CN201323529Y - 一种超声电激励发生器的软启动装置 - Google Patents
一种超声电激励发生器的软启动装置 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种超声电激励发生器的软启动装置,包括串接的外接电源和整流电路,所述整流电路的两端并联一降压器,在外接电源与整流电路之间或整流电路后串联一软启动电阻。本实用新型的软启动装置实现了对需要弱电的元器件和需要高压或超高压的元器件同时供电的目的,同时解决了超声电激励发生器启动时对Mosfet或IGBT产生过流、过压,以致Mosfet或IGBT失效甚至损坏的问题,特别是采用软启动电阻达到了缓慢平稳升压的目的、且避免了适用于弱电的元器件被强电击穿的弊端。
Description
技术领域
本实用新型涉及超声电激励发生器软启动应用技术,具体地说是涉及一种超声电激励发生器的软启动装置。
背景技术
超声技术是以电子、材料、机械振动、物理等学科为基础的高新技术之一。目前,超声波电激励发生器为了达到高频、大功率的目的,更多采用Mosfet(MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应管)或IGBT(Isolated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)。因此,在电路设计上,一般需将接入电源分供Mosfet或IGBT,另外再将接入电源降压后形成Mosfet或IGBT的驱动部分。这样,就会产生过流、过压等情况,从而导致Mosfet或IGBT的失效甚至损坏。
实用新型内容
为了克服上述缺陷,本实用新型的目的在于给出一种简单易行、工作可靠、便于调整启动时间的超声电激励发生器软启动装置。
为实现上述目的,本实用新型采用下述技术方案:一种超声电激励发生器的软启动装置,包括串接的外接电源和整流电路,其中所述整流电路的前端并联一降压器,在外接电源与整流电路之间或整流电路后串联一软启动电阻。
本实用新型的有益效果在于:该软启动装置实现了对需要弱电的元器件和需要高压或超高压的元器件同时供电的目的,同时解决了超声电激励发生器启动时对Mosfet或IGBT产生过流、过压,以致Mosfet或IGBT失效甚至损坏的问题。由于采用软启动电阻达到了缓慢平稳升压的目的、且避免了适用于弱点的元器件被强电击穿的弊端。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
其中,1-外接电源;2-降压器;3-整流电路;4-软启动电阻。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步阐述。
如图1所示,该软启动装置包括串接的外接电源1和整流电路3,其特征在于:所述整流电路3的前端并联一降压器2,在外接电源1与整流电路3之间串联一软启动电阻4。
该软启动装置的实现过程为:将Mosfet或IGBT等适用于弱电(直流电)的元器件连接至降压器2的后面,将需要高压的元器件串接至整流电路的后面。该装置中的降压器2和整流电路3均为本领域技术人员所公知的现有技术。
外接电源1通电,电流分为两个分支分别传给降压器2和软启动电阻4,降压器用于降压,一个分支电流经过降压器2降压后,使交流电变成了适用于弱电元器件使用的电压;软启动电阻用于缓慢平稳升压,软启动电阻4对另一分支电流进行了缓慢升压,使到达整流电路3的电压是缓慢平稳的升高,而不至于突然升高为该部分元器件无法承受的高压,同时也避免了元器件被强电击穿的弊端。软启动电阻串联在整流电路与外接电源之间,不但保护元器件不被强电击穿,同时对整流电路也起到了保护作用。
也可以根据需要将软启动电阻串联在整流电路的后面。
最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制,尽管参照上述实施例对本实用新型进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者等同替换,而未脱离本实用新型精神和范围的任何修改或者等同替换,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
Claims (1)
1.一种超声电激励发生器的软启动装置,包括串接的外接电源(1)、降压器(2)和整流电路(3),其特征在于:所述整流电路(3)的前端并联一降压器(2),在外接电源(1)与整流电路(3)之间或整流电路(3)后串联一软启动电阻(4)。
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CNU2008202338046U CN201323529Y (zh) | 2008-12-25 | 2008-12-25 | 一种超声电激励发生器的软启动装置 |
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- 2008-12-25 CN CNU2008202338046U patent/CN201323529Y/zh not_active Expired - Fee Related
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