CN203871300U - 一种2KW/2450MHz连续波磁控管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种2KW/2450MHz连续波磁控管，包括管芯、位于管芯外围的水冷套、位于水冷套上方和下方的磁钢、位于磁钢外围的下磁路和上磁路、以及位于上磁路下方的屏蔽盒，所述管芯包括：腔体组合，位于腔体组合中心位置的阴极组合，位于腔体组合一侧并与腔体组合固定配合的上极靴组合，与腔体组合氩弧焊焊接并位于上极靴组合所在一侧的引线组合，腔体组合的另一侧安装有与腔体组合固定配合的下极靴，以及与腔体组合氩弧焊焊接并位于下极靴所在一侧的输出窗组合；所述上极靴组合与下极靴共同将磁钢的磁场导入到腔体组合内部。本实用新型的2KW/2450MHz连续波磁控管，通过结构优化与改进，将磁控管的工作点提高，将输出功率提高至2KW。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空电子器件技术领域，具体而言涉及一种2KW/2450MHz连续波磁控管。
背景技术
微波炉用的磁控管，例如第03110611.0号中国专利“用于微波炉的磁控管”，提出一种通过防止磁控管的功耗从而有效削减谐波的产生并提高微波输出的磁控管，总体来说，其包括：磁轭；阳极圆柱体，其安装在磁轭内；毛刺，其安装在阳极圆柱体内；细丝，其安装在毛刺中央；上部磁体和下部磁体，其分别安装在阳极圆柱体上部和下部；上部磁极片和下部磁极片，其分别安装在阳极圆柱体和上、下部磁体之间，通过调节上部磁极片中央部分的内、外端部之间的长度来抑制谐波，在所述中央部分形成有中空部分。
该专利所提出的磁控管，采用风冷的方式对磁控管进行散热，而且通过实验验证表明：该磁控管的输出功率较低，无法难以满足日益发展的工业应用需求。
实用新型内容
本实用新型目的在于提供一种2KW/2450MHz连续波磁控管，通过结构优化设计，提高单管输出功率，满足大功率应用需求。
为达成上述目的，本实用新型所采用的技术方案如下：
一种2KW/2450MHz连续波磁控管，包括管芯、位于管芯外围的水冷套、位于水冷套上方和下方的磁钢、位于磁钢外围的下磁路和上磁路、以及位于上磁路下方的屏蔽盒，其中：
所述管芯包括：腔体组合，位于腔体组合中心位置的阴极组合，位于腔体组合一侧并与腔体组合固定配合的上极靴组合，与腔体组合氩弧焊焊接并位于上极靴组合所在一侧的引线组合，腔体组合的另一侧安装有与腔体组合固定配合的下极靴，以及与腔体组合氩弧焊焊接并位于下极靴所在一侧的输出窗组合；所述上极靴组合与下极靴共同将磁钢的磁场导入到腔体组合内部；
上极靴组合包括：上极靴，位于上极靴内部并通过高温钎焊焊接的扼流筒，以及在上极靴下方并通过高温钎焊焊接的底板；
所述腔体组合包括：腔壳，在腔壳内部均匀分布的十二片叶片，在叶片内侧通过高温钎焊与叶片连接的小隔型带和大隔型带，以及一通过高温钎焊与一叶片连接的输出天线，所述 大隔型带位于小隔型带的外周并且二者之间留有一空隙距离；
所述引线组合包括：引线瓷，位于引线瓷一侧的接线片，密封环，抽气管，在引线瓷另一侧的上接头，位于上接头内部并与引线瓷焊接的短引线杆和长引线杆，以及用于控制短引线杆和长引线杆的位置并位于短引线杆和长引线杆外部的定位瓷；
所述阴极组合包括：提供磁控管工作所需电子的灯丝，安装在灯丝上方的上屏蔽帽，以及安装在灯丝下方的下屏蔽帽；
所述输出窗组合包括：输出窗，位于输出窗下方的接头，以及位于接头下方的下接头。
进一步的实施例中，所述扼流筒的高度取值在15.8mm～16.2mm。
进一步的实施例中，所述上屏蔽帽和下屏蔽帽的外径均为8.5mm。
进一步的实施例中，腔体组合与水冷套为一体化结构。
由以上本实用新型的技术方案，本实用新型所提出的2KW/2450MHz连续波磁控管，通过结构优化与改进，将磁控管的工作点提高，将输出功率提高至2KW：整个连续波磁控管整管采用金属陶瓷封接结构，磁场由铁氧体磁钢提供；阳极采用易于加工、特性阻抗高的扇槽形结构(十二叶片构成扇槽)；腔体散热直接由外加水冷套进行散热，更优选地，腔体组合与水冷套采用一体化结构；输出结构采用单根轴向天线输出，可直接激励BJ-22型波导。
附图说明
图1为本实用新型一实施方式2KW/2450MHz连续波磁控管的整体结构示意图。
图2为图1实施例中管芯的结构示意图。
图3为图1实施例中上极靴组合的结构示意图。
图4a、4b为图1实施例中腔体组合的结构示意图，其中4a为侧视图，4b为俯视图。
图5为图1实施例中引线组合的结构示意图。
图6为图1实施例中阴极组合的结构示意图。
图7为图1实施例中输出窗组合的结构示意图。
具体实施方式
为了更了解本实用新型的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。
图1所示为本实用新型一实施方式2KW/2450MHz连续波磁控管的整体结构示意图，其中，一种2KW/2450MHz连续波磁控管，包括管芯1、位于管芯外围的水冷套10、位于水冷套上方和下方的磁钢11、位于磁钢外围的下磁路8和上磁路9、以及位于上磁路下方的屏蔽盒12。
在一个优选的实施方式中，所述腔体组合3与水冷套10为一体化结构。
如图2所示，所述管芯1包括：腔体组合3，位于腔体组合中心位置的阴极组合5，位于 腔体组合一侧并与腔体组合固定配合的上极靴组合2，与腔体组合氩弧焊焊接并位于上极靴组合所在一侧的引线组合4，腔体组合3的另一侧安装有与腔体组合固定配合的下极靴13，以及与腔体组合3氩弧焊焊接并位于下极靴13所在一侧的输出窗组合6；所述上极靴组合2与下极靴13共同将磁钢11的磁场导入到腔体组合3内部。
管芯1的内部是一种高真空的状态，这样才能保证磁控管的正常工作。腔体组合3决定了磁控管的频率，阴极组合5提供磁控管工作时的电子，上极靴组合2与下极靴13共同将磁钢11的磁场导入到腔体组合3内部，输出窗组合6在较少阻碍功率输出的情况下，将管芯形成封闭的空间。
如图3所示，上极靴组合2包括：上极靴2-2，位于上极靴2-2内部并通过高温钎焊焊接的扼流筒2-1，以及在上极靴2-2下方并通过高温钎焊焊接的底板2-3。作为优选的实施方式，扼流筒2-1的高度取值在15.8mm～16.2mm。
如图4a和4b所示，所述腔体组合3包括：腔壳3-2，在腔壳内部均匀分布的十二片叶片3-5，在叶片内侧通过高温钎焊与叶片3-5连接的小隔型带3-3和大隔型带3-4，以及一通过高温钎焊与一叶片3-5连接的输出天线3-1，所述大隔型带3-4位于小隔型带3-3的外周并且二者之间留有一空隙距离。
大、小隔型带(3-4、3-5)起到增加磁控管工作时的模式分割度的作用，提高磁控管的工作稳定性。
如图5所示，所述引线组合4包括：引线瓷4-4，位于引线瓷一侧的4-2接线片，密封环4-3，抽气管4-1，在引线瓷另一侧的上接头4-5，位于上接头内部并与引线瓷焊接的短引线杆4-7和长引线杆4-8，以及用于控制短引线杆4-7和长引线杆4-8的位置并位于短引线杆4-7和长引线杆4-8外部的定位瓷4-6。本实施例中，引线组合的零件均通过高温钎焊连接，既保证整个磁控管内的气密性，又能保证一定的工作温度。
如图6所示，所述阴极组合5包括：提供磁控管工作所需电子的灯丝5-2，安装在灯丝上方的上屏蔽帽5-1，以及安装在灯丝下方的下屏蔽帽5-3。上、下屏蔽帽起到屏蔽电子、将多数电子控制在腔体组合内部的作用，以提高磁控管的效率。作为优选的实施方式，所述上屏蔽帽5-1和下屏蔽帽5-3的外径均为8.5mm。
如图7所示，所述输出窗组合6包括：输出窗6-1，位于输出窗下方的6-2接头，以及位于接头下方的下接头6-3。本实施例中，输出窗组合的零件均通过高温钎焊连接，保证管内气密性的同时，还能承受一定的工作温度，提高磁控管的功率容量。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型。本实用新型所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动 与润饰。因此，本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
Claims (4)
1.一种2KW/2450MHz连续波磁控管，其特征在于，包括管芯(1)、位于管芯外围的水冷套(10)、位于水冷套上方和下方的磁钢(11)、位于磁钢外围的下磁路(8)和上磁路(9)、以及位于上磁路下方的屏蔽盒(12)，其中：
所述管芯(1)包括：腔体组合(3)，位于腔体组合中心位置的阴极组合(5)，位于腔体组合一侧并与腔体组合固定配合的上极靴组合(2)，与腔体组合氩弧焊焊接并位于上极靴组合所在一侧的引线组合(4)，腔体组合(3)的另一侧安装有与腔体组合固定配合的下极靴(13)，以及与腔体组合(3)氩弧焊焊接并位于下极靴(13)所在一侧的输出窗组合(6)；所述上极靴组合(2)与下极靴(13)共同将磁钢(11)的磁场导入到腔体组合(3)内部；
上极靴组合(2)包括：上极靴(2-2)，位于上极靴(2-2)内部并通过高温钎焊焊接的扼流筒(2-1)，以及在上极靴(2-2)下方并通过高温钎焊焊接的底板(2-3)；
所述腔体组合(3)包括：腔壳(3-2)，在腔壳内部均匀分布的十二片叶片(3-5)，在叶片内侧通过高温钎焊与叶片(3-5)连接的小隔型带(3-3)和大隔型带(3-4)，以及一通过高温钎焊与一叶片(3-5)连接的输出天线(3-1)，所述大隔型带(3-4)位于小隔型带(3-3)的外周并且二者之间留有一空隙距离；
所述引线组合(4)包括：引线瓷(4-4)，位于引线瓷一侧的(4-2)接线片，密封环(4-3)，抽气管(4-1)，在引线瓷另一侧的上接头(4-5)，位于上接头内部并与引线瓷焊接的短引线杆(4-7)和长引线杆(4-8)，以及用于控制短引线杆(4-7)和长引线杆(4-8)的位置并位于短引线杆(4-7)和长引线杆(4-8)外部的定位瓷(4-6)；
所述阴极组合(5)包括：提供磁控管工作所需电子的灯丝(5-2)，安装在灯丝上方的上屏蔽帽(5-1)，以及安装在灯丝下方的下屏蔽帽(5-3)；
所述输出窗组合(6)包括：输出窗(6-1)，位于输出窗下方的(6-2)接头，以及位于接头下方的下接头(6-3)。
2.根据权利要求1所述的2KW/2450MHz连续波磁控管，其特征在于，所述扼流筒(2-1)的高度取值在15.8mm～16.2mm。
3.根据权利要求1所述的2KW/2450MHz连续波磁控管，其特征在于，所述上屏蔽帽(5-1)和下屏蔽帽(5-3)的外径均为8.5mm。
4.根据权利要求1所述的2KW/2450MHz连续波磁控管，其特征在于，所述腔体组合(3)与水冷套(10)为一体化结构。
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|---|---|---|---|---|
| CN104966654A (zh) * | 2015-06-29 | 2015-10-07 | 南京三乐微波技术发展有限公司 | 一种10kW/2450MHz包装式连续波磁控管及其制备方法 |
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2014
- 2014-05-08 CN CN201420235319.8U patent/CN203871300U/zh not_active Expired - Fee Related
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