CN1945410A - 像素结构及其修补方法 - Google Patents

Abstract

一种像素结构及其修补方法，该像素结构配置于一基板上，其适于由一扫描线以及一数据线驱动，所述像素结构包括：一第一电容电极，配置于所述基板上，且具有一第一缺口；一介电层，配置于所述基板上，且覆盖所述第一电容电极；一第二电容电极，配置于所述第一电容电极上方的所述介电层上；一保护层，配置于所述介电层上，以覆盖所述第二电容电极，其中所述保护层具有一接触开口，以暴露出部分的所述第二电容电极，且所述接触开口位于所述第一缺口范围内的上方；一像素电极，位于所述保护层上，且所述像素电极由所述保护层的所述接触开口与所述第二电容电极电性连接；以及一主动组件，与所述像素电极电性相连。本发明的像素结构具有易于修补的特点。

Description

像素结构及其修补方法

技术领域

本发明是有关于一种像素结构及其修补方法，且特别是有关于一种易于修补的像素结构及其修补方法。

背景技术

具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)已逐渐成为显示器的主流。一般的薄膜晶体管液晶显示器主要是由一薄膜晶体管数组基板、一对向基板以及一夹于前述二基板之间的液晶层所构成。其中，薄膜晶体管数组基板主要包括基板、数组排列于基板上的像素结构、扫描配线(Scan line)与数据配线(Date line)。前述的像素结构主要是由薄膜晶体管、像素电极(Pixel Electrode)以及储存电容器(Cst)所构成，其中，薄膜晶体管例如采用非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)或多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)。一般而言，由扫描配线所传输的扫瞄信号可将对应的薄膜晶体管开启，此时，由数据配线所传输的图像信号便会经由薄膜晶体管传输至对应的像素电极上，以使得像素电极能够控制其上方的液晶，进而达到显示的目的。此外，像素结构可由其储存电容器的辅助，而维持较佳的显示品质。

图1A表示现有的像素结构示意图，而图1B表示图1A中对应于A-A’剖面线的剖面示意图。请同时参考图1A与图1B，现有的像素结构100包括一扫描线110、一数据线120、一薄膜晶体管130、一储存电容140以及一像素电极150。其中，薄膜晶体管130电性连接于像素电极150，而储存电容140是由一上电极142与一共通线160(下电极)所构成，且储存电容为储存电容140形成于共通线160上的架构(Cst on common)。

在制造过程中，当像素结构100中的储存电容140因微粒导致上电极142与共通线160间发生短路，或是其它因素导致介电层146破洞时，储存电容140将会发生电容泄漏(leakage)的现象。换言之，电容泄漏的情况将会使像素结构100无法有效地被充电(薄膜晶体管130开启时)，且会发生异常漏电的现象(薄膜晶体管130关闭时)。另外，在制造过程中，当像素结构100发生因微粒导致上电极142与像素电极150发生短路时，像素电极150无法正常接收控制信号的控制，造成显示异常。综上所述，在制造过程中，若发生上电极142与共通线160间短路或是上电极142与像素电极150间短路时，像素结构100无法进行有效的修补，进而造成液晶显示器的显示品质不佳。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种像素结构，其具有易于修补的像素结构。

本发明提供一种像素结构的修补方法，以提高液晶显示面板制造良率。

本发明提出一种像素结构，适于配置于一基板上，并由一扫描线以及一数据线驱动。像素结构包括一第一电容电极、一介电层、一第二电容电极、一保护层、一像素电极以及一主动组件。第一电容电极配置于基板上并具有一第一缺口。介电层配置于基板上并覆盖第一电容电极。第二电容电极配置于第一电容电极上方的介电层上。保护层配置于介电层上，以覆盖第二电容电极，其中保护层具有一接触开口，以暴露出部分的第二电容电极，且接触开口位于第一缺口范围内的上方。像素电极位于保护层上，且像素电极由保护层的接触开口与第二电容电极电性连接。另外，主动组件与像素电极电性相连。

在本发明一实施例中，接触开口与第一缺口的边缘保持一间距。

在本发明一实施例中，第一缺口具有一第一对位参考边缘，且第一对位参考边缘平行于扫描线。

在本发明一实施例中，第一缺口为一矩形缺口。

在本发明一实施例中，像素电极包括至少一第二缺口，且第二缺口具有一平行于第一对位参考边缘的第二对位参考边缘。

在本发明一实施例中，第二缺口为一矩形缺口。

在本发明一实施例中，主动组件为一薄膜晶体管，而薄膜晶体管具有一栅极、一源极以及一漏极。

在本发明一实施例中，漏极是从薄膜晶体管延伸至第二电容电极，并直接与第二电容电极电性连接。

本发明提出一种像素结构的修补方法，适于修补前所述的像素结构，当第一电容电极与第二电容电极之间或第一电容电极与像素电极之间发生短路时，此修补方法包括：于第一缺口范围内，将第二电容电极分离成两部分，以使得由接触开口彼此电性连接的主动组件以及像素电极能够与第二电容电极电性绝缘。

在本发明一实施例中，将第二电容电极分离成两部分的方法包括激光切割。

在本发明一实施例中，将第二电容电极分离成两部分的方法包括背面激光切割。

本发明提出另一种像素结构，适于配置于一基板上，并由一扫描线以及一数据线驱动。像素结构包括一第一电容电极、一介电层、一第二电容电极、一保护层、一像素电极以及一主动组件。第一电容电极配置于基板上并具有一开口。介电层配置于基板上并覆盖第一电容电极。第二电容电极配置于第一电容电极上方的介电层上，其中第二电容电极具有至少一缺口，而缺口与开口的部分区域重叠。保护层配置于介电层上，以覆盖第二电容电极，其中保护层具有一接触开口，以暴露出部分的第二电容电极，且接触开口位于开口范围内的上方。像素电极位于保护层上，且像素电极由保护层的接触开口与第二电容电极电性连接。另外，主动组件与像素电极电性相连。

在本发明一实施例中，接触开口与开口的边缘保持一间距。

在本发明一实施例中，开口具有一第一对位参考边缘，且第一对位参考边缘平行于扫描线。

在本发明一实施例中，开口为一矩形开口。

在本发明一实施例中，像素电极包括至少一对位开口，且对位开口具有一平行于第一对位参考边缘的第二对位参考边缘。

在本发明一实施例中，对位开口为一矩形开口。

在本发明一实施例中，主动组件为一薄膜晶体管，而薄膜晶体管具有一栅极、一源极以及一漏极。

在本发明一实施例中，漏极是从薄膜晶体管延伸至第二电容电极，并直接与第二电容电极电性连接。

本发明提出另一种像素结构的修补方法，适于修补前所述的像素结构，当第一电容电极与第二电容电极之间或第一电容电极与像素电极之间发生短路时，此修补方法包括：在开口范围内，将第二电容电极分离成两部分，以使得由接触开口彼此电性连接的主动组件以及像素电极能够与第二电容电极电性绝缘。

在本发明一实施例中，将第二电容电极分离成两部分的方法包括激光切割。

在本发明一实施例中，将第二电容电极分离成两部分的方法包括背面激光切割。

依照本发明的实施例所述，上述的像素结构具有由第一电容电极与第二电容电极所形成的储存电容器。当制作本实施例的像素结构过程中，发生第一电容电极与第二电容电极之间或第一电容电极与像素电极之间的短路时，利用本实施例所提的修补方法，可使瑕疵像素结构舍弃储存电容器。此外，上述的瑕疵像素结构虽然丧失储存电容的保持(Holding)写入数据电压的功能，但是此像素结构仍然能够被数据电压所驱动，以维持一定程度的显示效能。

附图说明

图1A为现有的像素结构的示意图。

图1B为图1A中对应于A-A’剖面线的剖面示意图。

图2A为本发明一实施例的像素结构的示意图。

图2B为图2A中对应于B-B’剖面线的剖面示意图。

图3为图2A中的像素结构在修补后的示意图。

图4为本发明另一实施例的像素结构的示意图。

图5为图4中的像素结构在修补后的示意图。

图6为本发明另一实施例的像素结构的示意图。

图7为图6中的像素结构在修补后的示意图。

图8为具有多个缺口的第二电容电极示意图。

主要组件符号说明

200、300、400：像素结构；

300A、300B、400A、400B：像素结构的部分区域；

202、302、402：基板；

210、310、410：扫描线；

220、320、420：数据线；

230、330A、330B、430A、430B：第一电容电极；

232、332A、332B：第一缺口；

232L、332AL、332BL、432AL、432BL：第一对位参考边缘；

240、340、440：介电层；

250、350A、350B、450A、450B：第二电容电极；

250a、250b、350Aa、350Ab、350Ba、350Bb、450Aa、450Ab、450Ba、450Bb：修补后的部分第二电容电极；

260、360、460：保护层；

270、370A、370B、470A、470B：像素电极；

272：第二缺口；

272L、372L、374L、472L、474L：第二对位参考边缘；

280、380、480：主动组件；

280a、380a、480a：栅极；

280b、380b、480b：源极；

280c、380c、380d、480c、480d：漏极；

290、362A、362B、462A、462B：接触开口；

432A、432B：开口；

452A、452B：缺口；

472、474：对位开口；

S：接触开口与第一缺口之间的间距；

C1、C2、C3、C4、C5：激光切割的修补轨迹。

具体实施方式

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下面特举一较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明。

第一实施例

图2A为本发明一实施例的像素结构的示意图，而图2B表示图2A中对应于B-B’剖面线的剖面示意图。请同时参考图2A与图2B，本实施例的像素结构200适于由一扫描线210以及一数据线220驱动。像素结构200配置于一基板202上，且像素结构200包括一第一电容电极230、一介电层240、一第二电容电极250、一保护层260、一像素电极270以及一主动组件280。第一电容电极230配置于基板202上，并具有一第一缺口232。介电层240配置于基板202上，以覆盖住第一电容电极230。第二电容电极250配置于第一电容电极230上方的介电层240上。保护层260配置于介电层240上，以覆盖住第二电容电极250，保护层260具有一接触开口290，以暴露出部分的第二电容电极250，且接触开口290位于第一缺口232范围内的上方。像素电极270位于保护层260上，且像素电极270由保护层260的接触开口290与第二电容电极250电性连接。另外，主动组件280与像素电极270电性相连。

在本实施例中，接触开口290的边缘与第一缺口232的边缘通常会保持一间距S，以利于后续修补动作的进行。为了提升像素结构200的修补良率，接触开口290与第一缺口232之间的间距S以能够让修补时所使用的激光束顺利通过并且照射在第二电容电极250上为原则。详言之，接触开口290与第一缺口232之间的间距S可视修补时所使用的激光束的直径而做适当的改变。

在本实施例中，第一缺口232具有一第一对位参考边缘232L，且第一对位参考边缘232L平行于扫描线210。在其它实施例中，第一缺口232的第一对位参考边缘232L也可以是其它非直线型的轮廓(Profile)，此非直线型的轮廓在设计上以能够让对位系统(如图像辨识系统)准确地判断第一电容电极230所在位置为原则。在制作过程中，本实施例可以利用第一对位参考边缘232L来进行制造工艺精准度的评估与回馈。例如，本实施例可以利用第一对位参考边缘232L来测量第一电容电极230制造工艺与第二电容电极250制造工艺之间的偏移量，并以此偏移量判断是否需调整制造工艺参数，以提高像素结构的制作品质。

在本实施例中，第一缺口232为一矩形缺口，而在其它实施例中，第一缺口232也可以是梯形缺口或其它具有第一对位参考边缘232L的任意形状的缺口。

在本实施例中，像素电极270包括至少一第二缺口272，且第二缺口272具有一平行于第一对位参考边缘232L的第二对位参考边缘272L。然而，第二缺口272的第二对位参考边缘272L也可以是其它非直线型的轮廓(Profile)，此非直线型的轮廓在设计上以能够让对位系统(如图像辨识系统)准确地判断像素电极270所在位置为原则。在制作过程中，本实施例可以利用第二对位参考边缘272L来进行制造工艺精准度的评估与回馈。举例而言，本实施例可以利用第二对位参考边缘272L来测量像素电极270制造工艺与第一电容电极230制造工艺之间的偏移量，或是像素电极270制造工艺与第二电容电极250制造工艺之间偏移量，并以此偏移量判断是否需调整制造工艺参数，进而提高像素结构的制作品质。

在本实施例中，第二缺口272为一矩形缺口，而在其它实施例中，第二缺口272也可以是梯形缺口或其它具有第二对位参考边缘272L的任意形状的缺口。

在本实施例中，主动组件280可以是一具有一栅极280a、一源极280b以及一漏极280c的薄膜晶体管，由图2A可知，漏极280c是从薄膜晶体管延伸至第二电容电极250，并直接与第二电容电极250电性连接，换言之，漏极280c与第二电容电极250可以采用同一层导电材质来制作。在其它实施例中，漏极280c也可以透过像素电极与第二电容电极250间接电性相接。

图3为图2A中的像素结构在修补后的示意图。请参考图3，当第一电容电极230与第二电容电极250之间或第一电容电极230与像素电极270之间发生短路时，修补方法包括：在第一缺口232范围内，将第二电容电极250分离成两部分250a、250b，以使得由接触开口290彼此电性连接的主动组件280以及像素电极270会与第二电容电极250电性绝缘。由图3可知，本实施例可利用激光切割(laser cutting)的方式来进行上述的修补程序，详言之，本实施例可沿着修补轨迹C1来进行激光切割，以使得第二电容电极250分离成两部分250a、250b，此时，像素电极270依然能够随着主动组件280所传输的数据电压，进而影响上方的液晶分子的排列。因此，修补后的像素能够显示不同的灰阶，维持一定程度的显示品质。

在一较佳实施例中，将第二电容电极250分离成两部分250a、250b的方法可采用背面激光切割。

第二实施例

图4为本发明另一实施例的像素结构300的示意图。请参照图4，本实施例的像素结构300适于由一扫描线310以及一数据线320驱动。在本实施例中，像素结构300属于一种多域垂直配向型(multi-domain verticallyalignment，MVA)液晶显示器的像素结构300，此像素结构300可以分为两个区域300A、300B来驱动。像素结构300配置于一基板302上，且像素结构300包括一第一电容电极330A与330B、一介电层340(未图示)、一第二电容电极350A与350B、一保护层360(未图示)、一像素电极370A与370B以及一主动组件380。第一电容电极330A、330B配置于基板302上，并且分别具有一第一缺口332A、332B。介电层340配置于基板302上，以覆盖住第一电容电极330A、330B。第二电容电极350A、350B分别配置于第一电容电极330A、330B上方的介电层340上。保护层360配置于介电层340上，以覆盖住第二电容电极350A、350B，保护层360在第二电容电极350A、350B上方分别具有一接触开口362A、362B，以分别暴露出部分的第二电容电极350A、350B，且接触开口362A、362B分别位于第一缺口332A、332B范围内的上方。像素电极370A、370B位于保护层360上，且像素电极370A、370B分别由保护层360的接触开口362A、362B并分别与第二电容电极350A、350B电性连接。另外，主动组件380分别与像素电极370A与370B电性相连。

在本实施例中，接触开口362A的边缘与第一缺口332A的边缘之间、接触开口362B的边缘与第一缺口332B的边缘之间通常会保持一间距S，以利后续修补动作的进行。为了提升像素结构300的修补良率，接触开口362A与第一缺口332A之间或接触开口362B与第一缺口332B之间的间距S以能够让修补时所使用的激光束顺利通过并且分别照射在对应的第二电容电极350A、350B上为原则。详言之，接触开口362A与第一缺口332A之间、接触开口362B与第一缺口332B之间的间距S可视修补时所使用的激光束的直径而做适当的改变。

在本实施例中，第一缺口332A、332B分别具有一第一对位参考边缘332AL、332BL，且第一对位参考边缘332AL、332BL平行于扫描线310。在其它实施例中，第一缺口332A、332B的第一对位参考边缘332AL、332BL也可以是其它非直线型的轮廓(Profile)，此非直线型的轮廓在设计上以能够让对位系统(如图像辨识系统)准确地判断第一电容电极330A、330B所在位置为原则。在制作过程中，本实施例可以利用第一对位参考边缘332AL、332BL来进行制造工艺精准度的评估与回馈。例如，本实施例可以利用第一对位参考边缘332AL、332BL来测量第一电容电极330A、330B制造工艺与第二电容电极350A、350B制造工艺之间的偏移量，并以此偏移量判断是否需调整制造工艺参数，以提高像素结构300的制作品质。

在本实施例中，第一缺口332A、332B为一矩形缺口，而在其它实施例中，第一缺口332A与332B也可以是梯形缺口或其它具有第一对位参考边缘332AL、332BL的任意形状的缺口。

在本实施例中，像素电极370A、370B包括至少一对位开口372、374，且对位开口372、374分别具有一平行于第一对位参考边缘332AL、332BL的第二对位参考边缘372L、374L。然而，对位开口372、374的第二对位参考边缘372L、374L也可以是其它非直线型的轮廓(Profile)，此非直线型的轮廓在设计上以能够让对位系统(如图像辨识系统)准确地判断像素电极370A所在位置为原则。在制作过程中，本实施例可以利用第二对位参考边缘372L、374L来进行制造工艺精准度的评估与回馈。举例而言，本实施例可以利用第二对位参考边缘372L、374L来测量像素电极370A制造工艺与第一电容电极330A制造工艺之间的偏移量，或是像素电极370A制造工艺与第二电容电极350A制造工艺之间偏移量，并以此偏移量判断是否需调整制造工艺参数，进而提高像素结构300的制作品质。

在本实施例中，对位开口372、374为一矩形对位开口，而在其它实施例中，对位开口372、374也可以是梯形开口或其它具有第二对位参考边缘372L、374L的任意形状的开口。

请参照图4，在本实施例中，主动组件380可以是两个共享同一个源极380b的薄膜晶体管，主动组件380包括一栅极380a、一源极380b以及漏极380c、380d，由图4可知，漏极380c、380d是从薄膜晶体管分别延伸至第二电容电极350A、350B，并分别直接与第二电容电极350A、350B电性连接，换言之，漏极380c、380d与第二电容电极350A、350B可以采用同一层导电材质来制作。在其它实施例中，漏极380c、380d也可以透过像素电极370A、370B分别与第二电容电极350A、350B间接电性相接。

图5为图4中的像素结构300在修补后的示意图。请参考图5，当第一电容电极330A与第二电容电极350A之间发生短路、第一电容电极330B与第二电容电极350B之间发生短路、第一电容电极330A与像素电极370A之间发生短路，或是第一电容电极330B与像素电极370B之间发生短路时，修补方法可以为下列几种情形。

像素结构300的区域300A的修补，在本实施例中可以在第一缺口332A范围内，将第二电容电极350A分离成两部分350Aa、350Ab，以使得由接触开口362A彼此电性连接的主动组件380以及像素电极370A能够与第二电容电极350A电性绝缘。像素区域300B的修补，在本实施例中可以在第一缺口332B范围内，将第二电容电极350B分离成两部分350Ba、350Bb，以使得由接触开口362B彼此电性连接的主动组件380以及像素电极370B会与第二电容电极350B电性绝缘。由图5可知，本实施例可利用激光切割(laser cutting)的方式来进行上述的修补程序，详言之，在像素区域300A的部分，本实施例可沿着修补轨迹C2来进行激光切割，以使得第二电容电极350A分离成两部分350Aa、350Ab，此时，像素电极370A依然能够随着主动组件380所传输的数据电压，进而影响上方的液晶分子的排列。同理，在像素区域300B的部分，本实施例可沿着修补轨迹C3来进行激光切割，以使得第二电容电极350B分离成两部分350Ba、350Bb，此时，像素电极370B依然能够随着主动组件380所传输的数据电压，进而影响上方的液晶分子的排列。因此，修补后的像素能够显示不同的灰阶，维持一定程度的显示品质。

在一较佳实施例中，将第二电容电极350A分离成两部分350Aa、350Ab或将第二电容电极350B分离成两部分350Ba、350Bb的方法可采用背面激光切割。

第三实施例

图6为本发明另一实施例的像素结构400的示意图。请参照图6，本实施例的像素结构400适于由一扫描线410以及一数据线420驱动。在本实施例中，像素结构400属于一种多域垂直配向型液晶显示器的像素结构400，此像素结构400可以分为两个区域来驱动。像素结构400配置于一基板402上，且像素结构400包括一第一电容电极430A与430B、一介电层440(未图示)、一第二电容电极450A与450B、一保护层460(未图示)、一像素电极470A与470B以及一主动组件480。第一电容电极430A、430B配置于基板402上，并且分别具有一开口432A、432B。介电层440配置于基板402上，以覆盖第一电容电极430A与430B。第二电容电极450A、450B分别配置于第一电容电极430A、430B上方的介电层440上，并且第二电容电极450A、450B分别具有至少一缺口452A、452B，而缺口452A、452B分别与开口432A、432B的部分区域重叠。保护层460配置于介电层440上，以覆盖住第二电容电极450A与450B，保护层460分别在第二电容电极450A与450B上方具有一接触开口462A、462B，以暴露出部分的第二电容电极450A、450B，且接触开口462A、462B分别位于开口432A、432B范围内的上方。像素电极470A与470B位于保护层460上，且像素电极470A、470B分别由保护层460的接触开口462A、462B与第二电容电极450A、450B电性连接。另外，主动组件480分别与像素电极470A、470B电性相连。

在本实施例中，接触开口462A的边缘与开口432A的边缘之间、接触开口462B的边缘与开口432B的边缘之间通常会保持一间距S，以利后续修补动作的进行。为了提升像素结构400的修补良率，接触开口462A与开口432A之间、接触开口462B与开口432B之间的间距S以能够让修补时所使用的激光束顺利通过并且照射在对应的第二电容电极450A、450B上为原则。详言之，接触开口462A与开口432A之间、接触开口462B与开口432B之间的间距S可视修补时所使用的激光束的直径而做适当的改变。

在本实施例中，开口432A、432B分别具有一第一对位参考边缘432AL、432BL，且第一对位参考边缘432AL、432BL平行于扫描线410。在其它实施例中，开口432A、432B的第一对位参考边缘432AL、432BL也可以是其它非直线型的轮廓(Profile)，此非直线型的轮廓在设计上以能够让对位系统(如图像辨识系统)准确地判断第一电容电极430A、430B所在位置为原则。在制作过程中，本实施例可以利用第一对位参考边缘432AL、432BL来进行制造工艺精准度的评估与回馈。例如，本实施例可以利用第一对位参考边缘432AL、432BL来测量第一电容电极430A、430B制造工艺与第二电容电极450A、450B制造工艺之间的偏移量，并以此偏移量判断是否需调整制造工艺参数，以提高像素结构400的制作品质。

在本实施例中，开口432A、432B为一矩形开口，而在其它实施例中，开口432A、432B也可以是梯形开口或其它具有第一对位参考边缘432AL、432BL的任意形状的开口。

在本实施例中，像素电极470A、470B包括至少一对位开口472、474，且对位开口472、474分别具有一平行于第一对位参考边缘432AL、432BL的第二对位参考边缘472L、474L然而，对位开口472、474的第二对位参考边缘472L、474L也可以是其它非直线型的轮廓(Profile)，此非直线型的轮廓在设计上以能够让对位系统(如图像辨识系统)准确地判断像素电极470A所在位置为原则。在制作过程中，本实施例可以利用第二对位参考边缘472L、474L来进行制造工艺精准度的评估与回馈。举例而言，本实施例可以利用第二对位参考边缘472L、474L来测量像素电极470A制造工艺与第一电容电极430A制造工艺之间的偏移量，或是像素电极470A制造工艺与第二电容电极450A制造工艺之间偏移量，并以此偏移量判断是否需调整制造工艺参数，进而提高像素结构400的制作品质。

在本实施例中，对位开口472、474为一矩形对位开口，而在其它实施例中，对位开口472、474也可以是梯形开口或其它具有第二对位参考边缘472L、474L的任意形状的开口。

请参照图6，在本实施例中，主动组件480可以是两个共享同一个源极480b的薄膜晶体管，主动组件480包括一栅极480a、一源极480b以及漏极480c、480d，由图5可知，漏极480c、480d是从薄膜晶体管分别延伸至第二电容电极450A、450B，并分别直接与第二电容电极450A、450B电性连接，换言之，漏极480c、480d与第二电容电极450A、450B可以采用同一层导电材质来制作。在其它实施例中，漏极480c、480d也可以透过像素电极470A、470B与分别第二电容电极450A、450B间接电性相接。

图7为图6中的像素结构400在修补后的示意图。请参考图6，当第一电容电极430A与第二电容电极450A之间发生短路、第一电容电极430B与第二电容电极450B之间发生短路、第一电容电极430A与像素电极470A之间发生短路，或是第一电容电极430B与像素电极470B之间发生短路时，修补方法可以为下列几种情形。

像素区域400A的部分，在本实施例中可以在开口432A范围内，将第二电容电极450A分离成两部分450Aa、450Ab，以使得由接触开口462A彼此电性连接的主动组件480以及像素电极470A会与第二电容电极450A电性绝缘。像素区域400B部分的修补，在本实施例中可以在开口432A范围内，将第二电容电极450B分离成两部分450Ba、450Bb，以使得由接触开口462B彼此电性连接的主动组件480以及像素电极470B会与第二电容电极450B电性绝缘。由图7可知，本实施例可利用激光切割(laser cutting)的方式来进行上述的修补程序，详言之，在像素区域400A的部分，本实施例可沿着修补轨迹C4来进行激光切割，以使得第二电容电极450A分离成两部分450Aa、450Ab，此时，像素电极470A依然能够随着主动组件480所传输的数据电压，进而影响上方的液晶分子的排列。同理，在像素区域400B的部分，本实施例可沿着修补轨迹C5来进行激光切割，以使得第二电容电极450B分离成两部分450Ba、450Bb，此时，像素电极470B依然能够随着主动组件480所传输的数据电压，进而影响上方的液晶分子的排列。因此，修补后的像素能够显示不同的灰阶，维持一定程度的显示品质。

在一较佳实施例中，将第二电容电极450A分离成两部分450Aa、450Ab或将第二电容电极450B分离成两部分450Ba、450Bb的方法可采用背面激光切割。

在本实施例中，第二电容电极为一具有一缺口的电容电极，第二电容电极也可以是具有多个缺口的电容电极，如图8所示。

综上所述，本发明至少具有下列优点：

1.本发明的一实施例中，像素结构的特点在于电容电极的设计上，尤其是在电性连接主动组件与像素电极的接触开口下方的第一电容电极具有一第一缺口或开口，使得此像素结构具有易于修补的特点。

2.本发明的一实施例中，可以利用第一电容电极的第一对位参考边缘与像素电极的第二对位参考边缘来进行制造工艺精准度的评估与回馈，以提高像素结构的制作品质。

3.在利用激光切割的方式来进行像素修补程序时，可以由像素结构中的第一缺口、第二缺口、开口、对位开口的形状来进行激光对位，使激光切割的位置更准确，提高修补良率。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求所界定为准。

Claims (22)

1.一种像素结构，配置于一基板上，适于由一扫描线以及一数据线驱动，所述像素结构包括：

一第一电容电极，配置于所述基板上，且具有一第一缺口；

一介电层，配置于所述基板上，且覆盖所述第一电容电极；

一第二电容电极，配置于所述第一电容电极上方的所述介电层上；

一保护层，配置于所述介电层上，以覆盖所述第二电容电极，其中所述保护层具有一接触开口，以暴露出部分的所述第二电容电极，且所述接触开口位于所述第一缺口范围内的上方；

一像素电极，位于所述保护层上，且所述像素电极由所述保护层的所述接触开口与所述第二电容电极电性连接；以及

一主动组件，与所述像素电极电性相连。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述接触开口与所述第一缺口的边缘保持一间距。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一缺口为一矩形缺口。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一缺口具有一第一对位参考边缘，且所述第一对位参考边缘平行于所述扫描线。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极包括至少一第二缺口，且所述第二缺口具有一平行于所述第一对位参考边缘的第二对位参考边缘。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述第二缺口为一矩形缺口。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述主动组件为一薄膜晶体管，而所述薄膜晶体管具有一栅极、一源极以及一漏极。

8.如权利要求7所述的像素结构，其特征在于，所述漏极是从所述薄膜晶体管延伸至所述第二电容电极，并直接与所述第二电容电极电性连接。

9.一种用于修补权利要求1所述的像素结构的修补方法，当所述第一电容电极与所述第二电容电极之间或所述第一电容电极与所述像素电极之间发生短路时，所述修补方法包括：

在所述第一缺口范围内，将所述第二电容电极分离成两部分，以使得由所述接触开口彼此电性连接的所述主动组件以及所述像素电极会与所述第二电容电极电性绝缘。

10.如权利要求9所述的修补方法，其特征在于，将所述第二电容电极分离成两部分的方法包括激光切割。

11.如权利要求9所述的修补方法，其特征在于，将所述第二电容电极分离成两部分的方法包括背面激光切割。

12.一种像素结构，配置于一基板上，适于由一扫描线以及一数据线驱动，所述像素结构包括：

一第一电容电极，配置于所述基板上，且具有一开口；

一介电层，配置于所述基板上，且覆盖所述第一电容电极；

一第二电容电极，配置于所述第一电容电极上方的所述介电层上，其中所述第二电容电极具有至少一缺口，而所述缺口与所述开口的部分区域重叠；

一保护层，配置于所述介电层上，以覆盖所述第二电容电极，其中所述保护层具有一接触开口，以暴露出部分的所述第二电容电极，且所述接触开口位于所述开口范围内的上方；

一像素电极，位于所述保护层上，且所述像素电极由所述保护层的所述接触开口与所述第二电容电极电性连接；以及

一主动组件，与所述像素电极电性相连。

13.如权利要求12所述的像素结构，其特征在于，所述接触开口与所述开口的边缘保持一间距。

14.如权利要求12所述的像素结构，其特征在于，所述开口为一矩形开口。

15.如权利要求12所述的像素结构，其特征在于，所述开口具有一第一对位参考边缘，且所述第一对位参考边缘平行于所述扫描线。

16.如权利要求15所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极包括至少一对位开口，且所述对位开口具有一平行于所述第一对位参考边缘的第二对位参考边缘。

17.如权利要求16所述的像素结构，其特征在于，所述对位开口为一矩形对位开口。

18.如权利要求12所述的像素结构，其特征在于，所述主动组件为一薄膜晶体管，而所述薄膜晶体管具有一栅极、一源极以及一漏极。

19.如权利要求18所述的像素结构，其特征在于，所述漏极是从所述薄膜晶体管延伸至所述第二电容电极，并直接与所述第二电容电极电性连接。

20.一种用于修补权利要求12所述的像素结构的修补方法，当所述第一电容电极与所述第二电容电极之间或所述第一电容电极与所述像素电极之间发生短路时，所述修补方法包括：

在所述开口范围内，将所述第二电容电极分离成两部分，以使得由所述接触开口彼此电性连接的所述主动组件以及所述像素电极会与所述第二电容电极电性绝缘。

21.如权利要求20所述的修补方法，其特征在于，将所述第二电容电极分离成两部分的方法包括激光切割。

22.如权利要求20所述的修补方法，其特征在于，将所述第二电容电极分离成两部分的方法包括背面激光切割。

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