CN201038135Y - 功率放大器中ldmos功率放大管的固定结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于RF无线通信网络优化设备中的线性功率放大器的设计技术，具体涉及一种功率放大器中LDMOS功率放大管的固定结构。其特征是在塑封功率放大管的底部设有一层导电银胶，塑封功率放大管通过导电银胶粘合在镀金铜板上，镀金铜板上设有两个螺钉孔，塑封功率放大管上方设有一片铝质压条，铝质压条通过螺钉与镀金铜板连接。这种固定结构具有良好的导电性和散热性，且性能更加稳定、可靠。
Description
技术领域
本实用新型属于RF无线通信网络优化设备中的线性功率放大器的设计技术，具体涉及一种功率放大器中LDMOS功率放大管的固定结构。
背景技术
RFLDMOS功率放大管应用于RF频段的金属氧化物场效应功率放大管。结构上主要由半导体管芯、填充介质、金属热沉、金属化电极和外部封装构成。半导体的管芯是整个放大管的核心，它在工作的时候会散发大量的热量。另外，由于能量转换效率较低，大功率输出时散发的热量更大，这些热量主要是通过金属热沉散发，以保证管芯的温度不会太高致使半导体被烧毁。因此，RFLDMOS放大管应用时的可靠性和良好的指标性能都需要良好的散热和接地，而这些主要依靠金属热沉的导电和导热能力。
目前，RFLDMOS功率放大管按照其封装形式和工艺的不同主要分为塑料封装和陶瓷封装两种。这两种封装形式的功率放大管的主要区别在于：首先，前者的填充介质和外部封装是特殊的塑料，而后者是特殊气体和陶瓷；其次，用于接地和散热的金属底热沉的区别，前者的底座就是镶嵌在介质中的金属，而后者是一块镀金的金属法兰底座。
显然，气体加陶瓷的散热能力肯定优于有机塑料，而镀金的金属法兰底座的导热和导电能力是绝对优于镶嵌在有机塑料中的金属。正因为如此，前者的成本就远远低于后者。所以，只要采取适当的应用方案，就能保证在同样的性能指标的前提下降低产品的成本。
目前，针对两种封装形式的功率放大管的固定，一般都是在管子底部的金属底座上均匀的涂抹散热硅胶，然后用螺钉固定在一块散热铝板上面，确保功率放大管与散热铝板的可靠接触。
在大功率情况下使用塑料封装的功率放大管时，仍采用现有的固定方案就会有以下缺点：
首先，散热用的导热硅胶是不导电的，这样就不能满足功率管对接地的要求，性能指标必然下降；
其次，使用导热硅胶虽然可以增大金属热沉与散热铝板的接触面积，但由于塑料封装功率放大管自身的结构特性，导致热量仍不能最大的散发，温度升高，很不利于管子的正常工作，甚至会烧毁；
再次，功率放大管工作时，由于塑料自身热胀冷缩的特性，用两颗螺钉固定必然导致功率放大管各个部分受力不均匀；这样工作时的可靠性必然下降。
发明内容
本实用新型的目的在于针对现有功率放大管固定结构不适用于大功率情况下使用的缺陷，提供一种具有良好的导电性和散热性，且更加稳定、可靠的功率放大器中LDMOS功率放大管的固定结构。
本实用新型的技术方案如下：功率放大器中LDMOS功率放大管的固定结构，在塑封功率放大管的底部设有一层导电银胶，塑封功率放大管通过导电银胶粘合在镀金铜板上，镀金铜板上设有两个螺钉孔，塑封功率放大管上方设有一片铝质压条，铝质压条通过螺钉与镀金铜板连接。
本实用新型在塑封功率放大管的底部涂抹导热和导电性能良好的导电银胶，用铜板和压条配合的形式，增加了功率放大管的散热效率，提高了产品在要求的温度范围内的可靠性。相比陶瓷封装的功率管涂抹散热硅胶和铝制散热底板，同等指标前提下，产品的成本下降；相比塑料封装的功率管涂抹散热硅胶和铝制散热底板，产品的性能指标大幅提升，稳定性和可靠性提高。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中，1.铝质压条 2.塑封功率放大管 3.导电银胶4.螺钉 5.镀金铜板6.螺钉孔
具体实施方式
如图所示，功率放大器中LDMOS功率放大管的固定结构，是在塑封功率放大管2的底部设有一层导电银胶3，塑封功率放大管2通过导电银胶3粘合在镀金铜板5上，镀金铜板5上设有两个螺钉孔6，塑封功率放大管2上方设有一片铝质压条1，铝质压条1通过螺钉4与镀金铜板5连接。导电银胶在LDMOS功率放大管与镀金铜板之间的厚度层在0.2～0.3毫米的范围内，即可保证LDMOS功率放大管性能稳定可靠。
导电银胶是在环氧树脂胶体中均匀地掺杂了金属银粉末而形成的一种导热和导电性能良好的胶体，省去了使用导热硅胶时用高温烘箱的烧结工艺，减少了生产流程和生产设备；用铜板和压条配合，增加了功率放大管的散热效率，提高了产品在要求的温度范围内的可靠性。
Claims (1)
1.一种功率放大器中LDMOS功率放大管的固定结构，其特征在于：在塑封功率放大管(2)的底部设有一层导电银胶(3)，塑封功率放大管(2)通过导电银胶(3)粘合在镀金铜板(5)上，镀金铜板(5)上设有两个螺钉孔(6)，塑封功率放大管(2)上方设有一片铝质压条(1)，铝质压条(1)通过螺钉(4)与镀金铜板(5)连接。
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Publications (1)
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| CN201038135Y true CN201038135Y (zh) | 2008-03-19 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102593071A (zh) * | 2012-03-02 | 2012-07-18 | 深圳麦格米特电气股份有限公司 | 一种焊机功率管封装结构 |
| CN112151473A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-12-29 | 山东航天电子技术研究所 | 一种功率管压接装置 |
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2007
- 2007-01-25 CN CNU2007200025235U patent/CN201038135Y/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102593071A (zh) * | 2012-03-02 | 2012-07-18 | 深圳麦格米特电气股份有限公司 | 一种焊机功率管封装结构 |
| CN112151473A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-12-29 | 山东航天电子技术研究所 | 一种功率管压接装置 |
| CN112151473B (zh) * | 2020-08-20 | 2022-04-15 | 山东航天电子技术研究所 | 一种功率管压接装置 |
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