CN1974643A

CN1974643A - 用于氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂

Info

Publication number: CN1974643A
Application number: CN 200510126003
Authority: CN
Inventors: 蔡丽端; 杜佾璋
Original assignee: Industrial Technology Research Institute ITRI
Current assignee: Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date: 2005-11-28
Filing date: 2005-11-28
Publication date: 2007-06-06
Anticipated expiration: 2025-11-28
Also published as: CN1974643B

Abstract

一种用于氧化还原聚合法合成导电性高分子的氧化剂。此种氧化剂是由具氧化力的金属离子盐类与未共用电子对具有部分π电子特性的氮化合物所构成的有机金属错合物。此种有机金属错合物在室温下对导电性高分子单体的氧化力微弱，故与单体混合后具有长期的室温稳定性；高温时此一有机金属错合物具有适度的氧化聚合能力，以此有机金属错合物所合成的导电性高分子具有极佳的导电度。

Description

用于氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂

技术领域

本发明是有关于一种用以聚合导电性高分子的氧化剂，特别是有关一种由具氧化力金属离子盐类与一种或多种氮化合物结合成为错合物型态的氧化剂。

背景技术

自从共轭高分子聚乙烯(polyacetylene)被发现经掺杂后可表现出导电特性以来，世人即竞相投入新型导电性共轭高分子的开发与应用工作。目前最常被应用的导电性共轭高分子有聚吡咯(polypyrrole)、聚苯胺(polyaniline)以及聚噻吩(polythiophene)及其相关衍生物。应用的范围包括抗静电涂布、各类型电容器电解质、太阳能光电集板、印刷电子线路板及发光显示器等等。

合成导电性共轭高分子的主要方法可分为电化学聚合及化学氧化聚合法两大类；其中电化学聚合法是将共轭高分子单体溶于含有电解质的溶液中并通以电流，随即在阳极处形成共轭高分子。溶液中的电解质在共轭高分子形成的过程中亦会进行共轭高分子的掺杂反应而赋予共轭高分子具有导电特性。至于化学氧化聚合法则是利用化学氧化剂将共轭高分子单体氧化后，使其进行聚合反应，随后再以气相或液相方式加入掺杂剂，使共轭高分子表现出导电特性。电化学聚合法可获致最佳导电特性的共轭高分子而且由电化学聚合法可聚合出具有极佳机械特性的聚吡咯(polypyrrole)薄膜。然而此法严重受限于被加工对象需具有导电及高氧化电位的要求，因此限制了此法的应用范围。化学氧化聚合法对于被加工对象无特别的要求，单体、氧化剂、掺杂剂与溶剂混合后，趁单体尚未大量聚合形成导电性高分子前可进行所需要的涂布或含浸等加工程序。

化学氧化聚法的实用性与加工技术的难易度受到单体、氧化剂混合液的稳定度所控制。单体和氧化剂混合液一经混合便会引发导电性高分子单体的聚合反应而使混合液的粘度上升，导致混合液难以涂布或含浸于被加工对象的表面。因此如何获得稳定的单体与氧化剂混合液以及高导电度的导电性高分子为化学聚合法的研究开发重点。

以固态电解电容器的制作为例，为了降低氧化剂与单体混合液的反应速率，延长混合液的可加工时间，弗莱屈.琼斯(Friedrich Jonas)等人于美国专利第4,910,645号揭露使用大量的溶剂稀释导电性高分子单体，使单体浓度低于10wt％，以降低单体与氧化剂混合溶液的室温反应速率。结果电容器素子一次含浸导电性高分子单体及氧化剂的混合溶液，经过聚合后只能得到少量的导电性高分子，其余的部分则为残余的反应物与大量的溶剂所占据，故此种制程需经过多达16次的含浸与聚合方能产生足够的导电性高分子填满电容器素子正负箔之间的空隙(如美国专利第6,136,176号)。因此以导电性高分子作为固态电解电容器的电解质具有制程繁复，制造成本高昂的缺点。

弗莱屈.琼斯(Friedrich Jonas)等人在美国专利第4,959,430号揭露一种噻吩(thiophene)衍生物3，4-乙烯二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)在室温下与氧化剂混合后具有较低的化学氧化聚合速率，所聚合的聚3，4-乙烯二氧噻吩(poly(3，4-ethylenedioxythiophene))具有极佳的导电度与结构安定性。然而此种新型导电性高分子单体和氧化剂组成的混合液的室温聚合速率仍受到氧化剂浓度所控制，因此过高的氧化剂浓度会大大影响混合液的室温稳定性，而限制了单体氧化剂混合液的组成配方，影响化学氧化聚合法的加工条件。

菲利浦M.列色(Philip M.Lessner)等人在美国专利第6,056,899号揭露以含有氧原子的特定低沸点有机化合物，如四氢呋喃，与三价铁的氧化剂混合形成错合物，降低氧化剂的氧化力，使导电性高分子单体与氧化剂所组成的混合液能长时间稳定保存。待电容器素子含浸混合液后，于高温环境驱走此一低沸点溶剂，促使氧化剂引发导电性高分子的聚合反应。由于此专利所揭露含氧原子的化合物，如四氢呋喃作为聚合延缓剂，与三价铁的氧化剂形成的错合物对铁离子的氧化能力改变不大，因此对单体与氧化剂的室温稳定效果有限，无法有效改善导电性高分子固态电解电容器的制程繁复，制造成本高昂的缺点。

因此，如何提出一种有效抑制单体与氧化剂混合液的室温聚合速率，同时不影响最后所获得的导电性高分子的导电度以及制程的难度实为化学氧化聚法的发展重点。

发明内容

有鉴于此，本发明乃为解决上述问题而提出一种错合物型态的氧化剂。此种氧化剂室温下的氧化力微弱，高温时具有适度的氧化能力，故导电性高分子单体在室温下和此一错合物型态的氧化剂混合时不易发生氧化聚合反应。纵使单体和高浓度的氧化剂混合后在室温下仍具有长时间的稳定性，在高温时可进行聚合反应，并获得导电度极佳的导电性分子。

所以为达上述目的，本发明所提出一种新型氧化剂是由具氧化力的金属盐类以及未共用电子对具有部分π电子特性的氮化合物所形成的有机金属错合物。以错合物的形式结合以降低金属离子的室温氧化能力，但是不影响金属离子的高温氧化力。

本发明一种以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，包含由具有氧化能力的至少一种金属盐类及未共用电子对具有部分π电子特性的至少一种氮化合物所构成的至少一种错合物。

其中上述的未共用电子对具有部分π电子特性的氮化物是含有下列任一种官能基：

其中上述的未共用电子对具有部分π电子特性的氮化物是选自下列任一种：含有官能基的五元或六元环化合物、醯胺类化合物、亚醯胺类化合物及脲类化合物以及脲酯类化合物。

其中上述的含

官能基的五元或六元环化合物是选自下列任一种：咪唑、1-甲基咪唑、吡唑、三氮唑、吡啶及1，2-双氮及其衍生物。

其中上述的醯胺类化合物是选自下列任一种：甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N，N-二甲基甲醯胺、乙醯胺，N-甲基乙醯胺及N，N-二甲基乙醯胺及其衍生物。

其中上述的亚醯胺类化合物是选自下列任一种：琥珀醯亚胺、亚酞胺及其衍生物。

其中上述的脲类化合物是选自下列任一种：尿素、N，N’-二甲基脲、四甲基脲及其衍生物。

其中上述的脲酯类化合物是选自脲酯及其衍生物。

其中上述的具有氧化能力的金属盐类是选自下列任一种：三价铁盐类、二价铜离子盐类、四价铈离子盐类及六价铬离子盐类。

其中上述的具有氧化能力的金属盐类是为甲苯磺酸盐、萘磺酸盐、十二烷基苯磺酸盐、有机磺酸盐、过氯酸盐及氯化物的金属盐类组成群组中的任一种。

本发明一种以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，是包含由具有氧化能力的至少一种金属盐类及未共用电子对具有部分π电子特性的至少一种氮化合物所构成的至少一种错合物，其中该氧化剂与导电性高分子单体混合后，在室温下不会立刻发生聚合反应，而在高于室温的温度下进行导电性高分子聚合反应。

其中上述的导电性高分子单体是选自下列任一种：噻吩、吡咯、苯基乙烯及苯胺或其衍生物或其任意的组合。

其中上述的导电性高分子单体可为3，4-乙烯二氧噻吩。

其中上述的未共用电子对具有部分π电子特性的氮化物是选自下列任一种：含有

官能基的五元或六元环化合物、醯胺类化合物、亚醯胺类化合物、脲类化合物以及脲酯类化合物。

其中上述的含有官能基的五元或六元环化合物是选自下列任一种：咪唑、1-甲基咪唑、吡唑、三氮唑、吡啶及1，2-双氮及其衍生物。

其中上述的脲酯类化合物是选自脲酯及其衍生物。

附图说明

为进一步说明本发明的具体技术内容，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：

图1是本发明实施例一所提的不同反应物、氧化剂与溶剂的组成(wt)表示图。

图2是本发明实施例一所提的不同氧化剂所组成的导电性高分子单体与氧化剂的混合溶液于室温下不同时间的粘度变化图。

图3是本发明实施例二所提的实施例及比较例所合成的导电性高分子特性表示图。

图4是本发明实施例三所提的不同反应物、氧化剂与溶剂的组成(wt)表示图。

图5是本发明实施例三所提的不同氧化剂所组成的导电性高分子单体与氧化剂的混合溶液于室温下不同时间的粘度变化图。

图6是本发明实施例四所提的实施例及比较例所合成的导电性高分子特性表示图。

图7是本发明实施例五所提的不同反应物、氧化剂与溶剂的组成(wt)表示图。

图8是本发明实施例五所提的不同氧化剂所组成的导电性高分子单体与氧化剂的混合溶液于室温下不同时间的粘度变化图。

图9是本发明实施例六所提的实施例及比较例所合成的导电性高分子特性表示图。

具体实施方式

有关本发明的详细内容及技术，兹就配合图式说明如下：

本发明是为一种以错合物结构存在的氧化剂，用以合成导电性共轭高分子。

以下将以实施例说明本发明的具体可行性，请参下列反应式：

M-Dm-Np

苯胺、吡咯、噻吩、苯基乙烯及相关衍生物

M-Dm-Np有机金属错合物，其中

M三价铁盐类、二价铜离子盐类、四价铈离子盐类、六价铬离子等

D甲苯磺酸根、萘磺酸根、十二烷基苯磺酸根、有机磺酸根、过氯酸铁根以及氯离子等

N具有

官能基的五元环或六元环的化合物、以及含有

M，p＞＝1

官能基的含氮化合物

一般常见的商业化导电性高分子为聚苯胺(polyaniline)、聚吡咯(polypyrrole)、聚噻吩化合物(polythiophene)、聚苯基乙烯(polyphenylvinylene)及此四种高分子的相关衍生物，如聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(poly(3，4-ethylenedioxythiophene))。

用于化学氧化聚合法合成导电性高分子的金属盐类氧化剂有三价铁盐类、二价铜离子盐类、四价铈离子盐类、六价铬离子等。以聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(poly(3，4-ethylenedioxythiophene))为例，其以甲苯磺酸铁(ferricp-toluenesulfonate)为氧化剂的化学聚合可表示如反应式(I)所示，其中甲苯磺酸铁经过氧化后所形成的甲苯磺酸(p-toluenesulfonic acid)为此聚合物的掺杂剂。

除了甲苯磺酸铁、萘磺酸铁、十二烷基苯磺酸铁、有机磺酸铁、过氯酸铁以及氯化铁等氧化剂，其还原物也可同时作为掺杂剂而不另需添加掺杂剂之外，其余的氧化剂需另外使用掺杂剂使聚3，4-乙烯二氧噻吩(poly(3，4-ethylenedioxythiophene))表现出高导电性质。常见的掺杂剂除了上述所提到的甲苯磺酸及氯化铁以外，尚有氟化砷(AsF₆ ^-)、氟化硼(BF₄ ^-)、氟化磷(PF₆ ^-)、碘(I)与单质子或多质子酸，如硫酸、磷酸、柠檬酸、盐酸、过氯酸及上述酸根的盐类以及相关衍生物如聚磺酸苯乙烯(polystylene sulfonic acid)(PSS)及其盐类。

导电性高分子单体的氧化聚合反应除了与单体的氧化电位高低有关之外亦受到氧化剂的氧化力所影响。以含三价铁离子的氧化剂而言，这类氧化剂的三价铁离子会与具有未共用电子对的特定分子形成错合物而改变三价铁离子氧化力，此错合键结愈强，氧化剂的氧化力愈低。然而过强的错合键结将造成金属离子的氧化力丧失而无法合成出高导电度的长链共轭高分子。

本发明利用未共用电子对具有部分π电子特性的氮化合物和具氧化力的金属离子产生适度的错合键结以降低含三价铁离子的室温氧化力，使单体与氧化剂的混合物能于室温及低溶剂含量的是统中保持稳定，但于高温环境中可使氧化剂氧化导电性高分子单体进行聚合。

未共用电子对具有部分π电子特性的氮化合物包括具有官能基的五元环或六元环的化合物、以及含有官能基的醯胺(amide)与醯亚胺(imide)类化合物与脲(urea)类的直链或环状化合物，以及脲酯(urethane)类化合物。此类氮化合物与三价铁离子的错合能力远大于仅含氧的化合物，因此延缓含三价铁离子在室温的氧化能力也远大于仅含氧的化合物，但是金属离子在高温时仍保有良好的氧化能力，可合成出导电性质良好的共轭高分子。

本发明使用于常温或略高于常温环境下，具有适度延缓含金属离子氧化能力的含有官能基含五元环化合物如咪唑(imidazole)、1-甲基咪唑(1-methylimidazole)、吡唑(pyrazole)、三氮唑(triazole)、吡啶(pyridine)及一1，2-双氮()(pyridazine)及其衍生物，与三价铁盐结合成为错合物型态的氧化剂；具有更强错合能力的具有官能基的六元环化合物如吡啶(pyridine)、1，2-双氮(pyridazine或1，2-diazine)及其衍生物；含有醯胺类官能基的化合物如甲醯胺(formamide)、N-甲基甲醯胺(N-methyl formamide)、N，N-二甲基甲醯胺(N，N-dimethyl formamide)、乙醯胺(acetamide)，N-甲基乙醯胺(N-methyl acetamide)及N，N-二甲基乙醯胺(N，N-dimethylacetamide)等；含醯亚胺类的化合物如琥珀醯亚胺(succinimide)、亚肽胺(phthalimide)等；含脲酯类官能基的化合物如胺基甲酸乙酯(urethane)等；含脲官能基的化合物如尿素(urea)、N，N’-二甲基脲(N，N’-dimethylurea)、四甲基脲(tetramethylurea)等。因此藉由具氧化力的金属离子与具有部分π电子特性的未共用电子对氮化物所形成的错合物型态氧化剂，和共轭高分子单体混合后不但具有长时间及高浓度的室温稳定性，且可合成出特性极佳的导电性高分子。

以下将详述可达成本发明目的的具体技术手段：

实施例一

将图1所列的甲苯磺酸铁、甲醇溶解后与一具有官能基

的五元环或六元环化合物依表中六组比例配制形成错合物后，加入3，4-乙烯二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)(简称EDOT)单体，于室温(25℃)下测定三组混合溶液的比粘度随时间的变化率，以比较不同错合物氧化剂所组成的混合溶液的长时间稳定性。其结果如图2所示。

从图2的结果显示，不加任何具有官能基的五元环或六元环化合物的甲苯磺酸铁溶液和单体一经混合，混合液的比粘度迅速上升，显示聚合反应快速进行。在这样快速的粘度变化下，电容器素子将没有充足的时间含浸此混合液。含有四氢呋喃(THF)的甲苯磺酸铁溶液虽然可适度延缓混合液中单体的聚合反应，但是由咪唑(imidazole)、1-甲基咪唑(1-methylimidazole)、三氮唑(triazole)与吡啶(pyridine)和甲苯磺酸铁所形成的错合物相较，前者的单体与氧化剂混合液的室温稳定性不如后四个。

实施例二

将图1所列的甲苯磺酸铁、甲醇溶解后与一具有官能基的五元环或六元环化合物依表中六组比例配制形成错合物后，加入3，4-乙烯二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)(简称EDOT)单体，于50℃下反应三小时后，以甲醇充分清洗、干燥并压锭后，测定所聚合的PEDOT(聚(3，4-乙烯二氧噻吩))的导电度，以比较不同错合物氧化剂所组成的混合溶液所生成的PEDOT的特性，其结果如图3所示。

图3结果证明此种新型复合氧化剂所聚合的导电性高分子具有更为优异的导电度。

实施例三

将图4所列的甲苯磺酸铁、甲醇溶解后与一具有醯胺官能基的化合物依表中三组比例配制形成错合物后，加入3，4-乙烯二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)(简称EDOT)单体，于室温(25℃)下测定三组混合溶液的比粘度随时间的变化率，以比较不同错合物氧化剂所组成的混合溶液的长时间稳定性。其结果如图5所示。

从图5的结果显示，不加任何具有醯胺官能基化合物的甲苯磺酸铁溶液和单体一经混合，混合液的比粘度迅速上升，显示聚合反应快速进行。含有四氢呋喃(THF)的甲苯磺酸铁溶液虽然可延缓混合液中单体的聚合反应，但是和甲醯胺(formamide)、N-甲基醯胺(N-methylformamide)及N，N-甲基酼醯胺(N，N-dimethylformamide)和甲苯磺酸铁所形成的错合物相较，单体混合液的室温稳定性不如后三个。

实施例四

将图4所列的甲苯磺酸铁、甲醇溶解后与一具有醯胺官能基的化合物依表中六组比例配制形成错合物后，加入3，4乙烯二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)(简称EDOT)单体，于50℃下反应三小时后，以甲醇充分清洗、干燥并压锭后，测定所聚合的PEDOT的导电度，以比较不同错合物氧化剂所组成的混合溶液所生成的PEDOT的特性，其结果如图6所示。

图6结果证明此种新型复合氧化剂所聚合的导电性高分子具有更为优异的导电度。

实施例五

将图7所列的甲苯磺酸铁、甲醇溶解后与一具有脲或脲酯官能基的化合物依表中两组比例配制形成错合物后，加入3，4-乙烯二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)(简称EDOT)单体，于室温(25℃)下测定两组混合溶液的比粘度随时间的变化率，以比较不同错合物氧化剂所组成的混合溶液的长时间稳定性。其结果如图8所示。

从图8的结果显示，不加任何具有脲或脲酯官能基化合物的甲苯磺酸铁溶液和单体一经混合，混合液的比粘度迅速上升，显示聚合反应快速进行。含有四氢呋喃(THF)的甲苯磺酸铁溶液虽然可延缓混合液中单体的聚合反应，但是和1，3-二甲基脲(1，3-dimethylurea)、1，1，3，3-四甲基脲(1，1，3，3-tetramethylurea)和甲苯磺酸铁所形成的错合物相较，单体混合液的室温稳定性不如后两个。

实施例六

将图7所列的甲苯磺酸铁、甲醇溶解后与一具有脲或脲酯官能基的化合物依表中两组比例配制形成错合物后，加入3，4-乙烯二氧噻吩(3，4-ethylenedioxythiophene)(简称EDOT)单体，于50℃下反应三小时后，以甲醇充分清洗、干燥并压锭后，测定所聚合的PEDOT的导电度，以比较不同错合物氧化剂所组成的混合溶液所生成的PEDOT的特性，其结果如图9所示。

图9结果证明此种新型复合氧化剂所聚合的导电性高分子具有更为优异的导电度。

本发明所揭露的错合物氧化剂和单体混合后不但具有长时间的室温稳定性，高温聚合所获得的导电性高分子仍具有良好的导电度，可同时满足加工所需的混合液长时间稳定的特性及导电性高分子所需具有的高导电度特性。

虽然本发明以前述的较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，故任何熟悉此技术的人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定的为准。

Claims

1、一种以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，包含由具有氧化能力的至少一种金属盐类及未共用电子对具有部分π电子特性的至少一种氮化合物所构成的至少一种错合物。

2、如权利要求1所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的未共用电子对具有部分π电子特性的氮化物是含有下列任一种官能基：

及

3、如权利要求2所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的未共用电子对具有部分π电子特性的氮化物是选自下列任一种：含有

官能基的五元或六元环化合物、醯胺类化合物、亚醯胺类化合物及脲类化合物以及脲酯类化合物。

4、如权利要求3所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的含有官能基的五元或六元环化合物是选自下列任一种：咪唑、1-甲基咪唑、吡唑、三氮唑、吡啶及1，2-双氮及其衍生物。

5、如权利要求3所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的醯胺类化合物是选自下列任一种：甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N，N-二甲基甲醯胺、乙醯胺，N-甲基乙醯胺及N，N-二甲基乙醯胺及其衍生物。

6、如权利要求3所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的亚醯胺类化合物是选自下列任一种：琥珀醯亚胺、亚酞胺及其衍生物。

7、如权利要求3所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的脲类化合物是选自下列任一种：尿素、N，N’-二甲基脲、四甲基脲及其衍生物。

8、如权利要求3所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的脲酯类化合物是选自脲酯及其衍生物。

9、如权利要求1所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的具有氧化能力的金属盐类是选自下列任一种：三价铁盐类、二价铜离子盐类、四价铈离子盐类及六价铬离子盐类。

10、如权利要求9所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的具有氧化能力的金属盐类是为甲苯磺酸盐、萘磺酸盐、十二烷基苯磺酸盐、有机磺酸盐、过氯酸盐及氯化物的金属盐类组成群组中的任一种。

11、一种以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，是包含由具有氧化能力的至少一种金属盐类及未共用电子对具有部分π电子特性的至少一种氮化合物所构成的至少一种错合物，其中该氧化剂与导电性高分子单体混合后，在室温下不会立刻发生聚合反应，而在高于室温的温度下进行导电性高分子聚合反应。

12、如权利要求11所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的导电性高分子单体是选自下列任一种：噻吩、吡咯、苯基乙烯及苯胺或其衍生物或其任意的组合。

13、如权利要求12所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的导电性高分子单体可为3，4-乙烯二氧噻吩。

14、如权利要求11所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的未共用电子对具有部分π电子特性的氮化物是含有下列任一种官能基：

及

15、如权利要求14所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的未共用电子对具有部分π电子特性的氮化物是选自下列任一种：含有官能基的五元或六元环化合物、醯胺类化合物、亚醯胺类化合物、脲类化合物以及脲酯类化合物。

16、如权利要求15所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的含有

17、如权利要求15所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的醯胺类化合物是选自下列任一种：甲醯胺、N-甲基甲醯胺、N，N-二甲基甲醯胺、乙醯胺，N-甲基乙醯胺及N，N-二甲基乙醯胺及其衍生物。

18、如权利要求15所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的亚醯胺类化合物是选自下列任一种：琥珀醯亚胺、亚酞胺及其衍生物。

19、如权利要求15所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的脲类化合物是选自下列任一种：尿素、N，N’-二甲基脲、四甲基脲及其衍生物。

20、权利要求15所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的脲酯类化合物是选自脲酯及其衍生物。

21、如权利要求11所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的具有氧化能力的金属盐类是选自下列任一种：三价铁盐类、二价铜离子盐类、四价铈离子盐类及六价铬离子盐类。

22、权利要求21所述的以氧化聚合法合成导电性高分子的氧化剂，其特征在于，其中上述的具有氧化能力的金属盐类是为甲苯磺酸盐、萘磺酸盐、十二烷基苯磺酸盐、有机磺酸盐、过氯酸盐及氯化物的金属盐类组成群组中的任一种。