CN1993010A - 等离子放电装置及其应用方法 - Google Patents

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CN1993010A
CN1993010A CN 200510003377 CN200510003377A CN1993010A CN 1993010 A CN1993010 A CN 1993010A CN 200510003377 CN200510003377 CN 200510003377 CN 200510003377 A CN200510003377 A CN 200510003377A CN 1993010 A CN1993010 A CN 1993010A
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洪昭南
梁国超
徐逸明
陈俊钦
王亮钧
王俊尧
陈彦政
李志勇
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Abstract

一种等离子放电装置及其应用方法。该等离子放电装置至少包含外电极、绝缘层以及内电极。外电极至少包括:一第一部分具有一第一腔室,且第一腔室具有第一孔径,其中第一腔室具有一底板,且底板设有一开口;以及一第二部分连接到第一部分下,且具有第二腔室贯穿第二部分,第二腔室具有第二孔径,其中第二腔室与底板的开口连接,且第一孔径大于第二孔径。绝缘层位于第一腔室的内壁上。内电极设于外电极内的第一腔室的前端,并相对于底板的开口。

Description

等离子放电装置及其应用方法
技术领域
本发明涉及一种等离子放电装置,特别是涉及一种可产生低温等离子的等离子放电装置。
背景技术
等离子的组成包括有电子、离子以及电中性粒子。在等离子中,正负电荷的数目大致相等,因此一般可视其为呈电中性,且受电磁场影响。通常,可利用高能量粒子、电磁波(如宇宙射线、紫外线、X射线等)来撞击气体,或对气体施加高温,或者对气体施加外加电场等方式来产生等离子。等离子产生方式,一般是将所需的气体通入一容器内,并在预设气压下,加入直流电源、射频(Radio Frequency)或微波(Microwave)能量来源,以利用电容式(Capacitive)、电感式(Inductive)或粒子与波交互作用的方式,使气体崩溃(Breakdown)游离,而生成等离子。简而言的,等离子的产生是将能量施加给气体,使其受激发电离。
目前,常见的等离子表面处理技术有电光环(corona)、电介质屏障放电(dielectric barrier discharge)等,但是,上述处理方法都有能量密度较低导致处理速度较慢的问题。
等离子炬(Plasma Torch)是一种常见的常压等离子,可以运用于切割、熔接等工业,可以在高功率高能量密度的条件的下进行操作。等离子炬的原理是将等离子能量聚集在一小的体积范围内,将漩流工作气体部分离子化,使工作气体能产生活化反应,提高反应性。为了延长电极的使用寿命,通常会使用耐高温金属(例如钨或钨掺杂氧化钍)作放电电极,且将工作气体以漩涡流动(Swirling Flow)的方式导入放电电极之间,以使等离子柱(Plasma Column)能稳定在等离子通道的中央,进而减少能量散失到管壁,并能造成等离子柱的收缩,以提高工作气体的游离程度。
然而,由于一般等离子炬所产生的等离子的温度相当高,因此不适合直接用于热敏性材料的处理。举例而言,进行液晶模块的接线端子的清洁时,由于液晶模块的光学板材及结构多属热敏性材质,因此利用一般的等离子炬来进行表面清洁时,稍一操作不慎,则极有可能会对液晶模块造成损害。
因此,亟需提供一种低温等离子放电装置,可降低等离子射出的温度,以适用于热敏性材料的处理。
发明内容
本发明的目的是提供一种等离子放电装置,其下电极的出口结构具有冷却散热设计,可降低等离子射出的温度。因此,本发明的等离子放电装置可适用于热敏性材质的处理。
本发明的另一目的是提供一种等离子放电装置,可在等离子形成至射出期间,增加等离子与下电极的出口结构之间的接触面积与接触时间,因此可有效加强等离子与外部的热交换,进而可提高等离子的冷却效果。
本发明的又一目的是提供一种等离子放电装置,可在不影响解离浓度的情形下,提供较低温的等离子,因此可提高等离子的处理效能。
本发明的再一目的是提供一种等离子放电装置,可产生低温等离子,因此可适用于处理热敏感性材料。
本发明的再一目的是提供一种等离子放电装置的的应用方法,可产生低温等离子,可用来对热敏感性材料进行表面处理。
根据本发明的上述目的,提出一种等离子放电装置,至少包括外电极、绝缘层以及内电极。外电极至少包括:一第一部分具有第一腔室,且第一腔室具有第一孔径,其中第一腔室具有一底板,且底板设有一开口;以及一第二部分连接在第一部分下,且具有第二腔室贯穿第二部分,第二腔室具有第二孔径,其中第二腔室与底板的开口接合,且第一孔径大于第二孔径。绝缘层位于第一腔室的内壁上。内电极设于外电极内的第一腔室的前端,并相对于底板的开口。
根据本发明一较佳实施例,上述的第二部分是呈管状结构,且在管状结构的外侧壁上可设置至少一散热片。在本发明的另一较佳实施例中,更可设置水冷套管接合在第一部分下,并包围在第二部分外,以供水流通。
根据本发明的目的,提出一种等离子放电装置,至少包括外电极、绝缘层以及内电极。外电极至少包括:一第一部分具有第一腔室,且第一腔室具有第一孔径,其中第一腔室具有一底板,且底板设有多个开口;以及一第二部分接合在第一部分下,且具有多个第二腔室贯穿第二部分,每一第二腔室具有第二孔径,其中这些第二腔室分别与底板的开口接合,且第一孔径大于第二孔径。绝缘层位于第一腔室的一内壁上。内电极设于外电极内的第一腔室的前端,并相对于底板的开口。
根据本发明一较佳实施例,上述的第二部分至少包括多个管状结构,且第二腔室分别位于这些管状结构中。在本发明的另一较佳实施例中,上述的第二部分是呈柱状结构,且所有的第二腔室从对应的开口延伸并贯穿此柱状结构。
根据本发明的另一目的,提出一种等离子放电装置,至少包括外电极、绝缘层以及内电极。外电极至少包括:一第一部分,具有第一腔室,且第一腔室具有固定孔径,其中第一腔室具有底板,且底板设有一开口;以及一第二部分接合在第一部分下,且具有第二腔室贯穿第二部分,第二腔室具有多重孔径,其中第二腔室与底板的开口接合,且固定孔径大于多重孔径。绝缘层位于第一腔室的内壁上。内电极设于外电极内的第一腔室的前端,并相对于底板的开口。
根据本发明一较佳实施例,上述的多重孔径是一渐缩孔径。在本发明的另一较佳实施例中,上述的多重孔径可为一渐增孔径。
根据本发明的再一目的,提出一种等离子放电装置,适用于一操作电压实质介于100V到30000V之间,以及一操作功率实质介于10W到3000W之间,以产生一低温等离子。此等离子放电装置至少包括:一外电极,外电极内具有一腔室,其中腔室的末端设有一开口;一绝缘层位于上述腔室的内壁上;以及一内电极设于外电极的腔室内,且具有一放电端,而可射出一等离子柱通过腔室,到达开口的内缘,其中此放电端与开口内缘的距离实质介于0.1mm到300mm之间。
根据本发明的再一目的,更提出一种等离子放电装置的应用方法,适用以对一热敏感性材料进行一表面处理。此等离子放电装置的应用方法先提供一等离子放电装置,以产生一低温等离子。其中,此等离子放电装置至少包括:一外电极,外电极内具有一腔室,其中腔室的末端设有一开口;一绝缘层位于腔室的内壁上;以及一内电极设于外电极内的腔室的一放电端,可射出一等离子柱通过腔室,到达开口的内缘,其中放电端与开口内缘的距离实质是在于0.1mm到300mm之间。接着,调整等离子放电装置的操作电压以及操作功率,使操作电压实质介于100V到30000V之间,使操作功率实质介于10W到3000W之间。然后,使低温等离子直接与热敏感性材质的表面接触。
根据上述的较佳实施例,其是通过调整内电极与外电极之间的距离,并采用特定操作电压与操作功率,来减少电极因大量电流通过所产生的废热,用以降低等离子温度,以适用于热敏感性材料的处理。
附图说明
图1表示根据本发明第一较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。
图2表示根据本发明第二较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。
图3表示依照本发明第三较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。
图4表示根据本发明第四较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。
图5表示根据本发明第五较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。
图6表示依照本发明第六较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。
图7表示依照本发明第七较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。
图8表示应用本发明的第七较佳实施例的等离子放电装置来进行塑化材料的表面处理的操作示意图。
附图标记说明
100a:等离子放电装置     100b:等离子放电装置
100c:等离子放电装置     100d:等离子放电装置
100e:等离子放电装置     100f:等离子放电装置
100g:等离子放电装置     102:外电极
104:绝缘层              106:内电极
108:等离子柱            110:管状结构
112:工作气体            114:平板
116:进气口              118:底板
120:孔径                122:孔径
124:长度                126:开口
128:腔室                130:腔室
132:散热鳍片            134:块状结构
136:套管                138:通道
142:柱状结构            144:第一部分
146:第二部分            148:放电端
150:等离子              200:热敏材料
具体实施方式
本发明公开一种等离子放电装置及其应用方法,是一常压的低温等离子放电装置,可在不影响解离浓度下,有效降低射出的等离子的温度,因此可适用于处理由热敏材质所构成的对象。为了使本发明的叙述更加详尽与完备,可参照下列描述并结合图1至图8。
请参照图1,其是表示根据本发明第一较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。在本发明中,等离子放电装置100a可为常压等离子放电装置。等离子放电装置100a主要是由外电极102、绝缘层104、以及内电极106所组成。外电极102至少包括第一部分144与第二部分146,其中第一部分144位于第二部分146的上方,且第一部分144与第二部分146彼此连接。第一部分144具有腔室128,而绝缘层104可批覆于第一部分144的腔室128的内壁上,其中第一部分144的腔室128具有孔径122。绝缘层104的厚度介于约0.01mm至约50mm之间。在本发明中,绝缘层104的材质可例如为塑化材料、有机材料、低熔点金属、以及上述任意组合,或组成中含有上述材料的物质。在一实施例中,绝缘层104是由厚度50mm的石英材质所构成。第一部分144的腔室128具有底板118,从腔室128的侧壁的下缘朝内水平延伸,其中底板118的中央区域更设有开口126。第二部分146主要是由管状结构110所组成,此管状结构110具有腔室130贯穿其中。腔室130与第一部分144的底板118的开口126接合,且自开口126向下延伸。其中,腔室130具有孔径120,且腔室128的孔径122大于腔室130的孔径120。第二部分146的材料较佳可为铂或铂合金。在本发明的另一实施例中,等离子放电装置100a更可包括保护薄膜(未示出),其中此保护薄膜延伸覆盖在腔室130的内侧壁的表面以及开口126周缘的底板118的表面上,此保护薄膜可采用耐冶炼的材料,例如铂或其合金,以避免等离子损害。
在本发明的一实施例中,第二部分146的长度较佳是介于约2mm至约100mm之间,更佳是介于约15mm至约20mm之间。此外,第二部分146的腔室130的孔径120较佳是介于约0.1mm至约10mm之间,更佳是介于约2mm至约3mm之间。
值得注意的一点是,在本实施例中,虽然在第二部分146的整个腔室130中是一固定的孔径120,然而本发明并不限于此,本发明的外电极的等离子出口阶段的第二部分的腔室可具有多重孔径,例如由上而下渐缩孔径或由上而下渐增孔径。
内电极106则设于外电极102内的腔室128的顶端,并与底板118的开口126相对。另一方面,平板114设置于第一部分144的腔室128的顶端,且穿过内电极106的根部,其中平板114的两端分别接合在绝缘层104上,而将内电极106固定在腔室128的内部。其中,为了延长内电极106的使用寿命,通常会使用耐高温金属,例如钨或钨掺杂氧化钍,来制作放电的内电极106。平板114更具有多个进气口116,以供工作气体112由此进入腔室128。
本实施例的等离子放电装置100a在运作时,先从内电极106射出等离子柱108,在此同时,平板114的进气口116提供工作气体112,等离子柱108通过外电极102的第一部分144的腔室128。由于从内电极106射出的等离子柱108的行径趋势是朝向最接近的放电点,因此等离子柱108的行进方向会朝向底板118的开口126的边缘,如此一来,可在内电极106与底板118的开口126之间形成等离子。产生在开口126区域附近的等离子,再经由管状结构110而射出等离子放电装置100a。
由于,等离子是在第一部分144的底板118的开口126与内电极106之间形成,而所产生的等离子仍需经过第二部分146才得已脱离等离子放电装置100a。因此,可增加等离子与管状结构110的接触面积以及接触时间,而可增进等离子与管状结构110的热交换,进而可达到有效冷却等离子的效果。
值得注意的一点是,在本实施例中,由于等离子放电装置100a的等离子射出部分为长条状的管状结构110,而此管状结构110可引导等离子的射出,因此对于具有沟槽状结构的装置而言,管状结构110可深入沟槽中,使射出等离子的密度更集中且能更近距离地处理沟渠内部。
请参照图2,其表示根据本发明第二较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。在本发明中,更可在图1的等离子放电装100a中第二部分146的管状结构110外侧壁上增设至少一散热鳍片132,而形成等离子放电装置100b。在等离子放电装置100b中,由于散热鳍片132的设置,可进一步增加通过第二部分146的等离子与外部之间的热交换面积,加强对等离子的散热效果。
请参照图3,其表示根据本发明第三较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。在本发明中,第二部分146可由块状结构134所组成,且第二部分146的腔室130贯穿设于此块状结构134中,如等离子放电装置100c。在等离子放电装100c中,由于块状结构134的质量远比图1的管状结构110的质量大,可提供较大的吸热能力,而可进一步提升等离子的散热效果。
请参照图4,其表示根据本发明第四较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。在本发明中,更可提供套管136接合在图1的等离子放电装置100a中的第一部分144下,并使此套管136包围在第二部分146的管状结构110外,而形成等离子放电装置100d。其中,套管136与管状结构110的外侧壁之间形成通道138。套管136可为水冷套管,而通道138可供水流通其中。因此,在等离子放电装置100d运转期间,可提供冷水流通于套管136与管状结构110之间的通道138中,并利用流通的冷水把等离子的部分热量带走,而可更有效地冷却等离子。
请参照图5,其表示根据本发明第五较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。在本发明中,如图5所示的等离子放电装置100e,第二部分146也可由多个管状结构110所构成,其中每一个管状结构110具有腔室130贯穿其中。为对应第二部分146的这些腔室130,第一部分144的底板118相对于腔室130而设有多个开口126,亦即每个腔室130与对应的开口126接合。在本实施例中,也可如同第二实施例,在第二部分146的外侧壁上增设至少一散热鳍片(未示出),或者如同第四实施例,提供套管(未示出)接合在第一部分144下,并包围在第二部分146外,以进一步增强等离子的散热效果。
请参照图6,其表示根据本发明第六较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。在本发明中,如图6所示的等离子放电装置100f,第二部分146也可由一柱状结构142所构成,其中多个腔室130贯穿此柱状结构142。为对应第二部分146的柱状结构142内的这些腔室130,第一部分144的底板118相对于这些腔室130而设有多个开口126,亦即每个腔室130与对应的开口126接合。在本实施例中,也可如同第二实施例,在第二部分146的外侧壁上增设至少一散热鳍片(未绘示),或者如同第四实施例,提供套管(未绘示)接合在第一部分144下,并包围在第二部分146外,以进一步提升对出射等离子的冷却效果。
根据上述的较佳实施例,本发明的等离子放电装置的一特征就是在于将外电极至少区分成具有底板的上部与接合在上部的底板的下部二段结构,并使上部腔室的孔径大于下部腔室的孔径。如此一来,等离子可在上部腔室的腔室内生成,而所生成的等离子可在通过下部腔室期间,受到等离子与外部之间的热交换增加的影响下,获得有效冷却,进而使本等离子放电装置射出较低温的等离子。因此,应用本发明的等离子放电装置,可提供较低温的等离子来进行热敏物料的处理。此外,由于本等离子放电装置可在不降低等离子柱的能量下,获得较低温的射出等离子,而不会影响工作气体的解离状况,因此所获得的射出等离子不仅效能佳,且在工作气体流速较小的情况下,例如每分钟10公升以下,射出等离子也相当稳定。
请参照图7,其表示根据本发明第七较佳实施例的一种等离子放电装置的示意图。在等离子放电装置100g中,第二部分146可由一般的锥状结构所构成,其中第一部分144的腔室128与第二部分146的腔室130邻接。第二部分146的腔室130的等离子出口端设有开口126。在本实施例中,内电极106的放电端148射出等离子柱108通过腔室128与130,到达腔室130的开口126的内缘,其中放电端148与开口126的内缘的距离介于约0.1mm至约300mm之间。
在本实施例中,等离子放电装置100g是适用实质介于100V到30000V之间的操作电压,以及实质是介于10W到3000W之间的操作功率。
等离子放电装置100g是通过控制调整内电极106与放电点(即开口126的内缘)之间的距离,并采用特定操作电压与操作功率,以提供操作温度介于约25℃至约500℃的低温等离子。与已知的等离子炬相比较之下,在相同的操作功率下,可以通过升高等离子放电装置100g的操作电压,来降低操作电流的流量,以进一步减少电极因大量电流通过所产生的大量废热,如此一来,可有效降低等离子温度,也可减少内电极106因高温而损耗。由于等离子温度可获得有效降低,因此本等离子放电装置100g可用来处理热敏感性材料。下表一是比较已知等离子炬与本实施例的低温等离子放电装置100g产生的等离子时的操作条件以及结果:
表一
  已知等离子炬   本发明的较佳实施例
  电极距离   1mm   40mm
  操作电压   20V   4000V
  操作电流   20A   0.1A
  功率   400W   400W
  出口等离子温度   >1000℃   <500℃
在相同操作功率400W之下,本发明的较佳实施例可将电压升高至4000V,大幅度降低操作电流(0.1A)使出口等离子温度小于500℃,远低于已知技术的出口等离子温度(大于1000℃),因此本实施例的等离子放电装置100g相当适合用来处理热敏感材料,例如塑化材料、有机材料、低熔点金属、以及上述材料的任意组合。
可运用本发明的等离子放电装置来进行敏感材料的处理。举例而言,以下介绍应用等离子放电装置100g来进行塑化材料的表面处理,如图8所示。首先,提供上述的等离子放电装置100g,其中等离子放电装置100g可产生低温的等离子150。
接着,调整等离子放电装置100g的操作电压与操作功率,而将操作电压控制在介于约100V至约30000V之间,以及将操作功率控制在介于约10W至约3000W之间,以使等离子150的出口温度维持在约25℃至约500℃之间。接下来,将等离子150直接与热敏感性材料200的待处理表面接触,以利用等离子150来进行热敏感性材料200的表面处理。
由上述本发明较佳实施例可知,本发明的等离子放电装置的一优点就是因为其下电极的出口阶段的结构具有冷却散热设计,因此可有效降低等离子射出的温度,而可适用于热敏性材料的处理。
由上述本发明较佳实施例可知,本发明的等离子放电装置的另一优点就是因为本等离子放电装置可在等离子形成至射出期间,增加等离子与外部的间的接触面积与时间,因此可有效增进等离子与外部的热交换,进而达到提高等离子的冷却效果的目的。
由上述本发明较佳实施例可知,本发明的等离子放电装置的又一优点就是因为本等离子放电装置可在不影响工作气体的解离浓度的情形下,提供较低温且又稳定的等离子,因此可达到提高等离子的处理效能的目的。
虽然本发明已经以一较佳实施例公开如上,然而其并非用以限定本发明,任何熟习此技术的人,在不脱离本发明的精神和范围内,应当可作各种的变化与改进,因此本发明的保护范围应当以所附权利要求书范围所界定的为准。

Claims (28)

1.一种等离子放电装置,至少包括:
一外电极,至少包括:
一第一部分,具有一第一腔室,所述第一腔室具有一第一孔径,其中所述第一腔室具有一底板,且所述底板设有一开口;以及
一第二部分接合在所述第一部分下,且具有一第二腔室贯穿所述第二部分,所述第二腔室具有一第二孔径,其中所述第二腔室与所述底板的所述开口接合,且所述第一孔径大于所述第二孔径;
一绝缘层位于所述第一腔室的一内壁上;以及
一内电极设于所述外电极内的所述第一腔室的一前端,并相对于所述底板的所述开口。
2.如权利要求1所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二部分是一管状结构。
3.如权利要求2所述的等离子放电装置,进一步包括至少一散热鳍片设于所述管状结构的外侧壁上。
4.如权利要求2所述的等离子放电装置,更至少包括一水冷套管接合在所述第一部分下,并包围在所述所述第二部分外。
5.如权利要求1所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二部分是一块状结构,且所述第二腔室贯穿设于所述块状结构中。
6.如权利要求1所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二部分的长度介于2mm至100mm之间。
7.如权利要求1所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二孔径介于0.1mm至10mm之间。
8.如权利要求1所述的等离子放电装置,其特征在于,所述等离子放电装置是一常压等离子放电装置。
9.一种等离子放电装置,至少包括:
一外电极,至少包括:
一第一部分,具有一第一腔室,且所述第一腔室具有一第一孔径,其特征在于,所述第一腔室具有一底板,且所述底板设有多个开口;以及
一第二部分接合在所述第一部分下,且具有多个第二腔室贯穿所述第二部分,每一所述第二腔室具有一第二孔径,其特征在于,所述第二腔室分别与所述底板的所述开口接合,且所述第一孔径大于所述第二孔径;
一绝缘层位于所述第一腔室的一内壁上;以及
一内电极设于所述外电极内的所述第一腔室的一前端,并相对于所述底板的所述开口。
10.如权利要求9所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二部分至少包括多个管状结构,且所述第二腔室分别位于所述管状结构中。
11.如权利要求9所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二部分是一柱状结构,且所述第二腔室从所述开口延伸并贯穿所述柱状结构。
12.如权利要求11所述的等离子放电装置,进一步包括至少一散热鳍片设于所述第二部分的外侧壁上。
13.如权利要求12所述的等离子放电装置,进一步至少包括一水冷套管接合在所述第一部分下,并包围在所述第二部分外。
14.如权利要求9所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二部分的长度介于2mm至100mm之间。
15.如权利要求9所述的等离子放电装置,其特征在于,每一所述第二孔径介于0.1mm至10mm之间。
16.一种等离子放电装置,至少包括:
一外电极,至少包括:
一第一部分,具有一第一腔室,且所述第一腔室具有一孔径,其特征在于,所述第一腔室具有一底板,且所述底板设有一开口;以及
一第二部分接合在所述第一部分下,且具有一第二腔室贯穿所述第二部分,所述第二腔室具有一多重孔径,其特征在于,所述第二腔室与所述底板的所述开口接合,且所述孔径大于所述多重孔径;
一绝缘层位于所述第一腔室的一内壁上;以及
一内电极设于所述外电极内的所述第一腔室的一前端,并相对于所述底板的所述开口。
17.如权利要求16所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二部分是一管状结构。
18.如权利要求17所述的等离子放电装置,进一步包括至少一散热鳍片设于所述管状结构的外侧壁上。
19.如权利要求17所述的等离子放电装置,更至少包括一水冷套管接合在所述第一部分下,并包围在所述第二部分外,以供水流通。
20.如权利要求16所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二部分是一块状结构,且所述第二腔室贯穿设于所述块状结构中。
21.如权利要求16所述的等离子放电装置,其特征在于,所述多重孔径是一渐缩孔径。
22.如权利要求16所述的等离子放电装置,其特征在于,所述多重孔径是一渐增孔径。
23.如权利要求16所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二部分的长度介于2mm至100mm之间。
24.如权利要求16所述的等离子放电装置,其特征在于,所述第二孔径介于0.1mm至10mm之间。
25.一种等离子放电装置,适用于一操作电压介于100V到30000V之间,以及一操作功率介于10W到3000W之间,以产生一低温等离子,所述等离子放电装置至少包括:
一外电极,所述外电极内具有一腔室,其特征在于,所述腔室的一末端设有一开口;
一绝缘层位于所述腔室的一内壁上;以及
一内电极设于所述外电极的所述腔室内,且具有一放电端,而可射出一等离子柱通过所述腔室,到达所述开口的内缘,其特征在于,所述放电端与所述开口内缘的距离介于0.1mm到300mm之间。
26.如权利要求25所述的等离子放电装置,其特征在于,所述低温等离子的出口温度范围介于25℃到500℃之间。
27.一种等离子放电装置的应用方法,适用以对一热敏材料进行一表面处理,所述等离子放电装置的应用方法至少包括:
提供一等离子放电装置,以产生一低温等离子,其特征在于,所述等离子放电装置至少包括:
一外电极,所述外电极内具有一腔室,其特征在于,所述腔室的一末端设有一开口;
一绝缘层位于所述腔室的一内壁上;以及
一内电极设于所述外电极内的所述腔室的一放电端,可射出一等离子柱通过所述腔室,到达所述开口的内缘,其特征在于,所述放电端与所述开口内缘的距离是在于0.1mm到300mm之间;
调整所述等离子放电装置的一操作电压以及一操作功率,使所述操作电压介于100V到30000V之间,使所述操作功率介于10W到3000W之间;以及
使所述低温等离子直接与所述热敏感性材质的表面接触。
28.如权利要求27所述的应用方法,所述热敏材料是选自于由塑性材料、有机材质、低熔点金属、以及上述任意组合所组成的一组材料。
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CN102065625B (zh) * 2009-11-16 2012-08-22 财团法人工业技术研究院 具有导入装置的等离子系统
CN110731128A (zh) * 2017-04-28 2020-01-24 张成植 生成自由电荷、臭氧以及光的高能效等离子体过程

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101415293B (zh) * 2007-10-16 2011-05-18 财团法人工业技术研究院 等离子体头结构及具有该结构的等离子体放电装置
CN102065625B (zh) * 2009-11-16 2012-08-22 财团法人工业技术研究院 具有导入装置的等离子系统
CN110731128A (zh) * 2017-04-28 2020-01-24 张成植 生成自由电荷、臭氧以及光的高能效等离子体过程
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