CN1861834A - 屏蔽、应用其的蒸镀装置和显示面板制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光二极管显示面板的制造方法。首先,提供基板,该基板上具有多个像素。接着,提供屏蔽,该屏蔽具有至少一开口。其中,开口的长度约为100微米~2000微米,且开口的宽度约为25微米~75微米。然后,对准屏蔽及基板,使此开口对应于部分的像素。接着,形成发光材料层于此开口所暴露的基板之上。
Description
技术领域
本发明涉及一种屏蔽(shadow mask)、应用其的蒸镀装置和应用其制造有机发光二极管显示面板(organic light emitting diode panel,OLED panel)的方法,且特别是涉及一种可减少屏蔽的开口边缘所沾粘异物刮伤或压伤基板的程度的屏蔽、应用其的蒸镀装置和应用其制造有机发光二极管显示面板的方法。
背景技术
OLED显示面板可以透过电流驱动(current driven)或电压驱动(voltagedriven)的方式而自行发光,不需如液晶显示面板(liquid crystal display panel,LCD panel)一般,须于后方加上背光源。所以,OLED显示面板具有自发光、广视角及可全彩化等优点。其中,OLED显示面板更可被应用于移动电话及个人数字助理(personal digital assistant,PDA)等可移动性电子装置上,成为现今极具潜力的显示面板。
传统的OLED显示面板包括上盖及薄膜晶体管基板,上盖透过框胶(sealant)与薄膜晶体管基板平行对组。薄膜晶体管基板包括数个红色像素、数个蓝色像素、数个绿色像素以及数个有机电致发光元件(organicelectroluminescent device,OELD),这些有机电致发光元件设置于红色像素、绿色像素及蓝色像素内。即,一个像素只有一个有机电致发光元件。每一有机电致发光元件包含阳极、阴极及发光材料层,发光材料层设置于阳极及阴极之间。
传统的OLED蒸镀工艺是以金属屏蔽(shadow mask)将不要镀发光材料层的像素遮住,并使要镀发光材料层的像素露出。并且,一个开口对应于一个露出像素。然而,由于屏蔽的开口边缘于发光材料蒸镀过程中会沾黏异物,或因金属屏蔽表面凹凸不平,在继续透过沾粘有异物的金属屏蔽进行基板的蒸镀工艺时,将会导致金属屏蔽压伤或刮伤基板。严重的话,更会导致像素的有机电致发光元件的阴、阳极产生电性误触的情况,进而造成像素产生暗点现象。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的就是在提供一种屏蔽及应用其的蒸镀装置和应用其制造有机发光二极管显示面板的方法。其屏蔽的一开口对应于基板上至少二个像素的设计,可以在有机发光二极管显示面板的基板透过屏蔽于蒸镀装置中进行蒸镀工艺时,大幅度地减少屏蔽的开口边缘所沾粘的异物刮伤及压伤基板的程度,或因金属屏蔽表面凹凸不平而刮、压伤基板的程度,进而降低像素的有机电致发光元件因被刮伤或压伤后所产生的暗点的机率。
根据本发明的第一目的,提出一种屏蔽,包括至少一开口。其中,开口的长度约为100微米(μm)~2000微米,且开口的宽度约为25微米~75微米。
根据本发明的第二目的,提出一种蒸镀装置,包括蒸镀室、加热元件、夹持元件及屏蔽。加热元件设置于蒸镀室中,用以加热蒸镀源。夹持元件设置于蒸镀室中,用以夹持待蒸镀物。屏蔽设置于加热元件及夹持元件之间,并包括至少一开口。其中,开口的长度约为100微米(μm)~2000微米,且开口的宽度约为25微米~75微米。
根据本发明的第三目的,提出一种有机发光二极管显示面板(organiclight emitting diode panel,OLED panel)的制造方法。首先,提供基板,基板上具有多个像素。接着,提供屏蔽,屏蔽具有至少一开口。其中,开口的长度约为100微米(μm)~2000微米,且开口的宽度约为25微米~75微米。然后,对准屏蔽及基板,使此开口对应于部分的这些像素。接着,形成发光材料层于此开口所暴露的基板之上。
为让本发明的上述目的、特征、和优点能更明显易懂,以下配合附图以及优选实施例,以更详细地说明本发明。
附图说明
图1是依照本发明的实施例一的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。
图2是依照本发明的实施例二的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。
图3是依照本发明的实施例三的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。
图4是依照本发明的实施例四的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。
图5是依照本发明的实施例五的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。
图6是依照本发明的实施例六的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。
图7其是依照本发明的实施例七的蒸镀装置的侧视示意图。
图8是依照本发明的实施例八的有机发光二极管显示面板的制造方法的流程图。
图9是图8的步骤84所对应的工艺流程图。
图10A~10C分别是图9的步骤91、93及95所对应的工艺剖面图。
图11A~11B是图9的步骤92及94所对应的工艺俯视图。
简单符号说明
10、20、30、40、50、60:屏蔽
11、41:基板
12、22、32、62、63:开口
70:蒸镀装置
71:蒸镀室
72:加热元件
73:夹持元件
74:蒸镀源
75:箭头
76:承载元件
101:蓝色发光材料层
102:绿色发光材料层
103:红色发光材料层
L1、L2、L3、L4、L5:开口的长度
W1、W2、W3、W4、W5:开口的宽度
R:红色像素
G:绿色像素
B:蓝色像素
具体实施方式
实施例一
请参照图1,其是依照本发明的实施例一的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。如图1所示,屏蔽10包括至少开口12,于本实施中以四个开口12为例。各开口12的长度L1约为100微米(μm)~2000微米,于本实施例中例如为200微米。宽度W1约为25微米~75微米,于本实施例中例如为25微米。且开口12可等间隔地或不等间隔地由上而下直线式排列成行,并形成开口组的态样。各开口12可为方形、边角不为直角的类方形或是椭圆形。开口12的个数及形状并不仅限于此,其可视实际应用实务而弹性调整且设计。此外,各开口12的大小可相同或不同。另外,屏蔽10可为磁性金属屏蔽,如铁镍合金。再者,屏蔽10可为非磁性金属屏蔽,如不锈钢。又,屏蔽10可为一体成型。
屏蔽10可对应于基板11设置,以供基板11上于蒸镀工艺中形成蒸镀薄膜层,例如是有机发光二极管显示面板中不同颜色的发光材料层。基板11上具有像素阵列,此像素阵列具有多行像素组,如一行红色像素组、一行绿色像素组及一行蓝色像素组。其中,此行红色像素组具有八个等间隔上下排列的红色像素R,此行绿色像素组具有八个等间隔上下排列的绿色像素G,此行蓝色像素组具有八个等间隔上下排列的蓝色像素B。屏蔽10的开口12可对应于同一颜色的像素组,且各开口12可对应于至少二个且至多二十个同一颜色的像素。其中,屏蔽10的各开口12对应于同一行像素组中上下相邻的二个同一颜色的像素。在本实施例中,各开口12对应于同一行蓝色像素组中上下相邻的二个蓝色像素B,以进行蓝色发光材料层形成于蓝色像素B上的蒸镀工艺。接着,通过屏蔽10及基板11的相对移动,例如屏蔽10固定不动而基板11往左移动,或者是基板11固定不动而屏蔽10往右移动,亦可使各开口12对应于同一行像素组中上下相邻的二个绿色像素G,以进行绿色发光材料层形成于绿色像素G上的蒸镀工艺。然后,通过屏蔽10及基板11的相对移动,亦可使各开口12对应于同一行像素组中上下相邻的二个红色像素R,以进行红色发光材料层形成于红色像素R上的蒸镀工艺。
本实施例所属技术领域中的技术人员亦可以明了本实施例的技术并不局限在此。例如,各开口12的大小至少大于二个同一颜色的像素的面积。此外,红色像素R、绿色像素G及蓝色像素B各可具有电极,故红色绿色及蓝色发光材料层即可对应地形成于红色像素R、绿色像素G及蓝色像素B的电极上。另外,屏蔽10除了具有开口12的设计之外,亦可还包括对应于像素的开口,并不需要屏蔽10的各开口都必须要对应于二个像素以上,这是可以依实际需求而弹性设计。
本实施例的屏蔽10的开口12对应于基板11的至少二个像素的设计,可以减少屏蔽10的开口12的数目。因此,在有机发光二极管显示面板的基板11透过屏蔽10进行蒸镀工艺时,由于开口12边缘变少,可以大幅度地减少屏蔽10的开口12边缘所沾粘的异物刮伤或压伤基板11的程度。
实施例二
请参照图2,其是依照本发明的实施例二的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。本实施例的屏蔽20与实施例一的屏蔽10不同之处在于开口的设计。如图2所示,屏蔽20包括至少一个开口,例如包含二个开口12及一个开口22,开口22的长度L2及各开口12的长度L1约为100微米(μm)~2000微米,开口22的宽度W2及各开口12的宽度W1约为25微米~75微米。其中,开口22的大小大于开口12的大小,例如开口22的长度L2大于各开口12的长度L1,开口22的长度L2于本实施例中例如为400微米。开口22的宽度W2等于各开口12的宽度W1,于本实施例中例如皆为25微米。在本实施例中,开口12及22可等间隔地由上而下直线式排列成行,并形成开口组的态样。开口12及22各可为方形、边角不为直角的类方形或是椭圆形。此外,屏蔽20可为磁性金属屏蔽,如铁镍合金。另外,屏蔽20可为非磁性金属屏蔽,如不锈钢。再者,屏蔽20可为一体成型。
屏蔽20可对应于基板11设置,以供基板11上于蒸镀工艺中形成不同颜色的发光材料层。在本实施例中,各开口12对应于相邻的二个蓝色像素B,开口22对应于相邻的四个蓝色像素B,以进行蓝色发光材料层的蒸镀工艺。接着,通过屏蔽20及基板11的相对移动,亦可依序进行绿色发光材料层形成于绿色像素G上,以及红色发光材料层形成于红色像素R上的蒸镀工艺。本实施例所属技术领域中的技术人员亦可以明了本实施例的技术并不局限在此。例如,开口22的大小至少大于四个同一颜色的像素的面积。
实施例三
请参照图3,其是依照本发明的实施例三的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。本实施例的屏蔽30与实施例一的屏蔽10不同之处在于开口的设计。如图3所示,屏蔽30包括至少一开口,如一个开口12及一个开口32,开口32的长度L3及开口12的长度L1各约为100微米(μm)~2000微米,开口32的宽度W3及开口12的宽度W1各约为25微米~75微米。其中,开口32的大小大于开口12的大小,例如开口32的长度L3大于开口12的长度L1,开口32的长度L3于本实施例中例如为600微米。开口32的宽度W3等于开口12的宽度W1,于本实施例中例如皆为25微米。在本实施例中,开口12及32可等间隔地或不等间隔地由上而下直线式排列成行,并形成开口组的态样。开口12及32各可为方形、边角不为直角的类方形或是椭圆形。此外,屏蔽30可为磁性金属屏蔽,如铁镍合金。另外,屏蔽30可为非磁性金属屏蔽,如不锈钢。再者,屏蔽30可为一体成型。
屏蔽30可对应于基板11设置,以供基板11上于蒸镀工艺中形成不同颜色的发光材料层。在本实施例中,开口12对应于相邻的二个蓝色像素B,开口32对应于相邻的六个蓝色像素B,以进行蓝色发光材料层的蒸镀工艺。接着,通过屏蔽30及基板11的相对移动,亦可依序进行绿色发光材料层形成于绿色像素G上,以及红色发光材料层形成于红色像素R上的蒸镀工艺。本实施例所属技术领域中的技术人员亦可以明了本实施例的技术并不局限在此。例如,开口32的大小至少大于六个同一颜色的像素的面积。
实施例四
请参照图4,其是依照本发明的实施例四的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。本实施例的屏蔽40与实施例二的屏蔽20不同之处在于开口的设计。如图4所示,屏蔽40包括至少一开口,如二个开口12及五个开口22。至于开口12及22的长度及宽度范围已于实施例一及二揭露过,在此省略不再赘述。相同大小的开口22可呈阶梯式排列,例如三个开口22从屏蔽40左上方角落至其右下方角落呈下降趋势的阶梯式排列。换另一角度而言,三个开口22可从屏蔽40左下方角落至其右上方角落呈上升趋势的阶梯式排列。如此一来,本实施例的开口22呈阶梯式排列的设计,可以加强屏蔽40的结构强度,比较不会产生挠曲或变形的现象。此外,屏蔽40可为磁性金属屏蔽,如铁镍合金。另外,屏蔽40可为非磁性金属屏蔽,如不锈钢。再者,屏蔽40可为一体成型的结构。
屏蔽40可对应于基板41设置,以供基板41上于蒸镀工艺中形成不同颜色的发光材料层。基板41上具有像素阵列,此像素阵列具有多行像素组,如三行红色像素组、三行绿色像素组及三行蓝色像素组。其中,各行红色像素组具有八个等间隔上下排列的红色像素R,各行绿色像素组具有八个等间隔上下排列的绿色像素G,各行蓝色像素组具有八个等间隔上下排列的蓝色像素B。屏蔽40的开口12及22可对应于同一颜色的所有像素。各开口12对应于同一行蓝色像素组中上下相邻的二个蓝色像素B,各开口22对应于同一行蓝色像素组中上下相邻的四个蓝色像素B,以进行蓝色发光材料层形成于蓝色像素B上的蒸镀工艺。接着,通过屏蔽40及基板41的相对移动,亦可依序进行绿色发光材料层及红色发光材料层的蒸镀工艺。
实施例五
请参照图5,其是依照本发明的实施例五的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。本实施例的屏蔽50与实施例四的屏蔽40不同之处在于开口的排列设计。如图5所示,屏蔽50包括至少一开口,如五个开口12及二个开口22。至于开口12及22的长度及宽度范围已于实施例一及二揭露过,在此省略不再赘述不同大小的开口12及22可呈阶梯式排列,例如二个开口22及一个开口12可从屏蔽50左上方角落至其右下方角落依序呈下降趋势的阶梯式排列。换另一角度而言,二个开口22及一个开口12可从屏蔽50左下方角落至其右上方角落依序呈上升趋势的阶梯式排列。此外,屏蔽50可为磁性金属屏蔽,如铁镍合金。另外,屏蔽50可为非磁性金属屏蔽,如不锈钢。再者,屏蔽50可为一体成型的结构。
屏蔽50可对应于基板41设置,以供基板41上于蒸镀工艺中形成不同颜色的发光材料层。屏蔽50的开口12及22可对应于同一颜色的所有像素。各开口12对应于同一行蓝色像素组中上下相邻的二个蓝色像素B,各开口22对应于同一行蓝色像素组中上下相邻的四个蓝色像素B,以进行蓝色发光材料层形成于蓝色像素B上的蒸镀工艺。接着,通过屏蔽50及基板41的相对移动,亦可依序进行绿色发光材料层形成于绿色像素G上,以及红色发光材料层形成于红色像素R上的蒸镀工艺。
实施例六
请参照图6,其是依照本发明的实施例六的屏蔽及基板的对准关系的俯视示意图。本实施例的屏蔽60与实施例四的屏蔽40不同之处在于开口的排列设计。如图5所示,屏蔽60包括至少一开口,如一个开口12、二个开口22、一个开口32、一个开口62及一个开口63。开口62的长度L4及开口63的长度L5约为100微米(μm)~2000微米,开口62的宽度W4及开口63的宽度W5约为25微米~75微米。至于开口12、22及32的长度及宽度范围已于实施例一、二及三揭露过,在此省略不再赘述。开口32的大小大于开口62的大小,开口62的大小大于各开口22的大小。在本实施例中,开口62的长度L4例如为500微米,开口63的长度L5例如为300微米,开口62的宽度W4及开口63的宽度W5例如皆为25微米。各开口22的大小大于开口63的大小,开口63的大小大于开口12的大小。不同大小的开口22、62及32可呈阶梯式排列,例如开口22、62及322可从屏蔽60左下方角落至其右上方角落依序呈上升趋势的阶梯式排列。此外,屏蔽60可为磁性金属屏蔽,如铁镍合金。另外,屏蔽60可为非磁性金属屏蔽,如不锈钢。再者,屏蔽60可为一体成型的结构。
屏蔽60可对应于基板41设置,以供基板41上于蒸镀工艺中形成不同颜色的发光材料层。屏蔽60的开口12、22、32、62及63可对应于同一颜色的所有像素。开口12对应于同一行蓝色像素组中上下相邻的二个蓝色像素B,各开口22对应于同一行蓝色像素组中上下相邻的四个蓝色像素B。开口63对应于同一行蓝色像素组中上下相邻的三个蓝色像素B,开口62对应于同一行蓝色像素组中上下相邻的五个蓝色像素B。因此,可以进行蓝色发光材料层形成于蓝色像素B上的蒸镀工艺。接着,通过屏蔽60及基板41的相对移动,亦可依序进行绿色发光材料层形成于绿色像素G上,以及红色发光材料层形成于红色像素R上的蒸镀工艺。本实施例所属技术领域中的技术人员亦可以明了本实施例的技术并不局限在此。例如,开口62的大小至少大于五个同一颜色的像素的面积,开口63的大小至少大于三个同一颜色的像素的面积。
实施例七
请参照图7,其是依照本发明的实施例七的蒸镀装置的侧视示意图。如图7所示,蒸镀装置70包括蒸镀室71、加热元件72、夹持元件73及上述实施例其中的屏蔽,在此以实施例一的屏蔽10为例作说明。加热元件72设置于蒸镀室71中,用以承载且加热蒸镀源74,使蒸镀源74蒸发。夹持元件73设置于蒸镀室71中,用以夹持待蒸镀物。在本实施例中,蒸镀源74例如为至少一有机发光材料,在基板11上形成不同颜色的发光材料层需要不同颜色的有机发光材料层,而待蒸镀物例为有机发光二极管显示面板的基板11。屏蔽10设置于加热元件72及夹持元件73之间,并包括至少一开口12。其中,开口12的长度L1约为100微米(μm)~2000微米,且开口12的宽度W1约为25微米~75微米。在本实施例中,蒸镀装置70还包括承载元件76,设置于加热元件72及夹持元件73之间,用以承载屏蔽10且供屏蔽10稳固地沿着箭头76的方向移动。此外,在基板11上,红色像素R、绿色像素G及蓝色像素B各可具有电极。通过更换不同颜色的有机发光材料的蒸镀源74、加热蒸镀源74而使其蒸发以及沿着箭头75的方向移动屏蔽10等步骤,蒸发后的蓝色、绿色及红色有机发光材料即可透过开口12,在蓝色像素B、绿色像素G及红色像素R的电极上依序形成蓝色、绿色及红色发光材料层。
本实施例所属技术领域中的技术人员亦可以明了本实施例的技术并不局限在此。例如,加热元件72可为电热丝元件,是将高电流通过其钨丝使其产生高温后,即可将蒸镀源74加热成流体,例如为液状或气状物质,进而蒸发至蒸镀室11内。当屏蔽10为磁性金属屏蔽时,夹持元件73可应用磁力设计,以吸住屏蔽10。因此,可以使得屏蔽10更能贴紧基板11,避免屏蔽10及基板11之间产生空隙,进而防止有机发光材料蒸镀到基板11上的错误位置。至于上述的有机发光材料蒸镀到基板11上的错误位置的问题,例如是蓝色有机发光材料有可能会因屏蔽10及基板11之间有孔隙而蒸镀到邻近的绿色像素G上。
在有机发光二极管显示面板的基板11透过屏蔽10于蒸镀装置70中进行蒸镀工艺时,由于屏蔽10的开口12对应于基板上至少二像素的设计,可以大幅度地减少屏蔽10的开口12边缘所沾粘的异物刮伤或压伤基板11的程度。
实施例八
请参照图8,其是依照本发明的实施例八的有机发光二极管显示面板的制造方法的流程图。首先,在步骤81中,提供基板,基板上具有多个像素。接着,进入步骤82中,提供屏蔽,屏蔽具有至少一开口,开口的长度约为100微米(μm)~2000微米,开口的宽度约为25微米~75微米。然后,进入步骤83中,对准屏蔽及基板,使开口对应于部分的这些像素。在本实施例中,步骤81~83所述的屏蔽及基板可以是实施例一至实施例五所揭露的屏蔽及基板,在此以屏蔽10及基板11为例作说明。又如图1所示,基板11的这些像素包含数个红色像素R、数个绿色像素G及数个蓝色像素B,例如包含八个红色像素R、八个绿色像素G及八个蓝色像素B。各红色像素R、各绿色像素G及各蓝色像素B具有一电极,基板11例如是薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)基板,屏蔽10具有四个开口12。开口12呈一直线式排列。各开口12的长度L1约为100微米(μm)~2000微米,各开口12的宽度W1约为25微米~75微米。其中,各开口12至少对应于二个蓝色像素B,至多对应于二十个蓝色像素。在本实施例中,各开口12以对应于二个蓝色像素B为例作说明,各开口12的大小大于二个蓝色像素B的面积。若本实施例以实施例四的屏蔽40为例作说明,屏蔽40的开口22呈阶梯式排列。接着,进入步骤84中,形成发光材料层于开口12所暴露的部分基板11之上。
至于本实施例如何形成发光材料层于开口12所暴露的部分基板11之上,将附图举例说明如后。请同时参照图9~11B,图9乃绘示图8的步骤84所对应的工艺流程图,图10A~10C乃分别绘示图9的步骤91、93及95所对应的工艺剖面图,图11A~11B是图9的步骤92及94所对应的工艺俯视图。
首先,在步骤91中,如图10A所示,形成蓝色发光材料层101于部分的这些蓝色像素B,如二个蓝色像素B。接着,进入步骤92中,如第11A图所示,移动屏蔽10及基板11其中之一,如固定基板不动而将屏蔽10往右移动,使开口12对应部分的这些绿色像素G,如二个绿色像素G。然后,进入步骤93中,如图10B所示,形成一绿色发光材料层102于部分的这些绿色像素G,如二个绿色像素G。接着,进入步骤94中,如图11B所示,移动屏蔽10及基板11其中之一,如固定基板11不动而将屏蔽10往右移动,使开口12对应部分的这些红色像素R,如二个红色像素R。然后,进入步骤95中,如图10C所示,形成红色发光材料层103于部分的这些红色像素R,如二个红色像素R。蓝色发光材料层101、绿色发光材料层102及红色发光材料层103的形成先后顺序并不局限于上述说明中。需要注意的是,一个蓝色发光材料层101、一个绿色发光材料层102及一个红色发光材料层103可分别涵盖对应二个蓝色像素B、二个绿色像素G及二个红色像素R,但因各颜色发光材料层本身电阻很大,并不会影响彼此像素之间的发光品质。
之后,更可分别于蓝色发光材料层101、绿色发光材料层102及红色发光材料层103上形成一整面且连续分布的电极,以形成有机发光二极管显示面板的数个有机电致发光元件(organic electroluminescence device,OELD)于蓝色像素B、绿色像素G及红色像素R上。其中,一个像素只有一个有机电致发光元件。上述的有机电致发光元件为二个电极上下包夹发光材料层于其之间的一个三明治结构。至于上述的有机电致发光元件的更详细结构,如电子传输层、电子注入层、空穴注入层及空穴传输层源的设计,亦为本实施例所属技术领域中的技术人员所熟知的技术,在此省略不赘述。
本发明上述实施例所揭露的屏蔽及应用其的蒸镀装置和应用其制造有机发光二极管显示面板的方法,其屏蔽的一开口对应于基板上至少二个像素的设计,可以减少屏蔽的开口的数目。因此,在有机发光二极管显示面板的基板透过屏蔽于蒸镀装置中进行蒸镀工艺时,可以大幅度地减少屏蔽的开口边缘所沾粘的异物刮伤或压伤基板的程度,进而降低像素的有机电致发光元件因被刮伤或压伤后所产生的暗点的机率。
综上所述,虽然本发明以优选实施例揭露如上,然而其并非用以限定本发明,本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,可作些许的更动与润饰,因此本发明的保护范围应当以权利要求所界定者为准。
Claims (20)
1.一种屏蔽,包括至少一开口,该开口的长度约为100微米~2000微米,该开口的宽度约为25微米~75微米。
2.如权利要求1所述的屏蔽,其中该开口为多个,该多个开口呈直线式排列。
3.如权利要求1所述的屏蔽,其中各该开口的大小相同。
4.如权利要求1所述的屏蔽,其中部分的该多个开口的大小相同。
5.如权利要求1所述的屏蔽,其中该开口为多个,该多个开口呈阶梯式排列。
6.如权利要求1所述的屏蔽,为磁性金属屏蔽。
7.如权利要求1所述的屏蔽,为非磁性金属屏蔽。
8.如权利要求1所述的屏蔽,为一体成型。
9.一种蒸镀装置,包括:
蒸镀室;
加热元件,设置于该蒸镀室中,用以加热蒸镀源;
夹持元件,设置于该蒸镀室中,用以夹持待蒸镀物;以及
屏蔽,设置于该加热元件及该夹持元件之间,并包括至少一开口,该开口的长度约为100微米~2000微米,该开口的宽度约为25微米~75微米。
10.如权利要求9所述的蒸镀装置,其中该开口为多个,该多个开口呈直线式排列。
11.如权利要求9所述的蒸镀装置,其中各该开口的大小相同。
12.如权利要求9所述的蒸镀装置,其中部分的该多个开口的大小相同。
13.如权利要求9所述的蒸镀装置,其中该开口为多个,该多个开口呈阶梯式排列。
14.一种有机发光二极管显示面板的制造方法,包括:
提供基板,该基板上具有多个像素;
提供屏蔽,该屏蔽具有至少一开口,该开口的长度约为100微米~2000微米,该开口的宽度约为25微米~75微米;
对准该屏蔽及该基板,使该开口对应于部分的该多个像素;以及
形成发光材料层于该开口所暴露的该基板之上。
15.如权利要求14所述的方法,其中该开口为多个,该多个开口呈直线式排列且对应于该多个像素。
16.如权利要求14所述的方法,其中该开口为多个,该多个开口呈阶梯式排列且对应于该多个像素。
17.如权利要求14所述的方法,其中该开口的大小大于二个像素的面积。
18.如权利要求14所述的方法,其中该多个像素包含多个红色像素、多个绿色像素以及多个蓝色像素,形成该发光材料层的步骤包括:
形成蓝色发光材料层于部分的该多个蓝色像素;
形成绿色发光材料层于部分的该多个绿色像素;以及
形成红色发光材料层于部分的该多个红色像素。
19.如权利要求18所述的方法,其中在形成该绿色发光材料层于部分的该多个绿色像素的步骤前,还包括:
移动该屏蔽及该基板其中之一,使该开口对应部分的该多个绿色像素。
20.如权利要求18所述的方法,其中在形成该红色发光材料层于部分的该多个红色像素的步骤前,还包括:
移动该屏蔽及该基板其中之一,使该开口对应部分的该多个红色像素。
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