CN1917224B - 涂敷的晶圆级照相模块及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种涂敷的晶圆级照相模块及其制备方法。本发明的一种方案是一种包括芯片的晶圆级照相模块，该芯片具有带多个图像传感器的集成电路，该模块还可以进一步包括可覆盖至少一部分该芯片的涂层。该涂层可被设定成至少部分地屏蔽所选类型的电磁能量。另外，该模块还可进一步包括多个接触件，其如此设置以将集成电路电连接到一载体上的。在本发明的某些具体实施方式中，所选类型的电磁能量包括一种或多种所选择的光线频率。
Description
技术领域
本发明涉及一种涂敷的晶圆级照相模块及其相应的制备方法。
背景技术
图像传感器已经变得无处不在，它们被广泛地用于数字照相机、便携式电话、保密照相机、医疗器械、汽车和其它应用场合。制造图像传感器的技术、特别是CMOS(互补型金属氧化半导体)图像传感器持续地快速发展。例如，高分辨率和低能耗的要求促进了图像传感器的进一步的小型化及集成。
许多微电子照相模块要求屏蔽各种形式的电磁能量。目前的系统采用设置在照相模块上方的、接地的金属盒来屏蔽电磁辐射。例如，图1是现有技术局部剖视图，其显示了安装到印刷电路板20上的照相模块1，金属盒95围绕照相模块1设置。照相模块1包括传感器部件18、透镜部件16以及壳体3。壳体3被设定成除光线通过壳体3上的开口4进入照相模块1外、其余光线不能进入照相模块1。照相模块1安装到插槽2上。金属盒95绕着照相模块1设置并且也被插槽2承载。插槽连接到印刷电路板20，以将照相模块1连接到印刷电路板20上。此外，金属盒95通过插槽2和印刷电路板20连接到地线93。而且，金属盒95可以为照相模块1屏蔽掉所选类型的电磁辐射。
在图1所示组件的生产过程中，插槽2以及金属盒95的使用将使生产工艺复杂化。而且，金属盒95以及插槽2将增加该装置的整体重量和尺寸，这都是人们所不希望的。
发明内容
本发明的方案是关于涂敷的晶圆级照相模块及其对应方法。
一方面，本发明涉及一种包括芯片(die，或称晶粒)的晶圆级照相模块，该芯片具有设置多个图像传感器的集成电路，该照相模块可以进一步包括至少一个接地焊点(grounding pad)以及覆盖该芯片的至少一部分的导电涂层。该涂层可被电连接到该至少一个接地焊点。该照相模块还可进一步包括多个接触件(contact，触点)，其如此设置，以将上述集成电路和上述至少一个接地焊点电连接到一载体上。在本发明的其它具体实施方式中，导电涂层可以如此设定，使得当上述至少一个接地焊点被电连接到上述载体上时，至少可以部分地屏蔽所选类型的电磁能量。在本发明的另外具体实施方式中，涂层可以被设定成至少可以部分屏蔽一种或多种所选择的光线频率。
另一方面，本发明涉及一种如此的晶圆级照相模块，其包括芯片，芯片上具有带多个图像传感器的集成电路，而且该照相模块进一步包括覆盖上述芯片的至少一部分的涂层。该涂层被设定成可以至少部分地屏蔽所选类型的电磁能量。该照相模块还进一步包括多个接触件，其如此设置，以将上述集成电路电连接到一载体上。在本发明的其它具体实施方式中，所选类型的电磁能量包括一种或多种所选择的光线频率。
再一方面，本发明涉及一种用于制造涂敷的晶圆级照相模块的方法，该方法包括提供一具有芯片的晶圆级照相模块，该芯片包括带多个图像传感器的集成电路、至少一个接地焊点以及多个接触件，这些接触件如此设置，以将该集成电路以及该至少一个接地焊点电连接到一载体上。该方法还可以进一步包括向该芯片的至少一部分上应用导电涂层，该涂层被电连接到该至少一个接地焊点。
采用本发明的照相模块，可以省掉在照相模块的周围安装金属盒，从而可以减小生产复杂性和/或装置成本。此外，由于不再需要金属盒，装置的尺寸和/或重量可被减小。
附图说明
图1是现有技术局部剖视图，其显示了安装到印刷电路板上的照相模块，其中，一金属盒设置在照相模块的上方并通过该印刷电路板接地。
图2A是本发明一具体实施方式的晶圆级照相模块的局部侧示图。
图2B是图2A所示晶圆级照相模块的局部俯视图。
图2C是图2A所示晶圆级照相模块的局部仰视图。
图3是按照本发明一具体实施方式、图2A所示晶圆级照相模块安置在一腔室内接受涂层的局部示意图。
图4A是按照本发明一具体实施方式、图2A所示晶圆级照相模块在接受了涂层以后的局部侧示图。
图4B是图4A所示晶圆级照相模块的局部俯视图。
图4C是图4A所示晶圆级照相模块的局部仰视图。
图5是按照本发明一具体实施方式、图4A所示涂敷的晶圆级照相模块连接到一载体上的局部示意图。
具体实施方式
在下面的描述中，提供了许多特定细节，以便对本发明的具体实施方式进行透彻的理解。但所属领域的熟练技术人员可以认识到，在没有这些具体细节中的一个或多个的情况下仍能实施本发明，或者采用其它方法、元件、材料、操作等的情况下仍能实施本发明。另外，为了清楚地描述本发明的各种实施方案，因而对众所周知的结构和操作没有示出或进行详细地描述。
在本发明的说明书中，提及“一实施方案”或“某一实施方案”时是指该实施方案所述的特定特征、结构或者特性至少包含在本发明的一个实施方案中。因而，在说明书各处所出现的“在一实施方案中”或“在某一实施方案中”并不一定指的是全部属于同一个实施方案；而且，特定的特征、结构或者特性可能以合适的方式结合到一个或多个的具体实施方案中。
图2A-图5显示了按本发明的一些具体实施方式形成涂敷的晶圆级照相模块的工艺方法。在某些具体实施方式中，模块上的涂层可以至少部分地屏蔽所选类型的电磁能量。
图2A是本发明具体实施方式的晶圆级照相模块100的侧向局部示意图。在图2A中，模块100包括芯片110，该芯片110具有带多个图像传感器的集成电路112。图像传感器集成电路112可包括多个像素118。微透镜119可被安置在像素118上方并且被芯片110承载(比如，微透镜119可被安置在像素的感光元件上方并且位于滤色器上方)。在某些具体实施方式中，光学组件116可以覆盖至少部分像素118和/或微透镜119。光学组件116可以包括任意数量的光学器件，包括透明的盖板(clear coversheet)、透明的覆盖层、附加透镜、光学透镜、滤光器和/或类似元件。图2B是图2A所示模块的局部俯视图。在多种具体实施方式中，芯片110可以包括除了图像传感器集成电路112以外的其它类型的集成电路。为了举例说明，在图2B中仅显示了九个像素118。在其它的具体实施方式中，模块100可以包括更多或更少的像素118。
如图2A所示，模块100可以包括多个选择性地连接到图像传感器集成电路112上的接触件135。在所示的具体实施方式中，模块100包括连接到芯片110的插入部(interposer)105，以形成如芯片包(chip scalepackage)等。在图2A中，接触件135被安置在插入部105上，以方便将集成电路112电连接到载体上(如基体、印刷电路板和/或印刷线路板)。图2C中也显示了接触件135，图2C是图2A所示模块的局部仰视图。在选择的具体实施方式中，接触件135可以包括焊球136，焊球136被设计成或者适合用于在回流焊结工艺(reflow process)中将模块100上的接触件135连接到一载体的焊点或接触件上。在其它的具体实施方式中，可以采用其它方法将接触件135连接到载体上(例如，不使用焊球136)。为了举例说明，在图2C中仅显示了九个接触件135。在其它的具体实施方式中，模块100可以包括更多或者更少的接触件135。
在某些具体实施方式中，图2A所示的模块100还可以包括至少一个接地焊点130。在所示的具体实施方式中，模块100包括两个接地焊点130，一个在芯片110上，而另一个在插入部105上。在图2A中，两个接地焊点都通过连接器106连接到接触件135。在其它具体实施方式中，模块100可以包括更多、更少和/或不同的接地焊点130。另外，在其它具体实施方式中，接地焊点130可以被安置在模块100的其它部分和/或元件上。例如，在选择的具体实施方式中接地焊点130仅被定位在芯片100上或者仅在插入部105上。而且，接地焊点130可以被经由其它连接器106连接到一个或者多个接触件上和/或经由芯片所承载的集成电路的各个部分。
图3是按照本发明的具体实施方式、图2A所示的晶圆级照相模块被安置在一腔室190内的座台192上接受一涂层局部示意图。在所示的具体实施方式中，应用保护覆盖物160来覆盖光学组件116和接触件135的一部分(它们都显示在了图2A-2C中)，以准备进行涂敷处理。保护覆盖物160可以包括任意类型的可防止(至少可部分地防止)涂层黏附到模块100的一部分上的覆盖物。例如，应用保护覆盖物160的方式可以包括粘贴带片、粘贴薄膜和/或向模块100上选定的部分安置一个物体，以防止(至少部分地防止)所选择的部分被涂敷。在图3中，薄膜被粘贴到模块100上以覆盖光学组件116的一部分，并且座台192根据接触件135进行位置选定，以使接触件135在涂敷处理工艺中不会被涂敷。在其它的具体实施方式中，保护覆盖物160可以不与其覆盖的物体接触。例如，在某些具体实施方式中，模块100可以包括从芯片110表面的孔穴内嵌入的像素118和/或微透镜119，这样，保护覆盖层160可以不接触像素118和/或微透镜119，而是通过覆盖孔穴而将像素118和/或微透镜119覆盖。
在所示的具体实施方式中，涂层材料170经入口191引入到腔室内，以使模块100的至少一部分覆盖上涂层(例如，覆盖至少芯片110的一部分)。涂层材料170可以包括单一的材料，或者同时或顺序引入多种不同的材料或者元素(例如，可应用会彼此发生反应的多气体的混合物在模块100上形成涂层)。材料170可以是各种状态，包括流体(如气体、蒸汽和/或液体)和/或固体(如粉末)。
另外，可以采用各种涂敷处理工艺。例如，涂敷处理工艺可以包括汽相沉积法、化学沉积法、成膜法、喷溅处理和/或沉浸处理(例如，腔室可以充满涂层材料170，以浸没模块100)。在其它的具体实施方式中，形成涂层时也可以不采用腔室190(例如，当采用选择性喷溅处理时和/或当涂层包括被施加到模块1 00上的固体薄膜片时)。
图4A是按照本发明的具体实施方式、图2A所示的模块100在接受了涂层140后的侧向局部示意图。在图4A中，按箭头L1所示，从模块100上去除保护覆盖物160，显露出光学组件116的未被涂敷的部分(如图4B所示)。而且，如箭头L2所示，通过将模块从座台192上移开从而将保护覆盖物160从接触件135上移除，显露出未被涂敷的接触件(如图4C所示)。
图5是按照本发明的具体实施方式、图4A所示涂敷的晶圆级照相模块100被连接到一载体120(如基体、印刷电路版和/或印刷线路板)上的局部示意图。模块100的接触件135可以通过各种处理工艺(例如，采用回流焊结处理、采用焊球栅极阵列排布、采用倒装晶片技术、采用焊线、和/或类似技术)连接到载体120的接触件上。在所示的具体实施方式中，采用回流焊接处理工艺，用图2C所示的焊球136将模块100的接地焊点130和/或集成电路112电连接到载体120上(例如，连接到载体120上的焊点或者接触件)。另外，在所选择的具体实施方式中，模块100的其它部分可以采用粘合剂和/或其它的连接处理工艺(例如，夹子)连接到载体上。
在某些具体实施方式中，涂层140可以包括能够电连接到接地焊点130的导电涂层。例如，涂层140可以包括金属、导电复合材料(例如，具有金属纤维和/或电线的复合材料)和/或导电塑料(例如，具有高浓度导电碳的塑料)。在所示的具体实施方式中，涂层是导电的，而且如此使用，使其覆盖(如附着到)接地焊点130，从而经接地焊点130、连接器106、接触件135、载体120以及载体中的连接器106将涂层140电连接到地线193。因此，涂层140可以至少部分屏蔽所选类型的电磁能量150(例如，电磁辐射、电场以及磁场)，从而减弱了各类电磁能量150进入和/或离开模块100的所选部分的倾向。
例如，由于涂层140是导电的并且电连接到地线193，所以在导电材料中能引起诱导电流的电磁能量150可以至少部分地被涂层140阻止(例如，一部分电磁能量150可以被转换成在涂层140内流动的电流，而涂层140接地线193)。在某些具体实施方式中，涂层140还可以被设定成阻止(例如，使偏转或者吸收)所选择的电磁辐射频率。因此，涂层140可以至少部分地屏蔽所选择的电磁辐射频率(例如，可见光和/或红外线)进入和/或离开模块100的一个或多个部分。在其它的具体实施方式中，模块100可以不包括接地焊点130和/或涂层140是不导电的，但是涂层140仍然可被设定成至少可以部分地屏蔽所选择的电磁辐射频率(如光谱的频率)进入和/或离开模块100的一个或多个部分。在另外的具体实施方式中，涂层140可以被设定成阻止其它类型的电磁能量(例如，雷达反射或吸收材料可被用于涂敷模块100的一部分)
上述的一些具体实施方式的一个特征是晶圆级照相模块可以在模块制造处理中被涂敷，提供至少某些针对所选类型电磁能量的保护。在组装采用该模块的装置时，这种特征可以省掉在该模块的周围安装金属盒的需求，但仍能提供所需的防止电磁辐射干涉和/或光线干涉的保护。这种特征的一个优点是可以减小生产复杂性和/或装置成本，尤其当该模块可被批量涂敷时。此外，由于不再需要金属盒，装置的尺寸和/或重量可被减小。
上述的一些具体实施方式的另一个特征是涂层可被用于阻止所选择的光线频率进入该晶圆级照相模块的各个部分。例如，如图4B所示，涂层可被用于产生小的区域，使通过该区域光线可以进入模块100(例如，通过光学组件)，但可以广泛地阻止光线进入模块100的其它部分。在生产工艺中，这可以去掉在模块100的周围设置壳体的需求，从而可以在现有技术的系统上减小复杂性、尺寸、重量和/或成本。
在其它具体实施方式中，晶圆级照相模块100可具有其它的布置。例如，在选择的具体实施方式中，接地焊点130仅设置在芯片110而未设置在插入部105，但电连接到覆盖着芯片110、插入部105以及光学组件116的导电涂层140。在其它具体实施方式中，模块100不包括插入部。例如，在所选择的具体实施方式中接触件135被安置在芯片110，并且芯片110(具有接触件135)被设定成直接与载体120连接(例如，采用直接芯片接触技术)。
涂敷处理还可以包括各种其它的布置。例如，在其它具体实施方式中，保护涂层160可以在涂敷处理前应用到模块100的更多、更少、和/或其它部分。例如，在某些具体实施方式中，模块100不包括光学组件116，而且保护覆盖物160被布置成覆盖与嵌入的图像传感器集成电路112、像素118的微透镜、和/或与图像传感器集成电路112其它光学器件(如透镜)相关联的孔穴。在另外的具体实施方式中，在施加涂层140的过程中，可不需要/不采用保护覆盖物160，因为一个或多个一定形状的薄膜或者带片被精确地运用到了模块100的选定区域上，或者因为整个模块100都被涂敷了。在某些具体实施方式中，覆盖物160可以被应用到芯片110(例如，具有或者不具有接地焊点130的芯片)，而且芯片110随后被安装到插入部105上。
在另外的其它具体实施方式中，保护覆盖物160可以实际上是施加到模块100所选区域的第一涂层。例如，在按照前面图3所述的涂敷处理工艺(例如，向模块上施加导电涂层的处理)处理之前，可以在模块的选择区域上施加第一涂层形式的保护覆盖物160(例如，喷溅到光学组件116的一部分上)。然后，可以按照前面图3所述的涂敷处理施加第二涂层(例如，施加导电涂层)。第一涂层可以防止第二涂层附着到选择区域上。在某些具体实施方式中，第二涂层被施加之后，可以移除第一涂层，例如，通过可移除第一涂层和/或第一涂层与第二涂层组合的溶剂，但是不会单独地移除第一涂层。上面讨论的这些附加的具体实施方式和前面参照图2A-5讨论的具体实施方式具有一些近似的特征和优点。
上述的内容应理解为：此处所介绍的本发明的具体实施方式只是为了描述本发明，但是在不偏离本发明宗旨与范围的情况下可以做出各种改进。因此，除权利要求以外，本发明不受任何限制。
Claims (20)
1.一种晶圆级照相模块，包括：
具有带多个图像传感器的集成电路的芯片；
至少一个接地焊点；
覆盖该芯片的至少一部分的导电涂层，该涂层被电连接到所述至少一个接地焊点；以及
多个接触件，所述的接触件设置为能将所述集成电路以及所述至少一个接地焊点电连接到一载体上。
2.如权利要求1所述的模块，其中，所述的芯片承载有微透镜。
3.如权利要求1所述的模块，其进一步包括被该芯片承载的光学组件，其中，所述的导电涂层覆盖至少一部分的该光学组件。
4.如权利要求1所述的模块，其中，所述的导电涂层包括金属、导电复合物和导电塑料中的至少一种。
5.如权利要求1所述的模块，其中，所述的导电涂层覆盖至少一个接地焊点。
6.如权利要求1所述的模块，其中，所述的导电涂层被如此设定，使得当所述至少一个接地焊点被电连接到所述载体上时，所述导电涂层至少部分地屏蔽所选类型的电磁能量。
7.如权利要求1所述的模块，其中，所述的涂层被设定成至少部分地屏蔽一种或多种所选择的光线频率。
8.如权利要求1所述的模块，其进一步包括插入部，其中，所述的多个接触件被安置在所述插入部上，并且所述芯片被连接到所述插入部，以形成一芯片包。
9.如权利要求1所述的模块，其进一步包括插入部，其中：
所述多个接触件被安置在所述插入部上；
所述接触件包括适于回流焊接处理的焊球；以及
所述芯片被连接到所述插入部以形成一芯片包。
10.如权利要求1所述的模块，其进一步包括插入部，其中：
所述多个接触件被安置在所述插入部上；
所述芯片被连接到所述插入部以形成一芯片包；以及
所述涂层的至少一部分覆盖所述插入部。
11.一种晶圆级照相模块，包括：
具有带多个图像传感器的集成电路的芯片；
覆盖所述芯片的至少一部分的涂层，所述涂层被设定成至少部分地屏蔽所选类型的电磁能量；以及
多个接触件，所述的接触件设置为能将所述集成电路电连接到一载体上。
12.如权利要求11所述的模块，其中，所述的所选类型的电磁能量包括一种或多种所选择的光线频率。
13.如权利要求11所述的模块，其进一步包括被所述芯片承载的光学组件，其中，所述涂层覆盖至少一部分的所述光学组件。
14.一种用于制造涂敷的晶圆级照相模块的方法，包括：
提供一具有芯片的晶圆级照相模块，该芯片包括带有多个图像传感器的集成电路、至少一个接地焊点以及多个接触件，所述的接触件设置为能将所述集成电路以及所述至少一个接地焊点电连接到一载体上；以及
向所述芯片的至少一部分上施加导电涂层，所述涂层被电连接到所述至少一个接地焊点。
15.如权利要求14所述的方法，其中：提供晶圆级照相模块包括提供一包括光学组件的晶圆级照相模块；施加导电涂层包括向该光学组件的至少一部分上施加导电涂层。
16.如权利要求14所述的方法，其中，施加导电涂层包括施加一种涂层，该涂层被设定成在所述至少一个接地焊点被电连接到所述载体上时，能至少部分地屏蔽所选类型的电磁能量。
17.如权利要求14所述的方法，其中，施加导电涂层包括施加一种涂层，该涂层被设定成能至少部分地屏蔽一种或多种所选择的光线频率。
18.如权利要求14所述的方法，其中，提供晶圆级照相模块包括提供一种芯片被连接到插入部以形成一芯片包的晶圆级照相模块，其中，所述的多个接触件被安置在所述插入部上。
19.如权利要求14所述的方法，其中，施加涂层包括汽相沉积处理、化学沉积处理、成膜处理、沉浸处理以及喷溅处理中的至少一种。
20.如权利要求14所述的方法，其中，所述的方法进一步包括施加至少一个保护覆盖物，以便在施加导电涂层前覆盖至少一部分的所述晶圆级照相模块。
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| US8355545B2 (en) * | 2007-04-10 | 2013-01-15 | Lumidigm, Inc. | Biometric detection using spatial, temporal, and/or spectral techniques |
| US7679167B2 (en) * | 2007-01-08 | 2010-03-16 | Visera Technologies Company, Limited | Electronic assembly for image sensor device and fabrication method thereof |
| CN101641049A (zh) * | 2007-03-21 | 2010-02-03 | 光谱辨识公司 | 基于局部一致特征的生物测定 |
| BRPI0812505B1 (pt) * | 2007-06-11 | 2020-02-18 | Hid Global Corporation | Sistema biométrico, método para coletar uma imagem biométrica |
| US20090152659A1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-06-18 | Jari Hiltunen | Reflowable camera module with improved reliability of solder connections |
| US20090206431A1 (en) * | 2008-02-20 | 2009-08-20 | Micron Technology, Inc. | Imager wafer level module and method of fabrication and use |
| US20090243051A1 (en) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | Micron Technology, Inc. | Integrated conductive shield for microelectronic device assemblies and associated methods |
| DE102008061760A1 (de) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Daimler Ag | Vorrichtung zur Überwachung einer Umgebung eines Fahrzeugs |
| US20100246902A1 (en) * | 2009-02-26 | 2010-09-30 | Lumidigm, Inc. | Method and apparatus to combine biometric sensing and other functionality |
| EP2261977A1 (en) * | 2009-06-08 | 2010-12-15 | STMicroelectronics (Grenoble) SAS | Camera module and its method of manufacturing |
| US8731250B2 (en) * | 2009-08-26 | 2014-05-20 | Lumidigm, Inc. | Multiplexed biometric imaging |
| US8570149B2 (en) | 2010-03-16 | 2013-10-29 | Lumidigm, Inc. | Biometric imaging using an optical adaptive interface |
| US8576574B2 (en) | 2010-04-21 | 2013-11-05 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Electromagnetic interference shielding on semiconductor devices |
| US8642119B2 (en) * | 2010-09-22 | 2014-02-04 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Method and system for shielding semiconductor devices from light |
| JP2012238687A (ja) * | 2011-05-11 | 2012-12-06 | Sony Corp | 半導体パッケージ、半導体装置の製造方法、および固体撮像装置 |
| EP3319125B1 (en) | 2016-11-03 | 2021-04-07 | ams AG | Method for manufacturing optical sensor arrangements and housing for an optical sensor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1436382A (zh) * | 2000-04-17 | 2003-08-13 | 电子设备屏蔽公司 | 电缆和电缆连接器的电磁干扰屏蔽 |
| CN1453866A (zh) * | 2002-04-24 | 2003-11-05 | 株式会社东芝 | 电子器件 |
| US6683654B1 (en) * | 1998-04-20 | 2004-01-27 | Sony Corporation | Flange back focus adjustment mechanism for a video camera |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183847A (ja) * | 1988-01-19 | 1989-07-21 | Ricoh Co Ltd | 等倍イメージセンサー |
| US6956610B1 (en) * | 1999-02-18 | 2005-10-18 | Linvatec Corporation | Shock mounting system for CCD camera |
| US6927379B2 (en) * | 2000-12-22 | 2005-08-09 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Hermetically sealed digital detector |
| FR2824953B1 (fr) * | 2001-05-18 | 2004-07-16 | St Microelectronics Sa | Boitier semi-conducteur optique a lentille incorporee et blindage |
| US7324148B2 (en) * | 2002-04-26 | 2008-01-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Camera and image pickup device unit used therefor having a sealing structure between a dust proofing member and an image pick up device |
| JP2004104078A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-04-02 | Sanyo Electric Co Ltd | カメラモジュールおよびその製造方法 |
| US7329861B2 (en) * | 2003-10-14 | 2008-02-12 | Micron Technology, Inc. | Integrally packaged imaging module |
| DE102004001698A1 (de) * | 2004-01-13 | 2005-08-11 | Robert Bosch Gmbh | Optisches Modul |
| JP2005348275A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Sharp Corp | 撮像素子およびカメラモジュール |
| US7279782B2 (en) * | 2005-01-05 | 2007-10-09 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | FBGA and COB package structure for image sensor |
-
2005
- 2005-09-07 US US11/220,452 patent/US20070052827A1/en not_active Abandoned
-
2006
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6683654B1 (en) * | 1998-04-20 | 2004-01-27 | Sony Corporation | Flange back focus adjustment mechanism for a video camera |
| CN1436382A (zh) * | 2000-04-17 | 2003-08-13 | 电子设备屏蔽公司 | 电缆和电缆连接器的电磁干扰屏蔽 |
| CN1453866A (zh) * | 2002-04-24 | 2003-11-05 | 株式会社东芝 | 电子器件 |
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