CN1896729A - 纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法 - Google Patents

纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1896729A
CN1896729A CNA2005100277956A CN200510027795A CN1896729A CN 1896729 A CN1896729 A CN 1896729A CN A2005100277956 A CNA2005100277956 A CN A2005100277956A CN 200510027795 A CN200510027795 A CN 200510027795A CN 1896729 A CN1896729 A CN 1896729A
Authority
CN
China
Prior art keywords
self
linear array
quantum
degree
nano medication
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005100277956A
Other languages
English (en)
Inventor
方琰
吴�荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhongshan Hospital Fudan University
Original Assignee
Zhongshan Hospital Fudan University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhongshan Hospital Fudan University filed Critical Zhongshan Hospital Fudan University
Priority to CNA2005100277956A priority Critical patent/CN1896729A/zh
Priority to PCT/CN2006/000107 priority patent/WO2007009326A1/zh
Publication of CN1896729A publication Critical patent/CN1896729A/zh
Priority to US12/008,904 priority patent/US8574570B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y5/00Nanobiotechnology or nanomedicine, e.g. protein engineering or drug delivery
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61BDIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B2562/00Details of sensors; Constructional details of sensor housings or probes; Accessories for sensors
    • A61B2562/02Details of sensors specially adapted for in-vivo measurements
    • A61B2562/0285Nanoscale sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/761Biomolecules or bio-macromolecules, e.g. proteins, chlorophyl, lipids or enzymes

Abstract

本发明涉及量子信息先进材料领域,具体涉及一种纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法。本发明以非弹性电子隧穿相互作用自组装抗氧化酶类氧自由基拮抗剂,β-受体激动剂,P2受体激动剂,苯烷胺类钙拮抗剂和/或嘌呤类核酸单体及其二元,三元,四元和五元复合物。本发明量子线阵列具有规则几何构型,尺度可控可调,非弹性电子隧穿、量子比特电学特性和近藤效应。本发明不仅有益于靶向疾病机制的创新药物研究,而且有益于量子生物信息传感新材料和纳米结构磁存储器(MRAM)的研究。

Description

纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法
技术领域
本发明涉及人造聚合物分子量子信息材料领域,具体涉及一种纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法
背景技术
量子线是发展量子计算和超快或超敏诊断技术与纳米生物传感的核心,量子比特是目前信息材料研究的热点。发展以生物分子为信息材料构筑元件是国内外现代与长远研究的热点。已有研究表明异搏啶,异丙肾上腺素,超氧化物歧化酶和三磷酸腺苷是一组纳米尺度大小、具备电荷转运和靶标识别能力的药物分子网络,但迄今尚未见在单分子水平,纳米药物双稳态量子线阵列及其制备方法的报道。
发明内容
本发明的目的是提供一种适用于发展临床纳米诊断工具的单分子水平纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法。
本发明采用非弹性电子隧穿相互作用自组装抗氧化酶类氧自由基拮抗剂,β-受体激动剂,P2受体激动剂,苯烷胺类钙拮抗剂单体和/或核酸及其二元,三元,四元和五元复合物,制成有量子比特、近藤效应的双稳态量子线阵列。
所述的纳米药物自组装双稳态量子线阵列组份为:异丙肾上腺素(Isoprenalini),三磷酸腺苷(adenonine triphoaphate),异博啶(Verapamil),超氧化物歧化酶(Superoxide dismutase)和黄嘌呤及其优化配比的几何构型。
上述组份最佳药物浓度范围为:
异博啶(Verapamil)20zeptoM至0.001zeptoM,
异丙肾上腺素(Isoprenalini)210zeptoM至0.001zeptoM,
超氧化物歧化酶(Superoxide dismutase)1zeptoM至0.001zeptoM,
三磷酸腺苷(adenosine triphophate)260zeptoM至1zeptoM,
黄嘌呤(Xanthine)50uM至5mM。
本发明利用非弹性电子隧穿相互作用进行自组装异搏啶,异丙肾上腺素,超氧化物歧化酶,和/或三磷酸腺苷和黄嘌呤,及其二至五聚体纳米药物双稳态量子线阵列。这种基于空间几何构型的优化分子设计和自组装方法,不仅有益于创新药物的研究发现,而且有益于量子信息材料的研究发明。
本发明的突出优点是纳米药物为基的量子比特性能,它由电流-电压曲线及其一阶导数、电子自旋、时间-相位-能量谱和频率-相位-能量谱来表达;量子比特性能的特征识别依据从纳米药物量子线的时间-相位-能量谱和频率-相位-能量谱中获得,即相位经历近千至数百或数十个90度到180度电子自旋过程,在一千微秒内自旋可高达906个90度和302个180度电子自旋。
本发明采用L16(2)15和L9(3)4正交优选设计,PCI扫描探针显微术和-4度低温自组装以及ORINGIN工作的相互作用,获得量子线阵列。
本发明的核心组份由异丙肾上腺素(Isoprenalini),三磷酸腺苷(adennosine triphosphate),异博啶(Verapamil),超氧化物歧化酶(Superoxidedismutase)和黄嘌呤,按单体,二元体,三元体,四元体和五元体分别配制自组装体系,
其中单分子纳米药物以黄嘌呤为基,分别按1∶0∶0∶0;0∶1∶0∶0;0∶0∶1∶0;0∶0∶0∶1配比配制异丙肾上腺素,三磷酸腺苷,异博啶,超氧化物歧化酶自组装体系;
其中二元体纳米药物以黄嘌呤为基,分别按1∶1∶0∶0;1∶0∶1∶0;1∶0∶0∶1;0∶1∶0∶0;0∶1∶0∶1;0∶0∶1∶1配比配制异丙肾上腺素,三磷酸腺苷,异博啶,超氧化物歧化酶自组装体系;
其中三元体纳米药物以黄嘌呤为基,分别按1∶1∶1∶0;1∶0∶1∶1;1∶1∶0∶1;0∶1∶1∶1配比配制异丙肾上腺素,三磷酸腺苷,异博啶,超氧化物歧化酶自组装体系;
其中四元体纳米药物以黄嘌呤为基,分别按1∶1∶1∶1;1∶2∶2∶2;1∶3∶3∶3;2∶1∶2∶3;2∶2∶3∶1;2∶3∶1∶2;3∶1∶3∶2;3∶2∶1∶3;3∶3∶2∶1配比配制异丙肾上腺素,三磷酸腺苷,异搏啶,超氧化物歧化酶自组装体系。
本发明核心组份单体,二元体,三元体,四元体和五元体及其不同自组装体系的I-V曲线,一阶导数和时间-相位-能量谱和频率-相位-能量谱形成25组阵列数据和24种尺寸可调的纳米药物量子线阵列,如:1.4,1.6,1.8,2.0,2.5,3.0,3.5,4,5,6,7,8,10,12,14,16,20,25,30,35,40,50,60,70纳米线长。
本发明纳米药物自组装双稳态量子线阵列,具有几何构型规则,尺度可控可调,非弹性电子隧穿、电子自旋速度可变的电学特性。本发明不仅有益于靶向疾病机制的创新药物研制,而且有益于生物相容、超微超敏量子信息传感新材料与纳米结构磁存储器(MRAM)新器件的研制。
本发明通过下述方法和步骤制备,
按中华人民共和国卫生部颁发的药典规范配制如下药液:
1.制备盐酸异博啶溶液
2.制备盐酸异丙肾上腺素溶液
3.制备超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4.制备三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5.分别取最佳浓度范围内的各组份溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
6.分别采用电阻率8-12欧母.厘米和0.01-0.05欧母.厘米的P型和N-型硅片作为自组装量子线的衬底,将上述药用组份按L16(2)15和L9(3)4方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
附图说明
图1是N型硅片上自组装黄嘌呤为基的纳米药物二元体量子线及其薄膜的表面拓卜结构图。
图2是N型硅片上自组装黄嘌呤为基、量子比特达254个90度电子自旋或127个180度自旋超声的纳米药物三元体量子线及其薄膜的表面拓卜结构图。
图3是P型硅片上自组装黄嘌呤为基的非易失性量子比特纳米药物五元体量子线及其薄膜的表面拓卜结构图。
图4是P型硅片上自组装黄嘌呤为基、高达906个90度和302个180度或151个360度电子自旋、最优量子比特纳米药物五元体量子线及其薄膜的表面拓卜结构图。
图5是P型硅片上自组装黄嘌呤为基、电子自旋相位(0、90、180、360度)可调的量子比特纳米药物五元体量子线及其薄膜的表面拓卜结构图。
图6是P型硅片上自组装黄嘌呤为基、电子自旋相位(0、90、180、270度)可调的量子比特纳米药物五元体量子线及其薄膜的表面拓卜结构图。
图7是P型硅片上自组装黄嘌呤为基、+/-10V启动量子比特的纳米药物五元体量子线及其薄膜的表面拓卜结构图。
图8是P型硅片上自组装黄嘌呤为基、+/-7,9V分别启动0度-90度-180度和0度-90度-360度电子自旋相位转移的纳米药物五元体量子线及其薄膜的表面拓卜结构图。
图9是P型硅片上自组装黄嘌呤为基、+/-7,8,9V分别启动180度-90度-360度和0度-90度-360度电子自旋相位转移的纳米药物五元体量子线及其薄膜的表面拓卜结构图。
图10是对应图1的+/-2V启动量子比特电压-电流曲线(a)、近藤效应电导(b)、频率-相位-能量谱(c)和时间-相位-能量谱(d)。
图11是对应图2的+/-9V启动954个90度和477个180度电子自旋、量子比特电压-电流曲线(a)、近藤效应电导(b)、频率-相位-能量谱(c)和时间-相位-能量谱(d)。
图12是对应图3的+/-6,8,9,10V启动非易失性量子比特电压-电流曲线(a)、近藤效应电导(b)、频率-相位-能量谱(c)和时间-相位-能量谱(d)。
图13是对应图4的+/-7,8,9,10V启动180度-90度-180度往返电子自旋、量子比特电压-电流曲线(a)、近藤效应电导(b)、频率-相位-能量谱(c)和时间-相位-能量谱和频率-相位-能量谱(d)。
图14是对应图5的+/-6,7,8,9,10V启动0度-90度-360度往返电子自旋、量子比特电压-电流曲线(a)、近藤效应电导(b)、频率-相位-能量谱(c)和时间-相位-能量谱。
图15是对应图6的+/-8,9,10V启动180度-90度-180度往返电子自旋、量子比特电压-电流曲线(a)、近藤效应电导(b)、频率-相位-能量谱(c)和时间-相位-能量谱(d)。
图16是对应图7的+/-8V分别启动0度-90度-180度和0度-90度-360度往返电子自旋、量子比特电压-电流曲线(a)、近藤效应电导(b)、频率-相位-能量谱(c)和时间-相位-能量谱(d)。
图17是对应图8的+/-8,9,10V可启动0度-90度-180度和0度-90度-360度往返电子自旋、量子比特电压-电流曲线(a)、近藤效应电导(b)、频率-相位-能量谱(c)和时间-相位-能量谱。
图18是对应图9的+/-8,9,10V可启动0度-90度-360度和180度-90度-360度往返电子自旋、量子比特电压-电流曲线(a)、近藤效应电导(b)、频率-相位-能量谱(c)和时间-相位-能量谱。
具体实施方式
实施例1
按中华人民共和国卫生部颁发的药典规范配制如下药液:
1.制备盐酸异博啶溶液2.5毫克/5毫升
2.制备含2毫克/100毫升盐酸异丙肾上腺素溶液
3.制备含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4.制备含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5.分别取1∶1∶1∶1配比范围内的各组份最佳溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
6.采用8-12欧母.厘米P型硅片作为自组装量子线的衬底,将上述药用级别的纳米药物,按L9(3)4方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
结果可见高度为10nm的量子线阵列(附图3);电流-电压(I-V)曲线显示双稳态电学特性,即出现高低两水平稳定电流/电压如+0.813皮安和-19.95皮安,电压为+/-8伏特(附图12a);微分电导图谱(dI/dV)揭示量子化近藤效应,即在-3.741伏特处出现13.08854皮安/伏特的最大电导波峰(见附图12b);频率-相位-能量图谱(FPP)显示+/-50000至7.2475E-12赫兹范围内出现0至-1260度的相位转移,在X轴中心位置7.2475E-12赫兹处可见Y轴中心位置发生14个90度特征电子自旋或7个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.00603电子伏特(附图12c);和时间-相位-能量图谱(TPP)显示0至1000微秒范围内出现0至1260度相位转移,在X轴中心位置513微秒处可见Y轴中心位置发生14个90度特征电子自旋或7个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.00151电子伏特(附图12d);附图12c和12d共同揭示N(1/2π,-1/2π)特征电子自旋产生量子比特。
实施例2
按中华人民共和国卫生部颁发的药典规范配制如下药液:
1.制备盐酸异博啶溶液2.5毫克/5毫升
2.制备含2毫克/100毫升盐酸异丙肾上腺素溶液
3.制备含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4.制备含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5.分别取1∶2∶2∶2配比范围内的各组份最佳溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
6.采用8-12欧母.厘米P型硅片作为自组装量子线的衬底,将上述药用级别的纳米药物,按L9(3)4方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
结果可见高度为4nm的量子线阵列(附图4);电流-电压(I-V)曲线显示双稳态电学特性,即出现高低两水平稳定电流/电压如+20.71皮安和-27.053皮安,电压为+/-7伏特(附图13a);微分电导图谱(dI/dV)揭示量子化近藤效应,即在-2.376伏特处出现110.492皮安/伏特的最大电导波峰(附图13b);频率-相位-能量图谱(FPP)显示+/-50000至7.2475E-12赫兹范围内出现180至-18180度的相位转移,在X轴中心位置7.2475E-12赫兹处可见Y轴中心位置发生99个90度或33个3/2π或404个1/4π特征电子自旋和Z轴方向能量改变0.04216电子伏特(附图13c);和时间-相位-能量图谱(TPP)显示0至1000微秒范围内出现0至18540度相位转移,在X轴中心位置513微秒处可见Y轴中心位置发生906个90度或302个3/2π或412个1/4π特征电子自旋和Z轴方向能量改变0.010541电子伏特(附图13d);附图13c和13d共同揭示N(1/2π,1/4π,3/2π,-1/2π,-1/4π,-3/2π)特征电子自旋产生量子比特。
实施例3
按中华人民共和国卫生部颁发的药典规范配制如下药液:
1.制备盐酸异博啶溶液2.5毫克/5毫升
2.制备含2毫克/100毫升盐酸异丙肾上腺素溶液
3.制备含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4.制备含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5.分别取1∶3∶3∶3配比范围内的各组份最佳溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
6.采用8-12欧母.厘米P型硅片作为自组装量子线的衬底,将上述药用级别的纳米药物,按L9(3)4方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
结果可见高度为3.5nm的量子线阵列(附图5);电流-电压(I-V)曲线显示双稳态电学特性,即出现高低两水平稳定电流/电压如+1.021皮安和-23.998皮安,电压为+/-6伏特(附图14a);微分电导图谱(dI/dV)揭示量子化近藤效应,即在-1.917伏特处出现67.2825皮安/伏特的最大电导波峰(附图14b);频率-相位-能量图谱(FPP)显示+/-50000至7.2475E-12赫兹范围内出现0至-11512度的相位转移,在X轴中心位置7.2475E-12赫兹处可见Y轴中心位置发生128个90度特征电子自旋或64个180度自旋超声(spin echo)或32个2π相位转移和Z轴方向能量改变0.01581电子伏特(附图14c);和时间-相位-能量图谱(TPP)显示0至1000微秒范围内出现0至11512度相位转移,在X轴中心位置513微秒处可见Y轴中心位置发生128个90度特征电子自旋或64个180度自旋超声(spin echo)或32个2π相位转移和Z轴方向能量改变0.00395电子伏特(附图14d);附图14c和14d共同揭示N(1/2π,π,2π,-1/2π,-π,-2π)特征电子自旋产生量子比特。
实施例4
按中华人民共和国卫生部颁发的药典规范配制如下药液:
1.制备盐酸异博啶溶液2.5毫克/5毫升
2.制备含2毫克/100毫升盐酸异丙肾上腺素溶液
3.制备含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4.制备含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5.分别取2∶1∶2∶3配比范围内的各组份溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
6.采用8-12欧母.厘米P型硅片作为自组装量子线的衬底,将上述药用级别的纳米药物,按L9(3)4方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
结果可见高度为6nm的量子线阵列(附图6);电流-电压(I-V)曲线显示双稳态电学特性,即出现高低两水平稳定电流/电压如+2.07皮安和-32.834皮安,电压为+/-10伏特(附图15a);微分电导图谱(dI/dV)揭示量子化近藤效应,即在-0.96伏特处出现53.2375皮安/伏特的最大电导波峰(附图15b);频率-相位-能量图谱(FPP)显示+/-50000至7.2475E-12赫兹范围内出现180至-14580度的相位转移,在X轴中心位置7.2475E-12赫兹处可见Y轴中心位置发生162个90度特征电子自旋或81个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变9.58648E-9电子伏特(附图15c);和时间-相位-能量图谱(TPP)显示0至1000微秒范围内出现180至14940度相位转移,在X轴中心位置513微秒处可见Y轴中心位置发生166个90度特征电子自旋或83个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.00298电子伏特(附图15d);附图15c和15d共同揭示N(1/2π,π,-1/2π,-π)特征电子自旋产生量子比特。
实施例5
按中华人民共和国卫生部颁发的药典规范配制如下药液:
1.制备盐酸异博啶溶液2.5毫克/5毫升
2.制备含2毫克/100毫升盐酸异丙肾上腺素溶液
3.制备含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4.制备含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5.分别取2∶2∶3∶1配比范围内的各组份溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
6.采用8-12欧母.厘米P型硅片作为自组装量子线的衬底,将上述药用级别的纳米药物,按L9(3)4方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
结果可见高度为8nm的量子线阵列(附图7);电流-电压(I-V)曲线显示双稳态电学特性,即出现高低两水平稳定电流/电压如+20.723皮安和-27.549皮安,电压为+/-8伏特(附图16a);微分电导图谱(dI/dV)揭示量子化近藤效应,即在-0.223伏特处出现55.54688皮安/伏特的最大电导波峰(见附图16b);频率-相位-能量图谱(FPP)显示+/-50000至7.2475E-12赫兹范围内出现0至-10800度的相位转移,在X轴中心位置7.2475E-12赫兹处可见Y轴中心位置发生120个90度或40个3/2π或240个1/4π特征电子自旋或60个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0。03332电子伏特(附图16c);和时间-相位-能量图谱(TPP)显示0至1000微秒范围内出现0至10800度相位转移,在X轴中心位置513微秒处可见Y轴中心位置发生120个90度或40个3/2π或240个1/4π特征电子自旋或60个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.00833电子伏特(附图16d);附图16c和16d共同揭示N(1/2π,π,3/2π,1/4π,-1/2π,-π,-3/2π,-1/4π)特征电子自旋产生量子比特。
实施例6
按中华人民共和国卫生部颁发的药典规范配制如下药液:
1.制备盐酸异博啶溶液2.5毫克/5毫升
2.制备含2毫克/100毫升盐酸异丙肾上腺素溶液
3.制备含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4.制备含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5.分别取3∶1∶3∶2配比范围内的各组份溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
6.采用8-12欧母.厘米P型硅片作为自组装量子线的衬底,将上述药用级别的纳米药物,按L9(3)4方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
结果可见高度为4.5nm的量子线阵列(附图8);电流-电压(I-V)曲线显示双稳态电学特性,即出现高低两水平稳定电流/电压如+21.576皮安和-31.509皮安,电压为+/-7伏特(附图17a);微分电导图谱(dI/dV)揭示量子化近藤效应,即在-0.715伏特处出现63.5786皮安/伏特的最大电导波峰(附图17b);频率-相位-能量图谱(FPP)显示+/-50000至7.2475E-12赫兹范围内出现0至-15480度的相位转移,在X轴中心位置7.2475E-12赫兹处可见Y轴中心位置发生172个90度特征电子自旋或81个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.05289电子伏特(见附图17c);和时间-相位-能量图谱(TPP)显示0至1000微秒范围内出现0至15480度相位转移,在X轴中心位置513微秒处可见Y轴中心位置发生172个90度特征电子自旋或81个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.01322电子伏特(附图17d);附图17c和17d共同揭示N(1/2π,π,-1/2π,-π)特征电子自旋产生量子比特。
实施例7
按中华人民共和国卫生部颁发的药典规范配制如下药液:
1.制备盐酸异博啶溶液2.5毫克/5毫升
2.制备含2毫克/100毫升盐酸异丙肾上腺素溶液
3.制备含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4.制备含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5.分别取3∶2∶1∶3配比范围内的各组份最佳溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
6.采用8-12欧母.厘米P型硅片作为自组装量子线的衬底,将上述药用级别的纳米药物,按L9(3)4方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
结果可见高度为50nm的量子线阵列(附图9);电流-电压(I-V)曲线显示双稳态电学特性,即出现高低两水平稳定电流/电压如+5.478皮安和-25.614皮安,电压为+/-8伏特(附图18a);微分电导图谱(dI/dV)揭示量子化近藤效应,即在-1.096伏特处出现35.5468皮安/伏特的最大电导波峰(附图18b);频率-相位-能量图谱(FPP)显示+/-50000至7.2475E-12赫兹范围内出现180至23580度的相位转移,在X轴中心位置7.2475E-12赫兹处可见Y轴中心位置发生262个90度或32个2π特征电子自旋或64个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.01244电子伏特(附图17c);和时间-相位-能量图谱(TPP)显示180至1000微秒范围内出现0至-23220度相位转移,在X轴中心位置513微秒处可见Y轴中心位置发生158个90度或69个2π特征电子自旋或78个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.00311电子伏特(附图18d);附图18c和18d共同揭示N(1/2π,π,2π,-1/2π,-π,-2π)特征电子自旋产生量子比特。
实施例8
按中华人民共和国卫生部颁发的药典规范配制如下药液:
1.制备盐酸异博啶溶液2.5毫克/5毫升
2.制备含2毫克/100毫升盐酸异丙肾上腺素溶液
3.制备含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4.制备含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5.分别取1∶2∶2∶1配比范围内的各组份最佳溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
6.采用0.01-0.05欧母.厘米N型硅片作为自组装量子线的衬底,将上述药用级别的纳米药物,按L16(2)15方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
结果可见高度为3nm的量子线阵列(附图1);电流-电压(I-V)曲线显示双稳态电学特性,即出现高低两水平稳定电流/电压如+/-34.581皮安,电压为+/-9伏特附图10a);微分电导图谱(dI/dV)揭示量子化近藤效应,即在-3.25伏处出现140.51398皮安/伏特的最大电导波峰(见附图10b);频率-相位-能量图谱(FPP)显示+/-50000至7.2475E-12赫兹范围内出现0至-19080度的相位转移,在X轴中心位置7.2475E-12赫兹处可见Y轴中心位置发生254个90度特征电子自旋或127个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.05027电子伏特(附图10c);和时间-相位-能量图谱(TPP)显示0至1000微秒范围内出现0至19080度相位转移,在X轴中心位置513微秒处可见Y轴中心位置发生254个90度特征电子自旋或127个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.0124电子伏特(附图10d);附图10c和10d共同揭示N(1/2π,-1/2π)特征电子自旋产生量子比特。
实施例9
按中华人民共和国卫生部颁发的药典规范配制如下药液:
1.制备盐酸异博啶溶液2.5毫克/5毫升
2.制备含2毫克/100毫升盐酸异丙肾上腺素溶液
3.制备含1毫克/2毫升超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4.制备含20毫克/3.3毫升三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5.分别取2∶1∶2∶2配比范围内的各组份最佳溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
6.采用0.01-0.05欧母.厘米N型硅片作为自组装量子线的衬底,将上述药用级别的纳米药物,按L16(2)15方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
结果可见高度为16nm的量子线阵列(附图2);电流-电压(I-V)曲线显示双稳态电学特性,即出现高低两水平稳定电流/电压如+3.568皮安和-22.19皮安,电压为+/-2伏特(附图11a);微分电导图谱(dI/dV)揭示量子化近藤效应,即在-0.874伏特处出现315.62皮安/伏特的最大电导波峰(附图11b);频率-相位-能量图谱(FPP)显示+/-50000至7.2475E-12赫兹范围内出现0至18540度的相位转移,在X轴中心位置7.2475E-12赫兹处可见Y轴中心位置发生206个90度特征电子自旋或103个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.14939电子伏特(附图11c);和时间-相位-能量图谱(TPP)显示0至1000微秒范围内出现0至-18180度相位转移,在X轴中心位置513微秒处可见Y轴中心位置发生202个90度特征电子自旋或101个180度自旋超声(spin echo)和Z轴方向能量改变0.01116电子伏特(附图11d);附图11c和11d共同揭示N(1/2π,-1/2π)特征电子自旋产生量子比特。

Claims (8)

1.纳米药物自组装双稳态量子线阵列,其特征在于采用非弹性电子隧穿相互作用自组装抗氧化酶类氧自由基拮抗剂,β-受体激动剂,P2受体激动剂,苯烷胺类钙拮抗剂单体和/或核酸及其二元,三元,四元和五元复合物,制成有量子比特、近藤效应的双稳态量子线阵列,
所述的非弹性电子隧穿相互作用是采用L16(2)15和L9(3)4正交优选设计,PCI扫描探针显微术和-4度低温自组装以及ORINGIN工作的相互作用。
2.按权利要求1所述的纳米药物自组装双稳态量子线阵列,其特征在于所述的量子线阵列的组份为:异丙肾上腺素,三磷酸腺苷,异博啶,超氧化物歧化酶和黄嘌呤及其优化配比的几何构型,其中各组份药物浓度范围为:
异博啶            20zeptoM至0.001zeptoM,
异丙肾上腺素      210zeptoM至0.001zeptoM,
超氧化物歧化酶    1zeptoM至0.001zeptoM,
三磷酸腺苷        260zeptoM至1zeptoM,
黄嘌呤            50uM至5mM。
3.按权利要求1所述的纳米药物自组装双稳态量子线阵列,其特征在于所述的单体纳米药物分别按1∶0∶0∶0;0∶1∶0∶0;0∶0∶1∶0;0∶0∶0∶1配比配制自组装体系。
4.按权利要求1所述的纳米药物自组装双稳态量子线阵列,其特征在于所述的其中二元体分别按1∶1∶0∶0;1∶0∶1∶0;1∶0∶0∶1;0∶1∶0∶0;0∶1∶0∶1;0∶0∶1∶1配比配制自组装体系
5.按权利要求1所述的纳米药物自组装双稳态量子线阵列,其特征在于所述的其中三元体纳米药物分别按1∶1∶1∶0;1∶0∶1∶1;1∶1∶0∶1;0∶1∶1∶1配比配制自组装体系
6.按权利要求1所述的纳米药物自组装双稳态量子线阵列,其特征在于所述的四元体纳米药物分别按1∶1∶1∶1;1∶2∶2∶2;1∶3∶3∶3;2∶1∶2∶3;2∶2∶3∶1;2∶3∶1∶2;3∶1∶3∶2;3∶2∶1∶3;3∶3∶2∶1配比配制自组装体系。
7.根据权利要求1所述的纳米药物自组装双稳态量子线阵列的制备方法,其特征是通过下述方法和步骤,分别配制如下药液:
1).制备盐酸异博啶溶液
2).制备盐酸异丙肾上腺素溶液
3).制备超氧化物歧化酶生理盐缓冲液
4).制备三磷酸腺苷的生理盐缓冲液
5).制备黄嘌呤缓冲液
6).分别取最佳浓度范围内的各组份溶质数,常温下均匀混合后,加生理盐缓冲溶液至1毫升,置-4℃保存备用。
7).采用0.01-0.05欧母.厘米N型和8-12欧母.厘米P型硅片作为自组装纳米药物量子线的衬底,将上述药用级别各组份,分别按L16(2)15和L9(3)4方案自组装在硅片衬底上,-4℃放置96小时。
8、按权利要求7的方法,其中所述的药液各组份药物浓度范围为:
异博啶            20zeptoM至0.001zeptoM,
异丙肾上腺素      210zeptoM至0.001zeptoM,
超氧化物歧化酶    1zeptoM至0.001zeptoM,
三磷酸腺苷        260zeptoM至1zeptoM,
黄嘌呤            50uM至5mM。
CNA2005100277956A 2005-07-15 2005-07-15 纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法 Pending CN1896729A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2005100277956A CN1896729A (zh) 2005-07-15 2005-07-15 纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法
PCT/CN2006/000107 WO2007009326A1 (en) 2005-07-15 2006-01-23 A self-assembled and bistable quantum wire array of nano-medicine and its preparation process
US12/008,904 US8574570B2 (en) 2005-07-15 2008-01-15 Bi-stable quantum wire array of self-assembled nanomedicine and the preparation method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2005100277956A CN1896729A (zh) 2005-07-15 2005-07-15 纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201110023002 Division CN102172323B (zh) 2005-07-15 2005-07-15 纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1896729A true CN1896729A (zh) 2007-01-17

Family

ID=37609292

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005100277956A Pending CN1896729A (zh) 2005-07-15 2005-07-15 纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8574570B2 (zh)
CN (1) CN1896729A (zh)
WO (1) WO2007009326A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113429552A (zh) * 2021-07-02 2021-09-24 香港中文大学(深圳) 分子量子比特、分子量子比特纳米粒子及其制备方法和量子计算机

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AR070025A1 (es) 2007-09-12 2010-03-10 Merz Pharma Gmbh & Co Kgaa Uso de derivados de 1-amino-alquilciclohexano para el tratamiento del tinnitus coclear y composicion farmaceutica
CN107954505A (zh) * 2017-12-22 2018-04-24 钟楚田 一种纳米量子靶饮水装置与应用

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5475341A (en) * 1992-06-01 1995-12-12 Yale University Sub-nanoscale electronic systems and devices
CN1049115C (zh) * 1993-01-01 2000-02-09 上海医科大学 防御心肺脑低氧损害的复方制剂
US6060327A (en) * 1997-05-14 2000-05-09 Keensense, Inc. Molecular wire injection sensors
DE19852543B4 (de) * 1998-11-11 2005-06-09 Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V. Verfahren zur Herstellung von Nanometer-Strukturen, insbesondere für Bauelemente der Nanoelektronik
JP4660700B2 (ja) * 2001-09-03 2011-03-30 独立行政法人産業技術総合研究所 有機分子自己組織化膜のパターン形成方法
US20060292081A1 (en) * 2003-09-15 2006-12-28 Vectura Limited Methods for preparing pharmaceutical compositions
CN100438912C (zh) 2004-12-31 2008-12-03 复旦大学附属中山医院 自组装发光导电纳米药物晶体和超薄膜及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113429552A (zh) * 2021-07-02 2021-09-24 香港中文大学(深圳) 分子量子比特、分子量子比特纳米粒子及其制备方法和量子计算机
CN113429552B (zh) * 2021-07-02 2022-10-25 香港中文大学(深圳) 分子量子比特、分子量子比特纳米粒子及其制备方法和量子计算机

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007009326A1 (en) 2007-01-25
US8574570B2 (en) 2013-11-05
US20080166333A1 (en) 2008-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zhang et al. Muscle-mimetic synergistic covalent and supramolecular polymers: phototriggered formation leads to mechanical performance boost
Kong et al. 3D printed quantum dot light-emitting diodes
Wen et al. Homochiral evolution in self-assembled chiral polymers and block copolymers
Wang et al. On the α→ β transition of carbon-coated highly oriented PVDF ultrathin film induced by melt recrystallization
Kuzuya et al. Six-helix and eight-helix DNA nanotubes assembled from half-tubes
Williams et al. Mimic of the green fluorescent protein β-barrel: photophysics and dynamics of confined chromophores defined by a rigid porous scaffold
Ahmed et al. Self-assembly of vertically aligned nanorod supercrystals using highly oriented pyrolytic graphite
CN1732014A (zh) 模板天然丝近晶状凝胶
Hu et al. Randomly oriented ZnO nanorods as advanced substrate for high-performance protein microarrays
Xu et al. Amine surface modifications and fluorescent labeling of thermally stabilized mesoporous silicon nanoparticles
CN1896729A (zh) 纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法
Yang et al. Direct observation of enantiospecific substitution in a two-dimensional chiral phase transition
Prateek et al. Poly (vinylpyrrolidone)/Poly (vinylidene fluoride) as guest/host polymer blends: understanding the role of compositional transformation on nanoscale dielectric behavior through a simple solution–process route
CN1285650C (zh) 聚合物/碳纳米管复合梯度膜的制备方法
CN101035861A (zh) 芳香族聚碳酸酯树脂组合物、该树脂组合物的制备方法以及该树脂组合物的成型体
CN1876293A (zh) 纳米银胶体溶液及其制备方法
CN1881643A (zh) 功能分子元件,功能分子元件的制造方法以及功能分子器件
Panzer et al. Nanoscale morphology revealed at the interface between colloidal quantum dots and organic semiconductor films
JP2014511551A (ja) 金属ナノ構造を基にした透明な導体の仕事関数を調整する方法
Meng et al. Self-precipitation of highly purified red emitting carbon dots as red phosphors
Feng et al. Nanoscale templating of close-packed C60 nanowires
Zhang et al. Nanofiber architecture engineering implemented by electrophoretic-induced self-assembly deposition technology for flash-type memristors
Penconek et al. Soy Protein Nanofibers Obtained by Solution Blow Spinning
Chaunchaiyakul et al. Self-assembly formation of M-type enantiomer of 2, 13-bis (hydroxymethyl)[7]-thiaheterohelicene molecules on Au (111) surface investigated by STM/CITS
CN1903826A (zh) 单体及应用其制造液晶显示面板的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Open date: 20070117