CN1841620A - 用于制备扁平荧光灯的方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了用于制备扁平荧光灯的装置和方法。该荧光灯包括多个放电通道、连接于放电通道的气体入口、以及连接于气体入口的排气管。用于制备荧光灯的过程包括通过排气管从放电通道排出空气、在放电通道内扩散汞蒸汽、堵塞气体入口和最外部通道之间的通路、以及除去气体入口和排气管。

Description

用于制备扁平荧光灯的方法和装置

技术领域

本发明涉及荧光灯，更具体地说，涉及用于制备扁平荧光灯(flatfluorescent lamp)的方法和装置。

背景技术

荧光灯尤其被广泛用于制备液晶装置(LCD)的背光元件。一般说来，荧光灯具有各种形状，包括直线形、蛇形、平面形等等。在高温下，将玻璃模塑成灯的各种形状，以在灯内部形成放电通道。

放电通道的内表面涂布以荧光材料，并保持真空。采用排气过程使放电通道保持真空。在高温下，例如400℃，并在炉(未示出)中进行排气过程以除去杂质，如在放电通道中存在的水气和湿气。在完成排气过程以后，将惰性气体和汞蒸汽供给至放电通道，其后对放电通道进行密封。

其后，进行汞蒸汽扩散过程，其中供给的汞蒸汽被均匀地分布在放电通道之内。与在家中和工作中使用的棒形灯不同，扁平荧光灯具有这样一种构造，其中具有小直径的棒形放电通道是形成在像隧道的长距离上，或者多个棒形放电通道通过在其间形成的窄通路彼此相连通。通过窄通路汞蒸汽从通道扩散并分布到其附近。这使得难以在通道内获得汞蒸汽的均匀分布。因此，汞蒸汽扩散过程在制备扁平荧光灯中是至关重要的。对荧光灯施加热处理的汞蒸汽扩散过程是在约250℃下进行的，以便在通道内均匀分布汞蒸汽。

在放电通道内未能均匀地分布汞蒸汽则在其后的老化过程中需要更长的时间，因而延长了荧光灯的制备时间。

冷阴极管型荧光灯需要经历老化过程(作为制备荧光灯的最后过程)1小时以上。进行老化过程，即通过将电流供给在荧光灯两端的外电极并通过老化过程在放电通道内发生放电，以便在首次点亮荧光灯时维持恒定值的电流。

如图1所示，荧光灯实际上暴露于大气，因而在排气过程、汞扩散过程、以及老化过程之间的时间间隔冷却下来。

图2A是一试验结果表，其说明缺陷百分数与汞扩散时间之间的关系，其中汞扩散时间是将汞蒸汽扩散到用传统方法制备的荧光灯内所必需的时间。在试验期间，将用于扩散汞蒸汽的热处理温度调整到250℃。当在完成老化过程后点亮约12个小时的时候，将针对基准驱动电压而言需要增加10％或更高的荧光灯定义为有缺陷的荧光灯。缺少用于将汞蒸汽扩散至通道内所必需的热处理时间可引起汞蒸汽集中于某个区域，而没有均匀分布于放电通道内的整个区域。这称为“粉红充电现象”，这是因为当放电发生时，汞蒸汽集中的区域变成粉红色。粉红充电现象导致在完成老化过程以后增加驱动电压。预先检测关键缺陷，如粉红充电现象是非常困难的。减少缺陷的方法之一是进行汞蒸汽扩散过程5小时或更长时间。另一方面，用于LCD TV的荧光灯应该能够在低温下点亮。然而，由于缺陷所造成的驱动电压的增加会阻止荧光灯在低温下点亮。

图2B是另一个试验结果表，其说明了缺陷百分数与汞蒸汽扩散时间之间的关系，其中汞蒸汽扩散时间是将汞蒸汽扩散到用传统方法制备的荧光灯内所必需的时间。在试验期间，用于扩散汞蒸汽的热处理时间设置为1小时。该表表明在高于356℃的温度下(在该温度汞以气相形式存在)汞蒸汽的扩散处于平稳进行中，与在低于356℃的温度下所观察到的缺陷百分数相比，其缺陷百分数显著下降。然而，在高于356℃的温度下仍然发生了5个百分点的缺陷。

汞分别在356℃和-39℃的温度下熔化和凝固。在室温下汞以液相形式存在。汞在室温、100℃、以及250℃下的蒸汽压分别为约0.002mmHg、约0.28mmHg、以及约79mmHg。在汞蒸汽扩散过程期间，当在放电通道中的温度不均匀时，汞的特性会引起汞蒸汽冷凝于温度相对较低的区域周围，因而与其它区域相比，会增加在汞蒸汽冷凝区域周围的汞密度。这会阻止汞蒸汽均匀地分布在荧光灯内，因而阻止汞蒸汽均匀地发光，从而在其后的老化过程中延长老化时间。在点亮荧光灯以后，随着时间的推移，这还引起放电通道内的某个区域周围缺少汞蒸汽，从而缩短荧光灯的寿命。根据制备扁平荧光灯的传统方法，气体入口，通过该气体入口供给惰性气体和汞蒸汽，从扁平荧光灯的表面伸出并与扁平荧光灯的表面成直角。伸出的气体入口需要背光元件的整个厚度较大，以便当荧光灯与背光元件结合时防止气体入口的破裂。此外，当通过气体入口从扁平荧光灯的内部排出空气以将扁平荧光灯的内部保持在真空状态时以及当通过气体入口供给惰性气体和汞蒸汽时，扁平荧光灯伸出的气体入口应保持在垂直位置。伸出的气体入口的垂直位置需要占用更多的空间用以操作，因而降低了操作效率。

根据制备扁平荧光灯的另一种传统方法，排气管从扁平荧光灯的任何侧面及表面伸出。由于在排气过程期间炉中的高温，玻璃在所有方向膨胀的性能会阻止由玻璃制成的排气管保持排气管的最初位置，因此引起排气管发生破裂。

发明内容

本发明的一个目的是提供用于制备扁平荧光灯的方法和装置，其中扁平荧光灯能够在真空排气操作中防止排气管破裂。

本发明的另一个目的是提供用于制备扁平荧光灯的方法和装置，其中扁平荧光灯能够防止供给在放电通道内的汞蒸汽渗漏到大气中。

本发明的另一个目的是提供用于制备扁平荧光灯的方法和装置，其中扁平荧光灯能够以紧凑的方式与背光元件结合。

根据本发明的一个方面，提供了一种用于制备具有多个放电通道的荧光灯的方法，包括：形成第一基片，该第一基片包括放电通道、在与放电通道相同的表面上形成的并连接于放电通道的气体入口、以及连接于气体入口的排气管；将第一基片附着于与第一基片相对的扁平的第二基片；排出在放电通道内存在的气体；将惰性气体和汞蒸汽供给放电通道内；密封最外部的一个放电通道；以及除去气体入口和排气管。用于制备扁平荧光灯的方法可以进一步包括：在将第一基片附着于第二基片期间，插入要设置在放电通道与汞蒸汽入口之间的第一密封剂以及要设置在汞蒸汽入口与排气管之间的第二密封剂。

用于制备扁平荧光灯的方法可以进一步包括：在插入第一密封剂和第二密封剂以后，将具有汞吸气剂的汞吸气管插入到汞蒸汽入口内。

用于制备扁平荧光灯的方法可以进一步包括：通过排气管供给惰性气体以及通过熔化第二密封剂来密封排气管与汞入口之间的通路，通过汞蒸汽入口并借助于破坏汞吸气剂将汞蒸汽供给到放电通道内，以及当通过排气管从放电通道排出空气时，通过熔化第一密封剂来密封汞蒸汽入口与放电通道之间的通路，以使放电通道保持真空状态。在从排气过程一直到汞蒸汽扩散过程的炉内过程期间，荧光灯可以保持在垂直位置。

可以进行排气过程，其中排气管的出口被由保持在垂直位置的荧光灯引导向下。其中排气管与真空泵出口的连接部分被引导向炉的下部区域的排列，防止排气管由于排气管被炉上部区域中的高温引起的膨胀的破裂。

在一个炉中可以连续地进行排气过程和供气过程。

从真空排气过程一直到汞蒸汽扩散过程的炉内各过程可以在150℃至500℃的温度范围内进行。

用所述方法制成的荧光灯可以包括气体入口，通过该气体入口供给汞蒸汽，并且该气体入口连接于排气管，通过该排气管供给惰性气体，并从放电通道的内部排出空气。气体入口被形成在形成放电通道的表面方向上。插入在气体入口与放电通道之间的密封剂可以密封放电通道，以使放电通道与气体入口分离。

根据用于制备荧光灯的方法来制备荧光灯的装置包括：炉；荧光灯，其被设置于炉内，并具有多个放电通道，排气管，通过该排气管从多个放电通道排出空气，以及气体入口，通过该气体入口在放电通道内供给气体；支承荧光灯的支承构件；汞蒸汽吸气管，其连接于气体入口的侧面，并具有含有汞蒸汽的汞吸气剂；排气口，通过该排气口从多个放电通道排出空气，以保持多个放电通道处于真空状态；加热器，该加热器被装备在炉内，通过加热汞蒸汽吸气剂来诱导产生汞蒸汽，从而在放电通道的内部供给汞蒸汽；以及转移装置，该转移装置用来在炉内将支承构件从一个区域转移到其它区域。

加热器可以装备在对应于炉内汞蒸汽吸气管的位置。该加热器可以是高频加热器。该高频加热器包括一对隔开一定程度的环形线圈。汞蒸汽吸气管在环形线圈之间的通过会引起汞蒸汽吸气管被加热，因此产生汞蒸汽并扩散到放电通道内。当支承构件在炉内从一个区域移动到其它区域时，汞蒸汽吸气管在环形线圈之间移动。

在炉内的温度范围是从150℃至500℃。温度可以在200℃至400℃的范围内。

根据下文结合附图对本发明进行详细的描述，本发明的前述和其它目的、特征、方面以及优点将变得更为明了。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解并合并在一起构成本说明书一部分，说明本发明的具体实施方式，并连同描述一起用来解释本发明的原理。在附图中：

图1是一曲线图，其说明荧光灯实际上暴露于大气，因此在各过程之间的时间间隔内冷却下来；

图2A是一试验结果表，其说明缺陷百分数与汞扩散时间之间的关系，其中汞扩散时间是将汞蒸汽扩散到用传统方法制备的荧光灯内所必需的时间；

图2B是另一个试验结果表，其说明缺陷百分数与汞蒸汽扩散时间之间的关系，其中汞蒸汽扩散时间是将汞蒸汽扩散到用传统方法制备的荧光灯内所必需的时间；

图3是一分解透视图，其图示说明根据本发明的在一平面中第一基片和第二基片的分离；

图4是一分解透视图，其图示说明根据本发明的第一上部基片和处于垂直位置的第二基片的组装；

图5是一放大剖视图，其图示说明图4的气体入口和汞吸气管；

图6是一概念图，其图示说明根据本发明的用于制备荧光灯的装置；

图7A是一示意图，其说明多个高频生成线圈被装备在炉内，其中每个线圈对应于每个汞吸气管；

图7B是一示意图，其图示说明一个高频线圈可以同时加热所有均匀隔开的汞吸气剂；

图9是根据本发明的荧光灯的透视图；以及

图10是一图表，其说明当用高频加热器加热汞吸气剂来产生汞蒸汽时，缺陷百分数与根据本发明观测到的炉温度之间的关系。

具体实施方式

[荧光灯的制备]

现描述用于本发明的荧光灯的制备。

图3是一分解透视图，其图示说明在一平面中第一基片和第二基片的分离。图4是一分解透视图，其图示说明第一基片与处于垂直位置的第二基片的组装。

参照图3，在那里设置有第一模塑基片12，即，矩形的上部灯板，以及第二模塑扁平基片14，即，要附着于第一基片12的下表面的下部灯板。第一基片12的表面具有多个长波纹区域13A，其是在一个方向上彼此平行排列以形成用于放电通道16的预备间隙。第一基片12的表面另外具有第一波纹区域13B，其连接到最外部的波纹区域的一个侧面。第一基片12的表面另外具有第二波纹区域13C，其连接于第一波纹区域13b。第一波纹区域13b用来提供用于形成气体入口20的间隙，而第二波纹区域13c用来提供用于形成排气管30的间隙。多个长波纹区域13a、第一波纹区域13b、以及第二波纹区域13c都同时形成在第一基片12的表面上。

参照图3和图4，具有第一波纹区域13b和第二波纹区域13c的第一基片12通过有机粘合剂附着于第二扁平基片14以便形成放电通道16，这些放电通道具有在每个内部的隧道样间隙、气体入口20、以及排气管30。在一个方向上彼此平行形成的放电通道16通过连接通道17彼此连通。连接通道17用作通路，沿着该通路，通过形成在最外部放电通道的侧面上的气体入口供给的汞蒸汽被扩散到相邻的放电通道内。

第一密封剂42和第二密封剂44可以分别插入在气体入口20与最外部放电通道之间、以及气体入口20与排气管之间。第一和第二密封剂是由在高温下熔化的硅石和助熔剂的混合物制备的。第一和第二密封剂具有槽，在室温下空气可以通过这些槽，当加热时，第一和第二密封剂被熔化从而密封这些槽。第一和第二密封剂的熔点稍微低于第一和第二基片的玻璃熔化温度。

参照图5，在室温下密封剂42和44具有槽42′，通过这些槽可以从放电通道内排出空气，并可以在放电通道内供给气体。当加热时，密封剂42和44被熔化以致密封这些槽，从而堵塞管道的通路。

气体入口20形成于在其上形成放电通道的上表面。气体入口20从最外部的一个波纹区域的侧面伸出。与具有气体入口并从上表面伸出的荧光灯不同，这使得可以减小荧光灯的厚度。

排气管30连接到气体入口20，通过该气体入口气体进行流动。排气管30形成于在其上形成放电通道的上表面。形成排气管30以与气体入口20的方向相反的方向从气体入口20的一侧伸出并沿着放电通道的边缘伸出。这使得当荧光灯处于供给气体的垂直位置时，气体入口被引导向上以及排气管被引导向下。

使汞蒸汽吸气剂52插入到气体入口20内，然后密封气体入口的一侧。用示于图5的其它方式，使含有汞吸气剂53的吸气管50(其一端被密封)插入到气体入口20内，并且使吸气管50连接到气体入口20的区域密封。

参照图4，以切割线A为基准将第二密封剂44设置于第一密封剂42的上方，沿着切割线A从荧光灯切去荧光灯的一个边缘。

切割过程包括使气体入口20与荧光灯分开的X方向切割步骤以及使排气管30与荧光灯分开的Y方向切割步骤。实际上，在x方向切割过程中，切割器穿过第一密封剂42切割。因此，就x方向切割线而言，将第二密封剂44设置于第一密封剂上方可以防止在气体入口20内存在的汞蒸汽渗漏到外面，这是因为当穿过第二密封剂42切割时，气体入口20的两端被第一密封剂42和第二密封剂44所密封。因此，就x方向切割线而言，第二密封剂应设置于第一密封剂上方或者至少在与第一密封剂相同的高度。如图4所示，虚线A是切割线，沿着该切割线将排气管以及气体入口与荧光灯分开。

现在更详细地描述用于制备根据本发明的荧光灯的方法。首先，将第一基片附着于第二基片。玻璃模塑第一基片以具有多个长波纹区域，第一波纹区域，其连接于最外部波纹区域的侧面以便气体流过多个长波纹区域和第一波纹区域，以及第二波纹区域，其连接于第一波纹区域。第二基片是平板玻璃。

当将第一基片附着于第二基片时，将第一密封剂设置于最外部通道与气体入口之间，而将第二密封剂设置于气体入口与排气管之间。然后，将含有汞蒸汽的汞蒸汽吸气剂插入到气体入口内。

通过排气管，排出存在于放电通道内部的空气，以保持放电通道的内部处于真空状态。然后，通过排气管在放电通道内供给惰性气体，以便用惰性气体充满放电通道的内部。

当放电通道被用惰性气体充满时，通过加热第二密封剂来堵塞气体入口与排气管之间的通路。

通过用高频发生器加热已经插入到吸气管内的汞吸气剂来诱导产生汞蒸汽，然后将产生的汞蒸汽通过汞入口扩散到放电通道内。

堵塞最外部的放电通道与汞入口之间的通路。从而，用第一密封剂密封放电通道，并用第一和第二密封剂密封汞入口。

汞蒸汽到放电通道内的扩散是通过热处理在其内供给汞蒸汽的放电通道来进行的。

从附着的基片上切去汞入口和排气管以完成荧光灯。

执行从排气过程一直到汞蒸汽扩散过程的所有炉内过程，同时多个荧光灯在一个炉内保持在垂直位置。通过支承架使多个荧光灯保持在垂直位置，并且以恒定速度移动。在移动支承架期间，用装备在炉内的加热装置加热汞蒸汽吸气剂以产生汞蒸汽，然后使产生的汞蒸汽在放电通道的内部进行扩散。

[用于制备荧光灯的装置]

参照图6，现在描述用于制备扁平荧光灯的装置。如图6所示，根据本发明的用于制备荧光灯的装置包括：炉110，其加热荧光灯；支承架，其装备在炉内，用于保持荧光灯10处于垂直位置；排气装置130，其排出在多个放电通道内存在的空气，以保持多个放电通道处于真空状态；汞发生器140，通过加热汞吸气剂来产生汞蒸汽，以便使汞蒸汽供给到多个放电通道内；支承台120；以及转移装置150。加热器可以进一步装备在加热器151内，以通过加热来熔化第一密封剂和第二密封剂。

炉110是一种室，该室可以保持用以进行从排气过程一直到汞蒸汽扩散过程的所有过程所必需的高温，其中可保持的温度范围是从室温至1000℃的温度。

在从排气过程一直到汞蒸汽扩散过程的各过程中，支承台120保持多个放电通道在炉110内处于垂直位置。

排气装置130包括连接于气体入口20的真空泵，以及外排气管133的出口134。真空泵132装备在炉110的底部并连接于排气管30，以排出在放电通道内部存在的空气并保持放电通道内部处于真空状态。排气阀133A装备在真空泵132与外排气管133的出口134之间，以控制外排气管133的打开和关闭以及气体或空气通过外排气管133的流动。外排气管的一侧是惰性气体管135，并且该惰性气体管135连接于储存惰性气体的储气箱137。通过惰性气体管135、外排气管的出口134、以及排气管，将储存在储气箱137中的惰性气体供给到放电通道内。

汞蒸汽发生器140包括加热器，通过加热该加热器将包含在汞吸气剂52内的汞转变成汞蒸汽。该加热器可以包括产生高频的高频加热器144，并将产生的高频转移于汞吸气剂52。汞蒸汽发生器140可以包括高频发生器142，其产生几百khz范围内的高频，以及转移管道143，其用于传送产生的高频。

参照图6，高频加热器144可以包括一对环形线圈。该成对环形线圈中的各环形线圈被隔开，以致插入在气体入口内的汞吸气剂可以在环形线圈之间通过。与在图6中不同，高频加热器144可以包括一个线圈，并且当汞吸气管在该一个线圈近旁通过时可以对汞吸气管进行加热。高频加热器可以装备在炉内，其中每一个加热器对应于每一个汞吸气管。

参照图7A，多个高频生成线圈装备在炉内，其中每一个高频生成线圈对应于每一个汞吸气管。线圈之间的间距与汞吸气管之间的间距相同。

参照图7B，一个高频线圈可以同时加热所有的均匀隔开的汞吸气剂。

参照图6，转移装置150包括转移台152，在其上装备有支承台120和排气管的出口132；以及转移驱动装置154，其在炉内将转移台152从一个区域转移到其它区域。转移台152沿着接合在转移驱动装置154中的轨道153进行转移，并且驱动转移驱动装置154的驱动电机装备于转移驱动装置154。转移装置150的这种构造使荧光灯10能够从一个区域转移到其它区域，从而连续地经历从排气过程一直到汞蒸汽扩散过程的所有过程，其方式类似于在传送带上传送荧光灯。

[用于制备荧光灯的过程]

该过程从如图3和图4所示的第一和第二基片开始。图7A和图7B是沿图6的直线B-B′获得的剖视图，其图示说明在炉110内的转移期间炉110内的荧光灯10连续经历这些过程。

参照图4、图6、图7A以及图7B，荧光灯被保持在垂直位置，同时荧光灯10的气体入口20被引导向上而排气管30被引导向下。排气管30连接于排气管30的出口并被置于支承台120上。支承台安装在转移台152上。执行排气过程以除去杂质，如在放电通道中存在的水气和湿气。在排气过程中温度是这样的，以致可以除去这些杂质。例如，400℃的温度是优选的。将排气管引向炉的下部区域的排布可以防止排气管由于排气管膨胀引起的破裂，其中排气管膨胀是由在炉的上部区域进行的过程中的高温所引起的，如排气过程和汞蒸汽扩散过程。在炉内下部区域的温度相对低于炉内上部区域的温度。因此，排气管设置于炉内下部区域可以减少由于加热所造成的玻璃膨胀。借助排气管的出口134，荧光灯保持在炉的下部区域使得温度扩散到整个荧光灯内成为可能，因此使得减少排气管的破裂成为可能，其中排气管的破裂是由于加热引起的玻璃在所有方向的膨胀导致的。

现在描述排气过程。多个荧光灯10，每一个都连接于在转移台152上的外排气管133的每一个出口134，沿着转移驱动装置154的轨道153并与转移台152一起移动，然后排气泵开始工作以便从放电通道的内部排出空气。当由真空泵从放电通道的内部排出空气完成时，关闭排气阀133A，然后打开气体阀135A以由储气箱137在放电通道16的内部供给惰性气体。如图3所示，密封剂42和44，每一个都具有槽，并通过该槽供给气体，在排气过程和惰性气体供给过程中并不堵塞空气和气体的流动。用加热器151加热第二密封剂44，并将其熔化以堵塞排气管30与气体入口之间的通路。此时，对加热进行控制以使仅熔化第二密封剂。

现在描述汞蒸汽扩散过程。其排气管30被密封的荧光灯被转移台152转移至装备有高频加热器144的区域。转移台152停止在一位置，在该位置荧光灯10的气体入口20面对高频加热器144。

当在其上安装有多个荧光灯的转移台152停止在炉内的规定位置时，通过利用由高频加热器产生的几百khz的频率，高频加热器144加热汞吸气剂。用高频对汞吸气剂52进行加热可产生汞蒸汽，从而通过气体入口20供给在放电通道16内。例如，在下述条件下可以产生70mg的汞：高频可以是580khz，功率是5kw，以及加热时间是20秒。

用加热第一密封剂的其它加热器(未示出)对第一密封剂进行加热，然后通过加热将其熔化。第一密封剂的熔化堵塞气体入口与放电通道之间的通路。可以利用加热器151增加的输出功率而无需利用其它加热器来熔化第一密封剂。

转移台152的停止位置并不限于转移台152对应于高频加热器144的位置。当气体入口20在高频加热器144之间或在高频加热器144近旁通过时，可以通过利用高频来对汞吸气剂52进行加热。

现在描述汞蒸汽扩散过程。在完成供给汞蒸汽和密封放电通道以后进行汞蒸汽扩散过程。通过停留在炉10内规定的时间，使荧光灯10经历热处理。此时，必需尽可能维持恒定温度并提高温度在炉内的均匀分布，同时使温度的变化降至最小。如果未做这项工作，温度将不会均匀分布在放电通道内，从而引起汞冷凝在放电通道内的某个区域周围。

在进行汞蒸汽扩散过程一定时间以后，将转移台152转移至其它区域以便冷却下来。

现在描述切割过程。参照图4，沿着虚线A切割附着的第一和第二基片，其中虚线A和插入到气体入口20内的第二密封剂相交。这可以防止保留在气体入口20和排气管30内的汞蒸汽渗漏到外面。切割线是非常重要的。切割线应在第二密封剂的下方通过，以防止汞蒸汽的渗漏。

如图9所示，在经历切割过程以后保留在附着的第一和第二基片上的部分气体入口用密封剂加以密封，从而从外部完全堵塞放电通道。并且，放电通道没有任何连接元件从附着的第一和第二基片的表面伸出，从而使得制备具有更薄厚度的荧光灯成为可能。通过连接通道17放电通道16彼此相连通，其中连接通道17与放电通道相交。

如图6所示，连续进行从真空及排气过程一直到汞蒸汽扩散的所有过程，同时在炉内保持规定范围的高温。均匀保持供给到放电通道的温度直到汞蒸汽均匀扩散在放电通道内，以防止汞蒸汽冷凝在放电通道内的某个区域。

如图8所示，电极(未示出)形成在荧光灯10的放电通道的外边。电流被供给到电极，以在放电通道的内部执行产生放电的老化过程。该老化过程通过将(正弦波，sign-wave)电流供给到外电极来实施。

图10是一图表，其说明当用高频加热器加热汞吸气剂来产生汞蒸汽时，缺陷百分数与观测到的炉温之间的关系。将用于汞蒸汽扩散的时间和用于老化的时间分别设定为1小时和30分钟。在汞蒸汽扩散过程中，在炉内保持高于200℃的温度导致较低的缺陷率。炉内温度越高，则结果越好。然而，用于获得最好结果的最高温度不能超过玻璃转变温度，这是因为荧光灯由玻璃制成。用于获得最好结果的最佳温度范围是从300℃至400℃。在大约150℃的温度将汞蒸发时间延长2小时会使缺陷率下降至低于20％的水平。这与传统技术相比是有利的。

在放电通道被均匀加热的情况下，在放电通道内供给汞蒸汽使得防止汽化的汞蒸汽冷凝、因此在放电通道内扩散并分布汽化的汞蒸汽成为可能。这与传统技术形成显著对比，在传统技术中，在放电通道被局部加热或处于高温的情况下，在放电通道内供给汞蒸汽会引起汞蒸汽局部冷凝，从而导致在放电通道内汞蒸汽的不均匀分布。

使用根据本发明的装置，即使老化时间设定为30分钟也产生较低的缺陷率。在传统技术中，用于汞蒸汽扩散过程和老化过程的时间太多，因此降低了生产率。

排气管的方向朝向炉的下部区域可防止排气管由于排气管膨胀而引起破裂，其中排气管的膨胀是由在炉上部区域进行的过程，如排气过程和汞蒸汽扩散过程中的高温所引起的。

因为本发明可以以多种形式进行具体实施而不偏离其精神或基本特性，所以还应当明了，除非另有说明，上述具体实施方式并不限于以上描述的任何细节，而应如在所附的权利要求中所限定的精神和范围内宽泛地加以解释，因此，落入权利要求范围内的所有变化和改进、或这样的范围的等同替换均由所附权利要求所涵盖。

Claims (22)

1.一种用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，包括：

形成第一基片，所述第一基片包括所述放电通道、在与所述放电通道相同的表面上形成的并连接于所述放电通道的气体入口、连接于所述气体入口的排气管以及将所述放电通道彼此连通的连接通道；

将所述第一基片附着于与所述第一基片相对的第二基片；

排出在所述放电通道内存在的气体；

将惰性气体和汞蒸汽供给到所述放电通道内；

密封所述放电通道；以及

除去所述气体入口和所述排气管。

2.根据权利要求1所述的用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，其中当模塑所述第一基片时同时形成所述气体入口、所述排气管、所述放电通道和连接通道。

3.根据权利要求2所述的用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，其中具有多个长波纹区域的所述第一基片附着于扁平的所述第二基片，以形成所述放电通道和所述排气管。

4.根据权利要求3所述的用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，进一步包括在所述第一基片附着于所述第二基片期间，插入用于堵塞所述气体入口与所述最外部放电通道之间的通路的第一密封剂以及用于堵塞所述气体入口与所述排气管之间的通路的第二密封剂。

5.根据权利要求4所述的用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，进一步包括将含有汞的汞吸气剂插入到所述气体入口的一侧内。

6.根据权利要求5所述的用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，进一步包括：

穿过所述第一密封剂切割附着的所述第一和第二基片的一个边缘的第一切割步骤；以及

沿着与所述第一步骤的切割线相交的直线切割附着的所述第一和第二基片的其它边缘的第二切割步骤。

7.根据权利要求6所述的用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，其中将所述第二密封剂设置于在所述第一切割步骤的与所述第一密封剂相交的所述切割线的上方。

8.根据权利要求7所述的用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，其中在所述第一切割步骤中保留在所述气体入口内的所述汞蒸汽不会发生渗漏。

9.根据权利要求5所述的用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，进一步包括：

通过熔化所述第二密封剂堵塞所述排气管与所述气体入口之间的通路；

将在所述汞吸气剂中含有的所述汞蒸汽扩散到所述放电通道内；

通过熔化所述第一密封剂堵塞所述气体入口与所述放电通道之间的通路；以及

将供给到所述放电通道内的所述汞蒸汽扩散到所述放电通道内。

10.根据权利要求9所述的用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，其中在150℃至500℃的温度范围内进行从所述排气过程一直到所述汞蒸汽扩散过程的各过程。

11.根据权利要求10所述的用于制备具有多个放电通道的扁平荧光灯的方法，其中进行从所述排气过程一直到所述汞蒸汽扩散过程的所述各过程，同时所述气体入口被由保持在垂直位置的所述荧光灯引导向上以及所述排气管的出口被由保持在垂直位置的所述荧光灯引导向下。

12.一种扁平荧光灯，包括：

形成在相同平面上的多个放电通道；

连接每个所述放电通道的细长通路；

形成在与所述放电通道相同的平面上并连接于最外部的一个放电通道的槽；

通过堵塞所述槽从外部密封所述放电通道的密封剂；以及

形成在所述荧光灯两端的多个电极。

13.根据权利要求12所述的扁平荧光灯，其中在一个方向具有多个波纹区域的第一基片被附着于与所述第一基片相对的第二扁平基片，以形成每个具有隧道样间隙的放电通道。

14.根据权利要求13所述的扁平荧光灯，其中所述槽形成在最外部的一个放电通道上。

15.一种用于制备荧光灯的装置，包括：

炉；

荧光灯，所述荧光灯被置于所述炉内，并具有：多个放电通道；排气管，通过所述排气管从所述多个放电通道排出空气；以及气体入口，通过所述气体入口在所述放电通道内供给气体；

支承所述荧光灯的支承构件；

汞蒸汽吸气管，所述汞蒸汽吸气管连接于所述气体入口的侧面并具有含有汞蒸汽的汞吸气剂；

排气口，通过所述排气口从所述多个放电通道排出空气以保持所述多个放电通道处于真空状态；

加热器，所述加热器被装备在所述炉内，通过加热所述汞蒸汽吸气剂来诱导产生所述汞蒸汽，从而在所述放电通道的内部供给所述汞蒸汽；以及

转移装置，所述转移装置用来在所述炉内将所述支承构件从一个区域转移到其它区域。

16.根据权利要求15所述的用于制备荧光灯的装置，其中所述支承构件将多个荧光灯保持在垂直位置，以使所述气体入口被引导向上。

17.根据权利要求15所述的用于制备荧光灯的装置，其中所述加热器是对应于所述汞蒸汽吸气管的高频加热器。

18.根据权利要求17所述的用于制备荧光灯的装置，其中所述高频加热器是一对隔开的环形线圈，以致当所述吸气管在所述环形线圈之间通过时所述吸气管被加热。

19.根据权利要求15所述的用于制备荧光灯的装置，其中所述荧光灯进一步包括：

设置于所述气体入口与所述最外部放电通道之间的第一密封剂；以及

设置于所述排气管与所述气体入口之间的第二密封剂。

20.根据权利要求19所述的用于制备荧光灯的装置，进一步包括局部加热所述密封剂的加热器。

21.根据权利要求16所述的用于制备荧光灯的装置，其中在所述炉内的温度范围是从150℃至500℃。

22.根据权利要求21所述的用于制备荧光灯的装置，其中在所述炉内的温度范围是从200℃至400℃。

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