用低磁阻材料DT4E电工纯铁制成。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述屏蔽体的侧壁设有至少一个孔。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述屏蔽体的侧壁设有上下两个长方形孔。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述凸缘的长度为8-12mm。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述凸缘的厚度为12-18mm。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述屏蔽体的厚度为20-30mm。
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| CN2009201079674U CN201437559U (zh) | 2009-05-11 | 2009-05-11 | 一种硅单晶生长用勾形电磁场的屏蔽装置 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103952752A (zh) * | 2014-04-03 | 2014-07-30 | 西安理工大学 | 单晶炉的磁屏蔽体结构 |
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2009
- 2009-05-11 CN CN2009201079674U patent/CN201437559U/zh not_active Expired - Fee Related
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
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