CN1896825A - 液晶显示器以及用于该液晶显示器的屏板 - Google Patents

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Abstract

一种薄膜屏板，其包括第一基板，在所述第一基板上形成的第一倾斜构件，在所述第一基板和第一倾斜构件上形成的第一配向层，与所述第一基板相对的第二基板，以及在所述第二基板上形成的第二配向层。所述第一配向层的摩擦方向垂直于所述第二配向层的摩擦方向。在具有倾斜表面的倾斜构件上形成配向层，只需要实施一次摩擦过程，从而实现沿各个方向提升LC分子，以及获得具有不同预倾角的多域。

Description

液晶显示器以及用于该液晶显示器的屏板
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器以及用于所述液晶显示器的屏板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最为广泛使用的平板显示器之一。通常，LCD包括两个屏板，所述屏板配有诸如像素电极和公共电极的场发生电极，以及插入其间的液晶(LC)层。LCD通过向场发生电极施加电压，在LC层中产生电场来显示图像，由此决定LC层中LC分子的指向，并调整入射光的偏振。
扭转向列(TN)式LCD是普及的LCD。在没有施加电场的情况下，TN式LCD所具有的LC分子的配向方式是使LC分子的长轴平行于所述屏板，并且从上屏板到下屏板以90°角连续扭转，在施加电场期间垂直配向。
但是，TN式LCD通常具有窄视角。因此，可以制造多域LCD，以拓宽视角。在多域LCD中，单元像素的或像素中的LC分子的长轴沿几个方向配向，由此将像素划分为多个域。
在这种TN式LCD中，可以通过沿几个方向摩擦LC配向层，或者改变施加到LC分子上的多个电场得到多域结构。
但是，在沿不同方向摩擦配向层时，由于通常在每一域中沿不同方向摩擦配向层，使制造过程复杂化，并且成本高昂。
发明内容
本发明提供了一种屏板和一种包括所述屏板的液晶显示器，其中，易于形成TN式LCD中的多域。
在接下来的说明中，将阐述本发明的其他特征，其中一部分可以从文字说明中显而易见，或者可以从对本发明的实践中习知。
本发明公开了一种液晶显示器屏板，其包括基板，布置在所述基板上的倾斜构件，以及布置在所述基板和倾斜构件上的配向层。所述配向层包括凹槽，几乎所有的凹槽基本上都沿相同的方向排列。
本发明还公开了一种液晶显示器，其包括：第一基板；布置在所述第一基板上的第一倾斜构件；布置在所述第一基板和第一倾斜构件上的第一配向层；与所述第一基板相对的第二基板；以及布置在所述第二基板上的第二配向层。所述第一配向层和第二配向层包括凹槽，所述第一配向层的所有凹槽基本上都沿第一方向排列，所述第二配向层的所有凹槽基本上都沿第二方向排列，所述第一方向和第二方向基本上相互垂直。
本发明还公开了一种液晶显示器，其包括：第一基板；布置在所述第一基板上的倾斜构件；布置在所述第一基板和倾斜构件上的第一配向层；与所述第一基板相对的第二基板；布置在所述第二基板上的第二配向层；以及布置在所述第一和第二基板之间的液晶层。液晶层包括液晶分子，沿与没有倾斜构件的区域内的液晶分子相反的方向提升位于布置了倾斜构件的区域内的液晶分子，
本发明还公开了一种液晶显示器，其包括：第一基板；布置在所述第一基板上的第一倾斜构件；布置在所述第一基板和第一倾斜构件上的第一配向层；与所述第一基板相对的第二基板；布置在所述第二基板上的第二倾斜构件；布置在所述第二基板和第二倾斜构件上的第二配向层；以及布置在所述第一和第二基板之间的液晶层，其具有液晶分子和正介电各向异性。沿与没有第一倾斜构件的区域内的液晶分子相反的方向提升位于布置了第一倾斜构件的区域内的液晶分子，第一倾斜构件和第二倾斜构件包括有机材料。
应当理解，前面的一般说明和下文的详细说明都是示范性和说明性的，其目的在于进一步解释权利要求所界定的发明。
附图说明
附图提供了对本发明的进一步理解，并且构成了说明书的一部分，其示出了本发明的实施例，并且连同文字描述一起对本发明的原理予以说明。
图1为根据本发明示范性实施例的LCD的布局图；
图2和3分别是取自图1中的II-II线和III-III线的截面图；
图4是说明根据本发明的示范性实施例的LCD的倾斜构件的结构的截面图；
图5是说明根据本发明的示范性实施例的LCD中通过倾斜构件产生的液晶分子的预倾角的截面图；
图6A是说明根据本发明的示范性实施例的图1所示的LCD中四个像素的布局图；
图6B是沿图6A中的VIB-VIB线获得的图5所示的LCD的截面图；
图6C是说明根据本发明的示范性实施例的图6A的四个像素中液晶分子的预倾方向的截面图；
图7是本发明的另一示范性实施例的LCD的布局图；
图8和图9分别是沿图7的VIII-VIII线和IX-IX线得到的LCD的截面图。
具体实施方式
下文中将参考附图更为充分地描述本发明，附图中展示了本发明的示范性实施例。不过，本发明可以以许多不同的形式实施，不应被视为受限于此处所述的实施例。
在附图中，为了清晰起见夸大了层、膜和区域的厚度。通篇中类似的附图标记表示类似的元件。应当理解，当称一元件，例如层、膜、区域或基板在另一元件“上”时，它可能直接在另一元件上，或者也可能存在中间元件。相反，在称一元件直接位于另一元件上时，不存在中间元件。
在下文中将参照图1、图2和图3对根据本发明的示范性实施例的液晶显示器(LCD)屏板和包括所述屏板的LCD予以说明。
图1为根据本发明示范性实施例的LCD的布局图，图2和3分别是取自图1中的II-II线和III-III线的截面图。
根据本发明的示范性实施例的LCD可以包括薄膜晶体管(TFT)阵列板100，与TFT阵列板100相对的公共电极板200，和具有布置在屏板100和200之间的LC分子的液晶(LC)层3。
首先，将参照图1和图2对根据本发明的示范性实施例的TFT阵列板100予以说明。
在基板110上形成多个栅极线121和多个存储电极线131，基板110可以是由诸如透明玻璃或塑料的材料构成的绝缘基板。
栅极线121传输栅极信号并基本沿横向延伸。每一栅极线121包括多个向下突出的栅电极124和端部129，端部129具有与其他层或外部驱动电路耦合的大面积。用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可以安装在软性印刷电路(FPC)膜(未示出)上，软性印刷电路膜可以贴附于基板110、直接安装在基板110上或者集成到基板110上。栅极线121可以延伸以连接到驱动电路，驱动电路可以与基板110集成。
向存储电极线131提供预定电压，每一存储电极线131包括基本平行于栅极线121延伸的芯柱和多对从芯柱分支出来的存储电极133a和133b。每一存储电极线131布置在相邻的两个栅极线121之间，芯柱布置在靠近两个相邻的栅极线121中一个的位置处，如图1所示。每一存储电极133a和133b具有连接至芯柱的固定端部和与之相对布置的自由端部。存储电极133a的固定端部具有大面积，其自由端部分叉成直线分支和曲线分支。但是，存储电极线131可以具有各种外形和布置。
栅极线121和存储电极线131可以由Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu、Cu合金、Mo、Mo合金、Cr、Ta或Ti构成。它们可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同物理性质的两个导电膜(未示出)。在这种情况下，两个膜中的一个是由低电阻率金属构成的，以降低信号延迟或电压降，所述低电阻率金属可以是Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cu和Cu合金。另一个膜可以由具有良好的物理、化学特性以及与诸如氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)的其他材料之间具有良好的电接触特性的材料构成，例如Mo、Mo合金、Cr、Ta和Ti。多层结构的实例包括下方Cr膜和上方Al合金膜，以及下方Al膜和上方Mo膜。但是，栅极线121和存储电极线131可以由各种金属或导体构成。
栅极线121和存储电极线131的侧边可以相对于基板110的表面倾斜大约30度到80度之间的角度。
可以在栅极线121和存储电极线131上形成由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)构成的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成多个半导体条151，半导体条151可以由氢化非晶硅(“a-si”)或多晶硅构成。半导体条151基本沿纵向延伸，它们在栅极线121和存储电极线131附近展宽，以覆盖栅极线121和存储电极线131的大面积。每一半导体条151包括多个朝向栅电极124分支出来的突出154。
多个欧姆接触条和岛161和165形成于半导体条151上。欧姆接触条和岛161和165可以由以诸如磷的N型杂质重掺杂的n+氢化a-si构成，或者可以由硅化物构成。每一欧姆接触条161包括多个突出163，突出163和欧姆接触岛165成对布置在半导体条151的突出154上。
半导体条151和欧姆接触161和165的侧边相对于基板110的表面倾斜约30度到约80度的角度。
多个数据线171和多个漏电极175分别形成于欧姆接触161和165上，以及栅极绝缘层140上。
数据线171传输数据信号并基本沿着纵向延伸，以与栅极线121交叉。每一数据线171还与存储电极线131交叉，并在相邻对的存储电极133a和133b之间延伸。每根数据线171包括多个源电极173和端部179，源电极173向栅电极124突出并像月牙一样弯曲，端部179具有大面积，用于耦接另一层或外部驱动电路。用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可以安装在FPC膜(未示出)上，FPC膜可以贴附于基板110、直接安装在基板110上或者集成到基板110上。数据线171可以延伸以连接到驱动电路，驱动电路可以与基板110集成。
漏电极175与数据线171分开，并关于栅电极124而与源电极173相对设置。每一漏电极175包括宽端部和窄端部。宽端部覆盖存储电极线131，窄端部被月牙形源电极173局部围绕。
栅电极124、源电极173、漏电极175和半导体条151的突出154形成TFT，TFT具有形成于设置在源电极173和漏电极175之间的一部分突出154中的沟道。
数据线171和漏电极175可以由诸如Cr、Mo、Ti、Ta或其合金的难熔金属构成。它们可以具有多层结构，多层结构包括低电阻率膜(未示出)和良好接触膜(未示出)。多层结构的实例为包括下方Mo膜、中间Al膜和上方Mo膜，以及上文所述的下方Cr膜和上方Al-Nd合金膜以及下方Al膜和上方Mo膜的组合。但是，数据线171和漏电极175可由各种金属或导体构成。
数据线171和漏电极175可以具有倾斜的边缘轮廓，其倾角可以处于约30度到约80度的范围内。
包括突出163的欧姆接触161和欧姆接触165布置在位于下部的半导体条151和位于上部的导体171和175之间，以降低其间的接触电阻。虽然在大多地方半导体条151比数据线171窄，但是如上所述半导体条151在栅极线121和存储电极线131附近展宽，以平滑表面的轮廓，由此防止数据线171断开。半导体条151具有与数据线171和漏电极175，以及欧姆接触161和165类似的平面形状。但是，半导体条151包括一些没有被数据线171和漏电极175覆盖的暴露部分，诸如位于源电极173和漏电极175之间的突出154的部分。
钝化层180形成于数据线171、漏电极175和半导体条151的暴露部分上。钝化层180可以由无机或有机绝缘体构成，其可以具有平坦顶面。无机绝缘体材料的例子包括氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可以具有感光性和小于约4.0的介电常数。钝化层180可以包括无机绝缘体的下方膜和有机绝缘体的上方膜，以利用有机绝缘体的绝缘特征，同时防止有机绝缘体损坏半导体条151的暴露部分。
钝化层180具有多个接触孔182和185，其分别暴露数据线端部179和漏电极175。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个暴露栅极线端部129的接触孔181、多个暴露存储电极133a的固定端部附近的存储电极线131的部分的接触孔183a，以及多个暴露存储电极133a的自由端部的直线分支的接触孔183b。
多个像素电极191、多个跨路84和多个接触辅助物81和82形成于钝化层180上。它们可以由诸如ITO或IZO的透明导体构成，或者由诸如Ag、Al、Cr或其合金的反射导体构成。
像素电极191通过接触孔185与漏电极175耦合，以接收来自漏电极175的数据电压。像素电极191和与之相对的公共电极板200的公共电极270一起产生电场，由此确定布置在TFT阵列和公共电极板100和200之间的LC层3的LC分子31的指向，其中向像素电极191提供数据电压，向公共电极270提供公共电压。像素电极191和公共电极270形成被称为“液晶电容器”的电容器，其在TFT关闭后存储所施加的电压。
像素电极191与包括存储电极133a和133b的存储电极线131重叠。像素电极191、与之耦合的漏电极175和存储电极线131形成被称为“存储电容器”的额外电容器，其提高液晶电容器的电压存储容量。
跨路84跨越栅极线121，并且分别通过布置在栅极线121的相对侧的接触孔183a和183b与存储电极线131的暴露部分，以及存储电极133a的自由端部的暴露直线分支耦合。可以采用包括存储电极133a和133b的存储电极线131连同跨路84一起补偿栅极线121、数据线171或TFT中的缺陷。
接触辅助物81和82分别经由接触孔181和182耦合到栅极线121的端部129和数据线171的端部179。接触辅助物81和82保护端部129和179并提高端部129和179与外部器件之间的粘附力。
在钝化层180和像素电极191上形成多个倾斜构件33。可以在所有的像素区或所选的像素区内布置倾斜构件33。
倾斜构件33具有沿图1中以实线表示的箭头方向倾斜的表面。倾斜构件33可以由透明有机材料形成。
在钝化层180和倾斜构件33上形成配向层11。沿图1中以实线表示的箭头方向摩擦配向层11，所述方向与倾斜构件33的倾斜方向相同。
下面将参照图2对公共电极板200予以说明。
在基板210上形成通常被称作黑矩阵的光阻挡构件220，以防止漏光。基板210可以是由诸如玻璃的透明材料构成的绝缘基板。光阻挡构件220可以包括多个面对像素电极191的开口(未示出)，且可以具有基本与像素电极191相同的平面形状。或者，光阻挡构件220可以包括与数据线171和栅极线121相对应的直线部分，以及与TFT相对应的其他部分。
多个滤色器230形成于基板210上，且它们基本设置在由光阻挡构件220所围的区域中。滤色器230可以沿着像素电极191基本沿纵向延伸。滤色器230可以表现诸如红色、绿色和蓝色的原色之一。
外涂层250形成于滤色器230和光阻挡构件220上。外涂层250可以由(有机)绝缘体构成，其防止滤色器230暴露，并提供平坦表面。可以省略外涂层250。
公共电极270形成于外涂层250上。公共电极270可以由诸如ITO和IZO的透明导电材料构成。
也可以在公共电极270上形成多个倾斜构件(例如，参见图7和图8中的附图标记34)，并且所述倾斜构件的表面可以沿图1中以虚线表示的箭头方向倾斜。
在公共电极270上形成配向层21，在沿图1中以虚线表示的箭头方向摩擦配向层21。
在屏板100和200之间布置LC层3，其包括具有正介电各向异性的向列LC材料。在没有电场的情况下，LC层3中的LC分子31受到水平配向，其中，通过配向使它们的长轴基本上平行于屏板100和200的表面，并且在90°角的范围内从屏板100到屏板200连续扭转。LC分子31具有旋涡状扭转结构。
分别在屏板100和200的外表面上提供偏振器12和22，使得其偏振轴可以交叉，并且透射轴中的一个可以平行于栅极线121。在LCD为反射型LCD时，可以省略一个偏振器。
LCD还可以包括用于补偿LC层3的光程差的至少一个延迟膜(未示出)。延迟膜具有双折射，并且在与LC层3相反的方向存在延迟。延迟膜可以包括单轴或双轴光学补偿膜，具体而言，可以包括负单轴补偿膜。
LCD还可以包括用于向LC层3提供光的背光单元(未示出)、偏振器12和22、延迟膜以及屏板100和200。
在下文中将参照图4、图5、图6A、图6B和图6C，对根据本发明的示范性实施例的图1、图2和图3所示的LCD的倾斜构件予以说明。
图4是说明根据本发明的示范性实施例的倾斜构件33和34的结构的截面图，图4中的大箭头表示摩擦方向。
摩擦包括利用其上附着了织物的滚柱沿预定方向刮擦配向层。织物包括由棉花和尼龙制成的纤维。对配向层11和21的摩擦在配向层11和21的表面上形成了多个倾斜的凹槽，LC分子31根据这些凹槽的倾斜角配向。在这种情况下，LC分子31是倾斜的，LC分子31的倾斜角被称为“预倾角”，可以通过滚柱旋转的次数、旋转速度、摩擦次数、织物纤维的长度或者织物纤维的厚度调整LC分子31的预倾角θ。
如上所述，倾斜构件33和34沿摩擦方向倾斜，倾斜构件33和34的倾斜侧A的倾角是由摩擦引起的LC分子31的预倾角θ的两倍。倾斜侧A的倾角优选处于5到10度的范围内。
图5是说明根据本发明的示范性实施例的LCD中由倾斜构件33、34导致的液晶分子31的预倾角的截面图。
如图5所示，由于摩擦将布置在没有倾斜构件33和34的区域内的LC分子31提升了预倾角θ，通过摩擦和倾斜侧A使布置在具有倾斜构件33和34的区域内的LC分子31倾斜，从而使LC分子31提升预倾角θ。
因此，尽管实施了一次摩擦过程，但是，可以在具有和没有倾斜构件33和34的区域内沿相反方向提升LC分子31，由此获得与沿不同方向摩擦多域相同的效果。因此，即使配向层的所有凹槽基本上沿相同的方向排列，也可以取得具有不同预倾斜角的多域。
对于根据本发明的LCD中的多个像素，在下文中将参照图6A、图6B和图6C，对LC分子31的预倾角随倾斜构件33和34的变化予以说明。
图6A是说明根据本发明的示范性实施例的图1所示的LCD中四个像素的布局图，图6B是沿图6A的VIB-VIB线获得的截面图，图6C是说明图6A的四个像素中LC分子31的预倾斜方向的图示。
参考图6C，由实线表示的粗箭头表示TFT阵列板100的配向层11的摩擦方向，由虚线表示的粗箭头表示公共电极板200的配向层21的摩擦方向。
如图6A和图6B所示，在依次排列的四个像素PX1、PX2、PX3和PX4当中，在像素PX1中未形成倾斜构件。在像素PX2中，分别在TFT阵列板100和公共电极板200上形成倾斜构件33和倾斜构件34，在像素PX3中，仅在公共电极板200上形成倾斜构件34，在像素PX4中，仅在TFT阵列板100上形成倾斜构件33。
如上所述，倾斜构件33和34分别沿配向层11和21的摩擦方向倾斜，倾斜构件33的倾角基本垂直于倾斜构件34的倾角。
如上文参照图4和图5所述，在具有和没有倾斜构件33和34的区域内，沿相反方向提升LC分子31，使得具有和没有倾斜构件33和34的像素具有沿相反方向摩擦LC分子31的效果。因此，如图6C所示，沿不同方向提升图6A和图6B中的像素的LC分子31。
在图6C中，如上所述，以实线表示的粗箭头表示配向层11的摩擦方向，以虚线表示的粗箭头表示配向层21的摩擦方向。此外，以实线表示的细箭头表示配向层11的表面上LC分子31的提升方向，以虚线表示的细箭头表示配向层21的表面上LC分子31的提升方向。因此，可以沿四个方向使根据本发明的示范性实施例的LCD的像素中的LC分子升高和下倾。
由于根据本发明的示范性实施例的LCD可以包括多个像素，例如图6A、图6B和图6C中的像素PX1、PX2、PX3和PX4，因此即使只实施一次摩擦过程，也可以在所述像素中沿四个方向提升LC分子，由此提供了具有不同预倾角的多域。
此外，可以在一个像素的一部分内形成倾斜构件33和34，因此，可以在一个像素中布置具有不同预倾角的多域。
在下文中将参照图7、图8和图9对本发明的另一示范性实施例的LCD予以说明。
图7为根据本发明的另一示范性实施例的LCD的示范性布局图，图8和图9分别是沿图7的VIII-VIII线和IX-IX线得到的截面图。
参考图7、图8和图9，根据这一实施例的LCD也包括TFT阵列板100、公共电极板200、插入到屏板100和200之间的LC层3和附着在屏板100和200的外表面上的一对偏振器12和22。
根据这一实施例的屏板100和200的分层结构与图1、图2和图3所示的类似。
就TFT阵列板100而言，在基板110上形成多个包括栅电极124和端部129的栅极线121，以及存储电极线131，并且在其上依次形成栅极绝缘层140，多个包括突出154的半导体条151和多个包括突出163的欧姆接触条161，以及多个欧姆接触岛165。分别在欧姆接触161和165上形成包括源电极173、端部179和多个漏电极175的多个数据线，并在其上形成钝化层180。在钝化层180和栅极绝缘层140内提供多个接触孔181、182、183a、183b和185。在钝化层180上形成多个像素电极191、多个接触辅助物81和82以及多个跨路84，并在其上涂覆配向层11。沿图7中以实线表示的箭头方向摩擦配向层11。可以在像素电极191和钝化层180上形成倾斜构件(未示出)，其可以具有在与摩擦方向相同的方向具有下倾倾角的表面。
就公共电极板200而言，在基板210上形成光阻挡构件220、多个滤色器230、公共电极270、倾斜构件34和配向层21，基板210可以是绝缘基板。倾斜构件34沿以虚线表示的箭头方向下倾，沿倾斜构件34的下倾倾角的方向摩擦配向层21。
与图1、图2和图3所示的LCD不同，在公共电极270上形成多个柱形分隔体320。在对应于TFT的位置布置柱形分隔体320，它们在TFT阵列板100和公共电极板200之间保持基本均匀的盒间隙。
可以通过光刻工艺形成柱形分隔体320，并通过用于倾斜构件34的光刻工艺对其构图。
图1到图6C的LCD的很多上述功能部件可以适用于图7到图9所示的LCD。
如上所述，在具有倾斜表面的倾斜构件上形成配向层，只需要实施一次摩擦过程，从而实现沿各个方向提升LC分子，以及获得具有不同预倾角的多域。
在不背离本发明的精神和范围的情况下，对于本领域的技术人员而言，对本发明做出各种修改和改变是显而易见的。因此，本发明意在覆盖本发明的修改和改变，只要其落在权利要求及其等同要件的范围内。
本申请要求于2005年7月13日提交的申请号为10-2005-0063400的韩国专利申请的优先权，在此将其全文引入以供参考。

Claims (21)

1.一种用于液晶显示器的屏板，包括：
基板；
布置在所述基板上的多个倾斜构件；以及
布置在所述基板和所述倾斜构件上的配向层，
其中，所述配向层包括凹槽，所述配向层的几乎所有凹槽基本上都沿第一方向排列。
2.如权利要求1所述的屏板，其中，倾斜构件包括倾斜表面和连接至倾斜表面的侧面，所述倾斜构件的下倾倾角方向为第一方向。
3.如权利要求2所述的屏板，其中，所述倾斜构件的倾斜表面的倾斜角是由所述凹槽生成的预倾角的两倍。
4.如权利要求3所述的屏板，其中，所述倾斜表面的倾斜角处于大约5到10度的范围内。
5.如权利要求1所述的屏板，还包括：
布置在所述基板上的多个栅极线和多个数据线；
与所述栅极线和数据线耦合的多个薄膜晶体管；以及
与所述薄膜晶体管耦合的多个像素电极。
6.如权利要求5所述的屏板，其中，在一个像素电极上分别布置每一倾斜构件。
7.如权利要求5所述的屏板，其中，在一个像素电极上布置多个倾斜构件。
8.如权利要求1所述的屏板，还包括布置在所述基板上的公共电极，
其中，所述倾斜构件布置在所述公共电极上。
9.一种液晶显示器，其包括：
第一基板；
布置在所述第一基板上的第一倾斜构件；
布置在所述第一基板和第一倾斜构件上的第一配向层；
与所述第一基板相对的第二基板；以及
布置在所述第二基板上的第二配向层，
其中，所述第一配向层和第二配向层包括凹槽，所述第一配向层的几乎所有凹槽基本上都沿第一方向排列，所述第二配向层的几乎所有凹槽基本上都沿第二方向排列，所述第一方向和第二方向基本上相互垂直。
10.如权利要求9所述的液晶显示器，其中，所述第一倾斜构件的下倾倾角方向为第一方向。
11.如权利要求9所述的液晶显示器，还包括布置在所述第二基板上的第二倾斜构件，
其中，所述第二配向层布置在所述第二基板和第二倾斜构件上。
12.如权利要求11所述的液晶显示器，其中，所述第一倾斜构件的下倾倾角方向为第一方向，和所述第二倾斜构件的下倾倾角方向为第二方向。
13.如权利要求9所述的液晶显示器，其中，所述第一倾斜构件的倾斜表面的倾斜角是由所述第一配向层的凹槽生成的预倾角的两倍。
14.如权利要求9所述的液晶显示器，其中，所述第一倾斜构件和第二倾斜构件包括有机材料。
15.如权利要求9所述的液晶显示器，还包括：
布置在所述第一基板上的多个栅极线和多个数据线；
与所述栅极线和数据线耦合的多个薄膜晶体管；以及
与所述薄膜晶体管耦合的多个像素电极。
16.如权利要求15所述的液晶显示器，还包括布置在所述第二基板上的公共电极。
17.如权利要求9所述的液晶显示器，还包括布置在所述第一基板上的公共电极。
18.如权利要求17所述的液晶显示器，还包括：
布置在所述第二基板上的多个栅极线和多个数据线；
与所述栅极线和数据线耦合的多个薄膜晶体管；以及
与所述薄膜晶体管耦合的多个像素电极。
19.一种液晶显示器，其包括：
第一基板；
布置在所述第一基板上的倾斜构件；
布置在所述第一基板和倾斜构件上的第一配向层；
与所述第一基板相对的第二基板；
布置在所述第二基板上的第二配向层；以及
布置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述液晶层包括液晶分子，
其中，沿与没有倾斜构件的区域内的液晶分子相反的方向提升位于布置了倾斜构件的区域内的液晶分子。
20.如权利要求19所述的液晶显示器，其中，所述倾斜构件的下倾倾角方向与第一配向层的凹槽的排列方向相同。
21.一种液晶显示器，其包括：
第一基板；
布置在所述第一基板上的第一倾斜构件；
布置在所述第一基板和第一倾斜构件上的第一配向层；
与所述第一基板相对的第二基板；
布置在所述第二基板上的第二倾斜构件；
布置在所述第二基板和第二倾斜构件上的第二配向层；以及
布置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述液晶层包括液晶分子，并且具有正介电各向异性，
其中，沿与没有第一倾斜构件的区域内的液晶分子相反的方向提升位于布置了第一倾斜构件的区域内的液晶分子，所述第一倾斜构件和第二倾斜构件包括有机材料。
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Date Code Title Description
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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