CN1913090A - 电子发射器件、电子发射型背光单元和平板显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种具有改善了电子发射效率的电子发射器和包括该电子发射器的电子发射型背光单元,其中有效地阻止了阳极和阴极之间的电场,并且通过低栅极电压连续和稳定地发射电子,由此改善了发光均匀性和发光效率。还提供了一种应用具有电子发射器的电子发射型背光单元的平板显示装置。电子发射器包括底部基板;设置在底部基板的表面上的绝缘层;形成在绝缘层上的阴极;形成在底部基板上和阴极隔开并且高于阴极的栅极;电连接到阴极并且相对于栅极设置的电子发射层。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2005年7月21日在韩国知识产权局提交的韩国申请NO.2005-66380的优先权,其全部内容在此引作参考。
技术领域
本发明的方案涉及电子发射器件、电子发射型背光单元和具有电子发射型背光单元的平板显示装置,更尤其是涉及具有改善了电子发射效率和发光均匀性的电子发射器件、应用该电子发射器件的电子发射型背光单元和具有该电子发射型背光单元的平板显示装置。
背景技术
通常,电子发射器件可以分成使用热电子阴极作为电子发射源的电子发射器件和使用冷阴极作为电子发射源的电子发射器件。使用冷阴极作为电子发射源的电子发射器件包括场发射器阵列(FEA)型器件、表面传导发射体(SCE)型器件、金属绝缘体金属(MIM)型器件、金属绝缘体半导体(MIS)型器件、弹道电子表面发射(BSE)型器件等。本发明的方案涉及FEA型器件。
FEA型电子发射器件使用这样的原理,当使用具有低功函数或者高β函数的材料作为电子发射源时,由于电势该材料在真空中容易发射电子。已经研发出了应用锥形尖端结构的FEA器件,这种结构是由以下材料构成的,例如Mo、Si作为主要成分,碳类材料例如石墨、金刚石类碳(DLC)等,或者纳米结构,例如纳米管、纳米线等。
根据阴极和栅极的布置FEA型电子发射器件可以分成顶栅型和底栅型。根据电极的数量FEA可以分成两电极、三电极或者四电极型发射器件。
已经将这种研究实施到使用电子发射器件作为非发射显示器件的背光单元的方法中。
图1描述了常规电子发射型背光单元3。
参考图1,常规电子发射型背光单元3包括前面板1和电子发射器件2。前面板1包括前基板90、形成在前基板90的下表面上的阳极80和涂覆在阳极80上的磷光体层70。
电子发射器件2包括和前基板90相对并平行的底部基板10、以带状形成在底部基板10上的阴极20、以带状形成并平行于阴极20的栅极30和分别围绕阴极20和栅极30形成的电子发射层40和50。在围绕阴极20和栅极30的电子发射层40和50之间形成电子发射间隙G。
在前面板1和电子发射器件2之间的间隔中维持低于大气压力的真空,并且在前面板1和电子发射器件2之间设置隔板60,以便于维持由前面板1和电子发射器件2之间的真空产生的压力和保护发光空间103。
在上述的电子发射型背光单元3中,通过栅极30和阴极20之间产生的电场,电子从电子发射层40和50中的一个中发射出,也就是,从在阴极20处形成的电子发射层40发射。发射的电子最初朝着栅极30行进,并然后由阳极80的强电场牵引并朝着阳极80移动。
然而,在阳极80和阴极20之间形成的电场干扰在栅极30和阴极20之间的电场,并由此干扰二极管放电,也就是,可能发生由于阳极80的电场导致的电子发射和电子加速同时出现。
而且,由于磷光体材料的发光特性,在由入射到磷光体材料上的电子发射光的预定时间周期中,其它入射电子不能有助于发光。因此,通过将磷光体层70上的入射电子增加到超过饱和程度不能改善发光效率,并且通过高阳极电压的电子发射对于能量效率方面不利。换句话说,必须通过低栅极电压稳定地和有规则地发射电子,并且同时必须通过强的阳极电压均匀地加速发射的电子。然而,当发射电子时,由于强的阳极电压,所以高效的电子发射和发光变得不可能。
因此,需要具有新结构的电子发射型背光单元,其中在该新结构中可以阻止阳极80和阴极20之间的电场。
发明内容
本发明的方案提供了电子发射器件和具有使用电子发射器件的新结构的电子发射型背光单元,其中可以有效地阻止阳极和阴极之间的电场,并由于低的栅极电压,可以连续和稳定地发射电子,由此改善发光的均匀性和发光效率。
本发明的方案还提供了应用电子发射型背光单元的平板显示装置。
根据本发明的方案,提供了一种电子发射器件,包括:底部基板;形成在底部基板的表面上的绝缘层;形成在绝缘层上的阴极;形成在底部基板上并和阴极隔开的栅极,该栅极比阴极更高并且从底部基板远离阴极延伸;电连接到阴极并和栅极相对设置的电子发射层。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是可以在阴极的两侧上形成电子发射层。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是栅极可以由绝缘层围绕。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是可以形成和栅极相对的具有预定长度和宽度的凸起的阴极,并在凸起上形成电子发射层,并在栅极中形成凹形,该凹形和阴极的凸起的形状对应。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是可以形成和栅极相对的具有预定长度和宽度的凹形的阴极,并在凹形中形成电子发射层。可以在栅极上形成凸起,该凸起和阴极的凹形的形状对应。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是可以形成和栅极相对的具有预定曲率的弯曲表面的阴极,并在弯曲表面上形成电子发射层。弯曲表面可以朝着栅极凸起或者朝着栅极凹入,并且可以形成具有和在阴极中形成的弯曲表面对应的弯曲表面的栅极。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是阴极和栅极的平面表面可以连续弯曲。可以在阴极的侧面上不连续地形成电子发射层。
根据本发明的方案,将栅极形成为和靠近底部基板和阳极的阴极相比其更近地靠近底部基板和阳极。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是电子发射层可以包括选自碳类材料和纳米材料的电子发射材料,其中碳类材料选自由碳纳米管、石墨、金刚石和金刚石类碳组成的组,以及纳米类材料选自由纳米管、纳米线、纳米棒和纳米针组成的组。
根据本发明的另一方案,提供了一种电子发射型背光单元,包括:含有阳极和磷光体层的前基板;和前基板隔开的底部基板;形成在底部基板上的表面上的绝缘层;形成在绝缘层上的阴极;形成在绝缘层上和阴极隔开的栅极,该栅极比阴极更远离底部基板延伸;形成在阴极的侧面上并且和栅极相对的电子发射层;和维持前基板和底部基板之间的距离的隔板。
根据本发明的另一方案,提供了一种平板显示装置,包括:背光单元,其包括:含有阳极和磷光体层的前基板;和前基板隔开的底部基板;形成在底部基板表面上的绝缘层;形成在绝缘层上的阴极;形成在绝缘层上并和阴极隔开的栅极,该栅极比阴极更远离底部基板延伸;形成在阴极的侧面上并和栅极相对的的电子发射层;维持前基板以及底部基板之间距离的隔板;和非发射的显示器件,形成在电子发射型背光单元的前面以控制从电子发射器件提供的光,以获得图像。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是非发射的显示器件可以是液体显示器件。
将在随后的说明书中部分地描述本发明另外的方案和/或优点,并且通过说明书本发明另外的方案和/或优点将显而易见,或者通过实施本发明,可以获得另外的方案和/或优点。
附图说明
结合附图,从对实施例的以下描述中本发明的这些和/或其它方案和优点将变得显而易见并更容易理解,其中
图1是常规电子发射型背光单元的横截面图;
图2是根据本发明实施例的电子发射器件和电子发射型背光单元的横截面图;
图3是根据本发明另一实施例的电子发射器件和电子发射型背光单元的横截面图;
图4是根据本发明的实施例,沿着线IV-IV切割的图3的电子发射器件的横截面图;
图5到10是示出了根据本发明的不同实施例的电子发射器件的横截面图;
图11是根据本发明的实施例的平板显示装置的透视图;
图12是沿着线XII-XII切割的图11的平板显示装置的部分横截面图;和
图13是根据本发明的实施例的图像显示器的平面图。
具体实施方式
现在将具体作出对于本发明的实施例的参考,其中的例子在附图中示出,其中在全文中相同的附图标记表示相同的元件。为了解释本发明,以下将结合
附图描述实施例。
图2是根据本发明实施例的电子发射型背光单元100和电子发射器件102的透视图。
参考图2,电子发射型背光单元100包括彼此隔开并且平行的前面板101和电子发射器件102,真空空间103形成在前表面101和电子发射器件102之间,以及隔板60维持前面板101和电子发射器件102之间的距离。
前面板101包括前基板90、设置在前基板90的下表面上的阳极80和设置在阳极80的下表面上的磷光体层70。
电子发射器件102包括和前基板90相距预定间隔并平行于前基板90设置的底部基板110,由此在前面板101和电子发射器件102之间形成真空空间103、形成在底部基板110的表面上的绝缘层130、形成在绝缘层上的阴极120、形成在绝缘层130上和阴极120隔开并平行并且高于阴极120的栅极140、和设置在阴极120的一侧以和栅极140相对的电子发射层150。
阳极80施加高电压使得电子高速碰撞磷光体层70,该高电压对于加速从电子发射层150发射的电子是必须的。通过电子激发磷光体层70,并随后从高能级转变到低能级,由此发出可见光。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是电子发射层150可以完全设置在阴极120的侧面上。
将前面板101和电子发射器件102之间的真空空间103保持为低于大气压力的压力,并且在前面板101和电子发射器件102之间设置隔板60,以维持在前面板101和电子发射器件102之间的真空压力,并隔开真空空间103。通常,隔板60是由绝缘材料例如非导电的陶瓷或玻璃构成的。在电子发射型背光单元100的运行过程中,电子可以聚集在隔板60上,并发射这些聚集的电子,可以用导电材料涂覆隔板60。
阴极120和栅极140形成电场,使得可以容易地从电子发射层150发射电子。绝缘层130使电子发射层150和栅极140绝缘。设置栅极140的高度,使得栅极140比阴极120更靠近底部基板110和阳极80。因此,以更均匀的栅极电场设置电子发射层150。而且,栅极140可以被绝缘层130围绕,以阻止阴极120和栅极140之间的短路。
下文中,将描述构成电子发射背光单元100的组成材料。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是前基板90和底部基板110是具有预定厚度的板部件,并可以由石英玻璃、包括杂质例如少量Na的玻璃、平板玻璃、用SiO2涂覆的玻璃基板、氧化铝基板或者陶瓷基板构成。
尽管不是在所有的方案中都需要,但是阴极120和栅极140可以由普通的导电材料构成。普通导电材料的例子包括金属(例如Al、Ti、Cr、Ni、Au、Ag、Mo、W、Pt、Cu、Sn、Sb、In或者Pb)或者其合金、由金属(例如Pd、Ag、RuO2或Pd-Ag)或者其氧化物和玻璃构成的导电材料、透明导电材料,例如氧化铟锡(ITO)、In2O3和SnO2,以及半导体材料,例如多晶硅。
形成在电子发射层150中并由于电场发出电子的电子发射材料可以是具有低功函数和高β函数的任何电子发射材料。特别地,优选碳类材料,例如碳纳米管(CNT)、石墨、金刚石和金刚石类碳,或者纳米材料,例如纳米管、纳米线、纳米棒或纳米针。CNT尤其具有良好的电子发射特性,并可以在低压时被驱动。因此,使用CNT作为电子发射材料的器件可以应用到更大的电子发射显示器。
根据本发明的方案,如下操作电子发射型背光单元100。
向阴极120施加负电压,并向栅极140施加正电压,使得可以从形成在阴极120上的电子发射层150发射电子。而且,将强正电压施加到阳极80,以加速向着阳极80发射的电子。由此从形成电子发射层150的电子发射材料发射电子,并向着栅极140行进,然后向着阳极80加速。向着阳极80加速的电子和在阳极80上形成的磷光体层70碰撞,并由此产生可见光。
由于栅极140比阴极120更高地形成,所以可以阻止由阳极80形成的电场干扰阴极120和栅极140之间的电场。因此,可以容易地控制阳极80和栅极140,使得阳极80只加速电子,以及栅极140发射电子,由此最大化了磷光体的发光均匀性和发光效率并阻止二极管放电。
在下文中,将描述在图2中所示的电子发射器件102的其它例子的实施例。
图3是描述图2的电子发射器102的另一例子的实施例的横截面图。
如图3所示,电子发射层150布置在阴极120的两侧上,使得设置在阴极120两侧和它们各自电场上的栅极140可以发射电子。由此减少了空间并在同时可以发射更多的电子。
图4是沿着线IV-IV切割图3的电子发射器件102的横截面图。图5至10是示出了根据本发明的不同实施例的电子发射器的横截面图。
参考图4,尽管不是在所有的方案中都需要,但是阴极120和栅极140可以以带状图案布置,并彼此平行地形成。而且,如图5到10所示,多种形式的阴极120、栅极140和电子发射层150可以是多个。
如图5所示,阴极120和栅极140的平面表面可以具有连续弯曲的表面。尽管不是在所有的方案中都需要,但是连续弯曲的表面具有反复变化的曲率。在连续弯曲的表面的情况中,可以沿着电极的整个长度显著增加在其上形成有电子发射层150的表面区域,由此显著增加电流密度。
而且,如图6所示,可以在阴极120的一侧或者两侧上不连续地形成电子发射层150。通常设置的用于接收从连续发射层150发射的电子的磷光体层70的位置可以部分地受限于隔板60的位置或者用于固定隔板60的结构的位置,并且当在这些区域形成电子发射层150时,电子发射层150不能有助于可见光的发射。
而且,当电流密度增加时,由于CL型磷光体的特性导致可见光产生的量增加,但是在预定的饱和电流密度,产生的可见光的强度不再增加。因此,形成尽可能多的电子发射层不总是有效的,并且由此优选的是不连续地形成电子发射层以确保电子发射层的适当表面积。
如图7和8所示,阴极120可以包括弯曲表面120a和120b,并可以在弯曲表面120a和120b上形成电子发射层150。尽管不是在所有的方案中都需要,弯曲表面120a和120b可以是相对于栅极140凹入(120a,参见图7)或者凸起(120b,参见图8)。在这种情况中,可以在栅极140中形成分别对应于弯曲表面120a和120b的弯曲表面140a和140b。
而且,如图9所示,阴极120包括朝着栅极140具有预定长度和宽度的凹入120c,并可以在凹入120c中设置电子发射层150。在这种情况中,在栅极140中形成对应于凹入120c的形状的凸起140c。
而且,如图10所示,阴极120可以包括朝着栅极140具有预定长度和宽度的凸起120d,以及可以在凸起120d上形成电子发射层150。在这种情况中,在栅极140中形成对应于凸起120d的凹入140d。
如图9和10所示,在阴极120和栅极140中形成的凸起的形状不局限于矩形,并还可以是梯形或者其它多边形。
根据本发明的方案,具有上述结构的电子发射背光单元100可以用作非发射显示器例如液晶显示器(LCD)的背光单元(BLU),并且在这种情况中,基本上彼此平行地设置阴极120和栅极140。而且,磷光体层70可以包括发出具有所需颜色的可见光的磷光体,或者包括适当比例的红色、绿色和蓝色的发光磷光体以获得白光。
图11是包括根据本发明的实施例的电子发射型背光单元的平板显示装置的透视图。图12是沿着线XII-XII切割的图11的平板显示装置的部分横截面图。
参考图11,根据该实施例的平板显示装置是非发射器件,并包括液晶显示(LCD)器件700和向LCD器件700提供可见光的电子发射型背光单元100。将传送图像信号的软印刷电路板720贴附到LCD器件700,并设置隔板730以维持LCD器件700和设置在LCD器件700的背面的背光单元100之间的距离。
电子发射型背光单元100通过连接电缆104接收提供的功率,并通过设置在电子发射器件的前面的前面板90发射可见光V,由此向着LCD器件700提供可见光V。
将参考图12在下文中描述LCD器件700的结构和操作。
在图12所示的电子发射型背光单元100可以包括上述的电子发射器件的其中一种。如图12所示,电子发射背光单元100形成为包括彼此隔开的前面板101和电子发射器件102的单一单元。前面板101和电子发射器件102的结构和上述的一样,因此不再重复。从由阴极120和在电子发射器件102中形成的栅极140形成的电场发射电子。安装在前面板101中的阳极80形成的电场加速电子,并通过电子和磷光体层70的碰撞产生可见光V。产生的可见光V朝着LCD器件700前进。
其间,LCD器件700包括前面板505,且缓冲层510形成在前面板505上,半导体层580以预定的图案形成在缓冲层510上。第一绝缘层520形成在半导体层580上,栅极590以预定的图案形成在第一绝缘层520上,第二绝缘层530形成在栅极590上。在形成第二绝缘层530之后,用干法刻蚀方法或者其他类似的工艺刻蚀第一和第二绝缘层520和530,并由此露出部分半导体层580,在包括半导体层580的露出部分的预定区域中形成源极570和漏极610。在形成源极570和漏极610之后,形成第三绝缘层540,并在第三绝缘层540上形成平面化层550。在平面化层550和被刻蚀的第三绝缘层540和平面化层550的一部分上以预定的图案形成第一电极620,并由此形成漏极610和第一电极620之间的导电路径。透明底部基板680和前面板505隔开,滤色层670形成在底部基板680的下表面680a上,调整液晶层640的第一调整层630和第二调整层650形成在第一电极620和第二电极660的表面彼此相对的区域中。第一极化层500形成在前面板505的下表面上,第二极化层690形成在底部基板680的上表面680b上,保护膜695形成在第二极化层690的上表面690a上。分隔液晶层640的隔板560形成在滤色器670和平面化层550之间。
对LCD器件700进行如下操作。由于受栅极590、源极570和漏极610控制的外部信号导致在第一和第二电极620和660之间形成电势差,通过电势差调整液晶层640,根据液晶层640的调整屏蔽或者传输从背光单元100提供的可见光V。传输光通过滤色层670,并获得颜色来实现图像。
如图12所示,根据本发明的当前实施例,使用液晶显示器,例如薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)器,然而形成根据本发明的平板显示装置的非发射显示器不局限于此。而且,非发射显示器可以是除了液晶显示器之外的其它器件。
包括上述电子发射器件和电子发射型背光单元的平板显示装置包括具有增加了亮度和寿命的背光单元,因此还可以增加图像亮度和显示装置的寿命。
根据本发明的实施例,可以使用具有上述结构的电子发射器件作为图像显示器件。在这种情况中,电子发射器可以具有这样的结构,其中栅极140和阴极120以带状并彼此交叉地形成,这对于施加信号来获得图像是有利的。例如,当以带状在一个方向上延伸形成阴极120时,栅极140可以由和阴极120交叉的主电极和从主电极延伸以和阴极120相对的支路电极构成。如图13所示,阴极120和栅极140的排列可以交换。当实现彩色显示器时,在真空空间103中形成红、绿和蓝的发光磷光体,在阳极80下面形成单元像素160。
如上所述,根据本发明的方案,比靠近阳极80的阴极更近地靠近阳极80地设置栅极140的上端部,使得可以阻止阳极80的电场干扰阴极120和栅极140之间的电场。因此,电子发射和加速变得很容易被控制,使得阳极80只加速电子,并从栅极140发射电子,由此获得发光均匀性并最大化磷光体的发光效率。而且,通过简单的工艺可以制造电子发射器件。
而且,根据本发明的方案,由于栅极140的下端部比阴极120更靠近底部基板680,所以可以将电子发射层150置于更均匀的电场中,并可以在电子发射层150中出现均匀的电子发射。
而且,根据本发明的方案,可以在以带状形成的阴极120和栅极140中形成弯曲表面、凸起或者凹槽,并因此增加电子发射层的表面面积,由此增加电子发射效率。
其间,当使用根据本发明的方案的电子发射器件形成背光单元时,应用背光单元的显示装置可能已经改善了亮度和发光效率。
尽管已经示出和描述了本发明的几个实施例,但是本领域技术人员可以理解的是,在不脱离本发明的原理和精神的条件下可以在该实施例中作出改变,本发明的范围在权利要求中和它们的等价物中限定。
Claims (34)
1、一种电子发射器,包括:
底部基板;
形成在底部基板的表面上的绝缘层;
形成在绝缘层上的阴极;
形成在底部基板上的栅极,该栅极和阴极隔开并且高于阴极;和
电子发射层,其电连接到阴极并且和栅极相对设置。
2、如权利要求1的电子发射器,其中阴极和栅极是多个并交替布置。
3、如权利要求1的电子发射器,其中电子发射层形成在阴极的两侧上。
4、如权利要求1的电子发射器,其中栅极被绝缘层围绕。
5、如权利要求1的电子发射器,其中阴极和栅极以带状图案并且彼此平行地布置。
6、如权利要求1的电子发射器,其中阴极和栅极以带状图案并彼此交叉地布置,阴极具有和栅极相对延伸的第一支路电极,栅极具有和阴极相对延伸的第二支路电极,或者阴极的第一支路和栅极的第二支路相对延伸。
7、如权利要求1的电子发射器,其中阴极具有和栅极相对的具有预定长度和宽度的凸起,电子发射层形成在该凸起上。
8、如权利要求7的电子发射器,其中在栅极中形成对应于阴极的凸起的形状的凹入。
9、如权利要求7的电子发射器,其中凸起具有多边形的形状。
10、如权利要求1的电子发射器,其中阴极具有和栅极相对的具有预定长度和宽度的凹入,电子发射层形成在该凹入上。
11、如权利要求10的电子发射器,其中在栅极上形成对应于阴极的凹入的形状的凸起。
12、如权利要求10的电子发射器,其中凹入具有多边形的形状。
13、如权利要求1的电子发射器,其中阴极具有和栅极相对的具有预定曲率的弯曲表面,电子发射层形成在弯曲表面上。
14、如权利要求13的电子发射器,其中弯曲表面朝着栅极凸起。
15、如权利要求13的电子发射器,其中弯曲表面朝着栅极凹入。
16、如权利要求13的电子发射器,其中栅极具有对应于形成在阴极中的弯曲表面的弯曲表面。
17、如权利要求1的电子发射器,其中阴极和栅极的平面是连续弯曲的。
18、如权利要求17的电子发射器,其中连续弯曲表面的曲率重复变化,并且电子发射层布置在阴极的连续弯曲表面上。
19、如权利要求1的电子发射器,其中在阴极的侧面上不连续地形成电子发射层。
20、如权利要求1的电子发射器,还包括:
阳极;其中栅极比靠近底部基板和阳极的阴极更近地靠近底部基板和阳极。
21、如权利要求1的电子发射器,其中电子发射层包括选自碳类材料和纳米材料的电子发射材料,其中碳类材料选自由碳纳米管、石墨、金刚石和金刚石类碳组成的组,以及纳米材料选自由纳米管、纳米线、纳米棒和纳米针组成的组。
22、如权利要求1的电子发射器,其中阴极和栅极是导电材料。
23、一种电子发射型背光单元,包括:
前基板,其包括阳极和磷光体层;
和前基板隔开的底部基板;
形成在底部基板的表面上的绝缘层;
形成在绝缘层上的阴极;
形成在绝缘层上的栅极,该栅极和阴极隔开并且高于阴极;
形成在阴极的侧面上并且和栅极相对的电子发射层;和
维持前基板和底部基板之间的距离的隔板。
24、如权利要求23的电子发射型背光单元,其中阴极和栅极以带状图案布置并且彼此平行。
25、如权利要求23的电子发射型背光单元,其中阴极和栅极以带状图案布置并且彼此交叉,其中:
阴极具有和栅极相对延伸的第一支路电极;
栅极具有和阴极相对延伸的第一支路电极;或者
阴极具有第一支路电极,和栅极具有和阴极的第一支路电极相对延伸的第二支路电极。
26、如权利要求23的电子发射型背光单元,其中磷光体层是形成单元像素的红、绿和蓝的发光。
27、如权利要求23的电子发射型背光单元,其中栅极被形成为比靠近底部基板和阳极的阴极更近地靠近底部基板和阳极。
28、如权利要求23的电子发射型背光单元,其中隔板被导电材料涂覆。
29、一种平板显示装置,包括:
背光单元,其包括:
包含阳极和磷光体层的前基板,
和前基板隔开的底部基板,
形成在底部基板的表面上的绝缘层,
形成在绝缘层上的阴极,
形成在绝缘层上的栅极,该栅极和阴极隔开并且高于阴极,
形成在阴极的侧面上并且和栅极相对的电子发射层,和
维持前基板和底部基板之间的距离的隔板;和
非发射显示器,其形成在电子发射型背光单元的前面并且控制从电子发射器提供的光以获得图像。
30、如权利要求29的平板显示装置,其中非发射显示器包括:
前面板;
形成在前面板上的缓冲层;
以预定的图案形成在缓冲层上的半导体层;
形成在半导体层上的第一显示器绝缘层;
以预定的图案形成在第一显示器绝缘层上的显示器栅极;
形成在显示器栅极上的第二显示器绝缘层;
源极,其形成在包括露出一部分半导体层的第一和第二显示器绝缘层的刻蚀区域的第二显示器绝缘层的预定区域上;
漏极,其形成在包括露出另一部分半导体层的第一和第二显示器绝缘层的刻蚀区域的第二显示器绝缘层的另一预定区域上;
形成在源极、漏极和第二显示器绝缘层上的第三显示器绝缘层;
形成在第三显示器绝缘层上的平面化层;
以预定的图案形成在平面化层上的第一电极,其中刻蚀第三显示器绝缘层和平面化层的一部分,以产生漏极和第一电极之间的导电路径;
和前面板隔开的透明底部基板;
形成在透明底部基板的第一表面上的滤色层;
形成在和透明底部基板相对的滤色层的表面上的第二电极;
液晶层;
调整液晶层的第一调整层和第二调整层,其中第一调整层形成在和平面化层相对的第一电极的表面上,以及第二调整层形成在和滤色层相对的第二电极的表面上以及和没有被第二电极覆盖的透明底部基板相对的滤色层的表面上;
形成在和缓冲层相对的前面板的表面上的第一极化层;
形成在和滤色层相对的透明底部基板的第二表面上的第二极化层;
形成在和透明底部基板相对的第二极化层的表面上的保护膜;
形成在滤色层和平面化层之间以分隔液晶层的显示器隔板。
31、如权利要求29的平板显示装置,其中非发射显示器是液晶显示器。
32、一种电子发射型背光单元,包括:
包含阳极和磷光体层的第一基板;
和第一基板隔开的底部基板;
布置在底部基板上的阴极;
布置在底部基板上并且和阴极隔开的栅极;
形成在阴极的一侧上并且和栅极相对的电子发射层;和
维持第一基板和底部基板之间的距离的隔板,其中布置阴极和栅极以隔离阴极和阳极。
33、如权利要求32的电子发射型背光单元,其中栅极形被成为比靠近阳极的阴极更近地靠近阳极。
34、如权利要求33的电子发射型背光单元,还包括在阴极和底部基板之间的绝缘层,其中栅极被形成为比靠近底部基板的阴极更近地靠近底部基板。
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