CN1988193A - 蓝光量子点电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种蓝光量子点电致发光器件及其制备方法,本发明以ZnS,CaZnS蓝光量子点为主体发光材料,在导电玻璃ITO表面分别利用旋转涂覆,将原料依次制成一定厚度的薄膜,得到具有如下结构的器件:ITO/PVK(x nm)/ZnS,CaZnS蓝光(y nm)/PBD(z nm)/Al(t nm)。该蓝光量子点电致发光器件具有制备工艺简单、重复性好的特点,它比一般的单色光源具有更小的功耗,具有更高的亮度。
Description
【技术领域】
本发明专利涉及一种新型平板型显示器件——蓝光量子点电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
量子点是准零维纳米半导体材料,它由少量原子或原子团构成,通常三维尺度在1~10nm。由于尺寸量子效应和介电限域效应的影响,显示出独特的荧光特性等物理和化学特性,使得量子点在光电子学和生物学等方面具有广阔的应用前景。量子点电致发光器件具有低功耗、高效率、响应速度快和重量轻等优点,可以大面积成膜,更主要的是由于无机材料本身的物理性质可以克服OLED中有机发光材料的热衰变、光化学衰变等问题,极大地延长器件使用寿命,是一种具有巨大的学术价值和良好商业前景的光子器件。在材料方面国际上多选择ZnS包覆CdSe量子点作为电致发光器件的发光层,但是镉(Cd)的毒性较大,可经食物、水或空气进入人体,对人体产生严重的毒害作用。鉴于此,欧盟通过电子电机设备中危害物质禁用指令(RoHS),自2006年7月1日起禁止在电子产品中使用镉(Cadmium)等物质。所以,开发出新型环保量子电材料是量子点电致发光器件发展的方向。
【发明内容】
本发明的目的是为了克服现有技术的不足,提供了一种蓝光量子点电致发光器件的制备方法及装置。本发明以不含镉(Cd)等有毒成分并具有良好热稳定性的蓝光量子点为发光层材料,实现单一发光层、较大面积且发光均匀的平板型蓝光量子点电致发光器件。
本发明提供的蓝光量子点电致发光器件,其特征在于该发光器件自下而上依次由以下各层组成:
ITO阳极导电玻璃层;空穴传输层PVK(聚乙烯咔唑);发光层ZnS,CaZnS蓝光量子点;电子传输层PBD(2-联苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)和金属Al阴极。
本发明还提供了一种上述的蓝光量子点电致发光器件的制备方法,包括:
(1)将刻蚀成5mm*60mm条形的ITO玻璃在清洁剂中反复清洗后,再分别经异丙醇、丙酮和氯仿溶液浸泡并超声清洗,最后在红外烘箱中干燥待用;
(2)将PVK溶于1~2mg/ml的氯仿溶液中,采用旋转涂覆法成膜;低速1000~1400rpm,成膜时间10~20s,高速3000~4000rpm,成膜时间10~30s,完成后将其置于干燥器内3~10小时;
(3)将ZnS,CaZnS蓝光量子点按质量比为1∶1~3∶1,溶于0.1~10mg/ml的纯水中,采用旋转涂覆法成膜;低速1000~1400rpm,成膜时间10~20s,高速3000~4000rpm,成膜时间10~30s,完成后将其置于干燥器内3~10小时;
(4)将PBD溶于1~2mg/ml的氯仿溶液中,采用旋转涂覆法成膜;低速1000~1400rpm,成膜时间10~20s,高速3000~4000rpm,成膜时间10~30s,完成后将其置于干燥器内3~10小时;
(5)Al阴极的制备采用在钨合金炉丝上分挂约1~2cm长的AL丝,借助条形掩膜板,在发光层之上真空蒸镀一薄层条形Al,真空度大于8×10-4Pa.,蒸发电流为10~30A,蒸发时间为10~20分钟;
(6)将上述制成的器件中所有的条形ITO阳极一端接直流电源正极,所有条形Al阴极一端接直流电源负极,得到点阵式蓝光量子点电致发光器件。
本发明的优点和积极效果:本发明的蓝光量子点电致发光器件具有制备工艺简单、重复性好的特点,它比一般的单色光源具有更小的功耗,具有更高的亮度。
【附图说明】
图1是蓝光量子点电致发光器件具体结构示意图;
【具体实施方式】
本发明以ZnS,CaZnS蓝光量子点为主体发光材料,在导电玻璃ITO表面分别利用旋转涂覆,将原料依次制成一定厚度的薄膜,得到具有如下结构的器件:ITO/PVK(x nm)/ZnS,CaZnS(y nm)/PBD(z nm)/Al(tnm);其中,20≤x≤40nm;30≤y≤60m;20≤z≤40nm;60≤t≤150nm,发光层中ZnS,CaZnS蓝光量子点的质量比在1∶1~3∶1之间。相应材料分子式如下所示:
实施例1:
(1)将刻蚀成5mm*60mm条形的ITO玻璃在清洁剂中反复清洗后,再分别经异丙醇、丙酮和氯仿溶液浸泡并超声清洗,最后在红外烘箱中干燥待用;
(2)将PVK溶于1.5mg/ml的氯仿溶液中,采用旋转涂覆法成膜;低速1000rpm,成膜时间20s,高速3400rpm,成膜时间30s,完成后将其置于干燥器内10小时;
(3)将ZnS,CaZnS蓝光量子点按质量比为1.6∶1,溶于5mg/ml的纯水中,采用旋转涂覆法成膜;低速1100rpm,成膜时间20s,高速3000rpm,成膜时间30s,完成后将其置于干燥器内10小时;
(4)将PBD溶于1.5mg/ml的氯仿溶液中,采用旋转涂覆法成膜;低速1000rpm,成膜时间18s,高速3000rpm,成膜时间20s,完成后将其置于干燥器内8小时;
(5)Al阴极的制备采用在钨合金炉丝上分挂约2cm长的Al丝,借助条形掩膜板,在发光层之上真空蒸镀一薄层条形Al,真空度大于8×10-4Pa.,蒸发电流约为30A,蒸发时间约为12分钟;
(6)将上述制成的器件中所有的条形ITO阳极一端接直流电源正极,所有条形Al阴极一端接直流电源负极,得到点阵式蓝光量子点电致发光器件。
实施例2:
(1)将刻蚀成5mm*50mm条形的ITO玻璃在清洁剂中反复清洗后,再分别经异丙醇、丙酮和氯仿溶液浸泡并超声清洗,最后在红外烘箱中干燥待用;
(2)将PVK溶于1.5mg/ml的氯仿溶液中,采用旋转涂覆法成膜;低速1000rpm,成膜时间20s,高速3000rpm,成膜时间30s,完成后将其置于干燥器内8小时;
(3)将ZnS,CaZnS蓝光量子点按质量比为2∶1,,溶于8mg/ml的纯水中,采用旋转涂覆法成膜;低速1300rpm,成膜时间20s,高速3000rpm,成膜时间30s,完成后将其置于干燥器内8小时;
(4)将PBD溶于1.6mg/ml的氯仿溶液中,采用旋转涂覆法成膜;低速1000rpm,成膜时间18s,高速3000rpm,成膜时间25s,完成后将其置于干燥器内6小时;
(5)Al阴极的制备采用在钨合金炉丝上分挂约2cm长的Al丝,借助条形掩膜板,在发光层之上真空蒸镀一薄层条形Al,真空度大于8×10-4Pa.,蒸发电流约为30A,蒸发时间约为15分钟;
(6)将上述制成的器件中所有的条形ITO阳极一端接直流电源正极,所有条形Al阴极一端接直流电源负极,得到点阵式蓝光量子点电致发光器件。
Claims (6)
1、一种蓝光量子点电致发光器件,其特征在于该发光器件自下而上依次由以下各层组成:
1)ITO阳极导电玻璃层;
2)空穴传输层PVK;
3)发光层ZnS,CaZnS蓝光量子点;
4)电子传输层PBD;
5)Al阴极层。
2、根据权利要求1所述的蓝光量子点电致发光器件,其特征是空穴传输层厚度x为20≤x≤40nm。
3、根据权利要求1所述的蓝光量子点电致发光器件,其特征是发光层ZnS,CaZnS蓝光量子点的质量比在1∶1~3∶1之间,发光层厚度y为30≤y≤60nm。
4、根据权利要求1所述的蓝光量子点电致发光器件,其特征是电子传输层厚度z为20≤z≤40nm。
5、根据权利要求1所述的蓝光量子点电致发光器件,其特征是Al阴极层厚度t为60≤t≤150nm。
6、一种权利要求1所述的蓝光量子点电致发光器件的制备方法,其特征是该方法包括以下步骤:
(1)将刻蚀成5mm*60mm条形的ITO玻璃在清洁剂中反复清洗后,再分别经异丙醇、丙酮和氯仿溶液浸泡并超声清洗,最后在红外烘箱中干燥待用;
(2)将PVK溶于1~2mg/ml的氯仿溶液中,采用旋转涂覆法成膜;低速1000~1400rpm,成膜时间10~20s,高速3000~4000rpm,成膜时间10~30s,完成后将其置于干燥器内3~10小时;
(3)将ZnS,CaZnS蓝光量子点按质量比为1∶1~3∶1,溶于0.1~10mg/ml的纯水中,采用旋转涂覆法成膜;低速1000~1400rpm,成膜时间10~20s,高速3000~4000rpm,成膜时间10~30s,完成后将其置于干燥器内3~10小时;
(4)将PBD溶于1~2mg/ml的氯仿溶液中,采用旋转涂覆法成膜;低速1000~1400rpm,成膜时间10~20s,高速3000~4000rpm,成膜时间10~30s,完成后将其置于干燥器内3~10小时;
(5)Al阴极的制备采用在钨合金炉丝上分挂约1~2cm长的AL丝,借助条形掩膜板,在发光层之上真空蒸镀一薄层条形Al,真空度大于8×10-4Pa.,蒸发电流为10~30A,蒸发时间为10~20分钟;
(6)将上述制成的器件中所有的条形ITO阳极一端接直流电源正极,所有条形Al阴极一端接直流电源负极,得到点阵式蓝光量子点电致发光器件。
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CNA2006101300634A CN1988193A (zh) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | 蓝光量子点电致发光器件及其制备方法 |
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CNA2006101300634A CN1988193A (zh) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | 蓝光量子点电致发光器件及其制备方法 |
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CNA2006101300634A Pending CN1988193A (zh) | 2006-12-12 | 2006-12-12 | 蓝光量子点电致发光器件及其制备方法 |
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CN (1) | CN1988193A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103400892A (zh) * | 2013-07-09 | 2013-11-20 | 山东建筑大学 | 一种制备硫化锌光电薄膜的方法 |
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2006
- 2006-12-12 CN CNA2006101300634A patent/CN1988193A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103400892A (zh) * | 2013-07-09 | 2013-11-20 | 山东建筑大学 | 一种制备硫化锌光电薄膜的方法 |
CN103400892B (zh) * | 2013-07-09 | 2016-05-25 | 山东建筑大学 | 一种制备硫化锌光电薄膜的方法 |
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