CN1802589A

CN1802589A - 包括电子设备的系统以及操作该系统的方法

Info

Publication number: CN1802589A
Application number: CNA2004800156601A
Authority: CN
Inventors: R·库特; G·W·特胡夫特; R·F·M·亨德里克斯
Original assignee: Koninklijke Philips Electronics NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 2003-06-04
Filing date: 2004-06-02
Publication date: 2006-07-12
Also published as: US20070109837A1; KR20060016791A; JP2006526803A; WO2004109373A1; EP1634116A1

Abstract

本发明提供了一种显示设备，其中通过可弯曲元件特别是纳米线或纳米管的弯曲来引起电光效应。利用光束在显示器的区域中提供可弯曲元件的阵列。在可弯曲元件基本上垂直于衬底取向的情况下，这些可弯曲元件是透明的，但是如果这些可弯曲元件以一定角度弯曲，那么它们将吸收光，利用偏振光在此很重要。可弯曲元件优选通过一层介电材料与电极分开，并且在电场或磁场的影响下发生弯曲。

Description

包括电子设备的系统以及操作该系统的方法

技术领域

本发明涉及一种光调制系统，该系统具有衬底；从第一区域的衬底上伸出的可弯曲元件，这些元件具有弯曲和不弯曲的构形，其在电场和/或磁场的影响下弯曲，元件从纳米管、纳米线以及其他纳米结构中选取，系统具有用于产生所述电场和/或磁场的装置。

本发明进一步涉及这种系统的操作方法。

背景技术

可从DE-A 100 59 685中获知这种系统。根据这篇已知文件，将该系统包含在一个设备中，该设备的衬底具有光反射面或光检测面。弯曲元件优选是碳纳米管，以直接附着(direct attachment)的方式与第一电极相连。在第二电极上施加电压时，该电压不同于施加在第一电极上和可弯曲元件中的电压，使该可弯曲元件的尖端朝第二电极弯曲。以此，这些元件形成了覆盖至少一部分表面的涂层。因此，存在较少的反射或检测，造成了在导通和断开两个状态之间的差异。

这种已知设备的缺点在于使元件弯曲需要相对较大的电场。需要较大的电场是因为为了至少部分地覆盖该表面而使这些元件或多或少地完全弯曲造成的(即，从与基本上平行于该衬底的方向相垂直的构形)。以大角度弯曲的另一个缺点在于对这些元件进行设置的机械要求非常高。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种在开篇段落中提到的系统，其中有关弯曲的要求不太高。

通过使可弯曲元件基本上均匀地分布在第一区域中来实现这一目的。在本申请的上下文中，术语“均匀”理解为对于第一区域中的每一部分来说，这些元件的分布充分相等。该分布可以是随机的、统一的等等。在邻近区域之间可存在空区(empty space)，例如如果该区域用作像素的话。

本发明基于下面的理解。第一个理解就是，如果这些元件基本上垂直于该衬底定向，那么这些元件都是透明的，至少在很大程度上是透明的。因此，可以将可弯曲元件提供在第一区域中的整个表面上。但是，在现有技术中，可弯曲元件专门位于电极的顶部上，并且只有当以足够的的角度弯曲时才进入光路。它们在处于其不弯曲的构形时位于光路之外。相反，根据本发明，可弯曲元件位于在任何构形中辐射都入射到的区域中。

第二个理解就是，即使这些元件只以小角度弯曲那么其也吸收辐射。

第三个理解就是，这些元件不一定是电极的一部分，而是设置在第一和第二电极之间的电场和/或磁场中。控制这些元件性能的物理原理就是将它们与电场和/或磁场对准，从而获得有效地且最有利的定向。

按照这种方式，只需使元件相对于入射光方向发生部分弯曲即可。因此，不需要使这些元件完全弯曲，以覆盖这些元件旁边的光路。弯曲角一般在5-80°之间，优选在15-60°之间，更优选在30-45°之间。该角度限定在偏振光传播所规定的平面中。这是由光的方向和偏振方向所确定的平面。光的方向优选与衬底的法向基本上相同。

由于弯曲角减小，因此机械要求不太严格，这具有实际的优点。不仅可以使可弯曲元件更短，而且元件的附着不太成问题。这种附着不太成问题至少在于两个原因：首先，弯曲角较小，其次，弯曲所需的电磁场较小，因此，施加于那些元件的压力较小，特别是在与表面的交界面处的压力较小，而交界面处通常为结构的薄弱部分。

本发明的系统的第一个优点在于，与已知设备相比能够使其小型化。在已知设备中，可弯曲元件在光路区域之外，并且在电极区域之外，因此其覆盖区域不能为任何其他光学目的而使用。在本发明的系统中，可弯曲元件能够覆盖全部的光学适合的表面区域。

本发明的系统的第二个优点在于能够减小所需的电场和/或磁场。非常优选的是存在偏振装置。辐射的偏振提高了可见光谱中的辐射吸收。此外，可弯曲元件非均匀地吸收辐射；并且该吸收取决于该偏振的取向。

在本发明的优选实施例中，可弯曲元件和电极之间存在介电层。在该实施例中，根据所用的可弯曲元件的类型，该可弯曲元件的弯曲基于偶极子相互作用或者基于磁相互作用。这种弯曲的机构完全不同于已知的弯曲机构，已知机构是静电弯曲。对于该弯曲机构，这些元件需要电连接到电极上或者优选直接附着在电极上。这具有短路和随后流动的危险，很难进行受控转换。另外具有使这些可弯曲元件烧掉的危险，特别是如果那些元件由有机材料组成，或者如果使用例如碳纳米管。可以使用任何常规的无机或有机介电材料，如氧化铝、氧化硅、氮化硅、所谓的高K材料。在该实施例的进一步完善(elaboration)中，根据交变电流由驱动系统来产生(drive)弯曲。这更易于实现，因为不需要提供电场。

在另一个优选实施例中，提出了逐个像素地寻址可弯曲元件的装置。这种寻址装置本身是已知的，其能够产生所需的图案。像素的分辨率仅仅取决于电极的尺寸，因此取决于特殊应用的需要和平版印刷术可达到的分辨率(包括照相平版印刷术、通过掩模印制和溅射和其他沉积)。这种应用包括但不限于光学记录系统、照明系统和显示系统。

在特别优选的实施例中，第一和第二电极形成一对交叉梳状电极，其能够改变该可弯曲元件。这导致可高度有效地提供电场；由于电极呈交叉梳状，因此在这些电极之间形成通道。该通道的宽度可以很小，而同时，该通道的长度可以非常长。

因此，根据需要向电场强度(V/μm)提供较低的电源电压。特别优选的是，第一和第二电极形成衬底的一部分，并且具有一层平面化(planarizing)材料以形成平坦表面，为安置可弯曲元件提供平坦的表面。如果使用交叉梳状电极，那么在所有位置处的弯曲方向将不相同；即，将存在弯曲角+j和弯曲角-j。但这对吸收来说不成问题。

可弯曲元件特别是任何纳米结构，如碳纳米管、金属或半导体纳米线以及金属或半导体毫纳米管，或者磁纳米线或填充任何(铁)磁性材料的纳米管。该纳米结构的直径优选小于150nm，更优选小于50nm，甚至更优选在0.3和10nm之间，该直径通常是最小横向尺寸。纳米结构的长度优选在5nm到10μm的范围内，优选在10到500nm的范围内，更优选在50到300nm的范围内。与金属纳米线相比，半导体纳米线是优选的，因为大大降低了这种纳米线的相互屏蔽(screening)。

可以虚设(fictionalize)该纳米结构特别是碳纳米管，以改进其与衬底表面的附着。这特别适合于能够按照这种方式附着于例如Au的表面的碳纳米管，如从Liu等人在Langmuir，16(2000)，3569中所获知的。适合氧化物表面(SiO₂、Al₂O₃、玻璃)的虚设例如是SiCl₃或Si(OR)₃，R是烷基，优选是异丙基或丁基、苯基。适合金表面的官能度是硫醇或硫醇醚(Z-SH，Z-S-S-Z，Z-CH₂-S-CH₂-Z，Z是碳纳米管)。适合铂表面的官能度是碱，如-OH或-NH₂。适合SiO₂的银的官能度是酸，如-COOH。适合未氧化的硅的官能度是1-乙烯基(-CH＝CH₂)。适合云母的官能度是亚磷酸盐基，或lkyldiphonic酸(PO₃ ^2-)。

纳米线和纳米管可以通过以有利的方式在模板中生长(grow)而成。该模板允许容易且适当可控地确定纳米结构的图案。模板本身可从Schonenberger等人在J.Phys.Chem.B，101(101)，5497-5505中获知。该模板具有许多孔，这些孔的直径优选在3到200nm的范围内，优选在5和15nm之间。可以利用常规的技术获得该直径，从而具有相同的直径。这些孔的距离大约十倍于孔直径。它们可以基本上垂直于该表面，并且通过提供适当的条件或局部表面预处理，如e光束或印刻的方式，来进行横向处理(order)。可通过已知的方法生长纳米线，已知方法如电化学增加和VLS(蒸汽-液体-固体)法。纳米线的电化学生长对于III-V材料、II-VI材料和金属是可能的。该VLS法例如适合于III-V材料和碳纳米管，一般在从400到800℃的温度下实现。这本身是已知的，例如从Morales和Lieber在Science，279(1998)，208-211中获知。在生长之后可以通过例如湿和干蚀刻的方式至少部分地除去该模板。

但是，不排除可替换的其他生长方法。通过根据所需图案蚀刻半导体衬底可进一步提供纳米线。半导体衬底的阳极蚀刻特别是硅衬底的阳极蚀刻是提供大量半导体纳米线的非常合适的方法。

而且，优选的是可以如此生长纳米结构，使它们包含绝缘区域。该实施例允许在纳米结构与电极之间的独立介电层不是必需的。这种绝缘区域例如可以通过利用VLS法并且改变箱中的气体组分来获得。

在另一个实施例中，在衬底上存在绝缘流体，使纳米结构基本上嵌入在其中。适当的流体包括液体、蒸汽和气体。该流体优选在一定程度上是有粘性的，因此将提供反作用力。这可以更适当地设置弯曲角。这种稍微有粘性的绝缘流体的另一个优点在于其对于可弯曲元件的图案的机械稳定作用。而且，该流体防止可弯曲元件的彼此的任何粘连。可以根据技术人员的需要来设置该流体的材料和粘性。

一般来说，在除去电磁场之后，可弯曲元件将恢复到其未弯曲的构形。对于使用提供反作用力的流体，影响元件恢复的是其刚性以及附着接触。而且，可以使电磁场的定向反向，从而能够恢复到未弯曲的构形。在适当的实施例中，在与衬底平行的平面中，但是在可弯曲元件的另一侧存在第三电极。这种第三电极能够提供电场或磁场，导致可弯曲元件恢复其未弯曲构形。

本发明的器件可以是任何光电器件，如显示器、传感器、光学记录媒体或读出器、光耦合器、光电二极管、激光二极管。

作为显示器，可弯曲元件的吸收导致电光效应。该显示器可以按照不同的方式来设计，既作为反射显示器，也作为透射显示器。通常，其具有许多像素，能够通过以所需图案提供可弯曲元件来形成。而且，存在驱动装置(如驱动器集成电路)和寻址装置(如列和行)。该寻址装置可集成在衬底上。该驱动装置装配在显示器上，或者同时进行处理。偏振装置可以是偏振器和偏振光源，该偏振器特别适合透射显示器。偏振器同样可以与偏振光源结合使用，由此增强能见度。

为了增强电光效应的能见度，该器件包括一个或多个偏振层，或者与一个或多个偏振层结合。所用的偏振器的偏振数量(通常是1或2个)、位置、定向和类型，例如圆偏振或线偏振、反射或吸收，取决于所需的显示器的类型。方便的是，可以将偏振器设置在邻近单个衬底，即在可弯曲元件的一侧或面向远离可弯曲元件的一侧。优选的是，使用线偏振器。

从广义角度讲，选择偏振器的材料对于本发明不是主要的，可以适当地使用如所指的任何常规偏振器。例如，该偏振器可以是常规的吸收偏振器，如掺碘的聚乙烯醋酸盐的箔，或常规的反射偏振器箔，如在US 6025897中公开的布拉格反射器叠层、在US 5506704中公开的胆甾型偏振器膜。大部分这些常规偏振器如现成的箔是可用的，并且可利用例如压敏光学胶而层压在该衬底上。此外，它们的厚度通常等于几百μm。特别优选的是可通过湿沉积法获得的偏振器层，特别是湿涂敷或印刷法，如从WO02/42832中获知的。

根据电光效应的类型，可以借助于延迟层进一步改进光学性能，如对比度或视角相关性。因此，依照本发明的器件的优选实施例包括一个或多个延迟层，或者与一个或多个延迟层结合。通常，延迟层是透明的各向异性膜，特别是在折射率方面是各向异性的。通常，如本领域已知的，延迟层可以由拉伸作用产生各向异性定向的聚合物薄膜制成。因此，获得双折射、单轴或双轴取向膜。这种拉伸取向的聚合物膜可以利用例如压敏光学胶而层压到衬底表面上。显然，依照所需的延迟量来选择该延迟层的厚度，例如四分之一波长、二分之一波长等。通常，延迟层的厚度从0.05变化为大约100μm。在呈诸如聚碳酸酯箔的拉伸聚合物形式的延迟层的情况下，厚度通常是10到100μm，而湿化学沉积延迟层的厚度通常是0.05到10μm，特别是0.1到5.0μm，或者更特别的是0.2到1.0μm。适当的延迟层从WO02/42832中获知。

在透射显示器的实施例中，优选的是电极是透明的。由此该衬底可用作偏振器的载体。适当的透明导电材料是非常薄的金属层，特别是氧化导体，如铟锡氧化物(ITO)、氧化钌、铅钌氧化物(Pb₂Ru₂O₇)、锶钴稀土(lanthane)氧化物、氧化铼和其他材料，如从EP689249中获知的。可替换的是可以是一透明导电有机材料，如聚(3，4-亚乙二氧基)噻吩-PEDOT。

最优选的是，该器件在可弯曲元件的一侧具有盖，以使可弯曲元件存在于空腔中。通常，在盖和衬底之间存在隔离物，该隔离物可以是盖的一部分。适当的盖是玻璃板、具有空腔的玻璃板(例如由粉末爆破形成的)、无机或有机材料的板等。而且，可以使用能够弯曲的盖板，从而在所需区域接触衬底。盖优选是透明的。但是，如果光源位于空腔中并且衬底是透明的，那么这不是必须的。

通过对弯曲的时间控制可按照明配置在显示器中产生灰度级。第一种可选择的实现方法在于光源是脉冲的或者使用扫描器。第二种选择是通过控制和局部变动弯曲角来提供灰度级。至此，可以提供附加的电极。这种附加电极优选定位在垂直于第一电极对。在使用交叉梳状电极对的情况下，在衬底中或在可弯曲元件的图案的顶部，或者在衬底中和该图案的顶部，提供一个或多个附加电极。

附图说明

参照附图进一步解释本发明以上及其他方面内容，在附图中：

图1示出本发明的显示器的鸟瞰视图；

图2示出可弯曲元件处于其未弯曲构形的图解横截面；

图3示出可弯曲元件处于其弯曲构形的图解横截面；以及

图4a-e示出在本发明显示器的第二实施例的制造中的几个阶段的图解横截面。

具体实施方式

这些附图没有按比例绘制，完全是示意性的。在不同附图中的相同附图标记指的是相同的元件。

图1以鸟瞰视角给出了本发明显示器的第一实施例的示意图。图2和3示出图解横截面。图1仅仅示出一个像素，没有描绘出任何寻址线路。图2和3仅仅示出一个像素的一部分。

图1示出衬底4，在这种情况下，该衬底是玻璃衬底。在该衬底的下面，该衬底具有偏振器5，以及位于相反一侧的电极1、2和可弯曲元件3。电极1、2是交叉梳状的，第一电极1具有四个指状物，第二电极2具有三个指状物。但是指状物的数量可以是任意选择的，从而得到最佳的通道。电极1、2包含氧化铟锡(ITO)。

图2的横截面更加清楚地示出显示器10的层状结构。实际上，电极1、2覆盖SiO₂的介电层6。通过溶胶凝胶技术提供该介电层，其中涂敷四乙氧基正硅酸盐溶液，随后固化。介电层6具有双功能。首先，其使衬底4平坦化(planarize)，这简化了后来可弯曲元件3的应用。其次，其充当可弯曲元件3与电极1、2之间的绝缘隔板。于是，可弯曲元件3将仅仅受电场的影响，而不与电极1、2直接电接触。同样可通过化学汽相淀积或任何其他淀积法来涂敷介电层6。但是，因此适合于应用单独的平坦化层(planarization layer)。在这种情况下，可弯曲元件3是已经用Si(OR)₃基功能化的碳纳米管，其中R是甲基。用适当的端基使碳纳米管功能化本身从Langmuir，16(2000)，3569-3573中已知。这里，所需长度的单壁纳米微管利用ultrasonification(超声波发音)悬浮在乙醇中。然后通过与Si(OR)₄的化学反应来取代该端基。为了实现带图案的电极，在该衬底上提供感光树脂材料，并根据所需图案进行显影。然后，对感光树脂材料和衬底进行等离子体处理，从而使衬底更亲水而感光树脂更疏水。适当的处理是连续经氧等离子体处理、氟等离子体处理和氧等离子体处理。由于各个碳纳米管之间的相互疏水作用，多束碳纳米管将沿着表面对准。可以提供另一种材料的掩模，来替换感光树脂材料，或者根据所需图案燃烧纳米管。这可以利用一定强度的激光束来进行。

最后得到的显示器是透射型，其中提供适当的偏振光的光源。关于这个，在光源特别是激光二极管所附着的碳纳米管周围提供玻璃盖(未示出)。该玻璃盖具有根据在该例子中利用粉末爆破产生的所需图案的空腔。在这种情况下，在显示器的衬底一侧提供图画。可替换的是，光可以来自其他方向。在该情况下，例如通过透明盖板从顶面观看图像。

如果外加电场为零，那么碳纳米管垂直于光的方向而对准，在这种情况下，也垂直于衬底表面。在施加场强大约为0.1-5V/μm的场时，可弯曲元件弯曲为其弯曲构形。优选是用频率在几Hz和几kHz之间的交流电，优选大约为50Hz。

图4e示出本发明一部分显示器的第二实施例的图解横截面视图。图4a-d示出其制造中的几个阶段。实际上，图4示出具有第一电极1和第二电极2的一个像素的视图。这些电极呈交叉梳状，第一电极1的每个部分都与其其他部分相连。在这种情况下，可弯曲元件3是已经电化学生长的半导体纳米线。将这些可弯曲元件提供在空腔中，该空腔由隔离物8和盖9形成，盖为玻璃板。

在该实施例中的可弯曲元件3由模板生长而成，将参考图4a-4d进行解释。在图4a中，示出在提供一些层构成的层状结构之后的半成品。该层状结构包括玻璃衬底4、电极1、2和例如氮化硅的蚀刻停止层6。在其上提供铝层11。

图4b示出在铝层11中提供小孔13的头部结构。这利用铝的阳极氧化蚀刻来进行，于是转变为氧化铝(Al₂O₃)。按照常规的方式进行了的阳极氧化蚀刻。通过放出O₂而使孔延伸到蚀刻停止层6。结果是具有30％孔隙率的氧化铝层。孔隙体积的一半由微孔隙组成，孔隙体积的另一般由直径为15nm的中孔隙13组成。孔的密度大约为5.10¹⁰/cm²。该结果在图4c中示出。

图4d示出在一些进一步的步骤之后的结果。首先，中孔隙13具有薄金属层作为电镀基片。特别优选的是通过银溶胶的湿化学沉积随后固化而提供银层，但是也可以使用化学汽相淀积作为可替换的方式。此后，优选提供铜棒。它能在与通过PAR273A(EG&G普林斯顿应用研究)稳压器/稳流器施加的标准甘汞电极(SCE)相比为-0.05V的恒定电压下利用0.01M CuSO₄溶液(pH在1和2之间)持续进行100s。铜棒的长度大约为30nm。在与SCE相比为-0.2V的恒定电压下，在0.01M H₂SO₄溶液中应用额外的电沉积步骤来沉积铜棒，这仍然可能在100s沉积之后存在于孔中。如果以后使用金，那么需要该额外的电沉积步骤。然后，在具有适当电解质的浴中提供该层状结构，并且增加纳米线。Cu纳米线可以从CuSO₄生长而来，Au纳米线可以从K₄Au(CN)₃生长而来，Ni纳米线可以从NiSO₄/NiCl₂生长而来，CdSe纳米线可以从水中的CdCl₂和H₂SeO₃生长而来。在这种情况下，使用Au。将其在相对于SCE为-1.00V的恒定电压下沉积在铜的顶部。使用0.32M金(碘)氰化物电解质溶液，含有0.26M柠檬酸和0.65M KOH，最终的PH在5和6之间。通常的电流密度为大约70μAcm^-2薄膜面积。总薄膜面积为0.65cm²。总的孔面积(实际沉积面积)被估计为这一面积的10％。

下文，至少部分地溶解氧化铝基质。该氧化铝基质优选保持为几纳米。这导致改进了纳米线对衬底的附着能力。为了保留Al₂O₃的隔离物，应用掩模从而选择性地蚀刻。Al₂O₃的隔离物是多孔的，而用作侧壁足够坚固。但是，该多孔通道充满纳米线材料，以提高其强度并且不渗透气体和湿度。

最后，将盖9置于隔离物8的顶部并利用玻璃粉来附着。此后，将偏振器5应用于背面。如果需要，盖9可以在其一个面上具有电极层，优选是朝向可弯曲元件的那一面。可提供另一个电极作为衬底的一部分。而且，可弯曲元件3的空腔可充满液体。

向纳米线提供模板生长的另外可能性同样是可以的。特别是，可以在氮化硅层的顶部提供一层贵金属，如Pt或Au。这种层起蚀刻停止的作用，并且能够在同时用作电镀基片。可以根据所需图案来构造该贵金属层，并且最后用作附加电极。在这种情况下，可以从电极1、2之间的其余中提供该贵金属层。与此，那么可弯曲元件3不会在电极1、2的顶部延伸。

可替换的是，在提供纳米线之后并且在溶解氧化铝基质之后可以除去该层贵金属或任何其他金属，如Ni、Cu。如果纳米线包括(电化学或利用VLS法提供的)半导体材料，那么这是特别合适的。然后相对于纳米线选择性地蚀刻该层贵金属，即纳米线充当用于蚀刻的抗蚀剂掩模。纳米线的机械稳定性不是问题，至于用作可弯曲元件，无论如何都需要一定的机械稳定性。

在另一个实施例中，在相反一侧提供电极1、2，并且可以将贵金属直接提供在玻璃顶部。该相反一侧可以是盖板的内侧。最优选的是使用衬底转移法的实施例。在该方法中，最终去掉原始的衬底，并且从衬底一侧溶解该氧化铝基质，而不是从顶面溶解。

该衬底转移法包括以下步骤：在纳米线生长之后且溶解氧化铝基质之前，在该基质的顶部提供一层介电材料和多个电极。这可以利用任何薄膜工艺适当地进行，所述工艺包括湿化学沉积、溅射和化学汽相淀积。并且可以提供另一个连接层，以及例如玻璃或聚合物的保护覆盖层。然后，将该器件倒置，并除去衬底、蚀刻停止层又称电镀基片，和氧化铝基质。除去玻璃衬底可以这样实现，即用UV光谱中的光化辐照来照射在玻璃和蚀刻停止层之间提供的UV可释放胶层。

简而言之，提供一种显示设备，其中通过可弯曲元件特别是纳米线或纳米管的弯曲来引起电光效应。利用光束在显示器的区域中提供可弯曲元件阵列。在可弯曲元件基本上垂直于衬底取向的情况下，这些可弯曲元件是透明的，但是如果这些可弯曲元件以一定角度弯曲，那么它们将吸收光，这是利用偏振光的重要性。可弯曲元件优选通过一层介电材料与电极分开，并且在电场或磁场的影响下发生弯曲。

Claims

1.一种光调制系统，具有：

-衬底；

-可弯曲的元件，这些元件从第一区域的衬底上延伸，该元件具有弯曲和不弯曲的构形，其在电场和/或磁场的影响下弯曲，并从纳米管、纳米丝以及其他纳米结构中选择，以及

-用于产生所述电场和/或磁场的装置，

其特征在于，可弯曲元件基本上均匀地分布在衬底的第一区域中。

2.如权利要求1的光调制系统，其特征在于该系统具有偏振装置，从而使光路中的任何辐射偏振。

3.如权利要求1的系统，其特征在于用于产生场的装置包括第一和第二电极，以及在该可弯曲元件和这些电极之间存在介电层，该电极和该介电层是衬底的一部分，并在第一区域中以重叠关系相对于这些可弯曲元件定位。

4.如权利要求3的系统，其特征在于第一和第二电极形成能够转换该可弯曲元件的一对交叉梳状电极。

5.如权利要求4的系统，其特征在于可弯曲元件是直径为1到50nm的纳米结构。

6.如权利要求5的系统，其特征在于该纳米结构包含半导体材料。

7.如权利要求1或5的系统，其特征在于介电材料的流体层位于该衬底上，从而可弯曲元件基本上嵌入在流体层中。

8.如权利要求2的系统中，其中该电子设备是显示器，并包括偏振装置。

9.如权利要求8的系统，其中该显示器是透射型，衬底是透明的。

10.一种根据前述任一项权利要求的系统的操作方法，包括以下步骤，以相对于未弯曲构形呈5和70度之间的角度使可弯曲元件弯曲，该弯曲在通过偏振光的传播所确定的平面内发生。

11.如权利要求10的方法，其特征在于通过借助于交变电流施加电场来实现这种弯曲。