CN1983644A - 制作单晶硅太阳电池绒面的方法 - Google Patents

制作单晶硅太阳电池绒面的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1983644A
CN1983644A CNA2005101114532A CN200510111453A CN1983644A CN 1983644 A CN1983644 A CN 1983644A CN A2005101114532 A CNA2005101114532 A CN A2005101114532A CN 200510111453 A CN200510111453 A CN 200510111453A CN 1983644 A CN1983644 A CN 1983644A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solution
naoh
alcohol
monocrystalline silicon
silicon solar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005101114532A
Other languages
English (en)
Inventor
汪乐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Solar Energy Science and Technology Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Solar Energy Science and Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Solar Energy Science and Technology Co Ltd filed Critical Shanghai Solar Energy Science and Technology Co Ltd
Priority to CNA2005101114532A priority Critical patent/CN1983644A/zh
Publication of CN1983644A publication Critical patent/CN1983644A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明涉及一种制作单晶硅太阳电池绒面的方法，其特点在于将单晶硅置入碱腐蚀溶液中，该碱腐蚀溶液是NaOH、酒精和葡萄糖的混合水溶液，其中，NaOH的浓度为0.5－1.5％，葡萄糖的浓度为1－5％，NaOH溶液∶酒精∶葡萄糖溶液＝(9－11)∶1∶(0.01－0.02)；腐蚀温度为85℃，腐蚀时间为30－45分钟。用本发明方法制备的绒面(正金字塔)小而均匀覆盖整个表面，金字塔塔尖清晰和低表面反射率(约8％左右)，提高了电池短路电流和光电转化效率。本发明适合大面积，如125×125mm2和156×156mm2太阳电池的生产使用。

Description

制作单晶硅太阳电池绒面的方法
技术领域
本发明涉及一种利用单晶硅制备太阳电池的技术，具体涉及一种单晶硅太阳电池绒面的制备方法。
背景技术
太阳电池能将太阳光能转变成电能。为了减少单晶硅表面光的反射，增加光的吸收，在制造单晶硅太阳电池时，用化学方法或物理方法将硅单晶表面制成“正金字塔”或“倒金字塔”形的正四面体。其中化学方法最适宜大规模生产和成本较低。因此国内外生产单晶硅太阳电池的企业一般均通过选择性腐蚀来达到改善表面结构(俗称“制作绒面”)的目的。目前，基本上均采用NaOH水溶液在一定温度下加入一定量的酒精或异丙醇作缓冲剂来实现。其中异丙醇比酒精的效果更好，质量更稳定，但成本较高。中国专利CN1507075A也于2004年06月23日公开了一种“单晶硅太阳能电池的表面结构及其制作方法”，太阳电池表面利用NaOH溶液和异丙醇溶液进行各向异性腐蚀，制成金字塔图形(正四面体)，增大太阳光吸收面，经过多次反射，增加单晶硅表面吸收。
虽然国内大多数生产单晶硅太阳电池的企业均采用酒精作缓冲剂。但是，往往不同批号的单晶硅或不同批号的酒精，在制作绒面时加入酒精的量和制作时间均不同。这样，增加了对工人的技术要求和生产质量的不稳定性。此外，在制作过程中气泡不易赶走，在表面出现不少“雨点”或“亮点”。即在“雨点”处，硅表面和溶液没有充分反应，在该处没形成“金字塔”。因此，有必要寻找一种既降低成本，提高“绒面”质量和稳定性，又使工人操作方便的制作“绒面”方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种既降低成本，又提高“绒面”质量及稳定性的制作单晶硅太阳电池绒面的方法。该方法能减少“雨点”的形成，在使用静止操作的情况下，制作出基本保持塔尖的均匀分布的金字塔，减反射效果极佳。
为了实现上述发明目的，本发明提出的一种制作单晶硅太阳电池绒面的方法，在原有的NaOH和酒精溶液各向异性腐蚀(100)方向的硅表面的基础上，增加一种添加剂。添加剂为不同于酒精和异丙醇的羟基物质，即浓度为1-5％的葡萄糖溶液。具体技术方案为：将单晶硅置入碱腐蚀溶液中，该碱腐蚀溶液是NaOH、酒精和葡萄糖的混合水溶液，其中，NaOH的浓度为0.5-1.5％，葡萄糖的浓度为1-5％，NaOH溶液∶酒精∶葡萄糖溶液＝(9-11)∶1∶(0.01-0.02)；腐蚀温度为85℃，腐蚀时间为30-45分钟，上述比例是体积比。
本发明方法在碱腐蚀溶液中加入添加剂，可使制作过程保持在静止状态它可减少酒精使用量，节约成本；制备出保持尖端的金字塔、质量稳定的“绒面”，绒面质量优于已有的其他方法，如图1和图2所示。达到电池表面反射率降低，电池效率提高的目的。经过检测，使用本发明制作的单晶硅太阳电池绒面反射率达8％左右，优于其它溶液腐蚀制作绒面的反射率值。绒面(金字塔)小而均匀，覆盖整个表面，金字塔塔尖清晰，绒面反射率低等特点。适合大面积，如125×125mm2和156×156mm2太阳电池的生产使用。
附图说明
图1是使用本发明方法制作的绒面硅片的SEM剖面图；
图2是使用本发明方法制作的绒面硅片的一定的角度俯视SEM图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例1
1、配置碱腐蚀溶液
2、单晶硅片在约85℃下，投入浓度为20％NaOH溶液中进行减薄处理，处理时间为5-10分钟，去除表面损伤层。
3、在纯净水中冲洗，去除表面残留物。
4、将减薄处理后的硅片置于已配置的制作绒面的溶液中，在85℃左右温度下腐蚀30-45分钟。
5、在纯净水中冲洗，去除表面残留物。

Claims (1)

1、一种制作单晶硅太阳电池绒面的方法，其特征在于将单晶硅置入碱腐蚀溶液中，该碱腐蚀溶液是NaOH、酒精和葡萄糖的混合水溶液，其中，NaOH的浓度为0.5-1.5％，葡萄糖的浓度为1-5％，NaOH溶液∶酒精∶葡萄糖溶液＝(9-11)∶1∶(0.01-0.02)；腐蚀温度为85℃，腐蚀时间为30-45分钟，上述比例是体积比。
CNA2005101114532A 2005-12-13 2005-12-13 制作单晶硅太阳电池绒面的方法 Pending CN1983644A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2005101114532A CN1983644A (zh) 2005-12-13 2005-12-13 制作单晶硅太阳电池绒面的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2005101114532A CN1983644A (zh) 2005-12-13 2005-12-13 制作单晶硅太阳电池绒面的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1983644A true CN1983644A (zh) 2007-06-20

Family

ID=38166006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005101114532A Pending CN1983644A (zh) 2005-12-13 2005-12-13 制作单晶硅太阳电池绒面的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1983644A (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008145231A2 (de) * 2007-05-25 2008-12-04 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur texturierung von siliziumwafern, entsprechende texturierungs-flüssigkeit und so texturierter siliziumwafer
CN101840961A (zh) * 2010-03-31 2010-09-22 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 一种晶体硅太阳电池工业化生产工艺
DE102009060931A1 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 Gebr. Schmid GmbH & Co., 72250 Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Siliziumsubstraten
CN102154712A (zh) * 2011-03-10 2011-08-17 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 单晶硅太阳能电池制绒液及其制备方法
CN101752450B (zh) * 2008-12-08 2012-02-08 湖南天利恩泽太阳能科技有限公司 晶体硅太阳能电池片多重制绒方法
EP2458622A2 (en) 2010-11-24 2012-05-30 Air Products and Chemicals, Inc. Compositions and methods for texturing of silicon wafers
CN101423942B (zh) * 2008-11-13 2012-09-05 蒋冬 一种制备单晶硅绒面的碱腐蚀溶液及方法
CN104195644A (zh) * 2014-07-27 2014-12-10 北京工业大学 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008145231A2 (de) * 2007-05-25 2008-12-04 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur texturierung von siliziumwafern, entsprechende texturierungs-flüssigkeit und so texturierter siliziumwafer
WO2008145231A3 (de) * 2007-05-25 2009-04-02 Schmid Gmbh & Co Geb Verfahren zur texturierung von siliziumwafern, entsprechende texturierungs-flüssigkeit und so texturierter siliziumwafer
CN101423942B (zh) * 2008-11-13 2012-09-05 蒋冬 一种制备单晶硅绒面的碱腐蚀溶液及方法
CN101752450B (zh) * 2008-12-08 2012-02-08 湖南天利恩泽太阳能科技有限公司 晶体硅太阳能电池片多重制绒方法
DE102009060931A1 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 Gebr. Schmid GmbH & Co., 72250 Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Siliziumsubstraten
CN101840961A (zh) * 2010-03-31 2010-09-22 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 一种晶体硅太阳电池工业化生产工艺
CN101840961B (zh) * 2010-03-31 2013-01-16 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 一种晶体硅太阳电池工业化生产工艺
EP2458622A2 (en) 2010-11-24 2012-05-30 Air Products and Chemicals, Inc. Compositions and methods for texturing of silicon wafers
CN102154712A (zh) * 2011-03-10 2011-08-17 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 单晶硅太阳能电池制绒液及其制备方法
CN104195644A (zh) * 2014-07-27 2014-12-10 北京工业大学 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法
CN104195644B (zh) * 2014-07-27 2016-08-24 北京工业大学 一种单晶硅衬底亚微米金字塔结构激光-化学制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1983644A (zh) 制作单晶硅太阳电池绒面的方法
CN102703989B (zh) 类单晶太阳能电池制绒工艺
CN102181935B (zh) 一种制作单晶硅绒面的方法及腐蚀液
CN101876088B (zh) 多晶硅片制绒方法
CN102082199B (zh) 一种用于晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法
CN101540351B (zh) 一种在单晶硅太阳能电池表面上蚀刻绒面的方法
CN107268087A (zh) 一种降低金刚线切割的多晶硅片反射率的金属催化制绒方法
CN103614778A (zh) 用于单晶硅片的无醇碱性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法
CN102593268B (zh) 采用绒面光滑圆整技术的异质结太阳电池清洗制绒方法
CN103938276A (zh) 一种单晶硅片制绒添加剂、制绒液及对应的制绒方法
CN101570897A (zh) 一种用于单晶硅绒面制备的腐蚀液及单晶硅绒面的制备方法
CN102005504A (zh) 可提高太阳电池转化效率的硅片制绒方法
CN1983645A (zh) 多晶硅太阳电池绒面的制备方法
CN102931290A (zh) 一种不损伤绒面的多晶硅太阳能电池返工方法
CN102270702A (zh) 一种制绒白斑单晶硅片的返工工艺
CN103789839B (zh) 一种弱氧化单晶硅片的制绒方法
CN104562211A (zh) 一种可提升单晶电池转换效率的制绒方法
CN102810596A (zh) 冶金级单晶以及类单晶硅的绒面制备方法
CN103346204A (zh) 一种多晶链式多步制绒工艺
CN112877784A (zh) 一种用于硅片碱液制绒的添加剂
CN107611226B (zh) 一种晶体硅绒面制作方法、太阳能电池及其制作方法
CN104060325A (zh) 一种多晶硅制绒溶液及制绒方法
CN103924305B (zh) 一种准单晶硅片绒面的制备方法
CN107393818A (zh) 一种多晶硅太阳能电池的酸碱二次制绒方法及其多晶硅
CN103184523B (zh) 一种单晶硅制绒剂及绒面单晶硅的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Open date: 20070620