CN1862845A - 发光元件安装框架和发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种发光元件安装框和发光装置。在本发明的发光装置中，银合金层(1a、2a、13)形成于其上安装发光元件(4)的框架(1、2、3)的表面的至少一部分上。因为该结构，可以提供具有改善的抗蚀性等和将发射自发光元件的光高效地提取到外部的发光元件安装框架和发光装置。

Description

发光元件安装框架和发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光元件安装框架和发光装置。更具体而言，本发明涉及一种发光元件安装框架和发光装置，其具有高可靠性和将光提取到外部的高的效率。
背景技术
图12显示了一种发光装置，其具有安装于表面安装型框架上的发光元件。参考图12，发光装置102包括具有与外部电接触的封装电极101，且封装电极101用比如银或金的贵金属镀覆。在一个封装电极101上，发光元件103通过使用Ag膏来粘结(见日本专利公开No.09-298314)。作为使用不同于上述的表面安装型的类型的发光元件安装框架的引线框架的发光装置的示例，公知一种发光装置，其具有设置于镀银的铜引线框架的尖端的杯体，其上管芯键合有LED芯片(见日本专利公开No.10-247750)。另外，使用溅射作为形成Ag合金膜的方法在日本专利公开No.2005-029849中披露。
在使用表面安装型框架或上述的引线框架的发光装置中，仍存在改善将从发光元件发射的光提取到外部的效率的余地。还期望进一步的可靠性的改善，比如抗蚀性。对于通过溅射形成Ag合金膜，考虑到LED安装框架和发光装置必须被大规模生产，溅射不适于大规模生产，且当Ag合金膜要形成得厚时，所需的时间过长。
发明内容
为了解决上述的问题，本发明的目的是提供一种发光元件安装框架和发光装置，其具有将从发光元件发射的光提取到外部的出色的效率且具有改善的抗蚀性等。
本发明提供了一种发光元件安装框架，其具有形成于框架表面的至少一部分上的银(Ag)合金层。通过该结构，可以永久地保持从发光元件安装框架提取光的高效率。安装发光元件的框架可以几乎完全被银合金层覆盖。
另外，上述的Ag合金层可以包括Ag-Nd合金、Ag-Nd-Cu合金、Ag-Pd合金、Ag-Pd-Cu合金、Ag-Bi合金和Ag-Nd-Au合金。通过该结构，可以改善抗蚀性、抗热性和抗团聚性。
Ag合金层可以通过气相沉积、镀覆或电阻加热形成，且优选通过镀覆形成层。当通过镀覆形成Ag合金层时，与通过溅射形成层相比，形成Ag合金层所需的时间可以被减小。因此，在制造必须大规模生产的LED安装框架和发光装置时，优选采用镀覆。
上述的框架可以是包括设置来围绕发光元件的杯体部分的引线框架，且Ag合金层可以形成于引线框架的至少一部分上。通过该结构，可以实现高度可靠的引线框架，因为引线框架的表面即使在暴露于含腐蚀性气体等的气氛下也不恶化。
Ag合金层可以形成于面对发光元件的杯体部分的内表面上。因为如此的配置，可以避免引线框架的杯体内的反射率的减小，且因此，可以改善将光提取到外部的效率。
或者，Ag合金层可以形成于杯体部分的侧表面上。于是，在引线框架中，从发光元件发射到侧表面的光可以被有效地向上反射。
或者，Ag合金层可以形成于杯体的底部上。于是，可以增加发光元件和引线框架的粘结强度。
或者，Ag合金层可以形成于引线框架接触树脂的部分上。即使当树脂中所含的水汽等与Ag合金层接触，Ag合金层也不恶化，且因此可以提供电气和光学特性优异的引线框架。
另外，Ag合金层可以形成于将引线键合引线框架的区域上。这进一步改善了引线框架和发光元件的粘结，且因此改善了发光装置的可靠性。
另外，框架可以是一种表面安装型框架，其包括其上安装发光元件的部分、电极端子和设置来围绕发光元件的杯体部分，且Ag合金层可以形成于其上安装发光元件的部分、电极端子和设置来围绕发光元件的杯体部分的任何处。在其上安装发光元件的部分、电极端子和设置来围绕发光元件的杯体部分的至少一部分的表面由Ag合金层形成，即使当其与环氧树脂等中的水汽等接触时，也可以避免在那部分的恶化，且因此可以保证将光提取到外部的好的效率(光特性)和好的电特性之一或两者。
Ag合金层可以形成于面对表面安装型框架的发光元件的杯体部分的内侧上。这避免了杯体部分中的恶化，且可以提供具有好的电和光学特性的发光装置。
或者，Ag合金层可以形成于树脂接触表面安装型框架的杯体部分的部分上。因为该结构，所以即使当树脂的水汽等与Ag合金层接触时，也不会发生恶化，且可以提供用于发光元件的好的框架。
或者，Ag合金层可以形成于磷光体接触表面安装型框架的杯体部分的部分上。因为该结构，所以即使当磷光体的成分接触，接触的部分也由Ag合金层形成，且可以提供用于发光元件的好的框架。
另外，Ag合金层可以形成于将引线键合到表面安装型框架的电极端子的区域上。因为该结构，可以避免将引线键合电极端子的区域的恶化，且因此，可以提供用于发光元件的好的框架。
本发明使用任何一种上述发光元件安装框架提供了一种发光装置，其中用于在框架上固定发光元件的导电粘结剂包含Ag作为主要成分，且还至少包含Nd。虽然公知Ag膏变黑，但是可以避免Ag膏的团聚，且可以改善发光元件和框架之间的粘结。
本发明使用任何一种上述发光元件安装框架提供了一种发光装置，其中用于固定发光元件的导电粘结剂可以为形成于其表面上的Ag合金层的Ag膏。该结构防止Ag膏的恶化。
在使用任何一种上述发光元件安装框架的发光装置中，发光元件可以在每一个表面具有至少一条引线。因此，即使在具有两条引线的结构中，比如其中光也发射到衬底侧的氮化物型发光元件的情形，Ag合金层覆盖引线框架型中的杯体部分，且覆盖表面安装型框架的内部，从而可以避免杯体部分内的恶化。
另外，发光元件可以是红外到紫外的发光二极管。Ag合金层对于来自范围从红外到紫外的发光二极管的光具有高反射率，因此可以改善将光提取到外部的效率。
发光元件可以包括红、绿和蓝LED的三个芯片、蓝LED的一个芯片和紫外LED的一个芯片。Ag合金层表现对于上述的LED的高反射率，因此期望红外、红、绿、蓝和紫外的至少一个芯片作为发光元件安装。
在本发明中，Ag合金层形成于表面安装型框架和具有其中安装有发光元件的杯形状的杯体部分的引线框架的至少一个的表面上。因此，改善了将来自发光层的光提取到外部的效率，且增加了发光装置的光输出。另外，因为改善了与芯片的粘结，可以实现高度可靠的发光装置。另外，因为Ag合金层形成于表面安装型框架的一部分上和具有杯体形状的杯体部分的引线框架上，可以避免框架的恶化，且可以实现永久可靠的发光装置。
当结合附图时，本发明的以上和其他目的、特征和优点将从以下的详细说明变得更加显见。
附图说明
图1是根据本发明的实施例1的发光装置的示意性剖面图。
图2是根据本发明的实施例2的发光装置的示意性剖面图。
图3是根据本发明的实施例3的发光装置的示意性剖面图。
图4是根据本发明的实施例4的发光装置的示意性剖面图。
图5是根据本发明的实施例5的发光装置的示意性剖面图。
图6是根据本发明的实施例6的发光装置的示意性剖面图。
图7是根据本发明的实施例7的发光装置的示意性剖面图。
图8是根据本发明的实施例8的发光装置的示意性剖面图。
图9是根据本发明的实施例9的发光装置的示意性剖面图。
图10是根据本发明的实施例10的发光装置的示意性剖面图。
图11是根据本发明的实施例11的发光装置的示意性剖面图。
图12是常规的发光装置的示意性剖面图。
具体实施方式
现将参考附图在以下说明本发明的具体实施例。注意的是，当银合金层形成于比如内引线的各种部分上时，由该层覆盖的部分将被称为“本体”，以区分银合金层和由银合金层覆盖的部分。当没有形成银合金层时，例如当形成银层时，每个部分的本体和表面层将不从彼此区分。因此，在该情形，没有使用术语“本体”，且如果形成了银合金层之外的层，将不给出表面层的说明，除非特别指定，且在图中也不显示表面层。
实施例1
图1是根据本发明的实施例1的发光装置的示意性剖面图，其包括具有于其上形成的Ag-Nd(0.7at％)层的铜引线框架1、2和3。根据本实施例的发光装置10包括发光元件4、具有形成于内引线本体1b上的银合金层1a的内引线1、具有形成于安装引线本体2b上的银合金层2a的安装引线、和围绕发光元件4的杯体部分3，杯体部分3具有形成于杯体部分本体23上的银合金层13。在杯体部分3的底部，使用Ag膏(未显示)安装了发光元件4。这里，形成于这些部分的表面上的银合金是Ag-Nd(0.7at％)，且其厚度为100nm。Ag-Nd(0.7at％)层通过镀覆形成。
在发光元件4上，形成了n型和p型焊垫电极7、8，其用金键合引线5和6结合，来获得到外部的电导通。然后，模制构件31形成为凸透镜的形状，来覆盖用于安装发光元件4并具有形成于其上的银合金层13的杯体部分3、内引线1和安装引线2。作为模制构件，使用了环氧树脂。虽然不必须，模制构件如需要可以包含磷光体，例如当期望白色时。另外，磷光体还可以设置于杯体部分内和模制构件外。如此的磷光体不总是需要的。作为键合引线5和6，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。作为用于金引线的银合金层，可以使用Ag-Nd(0.7at％)。
在上述的发光装置10中，Ag-Nd(0.7at％)层形成于铜引线框架1、2和3的表面上，因此引线框架的表面没有腐蚀。因此，可以实现具有高光输出和高可靠性的发光装置，从该发光装置可以有效地将光提取到外部。
实施例2
图2是根据本发明的实施例2包括镀银的铜引线框架的发光装置的示意性剖面图。根据本实施例的发光装置10包括发光元件4、内引线1、安装引线2、和用于安装发光元件4的杯体部分3。在杯体部分3的底部，使用Ag膏(未显示)安装了发光元件4。这里，Ag合金层13a形成于杯体部分3的侧表面上。银合金13a是Ag-Nd(0.25at％)，且其厚度为150nm。Ag-Nd(0.25at％)层通过镀覆形成。
在发光元件4上，形成了n型和p型焊垫电极7、8，其用金键合引线5和6结合，来获得到外部的电导通。然后，模制构件31形成为凸透镜的形状，来覆盖用于安装发光元件4的杯体部分3、内引线1和安装引线2。作为模制构件，使用了环氧树脂。作为键合引线5和6，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。
在根据本实施例的发光装置10中，来自发光元件4的光以高反射率从杯体部分3的侧表面上的合金层13a反射，由此可以高效地将光提取到外部并获得高光输出。即使当作为模制构件31的环氧树脂等应与杯体部分3的侧表面上的银合金层13a接触时，腐蚀也不在作为上述的反射层的Ag-Nd(0.25at％)层处发生，因此反射率不降低。于是，可以永久地以高效将光提取到外部，且获得高光输出。
实施例3
图3是根据本发明的实施例3包括镀银的铜引线框架的发光装置的示意性剖面图。根据本实施例的发光装置10包括发光元件4、内引线1、安装引线2、和用于安装发光元件4的杯体部分3。这里，银合金层13a形成于杯体部分3的侧表面上。且银合金层13b形成于杯体部分3的底部。作为银合金层13a和13b，使用了Ag-Nd(1.0at％)，且其厚度为200nm。在用于安装的杯体部分3的底部32，使用Ag膏安装了发光元件4。Ag-Nd(1.0at％)层通过镀覆形成。
在发光元件4上，形成了n型和p型焊垫电极7、8，其用金键合引线5和6结合，来获得到外部的电导通。然后，模制构件31形成为凸透镜的形状，来覆盖用于安装发光元件4的杯体部分3、内引线1和安装引线2。作为模制构件，使用了环氧树脂。作为键合引线5和6，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。
在根据本实施例的发光装置10中，来自发光元件4的光以高反射率从杯体部分3的侧表面上的银合金层13a和底表面的银合金层13b反射，由此可以高效地将光提取到外部并获得高光输出。即使当作为模制构件31的环氧树脂等应与杯体部分3的侧表面和杯体部分3的底表面接触时，腐蚀也不在作为反射层的Ag-Nd(1.0at％)层13a、13b处发生，因此反射率不降低。于是，可以永久高效地将光提取到外部，且可以获得比实施例2高的光输出。
实施例4
图4是根据本发明的实施例4包括镀银的铜引线框架的发光装置的示意性剖面图。根据本实施例的发光装置10包括发光元件4、内引线1、安装引线2、和用于安装发光元件4的杯体部分3。这里，银合金层1c和13c形成于连接键合引线5和6的内引线1和安装引线2的部分。作为银合金层1c和13c，使用了Ag-Nd(0.25at％)，且其厚度为100nm。通过镀覆形成了Ag-Nd(0.25at％)。
通过使用Ag膏(未显示)在用于安装的杯体部分3的底部，安装了发光元件4。在发光元件4上，形成了n型和p型焊垫电极7、8，其用金键合引线5和6结合，来获得到外部的电导通。然后，模制构件31形成为凸透镜的形状，来覆盖用于安装发光元件4的杯体部分3、内引线1和安装引线2。作为模制构件，使用了环氧树脂。作为键合引线5和6，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。
因为Ag-Nd(0.25at％)1c和13c形成于内引线1和安装引线2的结合部分，所以结合部分没有腐蚀，且可以进行成功的键合。于是，可以实现具有永久的低驱动电压的发光装置。
实施例5
图5是根据本发明的实施例5包括镀银的铜引线框架的发光装置的示意性剖面图。根据本实施例的发光装置10包括发光元件4、内引线1、安装引线2、和用于安装发光元件4的杯体部分3。这里，银合金层13d设置于杯体部分3的底部。这里，在杯体部分3的底部部分的表面上，将Ag-Nd(0.7at％)-Cu(0.9at％)层13d形成为100nm的厚度。通过镀覆形成了Ag-Nd(0.7at％)-Cu(0.9at％)层13d。
在发光元件4上，形成了n型和p型焊垫电极7、8，其用金键合引线5和6结合，来获得到外部的电导通。在杯体部分3底部的Ag-Nd(0.7at％)-Cu(0.9at％)层13d，使用Ag膏(未显示)安装了发光元件4。然后，模制构件31形成为凸透镜的形状，来覆盖用于安装发光元件4的杯体部分3、内引线1和安装引线2。作为模制构件，使用了环氧树脂。作为键合引线5和6，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。
因为Ag-Nd(0.7at％)-Cu(0.9at％)层13d形成于杯体部分3的底部，所以改善了安装部分的抗蚀性和表面平滑性，且因此可以防止发光元件的剥离或分离。于是，可以实现具有低驱动电压和高可靠性的发光装置。
实施例6
图6是根据本发明的实施例6包括镀银的铜引线框架的发光装置的示意性剖面图。根据本实施例的发光装置10包括发光元件4、内引线1、安装引线2、和用于安装发光元件4的杯体部分3。使用在其表面的具有Ag-Nd(0.7 at％)15的Ag膏将发光元件4安装在杯体部分3的底部。这里，形成于Ag膏表面上的Ag-Nd(0.7at％)层15具有100nm的厚度。通过镀覆形成了Ag-Nd(0.7at％)层15。
在发光元件4上，形成了n型和p型焊垫电极7、8，其用金键合引线5和6结合，来获得到外部的电导通。然后，模制构件31形成为凸透镜的形状，来覆盖用于安装发光元件4的杯体部分3、内引线1和安装引线2，杯体部分3具有形成于其上的银合金层15。作为模制构件，使用了环氧树脂。作为键合引线5和6，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。
当用紫外光到蓝光范围的光长时间照射之后，Ag膏变黑。因为Ag-Nd(0.7at％)层15形成于Ag膏的表面上，所以可以避免变黑，且因此，可以实现没有发光装置的剥离、操作电压的增加或低可靠性的发光元件。
实施例7
图7是根据本发明的实施例7包括具有形成于其表面上的Ag-Nd(0.7at％)层的铜引线框架的发光装置的示意性剖面图。根据本实施例的发光装置10包括发光元件4、内引线1、安装引线2、和用于安装发光元件4的杯体部分3，它们具有形成于其上的银合金层。使用Ag膏将发光元件4安装在用于安装的杯体部分3的底部。这里，形成于表面上的Ag-Nd(0.7at％)层1a、2a和13具有100nm的厚度。通过镀覆形成了Ag-Nd(0.7at％)层。
在发光元件4上，形成了n型焊垫电极8，其用金键合引线5结合，来获得到外部的电导通。模制构件31形成为凸透镜的形状，来覆盖用于安装发光元件4的杯体部分3、内引线1和安装引线2，杯体部分3具有形成于其上的银合金层。作为模制构件，使用了环氧树脂。作为键合引线5，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。
因为Ag-Nd(0.7at％)层1a、2a和13形成于铜引线框架的表面上，所以腐蚀等不在引线框架的表面发生。因此，可以实现具有高光输出和高可靠性的发光装置，可以从该装置将光永久有效地提取到外部。
实施例8
图8是根据本发明的实施例8发光装置的示意性剖面图，其包括表面安装型框架，在该框架中Ag-Bi(0.14at％)层形成于封装电极上和框架的侧表面上。根据本实施例的发光装置10包括正封装电极66、负封装电极55和杯体部分30，正封装电极66具有形成于本体66b的表面上的银合金层66a、负封装电极55具有形成于本体55b的表面上的银合金层55a，而杯体部分30用于安装发光元件4。在框架的侧表面上，形成银合金层34。在杯体部分30的底部使用Ag膏(未显示)在负封装电极55上安装发光元件4。这里，Ag-Bi(0.14at％)层34的厚度为100nm。通过镀覆形成了Ag-Bi(0.14at％)层34。
在发光元件4上，形成了n型焊垫电极7、8，其用金键合引线5和6结合，来获得到外部的电导通。然后，模制构件35形成来覆盖用于安装发光元件4并具有银合金层的杯体部分30。作为模制构件，使用了环氧树脂。作为键合引线5和6，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。
因为Ag-Bi(0.14at％)层66a、55a和34形成于铜电极和杯体部分的表面上，所以这些部分的表面没有腐蚀。因此，可以实现具有高光输出和高可靠性的发光装置，从该装置可以将光永久有效地提取到外部。
实施例9
图9是根据本发明的实施例9的发光装置的示意性剖面图，其包括表面安装型框架，在该框架中Ag-Nd(0.7at％)层形成于框架的侧表面上。根据本实施例的发光装置10包括形成于框架的侧表面上的Ag-Nd(0.7at％)层34、正封装电极66、其上安装发光元件4的负封装电极55、和杯体部分30。发光元件4通过使用Ag膏安装在负封装电极55上。这里，形成于表面上的Ag-Nd(0.7at％)层34的厚度为100nm。通过镀覆形成了Ag-Nd(0.7at％)层34。
在发光元件4上，形成了n型焊垫电极7、8，其用金键合引线5和6结合，来获得到外部的电导通。然后，模制构件35形成来覆盖用于安装发光元件4并具有形成于其上的银合金层34的杯体部分30。作为模制构件，使用了环氧树脂。作为键合引线5和6，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。
在根据本实施例的发光装置10中，光以高反射率在具有形成于其上的Ag-Nd(0.7at％)层34的杯体部分的侧表面处反射，从而可以将光高效地提取到外部，且可以获得高光输出。即使当作为模制构件35的环氧树脂等应与杯体30的侧表面接触时，在上述的作为反射层的Ag-Nd(0.7at％)层34处也不发生腐蚀，且因此反射率不降低。于是，可以将光永久有效地提取到外部，且可以获得高光输出。
实施例10
图10是根据本发明的实施例10的发光装置的示意性剖面图，其包括表面安装型框架，在该框架中Ag-Nd(0.25at％)层形成于安装表面上和正、负封装电极的表面上。根据本实施例的发光装置10包括具有安装表面57、正封装电极66和负封装电极55。在各自的本体57b、66b和55b的表面上，形成了银合金层57a、66a和55a。银合金层57a、66a和55a是Ag-Nd(0.25at％)。使用Ag膏在安装表面57上安装发光元件4。这里，Ag-Nd(0.25at％)层57a、66a和55a的厚度为100nm。通过镀覆形成了Ag-Nd(0.25at％)层57a、66a和55a。
在发光元件4上，形成了n型焊垫电极7、8，其用金键合引线5和6结合，来获得到外部的电导通。然后，模制构件35形成来覆盖安装表面57、其上形成银合金层的正封装电极66和负封装电极55、以及发光元件4。作为模制构件，使用了环氧树脂。作为键合引线5和6，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。
因为形成Ag-Nd(0.25at％)层57a、66a和55a，所以改善了安装部分的抗蚀性和表面平滑度，从而可以避免发光元件的剥离或分离。于是，可以实现具有低驱动电压和高可靠性的发光装置。
实施例11
图11是根据本发明的实施例11的发光装置的示意性剖面图，其包括表面安装型框架，在该框架中Ag-Nd(0.7at％)-Cu(0.9at％)层形成于正和负封装电极的表面上。根据本实施例的发光装置10包括正封装电极66和负封装电极55，并且在各自的本体66b和55b的表面上，形成了Ag-Nd(0.7at％)-Cu(0.9at％)层66a和55a。使用Ag膏(未显示)在其上形成Ag-Nd(0.7at％)-Cu(0.9at％)层55a的负封装电极55上安装发光元件4。这里，形成于各自的本体66b和55b上的Ag-Nd(0.7at％)-Cu(0.9at％)层66a和55a的厚度为100nm。通过镀覆形成了Ag-Nd(0.7at％)-Cu(0.9at％)层66a和55a。
在发光元件4上，形成了n型焊垫电极7，其用金键合引线5结合，来获得到外部的电导通。然后，模制构件35形成来覆盖安装表面57、其上形成银合金层的正封装电极66和负封装电极55、以及发光元件4。作为模制构件，使用了环氧树脂。作为键合引线5，可以使用金引线、或具有形成于其表面上的银合金层的金引线。优选具有形成于表面上的银合金层的金引线。
在根据本实施例的发光装置10中，因为形成Ag-Nd(0.7at％)-Cu(0.9at％)层66a和55a，所以改善了安装部分的抗蚀性和表面平滑度，从而可以避免发光元件的剥离或分离。于是，可以实现具有低驱动电压和高可靠性的发光装置。
在本发明的实施例中，银合金层可以包括Ag-Nd、Ag-Nd-Cu、Ag-Pd、Ag-Pd-Cu、Ag-Bi和Ag-Nd-Au。这些银合金层实现了高反射率、高热导率、对于卤素的高抵抗力、改善的抗蚀性、改善的热阻、改善的抗团聚性和改善的表面平滑度的稳定性。特别优选Ag-Nd、Ag-Bi的Ag合金，因为Ag-Nd改善了反射率、热导率、热阻、抗团聚性和表面平滑度的稳定性，而Ag-Bi改善了反射率、热导率、抗卤素性、抗蚀性。
作为本发明的实施例的模制根据的具体的材料，可以适当地主要使用具有优异抗气候性的玻璃或透明树脂，比如环氧树脂，脲醛树脂或有机硅树脂。作为表面安装型封装的材料，可以使用树脂，比如聚碳酸酯、聚苯硫醚(PPS)、液晶聚合物(LCP)、ABS树脂、环氧树脂、酚醛树脂、丙烯树脂或PBT树脂。
作为本发明的实施例中使用的发光元件，使用了通过MOCVD方法的液相沉积在衬底上形成作为发光层的半导体而制备的一种，所述半导体比如GaAlN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等。作为半导体结构，可以使用具有pn结的双异质结构。根据本发明的半导体层的材料或混晶的比例，可以选择从紫外到红外的各种发射波长。另外，可以配置发光层以具有单量子阱结构或多量子阱结构。
作为高亮度的半导体材料，对于绿和蓝，优选使用氮化镓基化合物半导体。对于红，优选镓/铝/砷基半导体或铝/铟/镓/磷基半导体发光元件。根据发光元件的用途可以使用各种材料。对于全色发射，对于R(红)、G(绿)和B(蓝)的半导体发光元件，应优选地具有对于R(红)的600到700nm、对于G(绿)的495到565nm和对于B(蓝)的430到490nm的发射波长、
无需说的是磷光体可以被包括在本发明的实施例中，举例来说，磷光体可以基于用铈活化的钇/铝氧化物基磷光体，其当由发射自半导体发光元件的光激发时发射光，该半导体发光元件具有氮化物基化合物半导体作为发光层。具体的钇/铝氧化物基磷光体可以包括YAlO3:Ce、Y3Al5O12:Ce、Y4Al2O9:Ce和其混合物。如所述，上述的实施例可以包括具有这样的磷光体的实施例。
虽然已经详细说明和示出了本发明，然而可以清楚地理解这些仅是说明性和示例性的，而不应理解为限制性的，本发明的精神和范围仅由权利要求的条款来限定。

Claims (19)

1、一种发光元件安装框架，具有形成于所述框架表面的至少一部分上的银合金层。
2、根据权利要求1所述的发光元件安装框架，其中所述Ag合金包括Ag-Nd合金、Ag-Nd-Cu合金、Ag-Pd合金、Ag-Pd-Cu合金、Ag-Bi合金和Ag-Nd-Au合金。
3、根据权利要求1所述的发光元件安装框架，其中所述Ag合金层可以通过气相沉积、电阻加热或镀覆来形成。
4、根据权利要求1所述的发光元件安装框架，其中所述框架是包括设置来围绕所述发光元件的杯体部分的引线框架，且所述Ag合金层形成于所述引线框架的至少一部分上。
5、根据权利要求4所述的发光元件安装框架，其中所述Ag合金层形成于面对所述发光元件的所述杯体部分的内表面上。
6、根据权利要求4所述的发光元件安装框架，其中所述Ag合金层形成于所述杯体部分的侧表面上。
7、根据权利要求4所述的发光元件安装框架，其中所述Ag合金层形成于所述杯体的底部上。
8、根据权利要求4所述的发光元件安装框架，其中所述Ag合金层形成于所述引线框架接触树脂的部分上。
9、根据权利要求4所述的发光元件安装框架，其中所述Ag合金层形成于将引线键合所述引线框架的区域上。
10、根据权利要求1所述的框架发光元件安装框架，其中，所述框架是一种表面安装型框架，其包括其上安装所述发光元件的部分、电极端子和设置来围绕所述发光元件的杯体部分，且Ag合金层形成于其上安装所述发光元件的部分、电极端子和设置来围绕所述发光元件的杯体部分的任何处。
11、根据权利要求10所述的框架发光元件安装框架，其中所述Ag合金层形成于面对所述发光元件的所述杯体部分的内侧上。
12、根据权利要求10所述的框架发光元件安装框架，其中所述Ag合金层形成于所述杯体部分与树脂接触的部分上。
13、根据权利要求10所述的框架发光元件安装框架，其中所述Ag合金层形成于所述杯体部分与磷光体接触的部分上。
14、根据权利要求10所述的框架发光元件安装框架，其中所述Ag合金层形成于将引线键合到所述电极端子的区域上。
15、一种发光装置，使用了具有形成于其表面的至少一部分上的银合金层的框架，用于安装发光元件，其中用于在将所述发光元件固定到所述框架上的导电粘结剂包含Ag作为主要成分，且还至少包含Nd。
16、一种发光装置，使用了具有形成于其表面的至少一部分上的银合金层的框架，用于安装发光元件，其中用于固定所述发光元件的导电粘结剂为具有形成于膏表面上的Ag合金层的Ag膏。
17、一种发光装置，使用了具有形成于其表面的至少一部分上的银合金层的框架，用于安装发光元件，其中所述发光元件在每一个表面包括至少一条引线。
18、根据权利要求15到17的任一所述的发光装置，其中所述发光元件是红外到紫外的发光二极管。
19、根据权利要求15到17的任一所述的发光装置，其中所述发光元件包括红、绿和蓝发光二极管的三个芯片、蓝发光二极管的一个芯片和紫外发光二极管的一个芯片。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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