CN201174285Y - 具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，在一基材的表面设置一层内电极，该内电极的局部上方印刷有保护层，基材的两侧并有端电极；所述的内电极，沿着基板的一方向上设有一开口，开口内部填入热敏电阻材料，热敏电阻材料的上端设一保护层，以提供过电流保护；所述的内电极，其沿着基板的另一方向上复设有一间隙开口，该间隙开口的上方设一提供静电放电保护的保护层。可以更广泛地运用于电子商品之中，以符合电子产品朝向轻、薄、点、小理念发展的要求，使产品更趋向迷你化。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种芯片型陶瓷组件，特别是涉及一种同时兼具有过电流保护及静电放电保护等双重功能的芯片型陶瓷组件。
背景技术
保护组件，主要的功能是为了保护电子产品内的电子回路、主动组件及IC，当电流或电压出现不正常状况时，能够适时断电、减压，以防止电子产品零件受到损害，进一步防止灾害的发生。
在电子产品中，一般所称的保护组件，包括过电流保护组件、过电压保护组件及静电放电保护组件。过电流保护元是利用当电流过高会导致温度上升而予以断电的原理来保护电子产品，静电放电保护组件则是通过空气放电模式(Air Gap Discharge)，当电子产品内的电子回路出现异常过高电压，或者是静电(Static Discharge)时，将过高的电压降低至安全标准值，以防止昂贵的主动组件及IC受到损害。
过电流保护组件，一般使用热敏电阻器或保险丝，主要利用热敏电阻器的电阻值会随着温度的变化而改变的特性，热敏电阻器的产品分类有：PTC(Positive TemperatureCoefficient Thermistor，正温度系数热敏电阻器)及NTC(Negative TemperatureCoefficient Thermistor，负温度系数热敏电阻器)等两类。正温热敏电阻运作方式为温度愈高，电阻值愈大；负温热敏电阻正好相反，运作方式为温度愈高，电阻值愈低。
热敏电阻的功能和保险丝(Fuse)类似，都是提供断电保护使用，两者不同的地方是，热敏电阻因为出现电流异常而断电后，当电流及温度回复正常时，即会自动恢复通电功能，不必更换零件；保险丝则在出现电流异常而断电后，无法自动恢复通电功能，需要以人工进行更换。
热敏电阻器，其体积小，除了可以被设计使用在一般电路上，也可使用于体积较小的电子产品，如手机或PDA等；保险丝的体积则较大，只能在体积较大的电子产品中使用。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于，提供一种具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，将串联于电路上的过电流保护组件与并联于电路上的过电压保护组件设计在同一颗芯片型组件上。
本实用新型的次一目的在提供一种具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，可通过高温共烧的方式将过电流保护组件和过电压保护组件结合为芯片型组件，使成本得以降低，提升市场竞争力。
本实用新型的再一目的在提供一种具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，通过过电流保护组件和过电压保护组件结合，可以减少运用端设计或使用上空间的浪费，使产品使用范围更具多元性。
本实用新型的又一目的在提供一种具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，当产生过电流或异常电流时能及时通过过电流保护组件抑制，而当产生异常电压或静电时则能够通过静电保护组件予以有效保护或导通至接地。
本实用新型是采用以下技术手段实现的：
一种具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，在一基材的表面设置一层内电极，该内电极的局部上方印刷有保护层，基材的两侧并有端电极；所述的内电极，沿着基板的一方向上设有一开口，开口内部填入热敏电阻材料，热敏电阻材料的上端设一保护层，以提供过电流保护；所述的内电极，其沿着基板的另一方向上复设有一间隙开口，该间隙开口的上方设一提供静电放电保护的保护层。
前述的作为静电放电保护之间隙开口，该间隙开口的距离为1～100μm。
前述的作为静电放电保护的间隙开口，设于内电极的短方向上。
前述的作为静电放电保护之间隙开口，为平口状开口或尖端状开口。
前述的作为过电流保护的开口，设于内电极的长方向上。
前述的内电极，为T形电极。
前述的内电极，为十字形电极。
前述的十字形电极，提供两组过电流保护和静电放电保护。
本实用新型与现有技术相比，具有以下明显的优势和有益效果：
本实用新型一种具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其将传统串联于电路上的过电流保护组件与并联于电路上的过电压保护组件设计在同一颗芯片型组件上，整体的成本得以相对降低，提高了市场竞争力，而通过过电流保护组件和过电压保护组件的结合，更可以进一步减少运用端设计或使用上空间的浪费，使产品使用范围更具多元性。
附图说明
图1为本实用新型的立体示意图；
图2为本实用新型的基材示意图；
图3为本实用新型于基材上形成内电极示意图；
图4为本实用新型于内电极形成过电流保护机构开口的示意图；
图5为本实用新型于过电流保护机构开口上端设置保护层以及形成静电放电保护的开口间隙的示意图；
图6为本实用新型于过电流保护机构开口上端及静电放电保护开口间隙上端设保护层的示意图。
图7为本实用新型的第二实施例图；
图8为本实用新型的第三实施例图
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施例加以说明：
如图1所示，本实用新型的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，包括一陶瓷基材1、一个设于基板表面并至少连接至基板三个侧端的T形内电极2、及保护层3；其中，所述的内电极2，在沿着基材1的长方向上设有一开口，提供热敏电阻材料4填入该开口后作为过电流保护机构，热敏电阻材料4的上方并印刷有一层保护层3。
该内电极2，在沿着基材1的短方向上并设有一开口间隙21，以作为静电放电保护机构，开口间隙21的上方同样地印刷有一层保护层3。
通过上述的构成，使静电放电保护与过电流保护同时结合于芯片型组件100之上，芯片型组件100的两侧再被覆端电极101、102。
本实用新型的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，按照下列制造步骤制造所得：
(1)请参阅图2所示，首先制备一基材1(其可为薄带或陶瓷基板)；
(2)请参阅图3所示，在基板1的上方表面印刷一层T形内电极2，内电极2的两端分别连接至基材1的两侧端11、12，其一端连接至基材1的前侧端13；
(3)请参阅图4所示，内电极2的表面，在沿着基材1的长方向上，以切割、雷射或其它方式，切出一道开口20；
(3)请参阅图5所示，再以钛酸钡、二氧化钛等材料添加少量稀土元素或少量金属元素的热敏电阻材料4填入该开口20，将该开口20填满；
(4)然后，同样地，利用切割、雷射或其它方式，在短方向电极上切出一道开口间隙21，形成开路状态，该开口间隙21的距离以1～100μm为较佳；
(5)请参阅图6所示，上述步骤完成之后，再于热敏电阻材料4及开口间隙21的上方分别印刷一层保护层3，对热敏电阻材料4及开口间隙21保护；
(6)最后，切粒成形、烧结、整体芯片外围作封装保护、端银、电镀等步骤完成单一芯片型组件。
上述的内电极2，其材料得为：银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、银钯(AgPd)或金(Au)……等混和金属电极胶。
本实用新型的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，将传统串联于电路上的过电流保护组件与并联于电路上的过电压保护组件设计在同一颗芯片型组件上，整体的成本得以相对降低，提升市场竞争力，而通过过电流保护组件和过电压保护组件的结合，更可以进一步减少运用端设计或使用上空间的浪费，使产品使用范围更具多元性。
请参照图7，本实用新型具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，实施时亦可以在基材1上形成一十字形内电极5，然后在该十字形内电极5的长方向的两侧，各设置一组包含热敏电阻材料61及保护层62的过电流保护机构；以及在十字形内电极5的短方向的两侧，各设置一组包含间隙开口71及保护层72的静电保护机构；如此获得的芯片型陶瓷组件，具有双重方向性，便利依据电子产品的现况调整使用。
请再参照图8所示，本实用新型的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其于内电极的短方向所设用以作为静电放电保护之间隙开口又得为尖端状开口8，而具有尖端放电的功能。
综合以上所述，本实用新型的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其将传统串联于电路上的过电流保护组件与并联于电路上的过电压保护组件设计在同一颗芯片型组件的结构。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换；而一切不脱离实用新型的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
Claims (7)
1.一种具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，在一基材的表面设置一层内电极，该内电极的局部上方印刷有保护层，基材的两侧并有端电极；其特征在于：
所述的内电极，沿着基板的一方向上设有一开口，开口内部填入热敏电阻材料，热敏电阻材料的上端设一保护层，以提供过电流保护；所述的内电极，其沿着基板的另一方向上复设有一间隙开口，该间隙开口的上方设一提供静电放电保护的保护层。
2.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述作为静电放电保护之间隙开口，该间隙开口的距离为1～100μm。
3.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述作为静电放电保护的间隙开口，设于内电极的短方向上。
4.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述作为静电放电保护之间隙开口，为平口状开口或尖端状开口。
5.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述作为过电流保护的开口，设于内电极的长方向上。
6.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述的内电极，为T形电极。
7.根据权利要求1所述的具有过电流保护及静电保护功能的芯片型陶瓷组件，其特征在于：所述的内电极，为十字形电极。
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