CN1910643A - 有源矩阵显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有源矩阵显示装置，其将晶体管驱动电压存储在存储电容器(24；CS)上。光敏装置(27)根据发光显示元件(2)的光输出对该存储电容器实施放电。从第一电源线(26)为每个像素提供功率，并且所述光敏装置和存储电容器的其中之一与第二电源线(50)耦合，在像素照射周期期间向该第二电源线提供一个变化电压。通过改变其中一条电源线上的电压，由光学反馈系统对电容器的放电特性被改变，以便对光敏装置泄漏电流提供补偿。

Description

有源矩阵显示装置
本发明涉及有源矩阵显示装置，尤其涉及具有与每个像素有关的薄膜开关晶体管的有源矩阵电致发光显示装置。
采用电致发光的发光显示元件的有源矩阵装置是众所周知的。所述显示元件可以包括例如使用聚合物材料的有机薄膜电致发光元件，或者使用传统III-V族半导体混合物的发光二极管(LED)。对于有机电致发光材料、特别是对于聚合物材料的最新研究表明，它们实际上可用于视频显示装置。这些材料通常包括夹在一对电极之间的一层或多层半导体共轭聚合物，其中一个电极是透明的，另一电极为适于将空穴或电子注入聚合物层中的材料。
可以使用CVD(化学汽相沉积)工艺来制造聚合物材料，或者可以简单地通过使用可溶共轭聚合物溶液的旋涂(spin coating)技术来制造聚合物材料，此外还可以使用喷墨印刷来制造聚合物材料。有机电致发光材料展现出类似二极管的I-V属性，因此它们能同时具有显示功能和开关功能，从而可以使用在无源型显示器中。或者，这些材料可用于有源矩阵显示装置，其中每个像素包括显示元件和开关装置，所述开关装置用于控制流过该显示元件的电流。
这类显示装置具有电流寻址的显示元件，从而常规的模拟驱动机制包括向显示元件提供可控电流。已知可以提供作为像素结构的一部分的电流源晶体管，其中由被提供给该电流源晶体管的栅极电压决定通过显示元件的电流。在寻址阶段之后，存储电容器保持该栅极电压。
图1示出一种已知的有源矩阵寻址的电致发光显示装置。该显示装置包括一个面板，该面板具有规则间隔的像素(用方块1表示)的行和列矩阵阵列，所述像素包括电致发光显示元件2和相关的开关装置，并且被放置在交叉的各组行(选择)与列(数据)地址导线4与6之间的交点处。为了简单起见，附图中仅示出几个像素。实际上可以具有数百行和列像素。由包括连接到各组导线的端部的行扫描驱动器电路8和列数据驱动器电路9的外围驱动电路通过各组行和列地址导线来寻址像素1。
电致发光显示元件2包括有机发光二极管(此处表示为二极管元件(LED))并且包括一对电极，在该对电极之间夹有一层或多层有机电致发光材料。该显示元件阵列与相关的有源矩阵电路一起被设置在绝缘支座的一侧。显示元件的阴极或阳极可由透明导电材料形成。所述支座是透明材料(比如玻璃)，显示元件2的最靠近基板的电极可由诸如ITO的透明导电材料形成，从而由电致发光层产生的光透过这些电极和该支座，并且可由处于该支座另一侧的观看者看到。通常，有机电致发光材料层的厚度介于100nm与200nm之间。可用于元件2的适当有机电致发光材料的典型例子可从EP-A-0717446中获知。还可以使用WO 96/36959中所描述的共轭聚合物材料。
图2用简化示意形式显示出一种已知像素和用于提供电压寻址的操作的驱动电路装置。每个像素1包括EL显示元件2和相关的驱动电路。该驱动电路具有通过行导线4上的行地址脉冲而被接通的寻址晶体管16。当寻址晶体管16被接通时，列导线6上的电压可传递到该像素的其余部分。特别地，寻址晶体管16为电流源20提供列导线电压，该电流源20包括驱动晶体管22和存储电容器24。该列电压被提供到驱动晶体管22的栅极，即便在行地址脉冲结束之后，通过存储电容器24也能将栅极保持在该电压。
在该电路中，驱动晶体管22为p型TFT，从而存储电容器24保持栅极-源极电压固定。这就导致固定的源极-漏极电流流过该晶体管，从而提供所需的像素电流源操作。
在上述基本像素电路中，对于基于多晶硅的电路而言，由于晶体管沟道中的多晶硅颗粒的统计分布，导致晶体管的阈值电压会有变化。然而，在电流和电压应力下，多晶硅晶体管相当稳定，从而阈值电压基本上保持恒定。
至少在基板上的较短距离内，非晶硅晶体管中的阈值电压变化较小，不过阈值电压对于电压应力非常敏感。在施加高于驱动晶体管所需的阈值的较高电压时，导致阈值电压发生较大改变，所述改变取决于所显示图像的信息内容。从而，非晶硅晶体管在与不是非晶硅晶体管的晶体管相比较时，阈值电压总是存在较大差异。在利用非晶硅晶体管驱动的LED显示器中，这种差异老化(differential ageing)是一个严重的问题。
除了晶体管特性的变化之外，LED本身中还存在差异老化。这是由于在电流应力施加之后，发光材料的效率下降。在大多数情况下，通过LED的电流和电荷越多，效率越低。
人们已经认识到，电流寻址的像素(而非电压寻址的像素)能够减小或消除基板上的晶体管变化的影响。例如，电流寻址的像素可使用电流镜对采样晶体管上的栅极-源极电压进行采样，其中所需的像素驱动电流被驱动流过该采样晶体管。使用经采样的栅极-源极电压来寻址驱动晶体管。这可以部分地减轻装置均匀性的问题，因为所述采样晶体管与驱动晶体管在基板上彼此相邻，并且能够更加精确地彼此匹配。另一种电流采样电路使用相同的晶体管进行采样和驱动，从而不需要晶体管匹配，但是需要附加的晶体管和地址线。
已经提出了用于补偿LED材料老化的电压寻址的像素电路。例如，已经提出了各种像素电路，其中的像素包括感光元件。该元件对显示元件的光输出作出响应，并且响应于该光输出来泄漏在存储电容器上所存储的电荷，以便控制在寻址周期期间的显示器的整体光输出。图3显示出用于该目的像素布局的一个示例。
在图3的像素电路中，光电二极管27将电容器24上所存储的栅极电压放电。当驱动晶体管22上的栅极电压达到阈值电压时，EL显示元件2将不再发光，并且存储电容器24将停止放电。电荷从光电二极管27泄漏的速率是显示元件输出的函数，从而光电二极管27起光敏反馈装置的作用。考虑到光电二极管27的影响，整体光输出由下式给出：
L T = C s η PD ( V ( 0 ) - V T ) . . . [ 1 ]
在该等式中，ηPD为光电二极管的效率，其在显示器上非常均匀，CS为存储电容，V(0)为驱动晶体管的初始栅极-源极电压，VT为驱动晶体管的阈值电压。因此，光输出与EL显示元件的效率无关，因此该电路提供老化补偿。
在图3的电路中，电源线26在两个电压电平之间切换，从而当像素被寻址时可将驱动晶体管关断，并且在寻址期间没有显示元件输出。图4中示出实现该操作的一种替换方式，其提供附加晶体管17以用于隔离显示元件，并且可通过与寻址晶体管16相同的栅极控制信号对其进行控制。
限制图3和4的电路性能的其中一个因素是通过光电二极管的泄漏电流，该泄漏电流甚至可以接近光电流电平。
根据本发明，提供一种包括显示像素阵列的有源矩阵显示装置，每个像素包括：
电流驱动的发光显示元件；
用于驱动流过该显示元件的电流的驱动晶体管；
存储电容器，用于存储将被用来对该驱动晶体管进行寻址的电压；以及
光敏(light-dependent)装置，其根据该发光显示元件的光输出对该存储电容器实施放电，
其中，从第一电源线为每个像素提供功率，并且所述光敏装置和存储电容器的其中之一与第二电源线耦合，并且所述装置还包括用于在像素照射周期期间改变第二电源线上的电压的装置。
这样，每个像素与两条电源线有关。通过改变其中一条电源线上的电压，由光学反馈系统对电容器的放电特性被改变，以便对光敏装置泄漏电流提供补偿。
在像素照射周期期间，可以令第二电源线上的电压斜升。通过提供具有恒定斜率的斜升，有效地产生用于补偿所述泄漏电流的恒定补偿电流。当然，可以使用更加复杂的第二电源线电压。
所述光敏装置可包括放电光电二极管。
所述存储电容器优选地连接在驱动晶体管的栅极与第一和第二电源线的其中之一之间，并且所述光敏装置被连接在驱动晶体管的栅极与第一和第二电源线中的另一条之间。所述存储电容器和光电二极管提供光学反馈电流，并且它们连接在一条固定电压线与一条变化电压线之间。
可将存储电容器连接在驱动晶体管的栅极与第一(固定)电源线之间，并将光敏装置连接在驱动晶体管的栅极与第二(校正)电源线之间。从而将校正电压耦合通过该光敏装置。
或者，可将存储电容器连接在驱动晶体管的栅极与第二(校正)电源线之间，并将光敏装置连接在驱动晶体管的栅极与第一电源线之间。
该装置还可以包括用于对存储电容器进行放电的放电晶体管，从而关断驱动晶体管，并且该光敏装置通过根据显示元件的光输出改变施加到放电晶体管的栅极电压来控制放电晶体管的操作定时。
在这种安排中，可以控制驱动晶体管，以便从该显示元件提供恒定的光输出。使用用于老化补偿的光学反馈来改变放电晶体管的操作定时(特别是接通)，该放电晶体管随后快速关断驱动晶体管。该放电晶体管的操作定时还取决于将被施加到像素的数据电压。这样，平均光输出可以更高，因此显示元件能够更有效地操作。
光敏装置能够控制放电晶体管从关断(off)状态到接通(on)状态的切换定时。放电电容器可以被设置在放电晶体管的栅极与第一和第二电压线的其中之一之间，该光敏装置于是用于对该放电电容器进行充电或放电。
每个像素可以适于从第一和第二电源线吸取基本相同的电流。这意味着在两条电源线上的任何电源线电压降都是相同的。驱动晶体管的栅极-源极电压可由两条电源线之间的差异决定，从而这种安排可以补偿电源线电压降。
例如，每个像素包括电流镜电路，以用于匹配从第一和第二电源线吸取的电流。
本发明还提供一种驱动包括显示像素阵列的有源矩阵显示装置的方法，每个显示像素包括驱动晶体管和电流驱动的发光显示元件，该方法对于像素的每一次寻址包括以下步骤：
向像素的输入端施加驱动电压；
将从该驱动电压导出的电压存储在放电电容器上；
使用存储电容器上的电压来驱动该驱动晶体管；
按照取决于显示元件的光输出的速率或时间使用光敏元件对该存储电容器进行放电，并且改变该光敏元件或存储电容器的端子上的电压，从而补偿该光敏元件的泄漏电流。
所述放电电容器和存储电容器可以是相同的部件，或者它们可以是分离的部件。
由驱动晶体管吸取第一电流，并且从该光敏元件或存储电容器的所述端子吸取第二电流，该方法还包括匹配该第一电流与第二电流。
现在将参照附图通过举例的方式来描述本发明，其中：
图1示出一种已知的EL显示装置；
图2是用于对EL显示像素进行电流寻址的一种已知像素电路的简化示意图；
图3示出对于差异老化进行补偿的第一种已知像素设计；
图4示出对于差异老化进行补偿的第二种已知像素设计；
图5示出根据本发明的像素电路的第一示例；
图6a和6b示出根据本发明的像素电路的两个推广示例；
图7示出对于差异老化进行补偿的第三种已知像素设计；
图8示出作为图7电路的修改的根据本发明的像素电路的第二示例；以及
图9表示根据本发明的像素电路的第三示例。
应当注意，这些附图是示意性的，并未依照比例绘出。为了清楚和方便起见，在附图中以放大或缩小的尺寸示出这些附图的部件的相对尺寸和比例。
根据本发明，对存储电容器和光电二极管的光学反馈系统进行控制，以便补偿光电二极管的暗电流。这是通过将所述电容器和光电二极管与不同电源线相关联来实现的，并且在像素照射周期期间改变其中一条电源线上的电压。从而可以抵消泄漏电流对所述电容器的光学反馈充电或放电的影响。
图5示出本发明的像素布局的第一示例。使用相同的附图标记来表示与图2到4中相同的部件，并且该像素电路用于诸如图1所示的显示器中。
存储电容器24连接在驱动晶体管栅极与第二校正电源线50之间，其中对第二校正电源线50进行控制，以便校正泄漏(暗)光电二极管电流。将校正电压曲线VC施加到电源线50。
在像素照射期间(晶体管16关断)，在驱动晶体管22的栅极节点处流动的电流由下式给出：
- C S d V G dt = I PD + I L . . . [ 2 ]
其中，IPD为光电流，IL为泄漏电流，这两个电流之和等于正在对存储电容器24进行放电的电流。
在本发明的电路中，通过在驱动TFT 22的栅极节点处产生与IL具有相反振幅的电流，以便抵消等式[2]中所示的泄漏电流。
在最简单的实施方案中，可以假设对于显示器中的每个像素来说泄漏电流都是相同的，并且在帧时间内该电流是恒定的。通过调节图5中所示的校正线50上的电压以使其具有恒定的电压改变速率，可在驱动TFT 22的栅极处产生电流，以便抵消泄漏电流。等式[2]变成：
- C S d V G dt - C S d V C dt = I PD + I L
如果正确地选择VC的改变速率，则：
- C S d V C dt = I L . . . [ 3 ]
从而抵消了泄漏电流。
在图5的电路中，光电二极管电流使电荷流动到电容器的较低电压端子处，从而减小电容器两端的电压，并且朝向线50上的电压升高栅极电压，直至晶体管22被关断为止。泄漏电流趋于使存储电容器24比所应该的速度更快地放电。通过缓慢地减小校正线50上的电压来替代由于泄漏电流导致的栅极-源极电压损失。从而通过校正线50上的电压改变而非栅极处的电压改变来适应由泄漏电流造成的电容器两端的电压改变。因此，栅极-源极电压的演变仅仅取决于光电流，而不取决于光电二极管的暗电流。
例如，如果泄漏电流为100pA并且存储电容器为1pF，则dVC/dt＝100V/秒，从而在10ms的帧时间内，校正线上的电压范围将为1V。
该分析假设泄漏电流是恒定的。如果在帧时间内该泄漏电流改变，或者如果存在由于从玻璃基板耦合到像素中的光而造成的不希望的光电流，则需要以不同的方式改变校正线上的电压。
根据等式[3]，如果已知电流IL是时间的函数，则可对等式[3]进行积分，以便找到需要施加到校正线50的电压VC的形式。
可在图1的行驱动器电路8内产生将被施加到校正线50的电压曲线以及其他行电压波形。因此，将图1的行驱动器8修改为包括这样一个电路，该电路提供的输出用于在像素照射周期期间改变第二电源线50上的电压。在该行驱动器内的电压波形的产生以及用于实现逐行施加所述行波形的定时控制是本领域技术人员所公知的。
这种类型的校正可被推广到具有对电容器进行充电或放电的光传感器以便实现光学反馈校正的任何像素电路。图6a和6b中示出一种推广的电路。
图6a和6b示出存在两条可能的扫描线，用以产生抵消泄漏电流的电流。
图6中所示的两个电路各包括被施加有控制电压VG的“推广像素电路”28。其可以是用于像素电路的驱动晶体管的栅极电压，但是在输入VG与驱动晶体管之间可以存在其他部件。图6a的电路使用光电二极管电流从存储电容器CS移除电荷，而图6b的电路使用光电二极管电流为存储电容器CS提供电荷。在每种情况下，可以使用用于公共光电二极管端子的电压线和用于公共电容器端子的电压线对于光电二极管暗电流提供校正。
有可能扫描与光电二极管相连接的线，因为该光电二极管具有其自身的自电容。这在许多情况下可能是优选的，因为当存在电源线电压降时，扫描与电容器相连的电源线可能会带来困难。
参照图6a和6b，节点VG处的电流为：
C S d ( V A - V G ) dt + C PD d ( V G - V B ) dt = - I PD - I L
其中，CPD为光传感器的自电容。可以设定：
C PD d V B dt = I L
从而消除泄漏电流的影响(假设VA是随时间恒定的)。
如参照图6所描述的那样，本发明可应用于许多其他像素电路。在LED显示器中遇到的一个问题是，在显示器上的各驱动晶体管的阈值电压会发生改变，从而显示器将展现出不均匀性。上面所述的常规的光学反馈像素不能对此作出补偿。此外，这些光学反馈像素提供逐渐变小(tail off)的光输出，使平均亮度更低。
图7示出也可以由本发明修改的一种修改的光学反馈像素。图7是全n型晶体管的实现方式，所述n型晶体管可以用非晶硅来实现。
同样将用于驱动晶体管22的栅极-源极电压保持在存储电容器24上。但是，利用充电晶体管34(T2)从充电线32将该电容器充电到固定电压。因此，当显示元件将要被照射时，驱动晶体管22被驱动到与像素的数据输入无关的恒定电平。通过改变占空比、特别是通过改变驱动晶体管被关断的时间来控制亮度。
利用对存储电容器24进行放电的放电晶体管36将驱动晶体管22关断。当放电晶体管36被接通时，电容器24被快速放电，并且驱动晶体管被关断。
当栅极电压达到足够大的电压时，放电晶体管36被接通。显示元件2再次照射光电二极管27，并且产生取决于显示元件2的光输出的光电流。该光电流对放电电容器40进行充电，并且在某一时间点，电容器40两端的电压将达到放电晶体管36的阈值电压，从而将该放电晶体管36接通。这一时间将取决于最初存储在电容器40上的电荷以及所述光电流，而所述光电流取决于显示元件的光输出。
光电二极管27被示为与电源线26相连，但是其可改为与充电线32相连。
因此，在数据线6上被提供给像素的数据信号是由寻址晶体管16(T1)提供的，并且被存储在放电电容器40上。由高数据信号表示低亮度(从而仅需要少量的附加电荷来关断晶体管36)，并且由低数据信号表示高亮度(从而需要大量的附加电荷来关断晶体管36)。
因此，该电路具有用于补偿显示元件的老化的光学反馈，并且还具有对驱动晶体管22的阈值补偿，这是因为驱动晶体管特性的变化也会造成显示元件输出的差别，而显示元件输出的差别也通过光学反馈来补偿。对于晶体管36，阈值以上的栅极电压被保持成非常小或者被保持为负，从而阈值电压变化不太明显。
在图7的实施方式中，每个像素还具有连接在驱动晶体管22的源极与旁路线44之间的旁路晶体管42(T3)。该旁路线44可以是所有像素共有的。使用该旁路线来确保存当存储电容器24被充电时，驱动晶体管的源极处的电压是恒定的。因此，消除了源极电压对显示元件两端的电压降的依赖性，而显示元件两端的电压降是流过的电流的函数。因此，固定的栅极-源极电压被存储在电容器24上，当数据电压被存储在像素中时显示元件被关断。
电源线被施加有经切换的电压，从而在将数据写入像素的过程中，电源线26被切换至低电平，从而将驱动晶体管22关断。这使得旁路晶体管42能够提供良好的接地参考。
图8示出按照与参考图7所述的相同方式操作的电路，不过其是利用p型驱动晶体管的实现方式，并且已被修改成具有本发明的优点。图8示出适于使用低温多晶硅工艺的实现方式的n型和p型电路。
在该电路中，通过光电二极管27从电容器40移除电荷，从而导致放电晶体管36的栅极电压下降，直至其接通为止。
隔离晶体管17使显示元件2在寻址阶段期间能够被关断，从而保持黑色性能。在图8中，其是一种n型装置，当然，其可以为p型装置，从而全p型装置的实现方式是可能的。
根据本发明，电容器40与校正线50相连(而非与电源线26相连)，并且向该线施加校正电压。如参照图6所描述的那样，该校正电压可转而被施加到光电二极管充电线51。在该例中，由于该电容器可以与电源线26相连，因此对光电二极管充电线51进行扫描是有益的，从而不需要图8中所示的单独的校正线50。
LED显示装置遇到的另一个问题源于电源线电压降。对于给定的栅极驱动电压，所述电源线电压降导致不同的栅极-源极电压。栅极-源极电压的变化引起了不希望的图像伪像，并且由于其是随图像而定的，因此难以很容易地对其进行校正。上述电路没有补偿这些电源线电压降。
通过提供单独的电源线，本发明提供校正这些电源线电压降的可能。通过确保校正线和电源线吸取相同的电流、从而两者具有相同水平的电压降，可以实现一种校正方案。具体而言，栅极-源极电压由校正线50与电源线26之间的差异决定。
在图9的电路中，在驱动TFT 22与LED 2之间设置电流镜90，并且该电流镜90与校正线50相连。该电流镜包括第一晶体管T1，来自电源线26的驱动晶体管电流通过该第一晶体管T1。第二晶体管T2具有相同的栅极-源极电压，并且从校正线50吸取电流。流过这两个晶体管的电流通过显示元件2。这使得校正线50和电源线26能够吸取相同的电流，从而克服所述电压降问题。
由此，如果校正线上不存在电压扫描，则这两条线之间的电压差在阵列中将是恒定的。校正线50仍然被施加有电压扫描，但是像素中的电流镜确保从该线吸取的电流等于由驱动TFT所吸取的电流。添加电压扫描意味着这两条线的差异等于阵列中的电压扫描。由于T2操作在饱和区域内，因此在该晶体管上所产生的漏极-源极改变无关紧要。
所述电流镜要求晶体管T1与T2之间的TFT匹配。
在上述示例中，所述光敏元件为光电二极管，但是可使用光电晶体管或光敏电阻来设计像素电路。已经示出了使用多种晶体管半导体技术的电路。可能存在多种变型，例如晶体硅、氢化非晶硅、多晶硅、甚至半导体聚合物。这些变型均落在所要求保护的本发明范围之内。所述显示装置可以是聚合物LED装置、有机LED装置、包含磷光体的材料以及其他发光结构。
上面已经给出了多种不同像素电路，并且仅参照各个实施例说明了某些具体特征和改进。应当理解的是，任何具体特征和改进都能够应用于其他适当的实施例。例如，图9中所示的电流镜可以应用于n型非晶硅电路。
上述电路是显示元件的共阴极实施方式(其中所述电路控制流向阳极的电流)，但是共阳极实施方式也是可能的。
存在许多其他像素变型。例如，有些像素结构能够补偿由应力引起的非晶硅驱动晶体管的阈值电压变化，而其他像素结构能够补偿在多晶硅驱动晶体管阵列上的阈值电压值的分布。用于这些补偿操作的附加电路元件可以被添加到本发明的像素电路中。通常，可对任何光学反馈像素作出修改，以使其具有本发明的优点。
并未详细描述本发明的电路的操作定时。但是，由本发明修改的电路的时序图将不被改变。本发明需要用于校正线的附加波形，并且如上所述，在像素照射期间该波形将随时间而该变。在像素寻址期间将恒定电压施加到校正线，从而在像素寻址期间，校正线在操作时仿佛与电源线相连。
本领域技术人员可以想到多种其他修改。

Claims (17)

1.一种包括显示像素阵列的有源矩阵显示装置，每个像素包括：
电流驱动的发光显示元件(2)；
用于驱动电流通过该显示元件(2)的驱动晶体管(22)；
存储电容器(24；CS)，用于存储将被用来对该驱动晶体管(22)进行寻址的电压；以及
光敏装置(27)，其根据该发光显示元件(2)的光输出对该存储电容器实施放电，
其中，从第一电源线(26)向每个像素提供功率，并且所述光敏装置和存储电容器的其中之一与第二电源线(50)耦合，并且所述装置还包括用于在像素照射周期期间改变第二电源线(50)上的电压的装置。
2.如权利要求1所述的装置，其中，在像素照射周期期间使第二电源线(50)上的电压斜升。
3.如权利要求1或2所述的装置，其中，所述光敏装置(27)包括放电光电二极管。
4.如前面任一权利要求所述的装置，其中，每个像素还包括连接在数据信号线(6)和像素的输入端之间的寻址晶体管(16)。
5.如前面任一权利要求所述的装置，其中，所述驱动晶体管(22)被连接在电源线(26)与所述显示元件(2)之间。
6.如前面任一权利要求所述的装置，其中，每个像素还包括与所述驱动晶体管串联连接的隔离晶体管(17)。
7.如前面任一权利要求所述的装置，其中，所述存储电容器(24)被连接在驱动晶体管(22)的栅极与第一和第二电源线的其中之一之间，并且所述光敏装置(27)被连接在驱动晶体管(22)的栅极与第一和第二电源线中的另一条之间。
8.如权利要求7所述的装置，其中，所述存储电容器(24)被连接在驱动晶体管(22)的栅极与第一电源线(26)之间，所述光敏装置(27)被连接在驱动晶体管(22)的栅极与第二电源线(50)之间。
9.如权利要求8所述的装置，其中，所述存储电容器(24)被连接在驱动晶体管(22)的栅极与第二电源线之间，所述光敏装置(27)被连接在驱动晶体管(22)的栅极与第一电源线之间。
10.如权利要求1到6中的任何一条所述的装置，还包括用于对所述存储电容器(24)进行放电从而使驱动晶体管(22)关断的放电晶体管(36)，其中，所述光敏装置(27)通过根据显示元件(2)的光输出改变被施加到该放电晶体管(36)的栅极电压来控制该放电晶体管的操作定时。
11.如权利要求10所述的装置，其中，所述光敏装置(27)控制所述放电晶体管(36)从关断状态到接通状态的切换定时。
12.如权利要求10或11所述的装置，其中，所述放电电容器(40)被设置在放电晶体管(36)的栅极与第一和第二电压线的其中之一之间，所述光敏装置(27)用于对所述放电电容器(40)进行充电或放电。
13.如权利要求10到12中的任何一条所述的装置，其中，每个像素还包括连接在第二电源线与驱动晶体管(22)的栅极之间的充电晶体管(34)。
14.如前面任一权利要求所述的装置，其中，每个像素适于从第一和第二电源线(26，50)吸取基本相同的电流。
15.如权利要求14所述的装置，其中，每个像素还包括电流镜电路(90)，该电流镜电路用于匹配从第一和第二电源线(26，50)吸取的电流。
16.一种驱动包括显示像素阵列的有源矩阵显示装置的方法，每个像素包括驱动晶体管(22)和电流驱动的发光显示元件(2)，该方法对于像素的每一次寻址包括以下步骤：
向像素的输入端施加驱动电压；
将从该驱动电压导出的电压存储在放电电容器上；
使用存储电容器(24)上的电压来驱动该驱动晶体管(22)；
按照取决于该显示元件(2)的光输出的速率或时间、使用光敏元件对该存储电容器(24)进行放电，并且改变该光敏元件或该存储电容器的端子上的电压，从而补偿该光敏元件的泄漏电流。
17.如权利要求16所述的方法，其中，第一电流由所述驱动晶体管吸取，第二电流是从所述光敏元件和所述存储电容器的所述端子吸取的，并且所述方法还包括匹配所述第一电流与第二电流。
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