CN200948456Y - 半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，具体地说是与腐蚀槽、喷淋式预冲槽配套使用，用于半导体晶圆片生产过程中湿法腐蚀、去胶、清洗等工序的冲水，属于湿法腐蚀工序中的设备。其主要采用高低冲水槽前后阶梯式排列组成一体，在高冲水槽后部连接进水管。低冲水槽底部设置排水孔；高冲水槽上设有流水槽。本实用新型将原水平排列的溢流槽改为前后阶梯式排列，并比预冲槽高出一点，避免了圆片转移过程中酸水对纯水的污染；纯水从高端进入，并从顶部和底部流到低端继续使用，可以节省一半纯水的；不另外用进水管，其水的电阻率能满足初步冲洗要求。

Description

半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，具体地说是与腐蚀槽、喷淋式预冲槽配套使用，用于半导体晶圆片生产过程中湿法腐蚀、去胶、清洗等工序的冲水，属于湿法腐蚀工序中的设备。

背景技术，

目前，用于半导体晶圆片生产过程中湿法腐蚀、去胶、清洗等工序的冲水，通常是采用四个冲水槽(腐蚀槽、预冲槽、两只溢流槽)采用一字排开，并紧靠在一起，两只溢流槽一样高度。每个冲水槽单独使用一根进水管(后部)及一根进气管(N2氮气管)，在冲水时鼓泡以保护圆片。腐蚀后的圆片经过预冲10秒后再在任何一个溢流槽中进一步冲洗8-10分钟。冲水流程为：左腐蚀槽→预冲槽→溢流槽→甩干，可以左右同时进行。从右腐蚀槽中取出的圆片经预冲后必须越过溢流槽的上方才能到达预冲槽，其间存在酸水滴洒在槽中的可能，从而有污染冲水槽的隐患；如果要避免这种情况的发生，操作人员必须特意绕开溢流槽的上方，这样做不符合操作习惯，给实际工作带来不便；由于四个水槽紧靠在一起，且高度相当，当有两批以上的圆片同时冲水时溢出的水很容易漫入旁边的水槽而造成互相污染；每一个冲水槽单独使用一根进水管，纯水用量较大。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足之处，从而提供一种将原水平排列的溢流槽改为前后阶梯式排列，并比预冲槽高出一点，避免了圆片转移过程中酸水对纯水的污染；纯水从高端进入，并从顶部和底部流到低端继续使用，可以节省一半纯水的；不另外用进水管，其水的电阻率能满足初步冲洗要求的半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽。

本实用新型的主要解决方案是这样实现的：

本实用新型主要采用高低冲水槽前后阶梯式排列组成一体，在高冲水槽后部连接进水管、进气管；低冲水槽底部设置排水孔；高冲水槽上设有流水槽。

本实用新型与已有技术相比具有以下优点：

本实用新型结构简单、紧凑，合理；将原水平排列的溢流槽改为前后阶梯式排列，并比预冲槽高出一点，避免了圆片转移过程中酸水对纯水的污染；原来的清洗方式采用一步清洗法，每个溢流槽单独使用一根进水管，只能清洗一批圆片；现在的阶梯式冲水槽从高端的一个水槽进水，低端的冲水槽使用高端的水槽流过来的水，不另外用进水管，其水的电阻率能满足初步冲洗的要求，即采用这种两步清洗法，现在一根水管的纯水能同时清洗两批圆片，在满负荷作业的情况下可以节省约一半的纯水用量。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

具体实施方式

下面本实用新型将结合附图中的实施例作进一步描述：

本实用新型主要采用高低冲水槽2、3前后阶梯式排列组成一体(一组)，每一组阶梯式高低冲水槽2、3共同使用一根进水管1，因此在高冲水槽2后部连接进水管1、进气管6。高冲水槽2上设有流水槽5。高冲水槽2高端槽内的水可以流到低冲水槽3槽内继续使用后由低冲水槽体3低端底部设置排水孔4排出。

本实用新型工作过程：

本实用新型在开始对半导体晶圆片冲水前10秒钟打开预冲槽的纯水开关，先将圆片放入喷淋式预冲槽中上下提拉至少5次(用时约10秒)，顶部边缘四周储水室中的水通过边缘斜面上设置小孔向槽内斜喷水，此时圆片表面大部分的酸或其他溶液会被冲洗掉；再把圆片放入阶梯式低冲水槽内冲水4-5分钟，使圆片表面得到充分的清洗，然后转移到阶梯式高冲水槽内继续冲水4-5分钟以确保洗干净，最后取出甩干。

Claims (3)

1、一种半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，其特征是采用高低冲水槽(2、3)前后阶梯式排列组成一体，在高冲水槽(2)后部连接进水管(1)、进气管(6)。

2、根据权利要求1所述的半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，其特征在于所述的高冲水槽(2)上设有流水槽(5)。

3、根据权利要求1所述的半导体器件生产清洗用阶梯式冲水槽，其特征在于所述的低冲水槽(3)底部设置排水孔(4)。

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