CN1787107A - 具保护电路的内存电压供应电路 - Google Patents

Abstract

一具保护电路的内存电压供应电路，具有一电源供应器、一PWM控制器、一开关MOS管及一同步MOS管，其中电源供应器将启动电压提供给PWM控制器和开关MOS管，PWM控制器发出两个脉冲信号分别给开关MOS管和同步MOS管，由开关MOS管和同步MOS管共同调节得到内存工作电压输出给内存。所述内存电压供应电路还具有一保护电路，所述保护电路包括一控制MOS管及一比较器，所述控制MOS管接在电源供应器与开关MOS管之间，所述工作电压输入比较器与参考电压进行比较，根据比较结果控制所述控制MOS管的导通和截止，从而控制开管MOS管的启动，从而防止当发生开关MOS管意外被击穿时，5V电压不会直接加到内存上导致内存烧毁。

Description

具保护电路的内存电压供应电路

【技术领域】

本发明是关于一种具保护电路的内存电压供应电路，特别是关于一种防止内存烧毁的电压供应电路。

【背景技术】

内存是计算机中一个重要的部件，最基本的内存主要有以下两种：ROM(只读存储器，Read Only Memory)和RAM(随机存储器，Random AccessMemory)，其中RAM也有几种类型：SRAM(Static RAM，静态随机存储器)，DRAM(Dynamic RAM，动态随机存储器)、SDRAM(Synchronous DRAM，同步动态随机存储器)及DDR(Double Date Rate，双倍传输速率)SDRAM。

然而不同规格的内存一般具有不同的工作电压，内存必须得到一合适的工作电压才能正常工作，所述工作电压通常由主机板提供，所以主机板上会设置一组专门向内存提供工作电压的电源电路。目前最常见的内存为DDR内存，它的工作电压为1.8V。因此通常需要对内存的电源进行独立设计，将5V电压转换为DDR内存所需的工作电压1.8V。

业界通常的作法是采用PWM(Pulse Width Modulation，脉宽调制)控制器控制MOS(MOSFET，金属氧化硅场效应)管将5V电压调节为DDR内存所需的1.8V电压。如图1和图2所示，内存电压供应电路包括一电源供应器7、一PWM控制器2、一开关MOS管3、一同步MOS管4及一内存6，其中电源供应器7将电压提供给PWM控制器2和开关MOS管3，PWM控制器2发出具有一定占空比且为互补的信号分别给开关MOS管3和同步MOS管4，从而控制两个MOS管3、4的导通和截止来调整输出的电压值。然后再通过与所述MOS管串联的电感L1和并联的电容C1进行整流滤波，得到符合要求的1.8V电路，并输出给内存6工作使用。

但是，在前述电路中经常会出现MOS管3或4意外被击穿，造成5V电压未经降压直接加给后端负载内存6上，由于5V电压远远大于内存6的工作电压，因而最终导致烧毁内存6。因此有必要提供一种内存供电电路，既能提供内存工作所需的工作电压，又能有效的防止由于电压过大而烧毁内存。

【发明内容】

本发明要解决的技术问题是提供一种防止电压过大而烧毁内存的电压供应电路。

本发明是通过以下技术方案来实现的：一具保护电路的内存电压供应电路，具有一电源供应器、一PWM控制器、一开关MOS管及一同步MOS管，其中电源供应器将启动电压提供给PWM控制器和开关MOS管，PWM控制器发出两个脉冲信号分别给开关MOS管和同步MOS管，由开关MOS管和同步MOS管共同调节得到内存工作电压输出给内存。所述内存电压供应电路还具有一保护电路，所述保护电路包括一控制MOS管及一比较器，所述控制MOS管接在电源供应器与开关MOS管之间，所述工作电压输入比较器与参考电压进行比较，根据比较结果控制所述控制MOS管的导通和截止，从而控制开关MOS管的启动。

本发明的优点在于当开关MOS管发生意外故障被击穿时，5V电压不会直接加到内存上导致内存烧毁。

【附图说明】

下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。

图1是现有技术内存电压供应电路的系统方框图。

图2是现有技术内存电压供应电路的整体电路图。

图3是本发明内存电压供应电路的系统方框图。

图4是本发明内存电压供应电路的整体电路图。

【具体实施方式】

请参照图3，本发明提供的内存电压供应电路包括一电源供应器70、一PWM控制器20、一开关MOS管30、一同步MOS管40、一内存60及一保护电路10，其中所述保护电路10包括一控制MOS管11、一比较器12及一分压电路13。

再请参照图4，PWM控制器20的OCDDQ端接入5V电压，TGDDQ端发出一定占空比的脉冲信号输入开关MOS管30的栅极，BGDDQ端发出与TGDDQ端的信号互补的脉冲信号输入同步MOS管40的栅极。开关MOS管30的源极与同步MOS管40的漏极接在一起，同步MOS管40的源极接地。所述开关MOS管30与同步MOS管40的共接端与电压输出Vout端之间串联一电感L1和一电阻R1，且电阻R1和电感L1之间加入一滤波电容C1。Vout端同时与PWM控制器20的COMP端相连，将输出的电压反馈给PWM控制器20。

请继续参照图4，Vout端接入比较器12的反相输入端，比较器12的同相输入端接入一分压电路13，分压电路13的一端接入5V电压，另一端接地，所述分压电路13由电阻R2和电阻R3串联组成，电阻R2和电阻R3的阻值可以分别设为3K和2K，电阻R2和R3的共接端与比较器12的同相输入端相连。同时，比较器12的正向电源端接入12V电压，比较器12的反向电源端接地，比较器12的输出端连接控制MOS管11的栅极，所述控制MOS管11的源极接入5V电压，其漏极与开关MOS管30的漏极接在一起。另外，所述比较器12的正向电源端与12V电压之间还增加一电阻R4和一电容C2，可以对输入比较器12正向电源端的电压进行滤波和限流。

工作时，电源供应器70将5V的电源电压提供给PWM控制器20和开关MOS管30，PWM控制器20通过控制开关MOS管30和同步MOS管40的导通和截止，将5V的电压调节为1.8V的工作电压提供给内存60工作使用。提供给内存6的工作电压反馈到PWM控制器20，PWM控制器20根据反馈回来的电压值与标准参考电压值1.8V之间的差值，调节输出给开关MOS管30和同步MOS管40的脉冲信号的占空比，从而使输出给内存60的工作电压更加精确地满足1.8V的要求。

同时，由开关MOS管30和同步MOS管40调解所得的工作电压输入到比较器12中，与分压电路13所得的电压进行比较，根据比较结果，比较器12输出高电平或低电平来控制所述控制MOS管11的导通与截止，进而控制开关MOS管30的开启与关闭。

比较器12的工作原理如下：比较器12将输入其反相输入端的电压与输入其同相输入端的分压所得的电压2V进行比较，如果输入其反相输入端的电压值为1.8V，小于正相输入端的参考电压2V，所述比较器12的输出端将输出高电平至控制MOS管11的栅极，使该MOS管导通，从而使开关MOS管30的漏极能顺利接通5V的电压而正常工作；如果输入其反相输入端的电压值超过正相输入端的参考电压2V，所述比较器12的输出端将输出低电平，此时该控制MOS管11关断，从而使开关MOS管30的漏极不能接通5V的电压而无法启动。所以，当出现开关MOS管30或同步MOS管40被击穿时，控制MOS管11截止，电源控制器70无法将电压提供给开关MOS管30，则整个内存电压供应电路停止工作，即5V电压不会直接加到内存上，从而防止内存被烧毁。

Claims (8)

1.一具保护电路的内存电压供应电路，具有一电源供应器、一PWM控制器、一开关MOS管及一同步MOS管，其中电源供应器将启动电压提供给PWM控制器和开关MOS管，PWM控制器发出两个脉冲信号分别给开关MOS管和同步MOS管，由开关MOS管和同步MOS管共同调节得到内存工作电压输出给内存，其特征在于：所述内存电压供应电路还具有一保护电路，所述保护电路包括一控制MOS管及一比较器，所述控制MOS管接在电源供应器与开关MOS管之间，所述工作电压输入比较器与参考电压进行比较，根据比较结果控制所述控制MOS管的导通和截止。

2.如权利要求1所述的具保护电路的内存电压供应电路，其特征在于：所述内存工作电压同时反馈给PWM控制器，PWM控制器根据反馈回来的电压调节所发出脉冲信号的占空比。

3.如权利要求1所述的具保护电路的内存电压供应电路，其特征在于：所述开关MOS管的源极与同步MOS管的漏极接在一起。

4.如权利要求2所述的具保护电路的内存电压供应电路，其特征在于：所述开关MOS管和同步MOS管共接处串联一电感L1和一电阻R1，所述电阻R1两端并联一电容C1，通过电感L1和电容C1对开关MOS管和同步MOS管共同调节得到的信号进行整流滤波。

5.如权利要求1所述的具保护电路的内存电压供应电路，其特征在于：所述保护电路还具有一分压电路，所述分压电路由一电阻R2和一电阻R3串联组成，分压所得的电压作为参考电压输入所述比较器的同相输入端。

6.如权利要求1所述的具保护电路的内存电压供应电路，其特征在于：所述控制MOS管的漏极与开关MOS管的漏极接在一起，所述控制管的栅极与比较器的输出端接在一起。

7.如权利要求1所述的具保护电路的内存电压供应电路，其特征在于：所述开关MOS管和同步MOS管共同调节得到的电压输入所述比较器的反相输入端，与输入同相输入端的参考电压进行比较。

8.如权利要求1所述的具保护电路的内存电压供应电路，其特征在于：所述比较器的正向电源端与电源供应器之间还增加一电阻R4和一电容C2，对输入比较器正向电源端的电压进行滤波和限流。

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