CN1959502A

CN1959502A - 彩色滤光及有源元件阵列基板及液晶显示面板的像素结构

Info

Publication number: CN1959502A
Application number: CN 200610163760
Authority: CN
Inventors: 吕安序
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2006-12-04
Filing date: 2006-12-04
Publication date: 2007-05-09
Anticipated expiration: 2026-12-04
Also published as: CN100430799C

Abstract

本发明提出一种彩色滤光及有源元件阵列基板及液晶显示面板的像素结构。彩色滤光基板的像素结构包括第一及第二电极图案，其分别电性连接不同的电压输入端。有源元件阵列基板的像素结构包括第一及第二像素电极、第一及第二栅极漏极电容及第一及第二储存电容。上述的第一与第二像素电极的面积不相同，第一与第二栅极漏极电容不相同，且第一与第二储存电容不相同。此外，液晶显示面板的像素结构包括上述的彩色滤光基板及有源元件阵列基板的像素结构。通过本发明液晶显示器可以具有更好的优良率与更低的制造成本。

Description

彩色滤光及有源元件阵列基板及液晶显示面板的像素结构

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器的结构，且特别是涉及一种彩色滤光基板的像素结构、一种有源元件阵列基板的像素结构及一种液晶显示面板的像素结构。

背景技术

多媒体社会的急速进步，多半受益于半导体元件或人机显示装置的飞跃性进步。就显示器而言，阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有优异的显示质量与经济性，一直独占近年来的显示器市场。然而，阴极射线管因在空间利用以及能源消耗上仍存在很多问题，因此，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)逐渐成为市场主流。

近来，市场对于液晶显示器的性能要求多朝着高对比(High ContrastRatio)、快速反应与广视角等方向发展。其中广视角的要求也包括改善在大视角的灰阶反转(gray level inversion)及色偏(color washout)等问题。目前能够达成广视角要求的技术，包括扭转向列加视角扩大膜(Twisted Nematicplus wide viewing film，TN+film)以及多区域垂直配向(Multi-domainVertically Alignment，MVA)等。

然而，上述技术均存在工艺复杂且优良率不高的缺点。以扭转向列型的液晶显示器为例，因为液晶分子皆朝同一方向倾斜同一角度，所以视角较窄。扭转向列加视角扩大膜的技术虽可获得不错的视角特性，但是液晶面板在设计时将直接受限于视角扩大膜的规格。此外，以多区域垂直配向而言，由于需在液晶层两侧的基板上形成配向凸起(Protrusion)或狭缝(Slit)，因此需要进行额外的掩模工艺，且会连带产生液晶显示面板无法进一步薄型化、背光源穿透率低及暗态漏光等问题。如此，将导致液晶面板的制作成本增加，而生产优良率相对较低。

发明内容

本发明的目的是提供一种彩色滤光基板、有源元件阵列基板及液晶显示面板的像素结构，其皆具有广视角的特性，并改善工艺复杂及优良率不高的问题。

为达到上述或是其它目的，本发明提出一种彩色滤光基板的像素结构，其包括彩色滤光图案、黑矩阵、第一电极图案以及第二电极图案。其中黑矩阵配置于基板上，彩色滤光图案配置于黑矩阵所定义的区域中。此外，第一电极图案配置于一部分彩色滤光图案与黑矩阵的上方。其中第一电极图案是电性连接至第一电压输入端。另外，第二电极图案配置于另一部分彩色滤光图案与黑矩阵的上方，其中第二电极图案是电性连接至第二电压输入端，且第二电压输入端所输入的电压不同于第一电压输入端所输入的电压。

在本发明的一实施例中，上述的黑矩阵是导电材质，且第一及第二电极图案与彩色滤光图案及黑矩阵之间还包括配置的一层平坦层。此外，第一电极图案可以与黑矩阵电性连接，因而第一电极图案是通过黑矩阵而电性连接至第一电压输入端。另外，上述彩色滤光基板的像素结构还可以包括接触窗，其配置于平坦层中，且用以电性连接第一电极图案以及黑矩阵。另一方面，上述的第二电极图案是直接与第二电压输入端连接。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极图案直接与第一电压输入端连接，且第二电极图案直接与第二电压输入端连接。

在本发明的一实施例中，上述的彩色滤光图案会覆盖黑矩阵的边缘。

在本发明的一实施例中，上述的黑矩阵会覆盖彩色滤光图案的边缘。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极图案的面积与第二电极图案的面积可以不相同。

在本发明的一实施例中，上述的第一电极图案与第二电极图案的材质是铟锡氧化物或铟锌氧化物。

为达到上述或是其它目的，本发明还提出一种有源元件阵列基板的像素结构。此有源元件阵列基板的像素结构包括扫描线、数据线、双漏极薄膜晶体管、第一像素电极、第二像素电极、第一共用配线以及第二共用配线。扫描线及数据线配置于一个基板上。双漏极薄膜晶体管包括栅极、源极、第一漏极以及第二漏极。栅极与扫描线电性连接，源极与数据线电性连接，其中栅极与第一漏极之间具有第一栅极漏极电容，且栅极与第二漏极之间具有第二栅极漏极电容。此外，第一像素电极以及第二像素电极分别与第一漏极与第二漏极电性连接。另外，第一共用配线与第二共用配线分别配置于第一与第二像素电极的下方，其中第一共用配线与第一像素电极之间具有第一储存电容，且第二共用配线与第二像素电极之间具有第二储存电容。其中，第一与第二栅极漏极电容不相同，且第一与第二储存电容不相同。

在本发明的一实施例中，其中第一漏极与栅极的重叠面积与第二漏极与栅极的重叠面积是不相同的。

在本发明的一实施例中，其中第一像素电极及第一共用配线的重叠面积与第二像素电极及第二共用配线的重叠面积是不相同的。

在本发明的一实施例中，其中第一与第二像素电极的面积不相同。

为达到上述或其它目的，本发明又提出一种液晶显示面板的像素结构。此液晶显示面板包括彩色滤光基板的像素结构、有源元件阵列基板的像素结构及一层液晶层。其中彩色滤光基板的像素结构及有源元件阵列基板的像素结构均如以上所述。其中有源元件阵列基板的像素结构是配置于该彩色滤光基板的像素结构的对向。此外，液晶层配于有源元件阵列基板的像素结构以及彩色滤光基板的像素结构之间。

在本发明的一实施例中，上述的液晶层是向列式液晶分子。

本发明的像素结构是通过调整液晶电容、储存电容以与栅极漏极电容来增加液晶显示器的视角，并不须增加如配向凸起或狭缝的额外的工艺。因此，液晶显示器可以具有更好的优良率与更低的制造成本。另外，亦可以通过在彩色滤光基板的电极层上作设计，以使单一像素结构的电极层能被施予不同的电压，以达到增加视角的目的。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明一实施例的一种液晶显示面板的像素结构的分解图；

图2是图1的彩色滤光基板的像素结构的仰视图；

图3是沿图2的剖面线I-I的剖面图；

图4是本发明另一实施例的一种彩色滤光基板的像素结构的仰视图；

图5是本发明另一实施例的第一电极图案及第二电极图案的一种配置方式；

图6及图7是本发明另一实施例的两种彩色滤光基板的像素结构的剖面图；

图8是图1的有源元件阵列基板的像素结构的俯视图；

图9是沿图8的剖面线II-II的剖面图。

其中，附图标记说明如下：

10液晶显示面板的像素结构

10a第一区域

10b第二区域

10i、100i虚线

100、101、102彩色滤光基板的像素结构

104、302基板

106彩色滤光图案

108黑矩阵

110a第一电极图案

110b第二电极图案

110c、308c、308d接触窗

110d沟槽图案

112平坦层

200液晶层

300有源元件阵列基板的像素结构

304扫描线

306数据线

308a第一像素电极

308b第二像素电极

310a第一共用配线

310b第二共用配线

312介电层

330双漏极薄膜晶体管

332源极

334a第一漏极

334b第二漏极

336栅极绝缘层

338半导体层

338a欧姆接触层

C_gd1第一栅极漏极电容

C_gd2第二栅极漏极电容

C_sto1第一储存电容

C_sto2：第二储存电容

I-I、II-II剖面线

Va第一电压输入端

Vb第二电压输入端

具体实施方式

为了使液晶显示器具有广视角的特性，本发明将彩色滤光基板、有源元件阵列基板及液晶显示面板的像素结构分为两个区域。以彩色滤光基板的像素结构而言，这两个区域的共用电极(common electrode)分别电性连接不同的电压输入端。以有源元件阵列基板的像素结构而言，这两个区域会具有不同的像素电极面积、栅极漏极电容或储存电容。因此，一个像素结构可以使液晶分子具有两种倾斜角度，从而增加液晶显示器的视角。此外，本发明的液晶显示面板的像素结构可以综合上述的配置方式，以达到增加视角的目的。更详细而言，理论上，一个像素电极的馈通电压(Feed Through Voltage)V_FT满足以下公式(1)。

V_FT＝V_g，P-P×C_gd/[C_gd+C_sd+C_lc(V_lc)+C_sto]

其中V_g，P-P是薄膜晶体管的栅极的操作电压的峰对峰值；C_gd是栅极与漏极之间的寄生电容；C_sd是源极与漏极之间的寄生电容；C_lc是液晶电容，V_lc是施加在液晶电容上的电压，且C_lc是V_lc的函数。C_sto是储存电容。本发明就是使两个区域的上述各参数(除C_sd以外)具有不同的值，以达到增加视角的目的。以下利用一个实施例来详细说明这些结构。

图1是本发明一实施例的一种液晶显示面板的像素结构的分解图。图2是图1的彩色滤光基板的像素结构的仰视图。此外，为了便于说明，图1及图2都是表示两个像素结构。

请参照图1，液晶显示面板的像素结构10包括彩色滤光基板的像素结构100、液晶层200及有源元件阵列基板的像素结构300。有源元件阵列基板的像素结构300配置于彩色滤光基板的像素结构100的对向，而液晶层200配置于有源元件阵列基板的像素结构300以及彩色滤光基板的像素结构100之间。液晶层200例如可以是向列式(Nematic)液晶分子，因此，这个液晶显示面板10可以应用在扭转向列型液晶显示器(Twisted Nematic Liquid CrystalDisplay，TN-LCD)或超扭转向列型液晶显示器(Super Twisted Nematic LiquidCrystal Display，STN-LCD)。然而本发明并不以此为限，换言之，其它种类的液晶分子也可以应用于本发明。此外，虚线10i将液晶显示面板的像素结构10分为第一区域10a及第二区域10b。值得一提的是，彩色滤光基板的像素结构100及有源元件阵列基板的像素结构300均是以调整第一区域10a及第二区域10b的各构件的配置，以达到增加视角的效果。因此，这两种像素结构不限于应用在液晶显示面板的像素结构10。

以下，首先针对彩色滤光基板的像素结构100进行说明。

图3是沿图2的剖面线I-I的剖面图。请同时参照图2及图3，本发明的彩色滤光基板的像素结构100包括基板104、彩色滤光图案106、黑矩阵108、第一电极图案110a及第二电极图案110b。其中黑矩阵108配置于基板104上，彩色滤光图案106配置于黑矩阵108所定义出的区域中。在一实施例中，彩色滤光图案106会覆盖住部分的黑矩阵108。第一电极图案110a配置于一部分彩色滤光图案106与黑矩阵108的上方，且电性连接至第一电压输入端Va。此外，大部分的第一电极图案110a位于第一区域10a中。第二电极图案110b配置于另一部分彩色滤光图案106与黑矩阵108的上方，且电性连接至第二电压输入端Vb。其中第二电极图案110b位于第二区域10b中。另外，第一电极图案110a与第二电极图案110b之间有一沟槽图案110d，以使两者彼此分离，使得第一与第二电极图案110a、110b可以用不同的电压分别进行操作。另外，第一电极图案110a与第二电极图案110b的材质例如可以是铟锡氧化物或铟锌氧化物。值得注意的是，第二电压输入端Vb所输入的电压不同于第一电压输入端Va所输入的电压。因此，在驱动液晶显示面板的像素结构10时，彩色滤光基板的像素结构100会使第一电极图案110a及第二电极图案110b具有不同的电压，以使第一区域10a及第二区域10b的液晶层200内的液晶分子具有不同的倾斜角度，从而增加液晶显示器的视角。

此外，黑矩阵108例如可以是一种导电材质，且第一电极图案110a及第二电极图案110b与彩色滤光图案106及黑矩阵108之间还包括配置的一层平坦层112。另外，第二电极图案110b可以与黑矩阵108电性连接，因而通过黑矩阵108而电性连接至第二电压输入端Vb。再者，平坦层112中还可以包括接触窗110c，其用以电性连接第二电极图案110b以及黑矩阵108，如图3所示。第一电极图案110a例如可以是直接与第一电压输入端Va连接。然而本发明不限于此，换言之，在另一实施例中，第二电极图案110b例如可以是直接与第二电压输入端Vb连接，而第一电极图案110a例如可以是透过通过黑矩阵108而电性连接至第一电压输入端Va。

当然，第一电极图案110a及第二电极图案110b可以直接电性连接第一电压输入端Va及第二电压输入端Vb，而不通过黑矩阵108，如图4所示。图4是本发明另一实施例的一种彩色滤光基板的像素结构的仰视图。在图4的彩色滤光基板的像素结构100中，黑矩阵108可以是介电材料，且可以省略接触窗。同样的，位于第一区域10a的第一电极图案110a与位于第二区域10b的第二电极图案110b彼此分离开来。当然，第一电极图案110a及第二电极图案110b还可以采用其它的配置方式，如图5所示。图5是本发明另一实施例的第一电极图案110a及第二电极图案110b的一种配置方式。其中虚线100i大略标示了一个彩色滤光基板的像素结构100的范围。

图6及图7是本发明另一实施例的两种彩色滤光基板的像素结构的剖面图。在图3与图6的实施例中，彩色滤光图案106会覆盖黑矩阵108的边缘。然而本发明并不限定于这种配置方式，换言之，在另一实施例中，黑矩阵108例如可以会覆盖彩色滤光图案106的边缘，如图7所示。若考虑其它的配置方式，彩色滤光图案106、黑矩阵108及平坦层112的相关位置还包括其它的变化。以图3为例，自基板104而上依次为黑矩阵108、彩色滤光图案106及平坦层112。以图6为例，自基板104而上依次为黑矩阵108、平坦层112及彩色滤光图案106。再以图7为例，自基板104而上依次为彩色滤光图案106、黑矩阵108及平坦层112。

如上所述，彩色滤光基板的像素结构100使第一电极图案110a及第二电极图案110b具有不同的电压，以增加液晶显示器的视角。此外，第一电极图案110a与有源元件阵列基板的像素结构300上的像素电极(未画出)之间会存在一个第一液晶电容，且第二电极图案110b与有源元件阵列基板的像素结构300上的像素电极之间会存在一个第二液晶电容。在驱动液晶显示面板的像素结构10时，由于第一电极图案110a及第二电极图案110b具有不同的电压，因此会使得第一及第二液晶电容的电场不同，而使液晶层200内的液晶分子具有不同的倾斜角度。此外，在另一实施例中，第一电极图案110a的面积与第二电极图案110b的面积可以不相同。更详细而言，若面积不同，则第一电极图案110a及第二电极图案110b与上述的像素电极就会有不同的重叠面积。如此一来，可以使第一区域10a及第二区域10b的液晶层200内的液晶分子的倾斜角度具有更大的差异，以增加液晶显示器的视角。

接着，利用图8及图9来说明有源元件阵列基板的像素结构300。其中图8是图1的有源元件阵列基板的像素结构的俯视图。图9是沿图8的剖面线II-II的剖面图。

请同时参照图8及图9，有源元件阵列基板的像素结构300包括基板302，扫描线304、数据线306、第一像素电极308a、第二像素电极308b、第一共用配线310a、第二共用配线310b及一个双漏极薄膜晶体管330。

扫描线304及数据线306配置于基板302上。双漏极薄膜晶体管330包括栅极、源极332、第一漏极334a以及第二漏极334b，其中双漏极薄膜晶体管330是直接以扫描线304的一部分作为栅极，且源极332与数据线306电性连接。然而在另一实施例中，栅极也可以是其它的形式。

此外，本实施例还包括接触窗308c、308d、介电层312、栅极绝缘层336、半导体层338及欧姆接触层338c。以下说明这些构件的位置。其中必须先行说明的是，以下关于接触窗308c、308d、介电层312、栅极绝缘层336、半导体层338及欧姆接触层338c与前述各构件的相关位置仅是举例，而非用以限定本发明。扫描线304、第一共用配线310a及第二共用配线310b例如可以是同一层(layer)的材料，其均匀配置于基板302上。栅极绝缘层336例如可以是覆盖基板302、扫描线304、第一共用配线310a及第二共用配线310b。半导体层308例如可以是覆盖部分栅极绝缘层336，且位于双漏极薄膜晶体管330之中。源极332、第一漏极334a及第二漏极334b例如可以配置于部分半导体层338上，且向双漏极薄膜晶体管330以外延伸。其中第一漏极334a及第二漏极334b分别位于第一区域10a及第二区域10b。此外，介电层312例如可以覆盖基板302上的各结构，且接触窗308c及308d例如可以配置于介电层312中。

另外，第一像素电极308a与第二像素电极308b分别位于第一区域10a及第二区域10b，且可以位于介电层312上。第一像素电极308a与第二像素电极308b分别与第一漏极334a及第二漏极334b电性连接，且例如可以经过接触窗308d、308c电性连接。此外，第一像素电极308a与第二像素电极308b例如可以均为透明像素电极(transparent pixel electrode)、均为反射像素电极(reflective pixel electrode)、或一为透明像素电极，另一为反射像素电极。如此一来，像素结构10所构成的液晶显示面板可以是穿透式液晶显示面板(transmissive liquid crystal display panel)、反射式液晶显示面板(reflective liquid crystal display panel)或半穿透半反射式液晶显示面板(transflective liquid crystal display panel)。

此外，栅极与第一漏极334a之间具有第一栅极漏极电容C_gd1，栅极与第二漏极334b之间具有第二栅极漏极电容C_gd2。更详细而言，在本实施例中，扫描线304与第一漏极334a重叠之处会存在一寄生电容，也就是第一栅极漏极电容C_gd1。同理，扫描线304与第二漏极334b重叠之处会存在有另一寄生电容，也就是第二栅极漏极电容C_gd2。

另外，第一共用配线310a与第二共用配线310b分别配置于第一像素电极308a与第二像素电极308b的下方。其中第一共用配线310a与第一像素电极308a之间具有第一储存电容C_sto1，且第二共用配线310b与第二像素电极308b之间具有第二储存电容C_sto2。更详细而言，第一共用配线310a与第一像素电极308a之间会存在一个第一储存电容C_sto1。第二共用配线310b与第二像素电极308b之间会存在第二储存电容C_sto2。

本发明的有源元件阵列基板的像素结构300至少满足两个条件，其分别为(a)第一栅极漏极电容C_gd1与第二栅极漏极电容C_gd2不相同以及(b)第一储存电容C_sto1与第二储存电容C_sto2不相同。在另一实施例中，有源元件阵列基板的像素结构300除了满足上述两个条件之外，还包括满足(c)第一像素电极308a与第二像素电极308b的面积不相同。如此一来，就能够增加液晶显示器的视角。更详细而言，请同时参照图8及图9，如上所述，第一像素电极308a与第一电极图案110a之间会存在一个第一液晶电容，且第二像素电极308b与第二电极图案110b之间会存在一个第二液晶电容。当满足(a)第一栅极漏极电容C_gd1与第二栅极漏极电容C_gd2不相同以及(b)第一储存电容C_sto1与第二储存电容C_sto2不相同，依据公式(1)，液晶电容会影响像素电极的馈通电压。因此，在驱动像素结构时，第一像素电极308a及第二像素电极308b会有不同的电压，从而使第一区域10a及第二区域10b的液晶层200的液晶分子具有不同的倾斜角度，以增加视角。同理，当还满足(c)第一像素电极308a与第二像素电极308b的面积不相同时，会导致第一液晶电容及第二液晶电容不同，如此可使得第一区域10a及第二区域10b的液晶层200的液晶分子具有不同的倾斜角度，以增加视角。

请继续参照图8及图9，实现(a)第一栅极漏极电容C_gd1与第二栅极漏极电容C_gd2不相同的方法例如可以是使第一漏极334a与栅极(扫描线304)的重叠面积与第二漏极334b与栅极的重叠面积不同。在本实施例中，第一漏极334a与栅极的重叠面积较大，而第二漏极334b与栅极的重叠面积较小。然而本发明并不以此为限，更详细而言，实现的方法包括使第一区域10a及第二区域10b具有不同的栅极绝缘层336的介电常数或不同的栅极绝缘层336的厚度。同理，实现(b)第一储存电容C_sto1与第二储存电容C_sto2不相同的方法包括使第一像素电极308a及第一共用配线310a的重叠面积与第二像素电极308b及第二共用配线310b的重叠面积不同。其它的实现的方法包括使第一区域10a及第二区域10b具有不同的介电层312的介电常数或不同的介电层312的厚度。

值得一提的是，本实施例是调整共用配线310b上的第二像素电极308b的面积。因此，除了使第一液晶电容及第二液晶电容不相同之外，也同时使第一储存电容C_sto1与第二储存电容C_sto2不相同。如此，有源元件阵列基板的像素结构300同时满足(c)第一像素电极308a与第二像素电极308b的面积不相同及(b)第一储存电容C_sto1与第二储存电容C_sto2不相同。然而本发明并不限于此。在其它的实施例中，有源元件阵列基板的像素结构300可以满足(c)第一像素电极308a与第二像素电极308b的面积不相同、(a)第一栅极漏极电容C_gd1与第二栅极漏极电容C_gd2不相同以及(b)第一储存电容C_sto1与第二储存电容C_sto2不相同等三个条件的其中之二或其中之一。

综上所述，本发明各种像素结构是通过调整液晶电容、储存电容以与栅极漏极电容来增加液晶显示器的视角，并不需要增加如配向凸起或狭缝的额外的工艺。因此，液晶显示器可以具有更好的优良率与更低的制造成本。此外，在彩色滤光基板的像素结构方面，因为不受限于视角扩大膜的规格，所以其具有更大的设计自由度。再者，由于是利用不同的电压输入来调整第一电极图案及第二电极图案的电压，因此可以在彩色滤光基板制造完成之后再进行视角特性的调整，以弥补可能存在的显色不均匀(mura)的问题。

虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作一些改动与修饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定的范围为准。

Claims

1.一种彩色滤光基板的像素结构，包括：

黑矩阵，配置于基板上；

彩色滤光图案，配置于所述黑矩阵所定义的区域中；

第一电极图案，配置于一部分所述彩色滤光图案与所述黑矩阵的上方，其中所述第一电极图案是电性连接至第一电压输入端；以及

第二电极图案，配置于另一部分所述彩色滤光图案与所述黑矩阵的上方，其中所述第二电极图案是电性连接至第二电压输入端，且所述第二电压输入端所输入的电压不同于所述第一电压输入端所输入的电压。

2.如权利要求1所述的彩色滤光基板的像素结构，其特征在于，所述黑矩阵包括导电材质，且所述第一及第二电极图案与所述彩色滤光图案及黑矩阵之间还包括配置的平坦层。

3.如权利要求2所述的彩色滤光基板的像素结构，其特征在于，所述第一电极图案与所述黑矩阵电性连接，所述第一电极图案是通过所述黑矩阵而电性连接至所述第一电压输入端。

4.如权利要求3所述的彩色滤光基板的像素结构，其特征在于，还包括接触窗，配置于所述平坦层中，用以电性连接所述第一电极图案以及所述黑矩阵。

5.如权利要求3所述的彩色滤光基板的像素结构，其特征在于，所述第二电极图案直接与所述第二电压输入端连接。

6.如权利要求1项所述的彩色滤光基板的像素结构，其特征在于，所述第一电极图案直接与所述第一电压输入端连接，且所述第二电极图案直接与所述第二电压输入端连接。

7.如权利要求1项所述的彩色滤光基板的像素结构，其特征在于，所述彩色滤光图案会覆盖所述黑矩阵的边缘。

8.如权利要求1项所述的彩色滤光基板的像素结构，其特征在于，所述黑矩阵会覆盖所述彩色滤光图案的边缘。

9.如权利要求1所述的彩色滤光基板的像素结构，其特征在于，所述第一电极图案的面积与所述第二电极图案的面积不相同。

10.如权利要求1项所述的彩色滤光基板的像素结构，其特征在于，所述第一电极图案与所述第二电极图案的材质包括铟锡氧化物或铟锌氧化物。

11.一种有源元件阵列基板的像素结构，包括：

扫描线及数据线，配置于基板上；

双漏极薄膜晶体管，其包括栅极、源极、第一漏极以及第二漏极，所述栅极与所述扫描线电性连接，所述源极与所述数据线电性连接，其中所述栅极与所述第一漏极之间具有第一栅极漏极电容，所述栅极与所述第二漏极之间具有第二栅极漏极电容；

第一像素电极以及第二像素电极，分别与所述第一漏极与所述第二漏极电性连接；以及

第一共用配线与第二共用配线，分别配置于所述第一与第二像素电极的下方，其中所述第一共用配线与所述第一像素电极之间具有第一储存电容，所述第二共用配线与所述第二像素电极之间具有第二储存电容，所述第一与第二栅极漏极电容不相同，且所述第一与第二储存电容不相同。

12.如权利要求11所述的有源元件阵列基板的像素结构，其特征在于，所述第一漏极及所述栅极的重叠面积与所述第二漏极及所述栅极的重叠面积不同。

13.如权利要求11所述的有源元件阵列基板的像素结构，其特征在于，所述第一像素电极及所述第一共用配线的重叠面积与所述第二像素电极及所述第二共用配线的重叠面积不同。

14.如权利要求11所述的有源元件阵列基板的像素结构，其特征在于，所述第一与第二像素电极的面积不相同。

15.一种液晶显示面板的像素结构，包括：

如权利要求1所述的彩色滤光基板的像素结构；

如权利要求11所述的有源元件阵列基板的像素结构，所述有源元件阵列基板的像素结构配置于所述彩色滤光基板的像素结构的对向；以及

液晶层，配于所述有源元件阵列基板的像素结构以及所述彩色滤光基板的像素结构之间。

16.如权利要求15所述的液晶显示面板的像素结构，其特征在于，所述液晶层包括向列式液晶分子。