CN201183848Y - 具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构 - Google Patents

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CN201183848Y CNU2008200311015U CN200820031101U CN201183848Y CN 201183848 Y CN201183848 Y CN 201183848Y CN U2008200311015 U CNU2008200311015 U CN U2008200311015U CN 200820031101 U CN200820031101 U CN 200820031101U CN 201183848 Y CN201183848 Y CN 201183848Y
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本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉内的设备,特别是一种具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构,包括保温隔热笼体、保温隔热笼体内安装在侧面和顶面的加热器、放置坩埚的石墨冷却块以及设置在保温隔热笼体内腔四周的保温带,在保温隔热笼体的内腔四周设置的保温带的高h为385-395mm,宽b为405-415mm,保温带由五层保温条组成。通过试验,和原来保温隔热笼体内设置上下层叠的三层保温条相比,它的晶体的成长的固液界面呈现为凸型,周围的晶体的成长速度慢于中间的结晶,在有效区域中的微晶含量降低,使得生产出来的晶锭中的微晶量下降。

Description

具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉内的设备,特别是一种具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构。
背景技术
多晶硅在生长的过程中,由于热场的不稳定,会在晶体内部产生微晶,在DSS450多晶铸造炉热场没改变的情况下,每个出来的晶锭里微晶含量达到49.9%,这样最终产品的良品率就会大大降低。晶体的生长方向是向上的,保温条的作用是使晶块四周的温度不会冷却的太快,使晶体垂直生长,防止晶体没有长完就结晶,从而产生微晶。原有DSS450多晶铸造炉的保温条是三根,这样晶体在生长到一半的时候就结晶,结晶的固液界面呈水平状,而这种方式是最不理想的。
实用新型内容
为了克服现有的多晶硅铸锭炉生产出来的晶锭微晶比例过高,影响产品质量的不足,本实用新型提供一种结晶质量优异的具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构。
本实用新型所采用的技术方案是:一种具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构,包括保温隔热笼体、保温隔热笼体内安装在侧面和顶面的加热器、放置坩埚的石墨冷却块以及设置在保温隔热笼体内腔四周的保温带,在保温隔热笼体的内腔四周的保温带的高h为385-395mm,宽b为405-415mm。保温带由五层上下依次层叠的保温条组成。
原有的保温隔热笼体内有三层上下层叠保温条,现在增加两层。增加两个保温层后,它的晶体的成长的固液界面呈现为凸型,使得生产出来的晶锭中的微晶量下降。
本实用新型的有益效果是:通过试验,和原来保温隔热笼体内设置上下层叠的三层保温条相比,它的晶体的成长的固液界面呈现为凸型,周围的晶体的成长速度慢于中间的结晶,在有效区域中的微晶含量降低,使得生产出来的晶锭中的微晶量下降。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中:1.保温隔热笼体,2.加热器,3.石墨冷却块,4.保温条。
具体实施方式
如图1所示的一种具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构,包括保温隔热笼体1、保温隔热笼体1内安装在侧面和顶面的加热器2和放置坩埚的石墨冷却块3,在保温隔热笼体1的内腔四周设置五层上下依次层叠的保温条4,五层保温条4组成高h为385-395mm,宽b为405-415mm的保温带。在DSS450多晶硅铸锭炉中,保温隔热笼体1内的保温条4原来有三层,现在在上面增加两层。将硅原料加入到坩埚中,坩埚搁放在石墨冷却块3上,坩埚底部和四周衬有护板,顶部具有盖板,在溶化硅材料时,保温隔热笼体1和石墨冷却块3合拢形成加热坩埚中硅原料的热场腔室。
溶化后的硅液冷却结晶时,保温隔热笼体1内的保温条4使得硅液四周的晶体生长慢于中间的结晶,晶体呈凸形生长,在有效区域中微晶的含量降低,使得出来的晶锭中的微晶的含量为从现在的49.9%下降到41.6%。

Claims (2)

1、一种具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构,包括保温隔热笼体(1)、保温隔热笼体(1)内安装在侧面和顶面的加热器(2)、放置坩埚的石墨冷却块(3)以及设置在保温隔热笼体(1)内腔四周的保温带,其特征是:在所述的保温隔热笼体(1)的内腔四周设置的保温带的高h为385-395mm,宽b为405-415mm。
2、根据权利要求1所述的具有五层保温条的多晶硅铸锭炉的热场结构,其特征是:所述的保温带由五层上下依次层叠的保温条(4)组成。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103160935A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 志圣工业股份有限公司 用于监控晶体生长状态的方法、探测系统及设备
CN105200516A (zh) * 2015-09-08 2015-12-30 浙江晟辉科技有限公司 一种增强排杂效果的多晶硅铸锭工艺

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