CN1951574A - 一种碳化硅精细微粉的生产方法 - Google Patents
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Abstract
一种碳化硅精细微粉的生产方法是涉及磨料级微粉和超细粉体的制取方法。本发明就是提供一种节能、生产效率高、质量好的、可进行规模生产的一种碳化硅精细微粉的生产方法。本发明为离子沉降法；首先，在导电率＜100中性去离子水中加入微粉中位经10μ±0.5碳化硅微粉，高分子分散剂为碳化硅微粉的2－5％，混合浆料浓度为40～50％依次设置，罐内浆料高度为800cm，搅拌浆料10分钟后，取罐底部的浆料；产品分级完成后，用清水将各个号的微粉洗两遍，可达到所需细粉粒度的产品。
Description
技术领域：
本发明是涉及磨料级微粉和超细粉体的制取方法，主要用于碳化硅、刚玉等超硬磨料微粉及硅酸盐领域的各种粉体的分级。
背景技术：
目前，国内外生产碳化硅精细微粉的工艺方法，主要是溢流法和沉降法。无论溢流法、沉降法都是从上面先提取细粉；每分出一个细粉段位产品需加水几十次(生产1吨产品要耗掉100多吨水资源)，反复抽出才成。这种传统方法不仅耗水量极大，产量很低，无法形成产业化生产，同时，产品质量也难以保证。
碳化硅微粉的国外标准见表1、表2。在表2中JIS800#-2000#也就相当国内规格W40-W10该粒度的微粉一般采用溢流法生产；JIS2000#，也就相当W10通常采用重力场沉降方法生产。我国沿用前苏联W标准，由于细粉分级很难，只能制定到W5，于欧洲的标准接近。世界上分级最好的当数日本的富吉来公司，粒度分级的段位非常窄，制定JIS标准，可分到8000#产品占领全世界市场。我国的微粉厂家由于出口需要，现都执行日本JIS标准，但产品只能做到1500#，由于细粉不能继续往下分，又造成材料上的损耗，大大影响了微粉行业的生产能力。
发明内容：
本发明就是针对上述问题，提供一种节能、生产效率高、质量好的、可进行规模生产的一种碳化硅精细微粉的生产方法。
本发明采用如下方案，本发明为离子沉降法；首先，在导电率＜100中性去离子水中加入微粉中位经10μ±0.5碳化硅微粉，高分子分散剂为碳化硅微粉的2-5％，混合浆料浓度为40～50％依次设置，罐内浆料高度为800CM，搅拌浆料10分钟后，取罐底部的浆料；产品分级完成后，用清水将各个号的微粉洗两遍，可达到所需细粉粒度的产品。
本发明的有益效果：
1、生产效率高：
例如，本发明采用直径为2.3米，高0.8米的罐6个，8小时工作日，生产JIS800#-1500#微粉每个工作日2吨；采用同样罐8个，每个工作日可生产JIS2000#-8000#-D50±超细粉1吨；
2、节能：
本发明每生产1吨成品，只需要耗水5～6吨，而且无需动力电；
3、纯度高：
本发明的工艺采用碳化硅粒度砂为原料，用球磨机粉碎后，不需要任何化学处理即可使用；产品JIS800#-2000#碳化硅主要成分占99.5％以上；JIS2500#-800碳化硅主要成分远远高于国内外标准见图3、图4；
4、粒度分布窄：
本发明可确保产品无大粒，并可在粒度组成上远远高于日本JIS的标准，在800#以后还可产出碳化高技术陶瓷所需要用的超细微粉。
附图说明：
图1是本发明的流程图；
图2是本发明的设备示意图；
图3是本发明微粉粒度组成分布曲线图(总和为19,163)；
图4是本发明微粉粒度组成分布曲线图(总和为67,610)。
具体实施方式：
分散剂采用高分子分散剂，例如，聚丙硅酸钠或聚乙二醇。
实施例1：
设置直径为2.3米，高0.8米的罐4为6个，罐4之间以导管2相连，导管2上的泵3将浆料1导入下一罐4内。采用离子沉降法；首先，在导电率＜100中性去离子水中加入微粉中位经10μ±0.5碳化硅微粉，高分子分散剂为碳化硅微粉的3％，混合浆料1浓度为45％依次设置，罐4内浆料1高度为800CM，搅拌浆料1的10分钟后，取罐4底部的浆料1(即为沉淀物5，也就是产品)；产品分级完成后，用清水将各个号的微粉洗两遍，可达到所需细粉粒度的产品。
化学組成 表1
| 品種 | 粒度 | 比重 | 化学成分(％) | ||||
| Al2O3 | SiO2 | FeO3 | TiO2 | Na2O | |||
| A | #240～#1200 | ≥3.85 | ≥90.0 | ≤5.0 | ≤0.8 | ≤5.0 | - |
| #1500～#4000 | ≥3.75 | ≥80.0 | ≤18.0 | ≤1.0 | ≤3.0 | - | |
| WA | #240～#3000 | ≥3.90 | ≥99.0 | ≤0.3 | ≤0.1 | - | ≤0.5 |
| #4000～#30000 | ≥3.85 | ≥96.0 | ≤1.2 | ≤0.2 | - | ≤0.7 | |
| 品種 | 粒度 | 比重 | 化学成分(％) | ||
| SiC | C·F | Fe·S | |||
| GC | #240～#3000 | ≥3.16 | ≥96.0 | ≤0.5 | ≤0.3 |
| #4000～#30000 | ≥3.10 | ≥92.0 | ≤2.0 | ≤0.3 | |
| C | #240～#4000 | ≥3.16 | ≥92.0 | ≤1.5 | ≤0.5 |
粒度規格
单位(μm)
Claims (2)
1、一种碳化硅精细微粉的生产方法，其特征在于采用离子沉降法；首先，在导电率＜100中性去离子水中加入微粉中位经10μ±0.5碳化硅微粉，高分子分散剂为碳化硅微粉的2-5％，混合浆料浓度为40～50％依次设置，罐内浆料高度为800CM，搅拌浆料10分钟后，取罐底部的浆料；产品分级完成后，用清水将各个号的微粉洗两遍，可达到所需细粉粒度的产品。
2、根据权利要求1所述的一种碳化硅精细微粉的生产方法，其特征在于采用离子沉降法；首先，在导电率＜100中性去离子水中加入微粉中位经10μ±0.5碳化硅微粉，高分子分散剂为碳化硅微粉的3％，混合浆料浓度为45％依次设置，罐内浆料高度为800CM，搅拌浆料10分钟后，取罐底部的浆料；产品分级完成后，用清水将各个号的微粉洗两遍，可达到所需细粉粒度的产品。
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| CN1951574A true CN1951574A (zh) | 2007-04-25 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2005
- 2005-10-21 CN CN 200510047465 patent/CN1951574A/zh active Pending
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