CN201298444Y - 一种多晶硅变流变压器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种多晶硅变流变压器为三相变压器，包括原边绕组(1)、副边绕组(2)和铁心，所述原边绕组(1)为三角形连接，所述副边绕组(2)为相互绝缘的三个绕组，所述副边绕组(2)中包括有用于提供控制电源的辅助绕组(3)。所述原边绕组(1)带有分接抽头。该多晶硅变流变压器带有控制电源，且其调压范围宽，能精确检测及调节电压和电流的变化范围。

Description

一种多晶硅变流变压器

技术领域

本实用新型属于变压器技术领域，涉及一种冶炼多晶硅材料用的变压器，具体涉及一种多晶硅变流变压器。

背景技术

目前，工业生产中传统的调压变压器结构是，原边为三角形接法，或星形接法，副边为三角形接法，或星形接法，调整电压波动或通过原边改变副边输出电压；其接线可以是：Dd接线、Dy接线、Yd接线、Yy接线；传统的调压变压器为三相或单相，在实际中不适应生产多晶硅材料时各档位输出电压、电流及电感量、最小漏抗的要求。

中国专利(授权公告号为：CN2927284Y)中公开了一种多晶硅冶炼用的调压变压器，该调压变压器为三相变压器，原边绕组为三角形连接，不抽头，副边绕组为三个单相相互绝缘，每个副边绕组5个抽头输出。这种变压器虽能满足实际生产中冶炼多晶硅的输出电压及漏抗的要求，但在多晶硅冶炼过程中，需要另外配置温控、冷却及照明等系统的控制电源，使用户的采购成本增加，同时也扩大了安装控制电源的空间。另外，上述这种变压器虽然能满足实际生产中冶炼多晶硅的输出电压及漏抗的要求，但是其调压范围窄。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是针对现有技术存在的上述不足，提供一种自带有控制电源的多晶硅变流变压器。

解决本实用新型技术问题采用的技术方案是该多晶硅变流变压器为三相变压器，其包括原边绕组、副边绕组和铁心，所述原边绕组为三角形连接，所述副边绕组为相互绝缘的三个绕组，其中，所述副边绕组中包括有用于提供控制电源的辅助绕组。

优选的是，副边绕组中每相绕组均有5个抽头输出，每相绕组中另有2个抽头输出作为辅助绕组。

更优选的是，所述原边绕组和副边绕组的线圈采用同心式结构，所述原边绕组放置在副边绕组的外侧。所述副边绕组采用箔绕串级结构，即各相绕组内部连续不断开，其输出抽头组成不同级别的输出电压及电流，它们逐级串联在一起，其出线可采用线圈内部出线的方式，以方便布置，且占据空间小，同时也便于更精确地调节和检测电流、电压的变化范围。

进一步优选的是，所述原边绕组带有分接抽头，分接抽头可为三个及三个以上，扩大了变压器的调压范围，使调压范围可达到±10％。原边绕组的出线优选从线圈径向引出。

本实用新型变压器的铁心采用高导磁冷轧取向硅钢片，铁心的叠片方式采用45°角全斜五级步进叠片，铁心可选用无穿孔螺杆铁心，并采用拉板及绑扎结构进行固定，有效地降低了空载电流、激磁电流、磁滞损耗及噪声。

该多晶硅变流变压器可为用户提供220V—400V的温控、冷却及照明等系统的控制电源，就近为用户提供控制电源，降低了用户的采购成本，缩减了安装控制电源的空间。该变压器的调压范围广，既方便抽头又方便调换档位，并能精确调节及检测从几十安培到几千安培的电流变化范围以及从一千多伏到二三百伏的电压变化范围。

本实用新型多晶硅变流变压器是一种环保节能型产品，具有受热冲击能力强、过载能力大、无可燃性树脂、难燃以及紧急过负载能力强，修理维护方便，对湿度、灰尘不敏感，不开裂，性能安全可靠的特点，特别适用于负荷波动范围大以及污秽潮湿的恶劣环境。

附图说明

图1是多晶硅变流变压器的电路结构示意图

图中：1-原边绕组  2-副边绕组  3-辅助绕组

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图对本实用新型作进一步详细说明。

如图1所示，本实用新型多晶硅变流变压器为三相变压器，其包括原边绕组1、副边绕组2和铁心，所述原边绕组1为三角形连接，原边绕组1带有分接抽头，所述副边绕组2为相互绝缘的三个绕组，所述副边绕组2中还包括有用于提供控制电源的辅助绕组3。

为了消除三次谐波电压，减小三次谐波在金属结构件中引起的涡流损耗，本实施例中，原边绕组1采用三角形联结，带三个及三个以上的分接抽头，使调压范围可达到±10％。副边绕组2之间相互绝缘，且每个副边绕组均有7个抽头输出，其中2个抽头是作为辅助绕组的输出。辅助绕组3可以为用户提供电压为220V—400V的温控、冷却及照明等系统的控制电源。

本实施例中，原边绕组1和副边绕组2的线圈采用同心式结构，所述原边绕组1放置在副边绕组2的外侧，即原边绕组1放置在外侧，副边绕组2放置在内侧，既方便抽头引出又方便调换档位。

在多晶硅还原生长过程中，施加的电流从几十安培到几千安培、电压从一千多伏到二三百伏，电流和电压变化范围较大。为了能够精确检测及调节如此宽的变化范围，同时减小涡流损耗及杂散损耗，所述副边绕组2采用箔绕串级结构，即各相绕组内部连续不断开，其输出抽头组成不同级别的输出电压及电流，它们逐级串联在一起，其出线采用线圈内部出线的方式。另外，靠近引出铜排的用于固定铁心的拉板和夹件采用低磁钢板制作，以降低附加损耗。

本实施例中，铁心采用日本新日铁公司30Z120型高导磁冷轧取向硅钢片(厚度为0.3mm)，这种硅钢片降低了空载损耗、激磁电流、磁滞损耗及噪声等级，并具有良好的表面绝缘和机械加工性能。铁心的叠片采用45°角全斜五级步进叠片，这种叠片方式可使铁心导磁截面积最佳，同时可降低变压器的空载损耗和激磁电流。由于铁心为无穿孔螺杆铁心，并采用拉板及绑扎结构进行固定，从而有效地降低了空载电流、损耗及噪声。

本实用新型多晶硅变流变压器不仅适用于各种绝缘等级的干式变压器，同样也适用于油浸式变压器。

Claims (10)

1.一种多晶硅变流变压器，该变压器为三相变压器，包括原边绕组(1)、副边绕组(2)和铁心，所述原边绕组(1)为三角形连接，所述副边绕组(2)为相互绝缘的三个绕组，其特征在于所述副边绕组(2)中包括有用于提供控制电源的辅助绕组(3)。

2.根据权利要求1所述的多晶硅变流变压器，其特征在于副边绕组(2)中每相绕组均有5个抽头输出，每相绕组中另有2个抽头输出作为辅助绕组。

3.根据权利要求2所述的多晶硅变流变压器，其特征在于所述原边绕组(1)和副边绕组(2)的线圈采用同心式结构，所述原边绕组(1)放置在副边绕组(2)的外侧。

4.根据权利要求3所述的多晶硅变流变压器，其特征在于所述副边绕组(2)采用箔绕串级结构，即各相绕组内部连续不断开，其输出抽头组成不同级别的输出电压及电流，它们逐级串联在一起，其出线采用线圈内部出线的方式。

5.根据权利要求1所述的多晶硅变流变压器，其特征在于所述原边绕组(1)带有分接抽头。

6.根据权利要求1所述的多晶硅变流变压器，其特征在于所述原边绕组(1)的出线从线圈径向引出。

7.根据权利要求1-6之一所述的多晶硅变流变压器，其特征在于所述铁心采用高导磁冷轧取向硅钢片。

8.根据权利要求1-6之一所述的多晶硅变流变压器，其特征在于所述铁心的叠片方式为采用45°全斜五级步进叠片。

9.根据权利要求1-6之一所述的多晶硅变流变压器，其特征在于所述铁心为无穿孔螺杆铁心。

10.根据权利要求1-6之一所述的多晶硅变流变压器，其特征在于所述铁心采用拉板及绑扎结构固定。

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