CN1902765A - 处理其上有发光器件的半导体晶片背面的方法和由此形成的led - Google Patents
处理其上有发光器件的半导体晶片背面的方法和由此形成的led Download PDFInfo
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Abstract
处理半导体晶片可以包括在具有第一厚度的半导体晶片上形成多个发光器件(LED)。将晶片上的多个LED与载具的表面接触以将晶片耦接至载具。通过处理晶片的背面，减小晶片的第一厚度至小于第一厚度的第二厚度。使载具与晶片上的多个LED分离开，并且切割晶片以使多个LED彼此分离开。还公开了相关的器件。
Description
临时申请的交叉引用
该申请要求2003年11月12日申请的、标题为“LED with ReducedThickness Substrate”的美国临时申请No.60/519,396的权益，该申请已经被转让给本申请的受让人，通过参考将其整个公开并入在此。
技术领域
本发明涉及微电子器件，尤其是涉及发光器件(LED)的制造和由此形成的LED。
背景技术
公知SiC基发光器件中的碳化硅(SiC)衬底的厚度会影响在给定的电流水平下操作所述器件所需的正向电压。例如，可由Cree公司获得的SiC基发光二极管C450-CB230-E1000具有约250μm(+/-25μm)的衬底厚度并且在约20mA正向工作电流下具有约3.5伏的相关正向工作电压。而且，减小LED的SiC衬底的厚度可减小正向电压，其在这种二极管中可产生减小的功耗。
还公知许多小电子器件可含有厚度减小的单独器件，以便可减小电子器件的总厚度。例如，制造蜂窝电话可使用表面装配的LED芯片，以减小用于背后照明蜂窝电话的显示器的组件的厚度。因此，减小SiC衬底的厚度还使该器件可以用在这些类型的小电子器件中。
公知例如通过将离子注入到SiC晶片的背面中在低/室温下在SiC上形成欧姆接触。然而，如果在形成欧姆接触之前薄化注入的SiC衬底，则可在薄化期间移除掺杂区，其会使得注入过量。于是，当在衬底上沉积时由于可在以后的步骤中进行注入，所以形成欧姆接触沉积的金属不具有欧姆特性。例如，在美国专利申请序列No.09/787,189中和美国专利公布No.US 2002/0179910中论述了形成欧姆接触的离子注入，通过参考将其整个公开并入在此，如同在本文中完整叙述一样。
还公知通过沉积诸如镍的金属和在高温下退火该金属(如大于900C的温度)形成金属欧姆接触。高温退火会损伤包括于SiC衬底上的氮化镓基材料的外延层。
附图说明
图1-7是示例根据本发明的一些实施例处理半导体晶片的方法的截面示图。
图8和9是具有根据本发明各种实施例的激光图案化晶片的发光器件的截面图和等距图。
图10至13是根据本发明的可选实施例的激光图案化晶片的截面图。
图14至16是示例根据本发明的可选实施例按照激光图案化技术的操作的截面图。
发明内容
根据本发明的实施例，可以提供处理其上具有发光器件(LED)的半导体晶片背面的方法和由此形成的LED。依照这些实施例，处理半导体晶片的方法可以包括在具有第一厚度的半导体晶片上形成多个发光器件(LED)。晶片上的多个LED被耦接至载具。通过处理晶片的背面将第一厚度减小至一个小于第一厚度的第二厚度。该载具与晶片上的多个LED分离开，且切割该晶片以使该多个LED彼此分离开。
在根据本发明的一些实施例中，第一厚度为约250μm至约400μm。在根据本发明的一些实施例中，减小晶片的第一厚度包括研磨、抛光(lapping)和/或蚀刻晶片的背面以减小晶片的第一厚度至小于约150μm的第二厚度。在根据本发明的一些实施例中，减小晶片的第一厚度包括研磨、抛光和/或蚀刻晶片的背面以减小晶片的第一厚度至小于约120μm的第二厚度。在根据本发明的一些实施例中，研磨晶片的背面包括利用切入研磨机或缓进研磨机研磨晶片的背面。
在根据本发明的一些实施例中，切割晶片包括利用锯片切割晶片以在被分离的多个LED上形成直边。在根据本发明的一些实施例中，切割晶片包括在晶片上切割划线(score line)以在晶片上的多个LED之间形成斜沟槽和沿着划线使晶片上的多个LED彼此分离开。在根据本发明的一些实施例中，切割晶片包括用锯片将晶片切割至晶片表面下方小于约锯片斜尖长度的深度。在根据本发明的一些实施例中，该深度小于约120μm。
在根据本发明的一些实施例中，减小晶片的第一厚度至第二厚度之后是处理与多个LED相对的晶片的背表面以提高光提取。在背表面上形成多个各自的接触，在与其相对的地方上将在多个LED上形成各自的焊盘。在根据本发明的一些实施例中，形成多个各自的接触包括利用激光退火形成多个欧姆接触。
在根据本发明的一些实施例中，处理包括蚀刻背表面。在根据本发明的一些实施例中，处理包括激光图案化背表面。
在根据本发明的一些实施例中，使载具与晶片上的多个LED分离开包括加热、熔化或熔融粘接层足以使多个LED与载具分离开。在根据本发明的一些实施例中，晶片是碳化硅或蓝宝石晶片。
在根据本发明的一些实施例中，碳化硅(SiC)衬底上的发光器件具有小于约150μm的第一厚度。在根据本发明的一些实施例中，与SiC衬底相关的正向电压约为3.4伏。在根据本发明的一些实施例中，SiC衬底为4H-SiC或6H-SiC。
具体实施方式
现在在下文将参考附图更全面地描述本发明，其中示出了本发明的实施例。然而，该发明不应被视为仅限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使该公开彻底和完整，且将本发明的范围全面地传达给本领域的技术人员。在各图中，为了清楚起见夸大了层和区域的厚度。自始至终相同的附图标记指的是相同的元件。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关列出项的一个或多个中的任一个和所有的组合。
在此使用的术语仅仅是为了描述特定的实施例，且没有意图限制该发明。如在此使用的，除非上下文以其它方式清楚地表明，否则单数形式的不定冠词和定冠词还意指包括复数形式。将进一步理解，术语“包括”当用在该说明书中时，表示存在所述的部件、整体、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加有一个或多个其它部件、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解的是：当元件如层、区域或衬底被称为在另一元件“上”或延伸“到其上”时，其可以直接在另一元件上或直接延伸到其上，或者还可存在居间元件。相反，当元件称为“直接在另一元件上”或“直接延伸到另一元件上”时，不存在居间元件。还将理解的是当元件称为“连接”或“耦接”至另一元件时，其可以直接连接或耦接至另一元件，或者可存在居间元件。相反，当元件称为“直接连接”或“直接耦接”至另一元件时，不存在居间元件。在整个说明书中相同的附图标记指的是相同的元件。
将理解的是，尽管在此可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分相区别。因此，在不脱离本发明的教导下，以下论述的第一元件、组件、区域、层或部分可以称为第二元件、组件、区域、层或部分。
此外，在此可使用相对项如“下”或“底”和“上”或“顶”，来描述一个元件与另外元件的关系，如图所示。将理解的是，相对项旨在包含除了图中所描绘的定向外的器件的不同定向。例如，如果图中的器件翻转了，则描述为在其它元件“下”侧上的元件将定向于其它元件的“上”侧上。因此示范性术语“下”可以包含“上”和“下”两种定向，这取决于图的具体定向。相似地，如果各图中之一中的器件翻转了，则描述为在其它元件“下面”或“下方”的元件将定向在其它元件“上方”。因此，示范性术语“下面”或“下方”可以包含上方和下面两种定向。
在此参考其为本发明理想实施例的示意视图的截面(和/或平面图)示例图描述了本发明的实施例。同样地，例如，作为制造技术和/或容限的结果，所示例的形状的变形也是可预料的。因此，本发明的实施例不应当被理解为仅限于在此所示例的区域的具体形状，而是包括例如由制造所产生的形状的偏差。例如，所示例的或描述为矩形的蚀刻区一般将具有圆形的或曲线特征。因此，图中所示例的区域实际上是示意的，并且它们的形状并没有意图说明器件的区域的精确形状且不打算用来限制本发明的范围。
除非另有说明，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)都具有与本发明所属领域中的普通技术人员所共同理解的含意。将进一步理解的是，除非明白地在此定义的，否则诸如在通常使用的词典中所定义的术语应当解释为具有与相关技术的上下文中的含意一致的含意，且不解释为理想化的或太刻板的意义。本领域技术人员还将意识到，“邻接”另一部件设置的结构或部件可以是具有与邻接部件重叠或位于邻接部件之下的部分。
如在此使用的，术语“欧姆接触”指的是与其相关的阻抗主要由阻抗＝V/I的关系给出的接触，其中V是接触两端的电压，I是在基本上所有希望的工作频率下的电流(即，与欧姆接触相关的阻抗在所有的工作频率下都基本上相同)。例如，在根据本发明的一些实施例中，欧姆接触可以是具有小于约10e-03欧姆-cm2的特定欧姆电阻率的接触，且在一些实施例中小于约10e-04欧姆-cm2。因此，整流的接触或具有高的特定接触电阻率(例如大于约10e-03欧姆-cm2的特定欧姆电阻率)的接触不是在此所使用的术语的欧姆接触。
在此描述的发光器件(LED)可包括发光二极管、激光二极管和/或其它半导体器件，该半导体器件包括一个或多个半导体层(所述半导体层可包括硅、碳化硅、氮化镓和/或其它半导体材料)一个衬底(可包括蓝宝石、硅、碳化硅、GaN和/或其它微电子衬底)以及一个或多个接触层(其可包括金属和/或其它导电层)。在一些实施例中，可提供紫外线、蓝色和/或绿色LED。
本领域技术人员将理解的是，本发明的许多实施例可使用衬底和外延层的许多不同的组合。例如，其它组合可以包括GaP衬底上的AlGaInP二极管；GaAs衬底上的InGaAs二极管；GaAs衬底上的AlGaAs二极管；SiC或蓝宝石(Al2O3)衬底上的碳化硅(SiC)二极管；和/或氮化镓、碳化硅、氮化铝、蓝宝石、氧化锌和/或其它衬底上的氮化物基二极管。
尤其是，LED可以是由美国北卡罗来纳州达勒姆市的Cree公司制造和出售的器件。本发明适合用于如美国专利No6,201,262、6,187,606、6,120,600、5,912,477、5,739,554、5,631,190、5,604,135、5,523,589、5,416,342、5,393,993、5,338,944、5,210,051、5,027,168、4,966,862和/或4,918,497中描述的LED和/或激光器，如同在此全面提出的通过参考将其公开并入这里。在2003年1月9日公布的标题为“Group III NitrideBased Light Emitting Diode Structures With a Quantum Well andSuperlattice，Group III Nitride Based Quantum Well Structures andGroup III Nitride Based Superlattice Structures”公布的美国专利公开No.US 2003/0006418A1以及标题为“Light Emitting Diodes IncludingModifications for Light Extraction and Manufacturing MethodsTherefor”公布的美国专利公布No.US 2002/0123164A1中描述了其它合适的LED和/或激光器。此外，磷涂布的LED，如2003年9月9日申请的标题为“Phosphor-Coated Light Emitting Diodes Including Tapered Sidewal1sand Fabrication Methods Therefor”的美国专利公布No.US 2004/005260中所描述的LED也适合用于本发明的实施例中，通过参考将其公开内容并入这里，如同全文在此公开一般。LED和/或激光器可配置操作使得发光穿过衬底。在这种实施例中，可图案化该衬底以增强如以上引证的美国专利公布No.US 2002/0123164A1中所描述的器件的光输出。
如以下更详细描述的，根据本发明的实施例可以例如通过从晶片背面处理晶片减小具有装配于其上的发光器件(LED)的晶片的厚度来提供处理发光器件的半导体晶片的方法。可以将晶片薄化至使部分插入的斜尖锯片切割晶片表面的下方足够深的厚度，以通过断开晶片的剩余未切割部分使其上的多个LED彼此分离开。尤其是，可将晶片切割至表面下方小于锯片斜尖长度的程度，以便锯片的直边保持露出的(或在上方)晶片表面。换句话说，锯片斜尖的部分插入可以切割足够深至晶片中，以通过沿着由斜尖的部分插入形成的划线断开晶片而使多个LED彼此分离。
因此，可以充分地薄化晶片100′的背面103，以通过部分插入锯片的斜尖使晶片上的多个LED彼此分离开。部分地插入斜尖的锯片可以避免形成另外有害的几何形状，同时由于晶片减小的厚度还使多个彼此分离开。
如图1所示，晶片(即衬底)100具有约250微米至约400微米的厚度(t1)。在与晶片100的背面103相对的晶片100的表面上形成多个发光器件(LED)110。将理解的是，多个LED可以是一般包括绝缘或半导体衬底(或晶片)如SiC或蓝宝石的GaN基发光二极管，在该衬底上沉积了多个GaN基外延层。外延层包括具有在加电时发光的p-n结的有源区。在根据本发明的一些实施例中，晶片是4H-SiC、6H-SiC或本领域技术人员公知的其它类型材料的SiC晶片。
根据图2，在根据本发明的一些实施例中，经由与多个LED接触的粘接层120将晶片100(包括多个LED 110)和晶片载具105耦接在一起，以便可以例如通过在研磨机中装配晶片载具105对整个组件进行处理，从而可以接近晶片100的背面103。将理解的是，可以利用本领域技术人员公知的任一技术如涂蜡将晶片100/多个LED 110耦接至晶片载具105，且可应用到多个LED或晶片载具。将进一步理解的是，术语“接触”包括直接接触以及间接接触，例如，一个或多个居间元件(如以上描述的粘接层)存在于所述多个LED和晶片之间，以将这两个元件耦接在一起，并且当保持载具时可以处理晶片的背面。
根据图3，在根据本发明的一些实施例中，处理晶片100的背面103以将晶片100减小至小于t1的厚度t2，从而形成薄化的晶片100′。将理解的是，厚度t2小于t1以使具有斜尖的锯片在背面103的表面下方切割至小于约锯片斜尖长度的深度。于是，斜尖部分地插入到背面103中，以便锯片的直边可以保持露出于背面103的上方。
在根据本发明的一些实施例中，利用研磨机如切入研磨机或缓进研磨机来减小晶片100的厚度。在根据本发明的其它实施例中，在有或没有研磨的条件下利用抛光、化学或反应性离子蚀刻或这些方式的组合来减小晶片100的厚度。在根据本发明的其它实施例中，可使用蚀刻来处理薄化晶片的背面(即在薄化晶片之后)以减小对晶片的损伤，从而可提高外延层的生长。
将理解的是，在根据本发明的一些实施例中，尽管以上描述的实施例指的是部分插入斜尖(以便锯片的直边可以保持露出)，但斜尖可插入得更深以便锯片直边的一小部分插入在薄化晶片100′的表面下方。进一步将理解的是，由此形成的LED还可提供与部分插入斜尖(如提高的光提取和其上的磷涂层提高的共形沉积)的那些实施例基本相同的优点。因此，锯片直边的一小部分插入薄化晶片100′表面下方的实施例将理解为在所要求保护的主题范围内。
在根据本发明的一些实施例中，将晶片100薄化至小于约150微米的厚度。在根据本发明的其它实施例中，将晶片100薄化至小于约120微米的厚度。在根据本发明的一些实施例中，利用切入研磨机或缓进研磨机薄化晶片100。
与减小厚度的薄化晶片100′耦接的、部分插入的斜尖例如通过断开薄化的晶片100′而不是切穿整个晶片来使多个LED彼此分离开。一旦背面103已被处理成充分薄化晶片100′，例如可以通过加热粘接层120从组件移除晶片载具105，以便可如图4所示移除薄化的晶片100′和其上的多个LED。在根据本发明的其它实施例中，例如基于参考图2如上所示用于耦接这些元件的结构，使用适当措施可以从组件移除晶片载具105。例如，可溶解或熔融该结构以从该组件分离晶片载具105。
例如，利用Slater等人在2004年8月11日提交的标题为“LocalizedAnnealing of Metal-Silicon Carbide Ohmic Contacts and Devices SoFormed”的美国专利序列No.10/916,113中论述的激光退火，可以在晶片100′的背面103上形成欧姆接触107，所述申请已经被共同转让给本受让人，以引用的方式将其公开内容结合在此。将理解的是，可以在薄化晶片100′上形成欧姆接触，同时晶片耦接至晶片载具。在根据本发明的一些实施例中，可以在从晶片载具移除晶片之后在薄化的晶片100′上形成欧姆接触，例如如图5所示。可以在与欧姆接触相对的地方在多个LED 110上形成焊盘106。可以使用锯片30来切割晶片100′以分离多个LED进行封装。将理解的是，锯片30可以切穿整个晶片100′，以在分离的多个LED 100之间的薄化晶片100′上或基本穿过薄化晶片100′形成直边，以便通过沿着由锯片30形成的划线施加压力而使LED 110彼此分离。
在根据如图6所示的本发明的其它实施例中，锯片30部分地插入到薄化晶片100′中至小于斜尖131长度的深度，以在薄化晶片100′中形成斜沟槽17。锯片30部分地插入到薄化晶片100′中，以便当斜尖131部分地插入时锯片30的直边31保持露出，以避免在斜沟槽17的上方在薄化晶片100′中形成不希望的几何形状。而且，薄化晶片100′的厚度使斜沟槽17充分地穿透到薄化晶片110′中，以便可以通过沿着如图7所示的沟槽(或划线)断开薄化晶片100′使多个LED彼此分离开。此外，如以上参考图5所论述的，可以在多个LED上形成焊盘106和欧姆接触107。
在根据本发明实施例进一步的方面中，可以处理晶片100′的背面103，以进一步提高来自LED的光提取，所述LED包括用激光器或通过通常称为“粗磨”来图案化的背面103。可以以单步或逐步的方式提供激光图案化。通过图案化背面103，例如，可通过在其上提供随机的图案来提高光提取。本发明的实施例尤其非常适合于大面积器件，其中由于器件的表面积会减小晶片100′的有角侧壁的有效性。此外，可图案化晶片100′的一个或两个相对面(即正面和背面103)。可利用如Donofrio于2004年4月1日提交的标题为“Laser Patterning of LightEmitting Devices and Patterned Light Emitting Devices”的美国专利申请序列No.10/815,293中描述的激光图案化系统来图案化晶片100′，通过参考将其整个公开并入这里。
在本发明的一些实施例中，用于图案化晶片100′的激光器是受激准分子脉冲激光器，然而可使用适合于从衬底移除材料的任一激光器系统。例如，激光器系统可以是三倍频和/或四倍频的YAG激光器。在本发明的某些实施例中，激光器具有308nm的波长，然而，还可使用其它波长，如248nm、193nm、157nm、355nm或266nm。另外，还可采用本领域技术人员公知的辅助工艺来减轻表面损伤和/或增强激光吸收，如水雾和/或辅助气体。可使用激光器的多个脉冲来从衬底移除材料。可使用适合于从衬底可控地移除材料的任一能量。例如，在本发明的某些实施例中可使用约4.2J/脉冲的脉冲式308nm激光器。
图8是晶片100′上的LED的截面图，所述晶片100′具有根据本发明一些实施例的激光图案化的背面103。图9是图8的发光器件的等距图。利用如上所述的激光器在背面103中形成三维图案120。在图8和9中所示例的实施例中，在晶片100′的相对面104(即正面)上形成LED 110。如图8和9所看到的，图案120被晶片100背面103上的不间断的周边130所围绕。
图10和11是根据本发明进一步实施例的晶片100′的截面图。如图10和11所看到的，在截面中，可通过激光图案化提供延伸到200中或从晶片100′伸出210的曲面。曲面200、210可包括抛物线。例如，可通过利用一系列掩模控制激光来提供这种曲线，所述掩模提供了衬底材料的选择性的移除以提供抛物线结构。在本发明的某些实施例中，曲面可在衬底中提供透镜。在本发明的其它实施例中，曲面可提供正弦曲线图案的沟槽。
虽然在图10和11中示例了多个曲面结构，但晶片100′可以成形为单一曲线以便提供曲面晶片100′。曲面晶片100′可在两个面上弯曲。而且，发光器件可提供在晶片100′的弯曲面上。
图12和13是根据本发明其他实施例的晶片100′的截面图。如图12和13所看到的，可在单个晶片100′中提供曲面220和非曲面部件230、240的组合。因此，本发明的实施例可包括单个晶片100′中的多个不同的三维几何图案。
图14至16示例了根据本发明的一些实施例用于激光图案化的可选实施例。如图14所看到的，可在晶片100′上提供聚合物掩模层300。在图15中，用激光来图案化聚合物掩模层300，以提供具有三维部件320的聚合物掩模310，所述部件对应于将在晶片100′中提供的部件。在图16中，掩模310被用作蚀刻掩模，并且蚀刻晶片100′以提供三维部件330。该蚀刻例如可以是干法蚀刻。可使用常规的聚合物掩模和利用聚合物掩模蚀刻的技术。另外，还可使用其他一些可以被激光图案化的掩模材料。
用于激光图案化聚合物层的技术对于本领域技术人员来说是显而易见的。例如，在由Exitech公司的Boehlen等人的“Lasermicro-machingof high density optical structures on large substrates”中描述了这种技术。在本发明的特定实施例中，蚀刻掩模是聚合物蚀刻掩模，可用248nm的激光器来图案化该聚合物。在设计掩模310的特性时可考虑蚀刻工艺的特性，以在晶片100′中提供所希望的三维几何图案。例如，当图案化该掩模时，可考虑掩模材料和碳化硅晶片之间蚀刻率的差异。
因为通过激光图案化提供了蚀刻掩模的图案化，所以通过控制激光掩模可容易地调整蚀刻掩模的形状。因此，例如，蚀刻掩模的形状可以考虑到蚀刻掩模与碳化硅6比1的蚀刻率和被相应调整的部件。在没有使用蚀刻掩模的激光图案化的条件下，难以提供这种掩模特性的调整。此外，通过利用激光图案化，通过将多个几何体设计到激光掩模中可以用扫描图像技术以单一步骤形成例如锥体和透镜的多个几何体。
另外，蚀刻之后晶片的表面可以是粗糙的或平滑的。例如，可通过在蚀刻掩模和衬底之间设置薄层材料如铝，提供粗糙的表面，来产生微掩模。当蚀刻时，微掩模可用于粗糙化晶片100′的表面。
在不脱离本发明的精神和范围的条件下，通过从本公开中获益，本领域普通技术人员可以进行许多改变和修改。因此，必须理解的是，描述这些示范性的实施例只是为了示例，并且不应如后附的权利要求那样将其视为是对本发明的限制。因此，认为以下的权利要求不仅包括字面上所描述的元件的组合，而且包括用于以基本相同的方式执行基本相同的功能来获得基本相同的结果的所有等效元件。因此权利要求应该被理解为包括了具体示例的和以上描述的，概念上等效的，以及并入了本发明的基本思想的各种特征。
Claims (23)
1.一种处理半导体晶片以形成发光器件的方法，包括：
在具有第一厚度的半导体晶片上形成多个发光器件(LED)；
将晶片上的多个LED与载具的表面接触，以将晶片耦接至载具；
通过处理晶片的背面，减小晶片的第一厚度至小于第一厚度的第二厚度；
使载具与晶片上的多个LED分离；以及
切割晶片以分离多个LED。
2.根据权利要求1的方法，其中第一厚度包括约250μm至约400μm的厚度。
3.根据权利要求1的方法，其中减小晶片的第一厚度包括研磨、抛光和/或蚀刻晶片的背面，以减小晶片的第一厚度至小于约150μm的第二厚度。
4.根据权利要求1的方法，其中减小晶片的第一厚度包括研磨、抛光和/或蚀刻晶片的背面，以减小晶片的第一厚度至小于约120μm的第二厚度。
5.根据权利要求4的方法，其中研磨晶片的背面包括利用切入研磨机或缓进研磨机来研磨晶片的背面。
6.根据权利要求1的方法，其中切割晶片包括利用锯片切割晶片，以在所述被分离的多个LED上形成直边。
7.根据权利要求1的方法，其中切割晶片包括：
在晶片上切割划线，以在晶片上的多个LED之间形成斜沟槽；以及
沿着划线使晶片上的多个LED彼此分离开。
8.根据权利要求1的方法，其中切割晶片包括：用锯片将晶片切割至晶片表面下方小于约锯片斜尖长度的深度。
9.根据权利要求8的方法，其中该深度包括小于约120μm。
10.根据权利要求1的方法，其中减小晶片的第一厚度至第二厚度之后是：
处理与多个LED相对的晶片的背面以提高光提取；以及
在背表面上形成多个各自的接触，在与其相对的地方上将在多个LED上形成各自的焊盘。
11.根据权利要求10的方法，其中处理包括蚀刻该背表面。
12.根据权利要求10的方法，其中处理包括激光图案化该背表面。
13.根据权利要求10的方法，其中形成多个各自的接触包括利用激光退火形成多个欧姆接触。
14.根据权利要求1的方法，其中使载具与晶片上的多个LED分离开包括加热、熔融或熔化粘接层足以使多个LED与载具分离开。
15.根据权利要求1的方法，其中晶片包括碳化硅或蓝宝石晶片。
16.一种处理半导体晶片以形成发光器件的方法，包括：
在具有一厚度的半导体晶片上形成多个发光器件(LED)；
将晶片上的多个LED与载具的表面相接触以将所述多个LED耦接至载具；
减小晶片的厚度至小于约150μm；
使载具与晶片上的多个LED分离；以及
用锯片将晶片切割至晶片表面下方小于约锯片斜尖长度的深度，以使晶片上的多个LED彼此分离开。
17.根据权利要求16的方法，其中减小晶片的厚度还包括进一步减小晶片的厚度至小于约120μm。
18.根据权利要求16的方法，其中减小晶片的厚度之后是：
处理与多个LED相对的晶片的背表面以提高光提取。
19.根据权利要求18的方法，进一步包括：
在背表面上形成多个各自的接触，在与其相对的地方上将在多个LED上形成各自的焊盘。
20.根据权利要求16的方法，其中晶片包括碳化硅或蓝宝石晶片。
21.一种碳化硅(SiC)衬底上的发光器件(LED)，包括SiC衬底上的LED，该SiC衬底具有小于约150μm的第一厚度。
22.根据权利要求21的LED，其中与SiC衬底相关的正向电压小于约3.4伏。
23.根据权利要求21的LED，其中SiC衬底包括4H-SiC或6H-SiC。
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