CN1871127A - 基片的结构特征及其形成方法 - Google Patents
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Abstract
提出的实施例涉及基片(300)的特征(400)和形成基片的方法。一示例性实施例包括支承覆盖层的基片(300)。该实施例还包括在基片(300)形成至少一个特征(400)，特征(400)至少通过第一基片去除工艺和不同的第二基片去除工艺形成。
Description
背景技术
微电机系统装置，如流体喷射装置，在各种容量下使用，包括打印墨盒。许多微电机系统装置使用带有各种结构特征的基片。这些特征包括封闭的特征和开放的特征。形成特征可通过许多适合的基片去除技术。许多基片去除技术的缺点是在基片的结构特征附近形成碎屑和/或形成基片材料易于开裂的区域。因此，存在改进特征形成技术的需求。
附图说明
全部附图中相同的数字可代表类似的特征和部件。字母后缀用来表示不同的实施例。
图1显示了根据一个示例性实施例的示例性打印机的正面示意图；
图2显示根据一个示例性实施例的打印墨盒的示意性透视图，该墨盒适用于图1所示的示例性打印机；
图3显示了图2所示的根据一个示例性实施例的打印墨盒的部分侧视截面示意图；
图4a到图4h显示了根据一个实施例的形成示例性带槽基片的工艺步骤的示意图；
图5和图5a显示了根据一个实施例的形成示例性带槽基片的工艺步骤的示意图；
图6到图6b显示了根据一个实施例的形成示例性带槽基片的工艺步骤的示意图；
图7到图7d显示了根据一个实施例的形成示例性带槽基片的工艺步骤的示意图；
图8a到图8c显示了根据一个实施例的形成示例性带槽基片的工艺步骤的示意图；
图9a和图9b显示了根据一个实施例的在基片形成示例性封闭特征的工艺步骤的示意图。
具体实施方式
下面介绍的实施例涉及在基片上形成特征的方法和系统。下面提供了多个实施例，其中的特征包括流体运送槽。这些技术可同样应用于基片形成的其他类型特征。
可通过组合两个或更多的选择性去除基片材料的生产技术，于基片上形成槽。适合的生产技术主要包括蚀刻，激光加工，磨粒喷射加工，锯割，打孔和/或这些技术的组合，以及其他技术。
在一些实施例，第一生产技术用来形成槽部分，至少一个不同的第二生产技术用来去除另外的基片材料，形成不容易开裂的希望的槽结构。
在一些实施例，第二生产技术，其在某些情况下是最终去除技术，可清除作为第一或前面的去除工艺副产物的碎屑。碎屑可包括各种材料，如基片去除工艺加工的基片材料和/或加工的基片材料保持在基片上的副产物。
带槽的基片可结合于流体喷射系统，如墨水喷射打印墨盒和/或各种微机电系统(MEMS)装置，以及其他用途。下面介绍的各种部件未按比例显示。所包括的特征是示意性的，目的是向读者显示文中介绍的各发明原理。
示例性打印装置
图1显示了示例性打印装置的示意图，打印装置可使用示例性打印墨盒。在这个实施例中，打印装置包括打印机100。所显示的打印机是喷墨打印机。打印机100能够打印黑白和/或彩色。“打印装置”是指任何类型的打印装置和/或图像形成装置，其使用带槽基片来实现至少其部分功能。这种打印装置的示例可包括但不限于，打印机、传真机和复印机。在示例性打印装置中，带槽的基片包括部分的打印头，其结合于打印墨盒，下面将介绍墨盒的示例。
在打印台上方，具有特征的示例性基片可结合到各种MEMS装置。MEMS装置可包括流体喷射装置，其应用于医药和实验室及其他方面。示例性的基片还可用于各种场合。例如显示装置可包括在玻璃基片上形成的特征，以形成可见的图像。
示例性产品和方法
图2显示了示例性打印墨盒202的示意图，其可用于示例性打印装置。打印墨盒包括打印头204和墨盒主体206，其支承打印头。尽管该打印墨盒202上只有一个打印头204，但其他示例性的结构也可采用，在单个墨盒上设置多个打印头。
打印墨盒202设置成墨盒主体206内具有自含的流体或墨水。也可以设置其他的打印墨盒结构，以容纳来自外部源的流体。所属领域的技术人员知道其他的示例性结构。
对于打印机100的特有功能，希望打印墨盒20具有可靠性。此外，打印墨盒在制造过程的损坏增加了生产成本。打印墨盒损坏可因打印墨盒部件损坏导致。这些部件损坏可因开裂造成。下面介绍的各个实施例可使打印头具有降低的开裂倾向。
打印墨盒的可靠性还受到污染的影响，污染干扰或阻碍适当的流体(墨水)流动。一污染源是开槽过程中形成的碎屑。下面介绍的各实施例可使打印头减少由于墨水流动不畅造成损坏的发生率。
图3显示了沿图2的剖面3-3的示例性打印头204部分的侧视截面示意图。图3的视图横向于流体输送槽(下面介绍)的x轴，轴线延伸进出图3所在的页面。基片300具有在第一基片表面(第一表面)302和第二基片表面(第二表面)303之间的厚度t。如下面将更详细的介绍，基片300在加工和操作过程的受力可集中在第一表面302附近的基片材料或其周围。一些介绍的实施例可减少在基片材料的特定区域的应力集中，主要是第一表面302附近的基片材料以及其周围的应力集中。
在此实施例中，槽305在第一和第二表面302，303之间通过基片300。如下面将进行的更详细介绍，一些槽形成技术的缺点是在形成槽305的基片材料上产生碎屑和/或在第一和第二表面302，303上产生碎屑。这些碎屑可被流体带到完成的打印头，使得性能下降。一些介绍的实施例可清除这些碎屑。
在特定实施例中，基片300的材料包括硅，硅可进行掺杂，也可不掺杂。其他的基片材料可包括但不限于，砷化镓，磷化镓，磷化铟，玻璃，石英或其他材料。
基片厚度t可具有任何适当的尺寸，以适合所需的用途。在某些实施例，基片厚度t的范围在小于100微米到大于2000微米。一示例性实施例使用了厚度大约为675微米的基片。尽管文中讨论了一个基片，其他适合的实施例可包括在安装期间和/或完成的产品具有多个元件的基片。例如，一个实施例使用了具有第一元件和第二牺牲元件的基片，第二元件在加工过程的某些点丢弃。
在这个特定实施例中，一个或多个薄膜层314设置在基片的第二表面303上。至少一些实施例中，阻挡层316和孔板或多孔层318设置在薄膜层314上。
在某个实施例中，一个或多个薄膜层314可包括一个或多个导电迹线(未显示)和电元件，如电阻320。各电阻可选择性地通过导电迹线进行控制。薄膜层314还可在某些实施例，至少一部分实施例中，形成多个流体运送通道322的壁或表面，流体可通过这些通道。薄膜层314还可包括场或热氧化层。阻挡层316可至少部分形成多个启动腔324。在某些实施例中，流体运送通道322可只在阻挡层316形成，或在结合薄膜层314的阻挡层形成。多孔层318可形成多个启动喷嘴326。各启动喷嘴可分别与各启动腔324对准。
阻挡层316和多孔层318可以任何适当的方式形成。在一特定实施情况下，阻挡层316和多孔层318包括厚膜材料，如光成像的聚合物材料。光成像的聚合物材料可以任何适当方式应用。例如，材料可以旋转施加(spun-on)，如所属领域的技术人员都知道的。
在旋转施加后，阻挡层316可形成图案，至少一部分形成希望的特征，如通道和启动腔。在一个实施例中，阻挡层的图案区域可用牺牲材料填充，通过所谓的失蜡工艺。在这个实施例中，多孔层318和阻挡层可包括相同的材料，多孔层可在阻挡层316上形成。在一个这种示例，多孔层材料是旋转施加到阻挡层。多孔层318然后可根据需要图案化，形成在各个腔324上的喷嘴326。该牺牲材料然后可从阻挡层的腔324和通道322清除。
在另一实施例，阻挡层316包括厚膜，多孔层318包括电铸镍或其他适当的金属材料。或者，多孔层可以是聚合物，如“Kapton”或“Oriflex”，带有激光熔化的孔。其他适当的实施例可使用多孔层，以实现阻挡层和多孔层的功能。
在操作中，流体如墨水可从图2所示的打印墨盒主体进入槽305。流体然后可流过各通道322，进入各腔室324。当电流通过各电阻320时，流体可从各腔室喷出。电流对电阻充分加热，对容纳于启动腔的流体加热到其沸点，使得其膨胀从特别定位的喷嘴326喷出一部分流体。喷出的流体然后被来自通道322的其他流体更换。
图4a到图4h示意性地显示了形成示例性带槽基片的工艺步骤，并显示了基片300a的侧视截面图。更具体地，图4a到4d显示了第一示例性的基片去除工艺或技术。图4e到4h显示了另一示例性基片去除工艺，其与第一去除工艺结合可形成带槽的基片。
图4a和4b显示了使用第一基片去除技术在基片300a上形成的特征400。图4a显示了沿x轴的视图，图4b显示了横向于x轴的视图。各种适当的基片去除技术可包括第一去除技术。例如，可采用蚀刻、激光加工、机械研磨，如锯割，打孔和研磨砂加工。
蚀刻包括各向异性蚀刻和/或各向同性蚀刻，或其组合。在一个适当实施例中，蚀刻可包括交变作用的蚀刻和进行钝化，在基片上实现希望的蚀刻形状。锯割可使用圆形锯来机械去除基片材料，形成槽。在一些实施情况，锯割包括绕旋转轴线转动圆形锯片，轴线一般平行于第一基片表面。钻孔通过绕旋转轴线转动钻具以机械方式去除基片材料，旋转轴线通常正交于第一表面。
在图4a所示的实施例中，激光机402位于基片300a的上方。如图所示，激光机402发射激光束404到基片第一表面302a，去除基片材料在基片300a形成特征400，其具有宽度w，长度l和深度d1。在各种实施例中，宽度w1的范围在小于40微米到大于300微米，一个实施例采用的宽度w1大约在60微米。各种示例性实施例可形成任何希望长度l的特征，一些长度超过1.0英寸。
在此实施例中，激光机402位于第一表面320a之上，激光束404沿足以使激光束404接触第二表面303a之前先接触第一表面302a的方向发射。激光束404逐渐地朝第二表面303a去除406表示的基片材料。为了简化，激光机402和激光束404在图4b中省略。任何适当的可去除基片材料的激光机都可使用。除了其他的变量，适当的激光机可使用气体和/或液体来帮助激光机工作。
图4c和4d分别显示了与图4a和图4b类似的视图。其中的激光束404已经去除了另外的基片材料。特征400a现在通过基片厚度t的大约50％以上。如图所示，特征400a现在具有沿z向的深度d2，其达到了厚度t的大约90％。其他实施例可使用第一去除工艺，到达小于或大于深度d2，而某些实施例去除的深度从小于基片厚度t的5％到基片厚度t的100％。
图4e和图4f显示了不同的第二基片去除技术。在该情况下，第二去除技术包括通过喷嘴410的磨粒喷射加工。其他适当的第二和后续的基片去除技术可包括蚀刻，激光加工，机械研磨，如锯割，打孔和磨砂加工。
磨粒喷射加工朝基片300a以可控方式喷射磨粒412，选择性地去除基片材料。磨粒412去除基片材料，连续形成特征400b。如图所示，磨粒412沿可在接触第二表面303a之前先接触第一表面的方向朝第一表面302a移动。
适合的磨粒可包括硅，碳化硅，熔融氧化铝，熔融褐氧化铝，氧化钛和低温二氧化碳颗粒或小球，以及其他材料。一个适当实施例使用了纯度大约为99％的熔融氧化铝或氧化钛。另一适当实施例可使用包括与大约3.5％氧化钛熔融的大约96％的褐氧化铝的磨粒。可利用适合的磨粒尺寸。例如，1到300微米的磨粒尺寸可用于适当的实施例。某些特定实施例使用大约5微米到大约60微米范围的颗粒，而一些实施例使用8到30微米大小的颗粒。其他适合的颗粒成分和/或结构应当为所属领域的技术人员所知道。
现在参考图4g和4h，磨粒喷射加工已经去除了足够的基片，所以现在特征包括槽305a，其穿过基片的整个厚度t。在这种情况下，磨粒喷射加工还影响了带槽基片的各种性质，下面将参考图5和5a进行更详细的讨论。
图5显示了如图4d所示的第一基片去除工艺后的基片300a的放大图。图5a显示了如图4h所示的第二去除工艺后的基片300a的类似放大图。
图5显示了特征400a的上端部502。在这种情况下，上端部502具有第一形状504，其至少部分由通常正交于第一表面302a的侧壁形成。这这个特定情况下，第一形状504具有两个侧壁506，508，两个侧壁通常正交于第一表面302a。具有正交于第一表面并与第一表面相交的侧壁的基片，因为形成了尖锐点或锐边，很容易由于破裂而损坏。这种基片材料的示例用数字509表示。侧壁506和旁边的第一表面302a形成的尖锐点或锐边可受到高水平的应力。高应力水平可导致出现裂纹，裂纹然后扩展穿过基片300a，导致基片损坏。
图5a显示了具有上端502a的槽305a。在这种情况下，与图5所示的端部相比，上端部502a具有不同的第二形状504a。不同的第二形状504a至少部分由两个侧壁506a，508a形成。侧壁506a，508a分别具有曲线部分510，512，并圆接到第一表面302a。与图5所示的结构相比，这样的结构可减少破裂的发生率。破裂发生率减少的一个原因是第一表面302a的应力扩展到更多的基片材料上。
除了得到希望的槽形状，使用至少两个基片去除工艺形成槽可提高带槽基片的性能，并提高与带槽基片结合的流体喷射装置的质量和可靠性。参考图6到图6b所进行的讨论只显示了一个示例。
图6和图6a显示了槽形成工艺的另一示例。图6显示了类似于图5的基片300b的视图。图6a显示了图6所示基片300b一部分的放大图。在这种情况下，第一基片去除工艺在基片300c形成特征400c。第一基片去除工艺在基片300b留下碎屑602。
碎屑602可防碍元件之间的适当粘接。例如，带槽基片和墨盒主体之间的粘接可受到碎屑的影响。另外，碎屑602可防碍带槽基片集成到功能性的流体喷射装置，如打印头，及其他装置。这种碎屑可至少包括一部分未完全从基片去除的基片材料，和/或重新沉积到基片上的基片材料。碎屑602还可包括去除工艺的副产物，其包括但不限于，物理的和/或化学的化合物，在基片材料和基片去除工艺使用的材料之间形成。碎屑可包括一种化合物，至少部分包括蚀刻剂，如TMAH，提供的成分和包括基片材料的成分。在这种情况下，碎屑602存在于形成特征400c的侧壁506b和第一表面302b。
此外，在这种实施情况下，第一去除工艺还在第一表面302b附近留下很小的基片材料区604，其从相接的基片材料向外延伸进入特征400c。由于应力集中和其他因素，基片材料604可成为裂纹形成处。这样的裂纹形成处可导致带槽基片在加工形成流体喷射装置和/或流体喷射装置的使用寿命期间破裂。
图6b显示了另外的去除基片材料形成槽305b的第二示例性工艺步骤。磨粒喷射机的喷嘴606可喷射研磨材料，如磨粒608，到带槽基片300b。磨粒608可从基片300b研磨掉或清除图6到图6a所示的碎屑602。在某些实施例中，磨粒的成分有助于去除工艺。例如，可使用二氧化碳球，其在基片附近升华，形成快速的体积膨胀，帮助清除碎屑。
此外，在某些实施例中，磨粒608可清除突出的基片材料604，如图6a所示，形成更圆滑的槽形状。更圆滑的槽形状的示例在图6b中显示，其中的壁506b的部分510a现在是曲线的，弯曲到第一表面302b。这样的槽形状可使得开裂发生率减少。
在这个实施例中，磨粒喷射机的喷嘴606通过携带磨粒的压力流体朝基片300b喷出磨粒608。流体使得磨粒运动。流体还通过将碎屑602携带离开基片300b帮助该调整工艺。在这个特定实施例，流体包括空气。其他气体也可用于不同的实施例，输送磨粒608。其他的实施例可使用包括液体的流体推送磨粒到基片。在一个这种实施例中，流体可包括水。在某些实施例中，液体还包括可与基片反应的成分。在一个这样的示例中，TMAH和水溶液可与磨粒一起应用。在另一实施例中，低温液体可用来输送磨粒。在这样的实施例中，低温液体离开喷嘴后快速膨胀，施加动能到磨粒。适当的低温液体可包括但不限于，二氧化碳(CO2)，氮气(N2)，氧气(O2)和氦气(He)。
某些实施例可在去除过程中改变流体和/或颗粒的成分和/或输送性质。例如，在一个实施情况下，磨粒通过具有第一压力的TMAH和水溶液进行输送。然后磨粒通过第二低压下的压力水溶液进行输送。第一压力将基片材料快速去除，第二输送压力清理槽和清除残余的蚀刻材料和/或碎屑。
能够使用两种或多种不同基片去除工艺的能力在某些情况下具有其他的优点。例如，可基于希望的特性如快速基片去除速度，采用第一基片去除技术。选择第二去除工艺可根据其独有的希望特性来进行选择，这些特性可能或不与第一基片去除工艺的特性相同。在一个这样的实施例，其中根据快速基片去除来选择第一工艺，选择第二工艺可根据精确可控地基片去除并使槽具有希望的形状。这样的第二工艺可减少去除期间损坏位于基片的不同层。
图7到7d显示了另一示例性的槽形成过程。这些附图与图4a所显示的类似。在图7到7b所显示的实施过程中，圆形切割锯片702用于第一去除工艺。锯片702绕轴704旋转，轴延伸进出图所在的页面，与y轴对应。在加工过程中，基片的第二表面303c位于固定结构706上。
圆形锯片能够沿顺时针或逆时针方向绕旋转轴转动。其他适当的实施例可沿一个方向旋转，和反向沿另一方向或组合的方向旋转。适合的锯片可具有包括金刚砂磨粒或其他适合材料的刃部。适合的圆形锯片可从Disco和KNS或其他公司得到。示例性的锯片的直径范围可从小于约1/4英寸到大于2英寸。一特定实施例使用具有大约1/2英寸直径的锯片。
锯片702可朝基片300c沿y轴下降，接触第一表面302c和去除或切割基片材料。其他实施例还可沿x轴在基片300c上移动锯片702，去除另外的基片材料。
在这个特定实施例中，锯片702整个通过基片厚度t部分，厚度在第一表面302c和第二表面303c之间形成。其他实施例锯片通过的长度可小于基片厚度t。
图7b显示了锯片从基片移开后的切割结果。切割形成了特征400d，在这个实施例其包括槽。特征400d具有第一形状，当沿x轴，在这种情况下其是最长的轴，观看时可看到。在这个实施例中，第一形状至少部分受到两个端壁708和710的限定，各端壁沿其长度是弯曲的。第一形状至少部分由基片材料712，714形成，在第二表面303c和各端壁708，710之间形成锐角。图中锐角分别用a和b表示。形成第一槽形状的基片材料712，714可承受应力集中作用，产生开裂。
图7c显示了第二基片去除工艺。在这个实施例中，第二基片去除工艺包括激光加工。激光束404a沿允许激光束在接触303c前与第一表面302c接触的方向照射到第一表面302c。通过沿这样的方向引导激光束404a，基片300c无需在加工期间重新定位。
某些前面介绍的技术要求重新定位基片300c的步骤，使得第一表面302c面对基体设置，第二表面303c暴露进行加工。引导两个去除工艺到基片的第一表面的实施例可减少加工成本，因为，基片不必因第二去除工艺而重新定位。
图7d显示了第一和第二去除工艺去除基片材料形成的槽305c，其具有基片300c上的希望结构。与图7b相比，槽305c具有不同的第二形状。在这种情况下，第二形状包括两个端壁708a，710a。各端壁708a，710a分别具有与第二表面303c相交的部分712a，714a，所形成的角度大约为90°或更大。角度一般用c，d来表示。与图7b所示的第一形状相比，这样的端壁结构可减少开裂的发生率。
图8a到图8c显示了另一示例性的去除工艺。图8a到8c显示了横向于x轴的截面图，其与图4b类似。图8a显示了在第二表面303d形成的特征400d。特征400d可用适合的去除技术形成。在这个实施例中，特征400d包括较浅的在第二表面303d上蚀刻处的特征。在第二表面形成特征400d可提供与第一表面的特征的精确对准。
图8b显示了在第一表面302d形成的特征400e。可采用任何适当的基片去除技术来形成特征400e。在这个实施例中，特征400e由激光加工形成。在这个实施例中，特征400e延伸穿过基片的大部分厚度t，激光加工可提供较快速的基片去除速度。
图8c显示了另外的通过第一表面302d去除基片材料，并与特征400d相交，形成穿过基片300d的槽305d。可采用任何适合的基片去除技术。在这个实施例中，使用了蚀刻。蚀刻可去除激光加工过程留下的碎屑，使槽的形状平滑，减少基片开裂的可能性。该实施例使用了三个不同的去除工艺，以在基片形成槽。上面介绍了使用两个不同去除工艺的实施例。其他适合的实施例可使用比所显示的三个更多的去除工艺。某些实施例在去除工艺之间可施加材料，如通过沉积。尽管显示了槽，希望该槽可代表可实现的各种特征形状。上面介绍的实施例产生了穿通的特征，其通过整个基片的厚度。图9a和9b显示了如何应用和形成封闭特征的示例性工艺。
图9a和9b显示了另一示例性实施例。该实施例在基片300e形成封闭的特征。这种工艺可用于许多应用场合。一个这种应用涉及在玻璃基片形成封闭特征，用于显示装置。
图9a用第一基片去除工艺在第一表面302e形成特征400f。
图9b用不同的第二基片去除工艺去除另外的基片材料，产生特征400g。在某些实施例中，第二基片去除工艺可清除第一基片去除工艺产生的碎屑。另外，第二基片去除工艺可改变特征形状和/或特征尺寸。在这个特定实施例中，特征400g具有比特征400f(w2)更大的宽度w3，并具有比特征400f的d3更大的深度d4。
上面介绍了在基片形成特征的各种代表性的第一和第二基片去除技术。其他适合的实施例可采用其他去除技术来形成特征。
所介绍的实施例可形成带槽基片。可使用两种或更多种生产技术在基片上形成槽，选择去除基片材料形成希望的槽结构。一些生产技术还可调整基片，减少基片在加工和/或使用期间出现破裂的发生率。
尽管特定的结构特征和方法步骤进行了介绍，应当知道，在所附权利要求限定的发明概念不必限于所介绍的特定特征或步骤。所介绍的特定特征和步骤只是实现本发明概念的某种形式。
Claims (10)
1.一种方法，包括：
首先用第一工艺从基片(300)去除基片材料，形成沿轴线延伸到所述基片(300)并位于基片(300)的特征(400)，其中所述特征(400)的横向于轴线的截面设有第一基片表面(302)附近的上终端(502)，所述上终端(502)具有第一形状(504)；和
其次用不同的第二工艺去除另外的基片材料，足以使得所述上终端(502)具有第二形状(504a)，第二形状不同于第一形状(504)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二去除形成了特征(400)，其包括在第一表面(302)和通常是相对的第二表面(303)之间延伸的流体运送槽(305)。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一去除形成第一形状(504)，其由通常正交于第一表面(302)的侧壁(506，508)构成，其中所述第二去除形成第二形状(504a)，其至少部分由圆接到第一表面的至少一个侧壁部分(510)构成。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一去除包括引导激光束(404)，沿能够在接触相对的第二表面(303)之前接触所述第一表面(302)的方向，到达所述第一表面(302)，其中所述第二去除包括引导磨粒(412)，沿能够在接触所述第二表面(303)之前接触所述第一表面(302)的方向，到达所述第一表面(302)。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引导磨粒(412)还包括清除所述引导激光束(404)形成的碎屑(602)，使得所述第一表面(302)的一部分达到要求。
6.一种根据权利要求1的方法制成的打印墨盒(202)。
7.一种流体喷射机构，包括：
基片(300)，至少包括第一基片表面(302)和第二基片表面(303)，由至少两个基片去除工艺形成的流体运送槽(305)，其延伸通过第一基片表面(302)和第二基片表面(303)之间的基片(300)；和
多孔层(318)，位于第一基片表面(302)上，多孔层(318)上形成多个启动喷嘴(326)，至少一些启动喷嘴(326)与流体运送槽(305)有流体连通关系，其中第一基片表面(302)和第二基片表面(303)中至少一个，在所述多孔层(318)设置于所述第一基片表面(302)之前，由至少一个去除工艺进行机械清理，至少部分减少碎屑(602)堵塞流过各喷嘴(326)的墨水的发生率。
8.根据权利要求7所述的流体喷射装置，其特征在于，所述流体运送槽(305)利用三个不同的基片去除工艺来形成。
9.根据权利要求7所述的流体喷射装置，其特征在于，形成所述流体运送槽(305)利用了引导到第一基片表面(302)的至少一个基片去除工艺，和引导到第二基片表面(303)的至少两个不同的基片去除工艺。
10.一种打印墨盒(202)，至少部分包括权利要求7所述的流体喷射机构。
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