CN201359984Y - 一种复合式场致发射阴极结构 - Google Patents
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Abstract
一种复合式场致发射阴极结构,在结构上,是在阴极基板1上采用印刷或者镀膜的方法制备阴极电极2;在阴极电极上采用丝网印刷的方法制备具有良好导电性能的碳纳米管层3,并高温烘烤;在碳纳米管层上再用丝网印刷的方法制备一层纳米结构的氧化锌场致发射体4;将该复合式发射材料在烧结炉中高温烘烤,即制备得到复合式场发射阴极。通过脉冲高电压的加载方式,实现复合式场发射阴极的老炼激活。阴极基板与氧化锌场发射体之间增加了碳纳米管过渡层。由于碳纳米管过渡层具有疏松的网状结构,它增加了氧化锌发射体与阴极基板之间的附着程度,提高了场致发射阴极的电流发射性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种复合式场致发射阴极结构及其制备和老炼方法。属于电子器件制造的技术领域,
背景技术
在高电场作用下,因为隧穿效应,电子从阴极表面逸出,形成场致发射。与热阴极相比较,场致发射阴极具有功耗小、启动快以及可以大面积制备等优点,在平板显示器件和真空电子器件中具有很大的应用前景。
最初人们采用金属微尖或者硅锥阵列做为电子的场致发射体。虽然采用微尖阵列可以获得较高的电场增强因子,但是此类场致发射阴极制备工艺复杂,成本高昂,难以大面积制备。除此之外,微尖场发射阴极的发射稳定性较差,容易发生过流时阴极发射体的损伤。紧随微尖阵列冷阴极,人们又研究了薄膜冷阴极,如金刚石薄膜和类金刚石薄膜等。薄膜冷阴极制备工艺相对简单,且易于大面积成膜。但是,在薄膜冷阴极中,发射体的电场增强因子较小,从而影响了薄膜冷阴极的场发射性能。
进入二十一世纪,对场发射冷阴极的研究热点转移向准一维纳米材料。准一维纳米材料的制备相对简单,而且有可能实现大面积印刷或者定向生长。由于准一维纳米材料具有很高的长径比,其电场增强因子可以达到数千乃至上万。因此,准一维纳米材料场致发射阴极具有比微尖阵列阴极和薄膜阴极更好的发射性能和实用价值。
在准一维纳米材料场致发射阴极中,电子的发射均匀性和发射稳定性是衡量其发射性能的重要参数。采用普通的碳纳米管、纳米氧化锌或者其它纳米材料做为场致发射体,由于纳米材料本身结构的不均匀性以及它们在浆料中分散的不均匀性,造成准一维纳米材料场发射冷阴极发射均匀性较差,同时影响了其发射稳定性。
发明内容
技术问题:本实用新型的目的是提供一种发射性能优良,制备工艺简单的复合式场致发射阴极结构。
技术方案:针对准一维纳米材料场致发射阴极所存在的问题,本实用新型提出一种复合式场发射阴极结构。在该结构中,采用纳米结构氧化锌做为场致发射体。但是,该氧化锌场致发射体不是直接沉积在阴极电极上。本发明在氧化锌场致发射体和阴极电极之间增加了一层碳纳米纤维做为过渡层。由于采用了过渡层,提高了场致发射体与电极之间的附着性能,从而改进了场致发射阴极的发射均匀性和稳定性。
本实用新型的复合式场致发射阴极结构以阴极基板为基板,在阴极基板上设有阴极电极,在阴极电极上设有碳纳米管过渡层,在碳纳米管过渡层上设有纳米结构的氧化锌场致发射层组成场致发射阴极,在场致发射阴极上设有隔离体,在隔离体上设导电的阳极基板组成复合式场致发射阴极结构。
本实用新型的复合式场发射阴极的老炼激活方式为:在阴极和阳极基板上施加脉冲高电压,使氧化锌发射体和碳纳米管同时产生电子发射。在发射电流的作用下,碳纳米管和氧化锌发射体结合更加紧密,发射均匀性也得以有效的提高。
本实用新型的的阴极结构与现有的场发射阴极结构不同之处为:在纳米氧化锌场致发射层与阴极电极之间增加了碳纳米纤维层。
有益效果:在本实用新型中,由于在阴极电极和纳米氧化锌场致发射层之间增加了碳纳米纤维过渡层,氧化锌场发射体与阴极电极之间的附着性能得以改善,从而避免了大电流发射时发射体的损毁。因此,采用本发明的复合式场发射阴极结构,可以提高电流发射的均匀性和稳定性。
附图说明
图1是本实用新型所提出的复合式场发射阴极结构示意图。
其中有:阴极基板1、阴极电极2、碳纳米纤维层3、氧化锌场发射体4、隔离体5、阳极基板6。
具体实施方式
本实用新型的复合式场致发射阴极结构以阴极基板1为基板,在阴极基板1上设有阴极电极2,在阴极电极上丝网印刷碳纳米管过渡层3在碳纳米管过渡层3上设有纳米结构的氧化锌场致发射层4组成场致发射阴极,在场致发射阴极上设有隔离体5,在隔离体5上设导电的阳极基板6组成复合式场致发射阴极结构。利用该二极管结构可以对复合式场发射阴极老炼激活。
其制备的方法为:
a).在阴极基板1上采用印刷或者镀膜的方法制备阴极电极2;
b).在阴极电极上2上采用丝网印刷的方法制备碳纳米管过渡层3,碳纳米管纤维层厚度在1微米至10微米之间,将其在烧结炉中烘烤10~30分钟,烘烤温度为300℃~500℃;
c).自然冷却基板1及碳纳米管过渡层3,在冷却后的碳纳米管过渡层(3)上丝网印刷氧化锌发射层4,发射层厚度在2微米至10微米之间;
d).将阴极基板1、阴极电极2、碳纳米管过渡层3及纳米结构氧化锌发射层4组成的场致发射阴极置于烧结炉中烘烤10~30分钟,烘烤温度为300~500度;
e).自然冷却基板1、阴极电极2、碳纳米管过渡层3和纳米结构氧化锌场发射层4组成的场致发射阴极至室温,形成复合式场致发射阴极结构;
f).在阴极基板(1)上制备隔离体(5),
g).在隔离体(5)上设置导电的阳极基板(6),将阴极玻璃基板与阳极玻璃基板封接排气,形成器件内的真空工作环境。
老炼激活方法为:在阴极和阳极基板上施加脉冲高电压,使氧化锌发射体和碳纳米管同时产生电子发射。在发射电流的作用下,碳纳米管和氧化锌发射体结合更加紧密,发射均匀性也得以有效的提高。
Claims (1)
1、一种复合式场致发射阴极结构,其特征是该结构以阴极基板(1)为基板,在阴极基板(1)上设有阴极电极(2),在阴极电极上设有碳纳米管过渡层(3),在碳纳米管过渡层(3)上设有纳米结构的氧化锌场致发射层(4)组成场致发射阴极,在场致发射阴极上设有隔离体(5),在隔离体(5)上设导电的阳极基板(6)组成复合式场致发射阴极结构。
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Cited By (3)
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CN102543620A (zh) * | 2012-02-14 | 2012-07-04 | 福州大学 | 一种氧化锌和碳纳米管场发射复合阴极结构的制备方法 |
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Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
RU2468462C2 (ru) * | 2010-06-07 | 2012-11-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство образования и науки | Способ обработки электронно-полевых катодов |
CN102097264A (zh) * | 2011-01-21 | 2011-06-15 | 东南大学 | 一种大电流场致发射阴极结构 |
CN102097264B (zh) * | 2011-01-21 | 2012-11-28 | 东南大学 | 一种大电流场致发射阴极结构 |
CN102543620A (zh) * | 2012-02-14 | 2012-07-04 | 福州大学 | 一种氧化锌和碳纳米管场发射复合阴极结构的制备方法 |
CN102543620B (zh) * | 2012-02-14 | 2014-04-30 | 福州大学 | 一种氧化锌和碳纳米管场发射复合阴极结构的制备方法 |
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