CN1772317A - 电位治疗器 - Google Patents

Abstract

提供一种电位治疗器，能够根据生物体的年龄、性别、体质等，灵活地改变输出波形。根据从操作显示面板(11)输入的治疗模式、输出电压、输出波形、治疗时间等，控制用微型计算机(12)向晶体管驱动电路(13)、(14)输出控制信号。晶体管驱动电路(13)对输出正极性波形的晶体管(21)进行驱动，晶体管驱动电路(14)对输出负极性波形的晶体管(31)进行驱动。通过第一高电阻(41)及第二高电阻(42)对由第一高压变压器(24)升压后的正极性的波形、与由第二高压变压器(34)升压后的负极性的波形进行合成，输出到输出端子(40)。

Description

电位治疗器

技术领域

本发明涉及一种对生物体施加高电位进行治疗的电位治疗器，尤其涉及其高电压发生部。

背景技术

以往，众所周知的电位治疗器如下：对电气绝缘的生物体施加高电压，使生物体的周围产生电场。该电位治疗器通过改善生物体的离子平衡，或对植物性神经系统产生作用，从而对肩膀酸痛、头痛、失眠症以及慢性便秘等产生疗效。

图12表示现有的电位治疗器的主要的二个使用状态。图12(a)示出了使用者将电位治疗器101使用在座位上的状态，在铺在地板上的绝缘薄片102上配置椅子105，并在座位面上载置通电薄片103，将从通电薄片103延伸的高压电缆104连接到电位治疗器101的输出端子上。使用者用设置在电位治疗器101上表面的操作显示面板对治疗模式、治疗时间、治疗电压等进行设定后，坐在椅子105上。

图12(b)示出了使用者将电位治疗器101使用在卧位上的状态，在铺在地板上的绝缘薄片102上铺上铺盖107，并在铺盖的中央部，恰好与使用者的臀部相当的位置上载置通电薄片103，将从通电薄片103延伸的高压电缆104连接到电位治疗器101的输出端子上。使用者用设置在电位治疗器101上表面的操作显示面板对治疗模式、治疗时间、治疗电压等进行设定后，躺卧在铺盖107上。

现有的电位治疗器还利用负极性的直流高电压和交流高电压，其中，将交流高电压叠加到负极性的直流高电压中的波形具有很好的治疗效果。

作为现有的电位治疗器中的高电压发生部，已知有正负电位差发生电路，该正负电位差发生电路具备：变压器；电压下降元件，连接在变压器的一次侧绕组或二次侧绕组的一端；二极管，连接在电压下降元件的另一端与变压器的一次侧绕组或二次侧绕组的中间点之间(例如专利文献1)。

另外，还有如下装置，该装置具备：高压变压器，将商用交流电压进行升压而产生交流高电压；电压可变装置，是能够改变商用交流电压的滑线电阻调压器(slidac)等；直流高电压发生电路，从由电压可变装置进行加减的交流电压产生直流高电压；电压合成电路，合成上述交流高电压和上述直流高电压并输出，该装置通过上述电压可变装置，可以改变输出电压中的直流偏置电压(例如专利文献2)。

专利文献1：日本特开平7-131274号公报(第3页，图4)

专利文献2：日本特开平7-303706号公报(第2页，图1)

发明内容

然而，在上述的现有技术中，有如下的问题，即仅变化施加到交流高电压的直流偏置电压，不能够使正极性的峰值与负极性的峰值独立地变化、或不能够输出正负波形不同的非对称波形，无法选择与生物体的年龄或性别等个体差对应的输出波形从而进一步提高治疗效果。

本发明是鉴于上述现有技术存在的问题而提出的，其目的在于提供一种电位治疗器，可对应于生物体的年龄、性别、体质等灵活地改变输出波形。

发明1的电位治疗器具备：第一高压变压器；第二高压变压器；输出合成电路，对第一高压变压器的输出以及第二高压变压器的输出进行合成，并输出到输出端子。

发明2的要点在于，在如发明1所述的电位治疗器中，第一高压变压器对正极性的半波电压进行升压，第二高压变压器对负极性的半波电压进行升压。

发明3的要点在于，在如发明2所述的电位治疗器中，上述输出合成电路具备：第一高电阻，连接第一高压变压器的输出与上述输出端子；第二高电阻，连接第二高压变压器的输出与上述输出端子。

发明4的要点在于，在如发明1所述的电位治疗器中，上述输出合成电路具备高压整流电路，该高压整流电路对第二高压变压器的输出进行整流。

发明5的要点在于，在如发明4所述的电位治疗器中，上述输出合成电路具备：第三高电阻，连接上述高压整流电路的输出与波形合成点；电容器，连接第一变压器的输出与上述波形合成点；第四高电阻，连接上述波形合成点与上述输出端子。

发明6的要点在于，在如发明1所述的电位治疗器中，第一或第二高压变压器是绕组升压变压器、回扫变压器及压电变压器中的任一个。

发明7的要点在于，在如发明1至发明5任一项中所述的电位治疗器中，具备控制电路，该控制电路将上述输出端子的电压反馈到第一及第二高压变压器的驱动电路，抑制上述输出端子的电压变动。

根据发明1，能够提供一种电位治疗器，该电位治疗器具备：第一高压变压器；第二高压变压器；输出合成电路，合成第一高压变压器的输出以及第二高压变压器的输出，输出到输出端子，通过构成这样的电位治疗器，合成第一高压变压器的输出以及第二高压变压器的输出，输出灵活性高的输出电压波形。

根据发明2，除了具有发明1所述的电位治疗器的效果以外，还具有如下效果，即第一高压变压器对正极性的半波电压进行升压，第二高压变压器对负极性的半波电压进行升压，因此，能够提供一种电位治疗器，输出将正极性的半波与负极性的半波分别合成为最佳的波形及电压比例的输出电压波形。

根据发明3，除了具有发明2所述的电位治疗器的效果以外，还具有如下效果，即通过使上述输出合成电路具备：第一高电阻，连接第一变压器的输出与上述输出端子；第二高电阻，连接第二变压器的输出与上述输出端子，能够以简单的电路结构合成第一高压变压器的电压与第二高压变压器的电压，并且上述输出合成电路兼用作电流限制保护电阻。

根据发明4，除了具有发明1所述的电位治疗器的效果以外，还具有如下效果，即通过使上述输出合成电路具备对第二高压变压器的输出进行整流的高压整流电路，即使第二变压器的变压比小，也可产生充分的直流偏置电压。

根据发明5，除了具有发明4所述的电位治疗器的效果以外，还具有如下效果，即通过使上述输出合成电路具备：第三高电阻，连接上述高压整流电路的输出与波形合成点；电容器，连接第一变压器的输出与上述波形合成点；第四高电阻，连接上述波形合成点与上述输出端子，能够以简单的电路结构合成直流偏置电压与交流电压。

根据发明6，除了具有发明1所述的电位治疗器的效果以外，还具有如下效果，即由于第一或第二高压变压器是绕组升压变压器、回扫变压器及压电变压器中的任一个，因此，可利用容易取得的在市场出售的部件来制造廉价的电位治疗器。

根据发明7，除了具有发明1至6所述的电位治疗器的效果以外，还具有如下效果，即能够提供一种电位治疗器，该电位治疗器具备控制电路，该控制电路将上述输出端子的电压反馈到第一及第二高压变压器的驱动电路，抑制上述输出端子的电压变动，即使各种使用环境，或使用状态变动，也可维持稳定的输出电压。

附图说明

图1是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例一的结构的电路图。

图2是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例二的结构的电路图。

图3是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例三的结构的电路图。

图4是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例四的结构的电路图。

图5是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例五的结构的电路图。

图6是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例六的结构的电路图。

图7是说明实施例中的输出波形的图。

图8是说明实施例中的输出波形的图。

图9是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例七的主要部分的电路图。

图10是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例八的主要部分的电路图。

图11是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例九的主要部分的电路图。

图12的(a)是说明座位上的电位治疗器的使用状态的图，(b)是说明卧位上的电位治疗器的使用状态的图。

符号说明

1：电位治疗器

11：操作显示面板

12：控制用微型计算机

13、14：晶体管驱动电路

21、31：输出晶体管

22、32：二极管

23、33：电容器

24：第一高压变压器(回扫变压器)

25、35、53、63：一次绕组

26、36、54、64：二次绕组

27、37：高压整流二极管

28：电阻

34：第二高压变压器(回扫变压器)

40：输出端子

41：第一高电阻

42：第二高电阻

43、44：分压电阻

45：波形合成点

46：电容器

47：第三高电阻

48：第四高电阻

49：高电阻

51、61：三端双向可控硅开关元件

52：第一高压变压器

62：第二高压变压器

65：科克劳夫特-沃尔顿电路(倍压整流电路)

具体实施方式

下面参照附图，详细地说明本发明的实施方式。此外，在以下各实施例的说明中，高电阻是具有大于等于1MΩ的电阻值的电阻，回扫变压器在高频用升压变压器的二次侧内置了高压整流用二极管。

实施例一

图1是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例一的结构的电路图。本实施例的电位治疗器1的特征在于，具备：第一高压变压器24，对正极性的半波电压进行升压；第二高压变压器34，对负极性的半波电压进行升压；第一高电阻41，连接第一高压变压器24的输出与输出端子40；第二高电阻42，连接第二高压变压器34的输出与输出端子40。

在图1中，实施例一的电位治疗器1具备：操作显示面板11；控制用微型计算机12；晶体管驱动电路13、14，由控制用微型计算机12进行控制；输出晶体管21、31，由晶体管驱动电路13、14分别驱动；二极管22、32，起到作为阻尼二极管(damper diode)的作用；电容器23、33，起到作为共振电容器的作用；第一高压变压器(回扫变压器)24，输出晶体管21的集电极连接在其一次绕组25上；高压整流二极管27，其阳极连接在一端接地的第一高压变压器24的二次绕组26的另一端；第一高电阻41，连接高压整流二极管27的阴极与输出端子40；第二高压变压器(回扫变压器)34，输出晶体管31的集电极连接在其一次绕组35上；高压整流二极管37，其阴极连接在一端接地的第二高压变压器34的二次绕组36的另一端；第二高电阻42，连接高压整流二极管37的阳极与输出端子40；分压电阻43、44，将输出端子40的电压进行分压后反馈到控制用微型计算机12。

此外，电位治疗器1具备电源电路、电流保护电路、连接在输出端子40上的高压电缆、以及连接在高压电缆顶端部的通电薄片，但是这些与本发明的要点没有直接关系，并由本领域技术人员所公知，因此省略了图示。

操作显示面板11例如设置在电位治疗器1的上表面，用于由操作者对治疗模式、治疗时间定时、输出电压、输出波形等进行设定。另外，操作显示面板11，对治疗时间定时被设定时的剩余治疗时间或使用状态的变化进行显示。

连接在操作显示面板11上的控制用微型计算机12，从操作显示面板11输入操作者的各种设定，并且，将各种信息显示到操作显示面板11上。并且，控制用微型计算机12根据设定的治疗模式、治疗时间、输出电压、输出波形等，向晶体管驱动电路13、14输出控制信号。

晶体管驱动电路13是输出晶体管21的基极信号的驱动电路。晶体管21是输出正极性波形的晶体管，虽然在图1中示出了双极性晶体管，但是也可以使用场效应晶体管(FET)或绝缘栅双极性晶体管(IGBT)。晶体管21的集电极连接在使用了回扫变压器的第一高压变压器24的一次绕组25的一端，一次绕组25的另一端连接在由未图示的电源电路供给的直流140V上。

第一高压变压器24的二次绕组26一端接地，另一端连接在内置于变压器中的高压整流二极管27的阳极上。高压整流二极管27的阴极通过第一高电阻41连接在输出端子40上。

晶体管驱动电路14是输出晶体管31的基极信号的驱动电路。晶体管31是输出负极性波形的晶体管，与晶体管21相同，也可以使用FET或IGBT。晶体管31的集电极连接在使用了回扫变压器的第二高压变压器34的一次绕组35的一端上，一次绕组35的另一端连接在由未图示的电源电路供给的直流140V上。

第二高压变压器34的二次绕组36一端接地，另一端连接在内置于变压器中的高压整流二极管37的阴极上。高压整流二极管37的阳极通过第二高电阻42连接在输出端子40上。

另外，出现在输出端子40上的高电压由分压电阻43、44进行分压，被分压后的电压作为反馈电压输入到控制用微型计算机12。控制用微型计算机12参照该反馈电压，对输出到晶体管驱动电路13、14的电压进行校正，以消除由于电位治疗器1的使用状态引起的输出电压变动。

接着，参照图7的波形说明图，说明上述结构的电位治疗器1的作用。图7(a)是第一高压变压器24的输出波形。图7(b)是第二高压变压器34的输出波形。第一高电阻41及第二高电阻42合成图7(a)的波形及图7(b)的波形后，将图7(c)的波形输出到输出端子40上。

在此，从输出正极性波形的晶体管驱动电路13到第一高压变压器24为止的电路、与从输出负极性波形的晶体管驱动电路14到第二高压变压器34为止的电路是独立的，可分别将任意的波形以任意的电压(标准规定的范围内)进行输出。

例如，图7(a)的波形的峰值HV+与图7(b)的波形的峰值HV-，通过改变图1的晶体管驱动电路13及14的输出波形的振幅，可分别独立地进行设定。因此，通过第一及第二高电阻对图7(a)的波形与图7(b)的波形进行合成而得到的图7(c)的波形，其正极性的峰值与负极性的峰值可以不同。另外，如图7(d)所示，也可输出使直流偏置电压及交流p-p值分别为所希望的值的波形。

另外，可以输出如图8(a)的使正极性的波形为正弦波的半波110、负极性的波形为三角波111的波形，或如图8(b)的使正极性的波形为正弦波的半波110、负极性的波形为梯形波112的波形，或如图8(c)的使正极性的波形为正弦波的半波110、负极性的波形为锯齿波113的波形。

并且，不仅可以输出图8(d)的基波的波形，也可以如图8(e)、(f)输出以任意比例包含任意高次谐波的波形。

为了输出这样的任意波形，例如，有如下的方法：使控制用微型计算机12具备预先对波形进行数字数据化并存储的波形存储器和D/A转换器。并且，从波形存储器依次读出由操作显示面板11选择的波形，由D/A转换器进行数字/模拟转换，提供给晶体管驱动电路13、14即可。

如上所述，根据本实施例，可使正极性波形与负极性波形分别为任意选择的波形及峰值，因此，可提供适合于使用者的年龄、性别、体质等的治疗效果更好的电位治疗器。

另外，将电位治疗器的输出电压反馈到控制用微型计算机，对输出电压进行稳定化，因此，即使电位治疗器的使用状态发生变化，也能够以稳定的输出电压进行电位治疗。

实施例二

图2是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例二的结构的电路图。本实施例的电位治疗器2的输出合成电路与实施例一不同，该输出合成电路合成第一高压变压器24的输出与第二高压变压器34的输出。即，本实施例中的输出合成电路的特征在于，具备：电容器46，连接第一高压变压器24的输出与波形合成点45；第三高电阻47，连接由内置于第二高压变压器34的高压整流二极管37进行整流后的输出与波形合成点45；第四高电阻48，连接波形合成点45与输出端子40。此外，电阻28是电容器46的放电路径。其他的结构与图1所示的实施例一相同，因此，对相同的构成要素赋予相同的符号，省略重复的说明。

接着，对本实施例的电位治疗器2的作用进行说明。在本实施例中，由高压整流二极管27对第一高压变压器24的二次绕组26的电压进行整流后的脉动(ripple)波形的交流部分，通过电容器46传到波形合成点45。另外，由高压整流二极管37对第二高压变压器34的二次绕组36的电压进行整流后的负极性电压，通过第三高电阻47传到波形合成点45。从波形合成点45通过第四高电阻48向输出端子40传导电压。

实施例三

图3是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例三的结构的电路图。本实施例的电位治疗器3的输出合成电路与实施例一不同，该输出合成电路合成第一高压变压器24的输出与第二高压变压器34的输出。即，本实施例中的输出合成电路，在高压整流二极管37的阳极与接地间配置有电容器46，该电容器46将由高压整流二极管37对第二高压变压器34的二次电压进行整流后的输出进行平滑，产生负极性的直流高电压。并且，第一高压变压器24的二次绕组26的一端连接在高压整流二极管37的阳极，二次绕组26的另一端通过高压整流二极管27和高电阻49连接在输出端子40上。其他的结构与图1所示的实施例一相同，因此，对相同的构成要素赋予相同的符号，省略重复的说明。

接着，对本实施例的电位治疗器3的作用进行说明。在本实施例中，由高压整流二极管37对第二高压变压器34的二次绕组36的电压进行整流，并由电容器46进行平滑。由此，在电容器46的未接地一方的电极上，产生高压直流的负电压。在该直流负电压中叠加有由高压整流二极管27对第一高压变压器24的二次绕组26所引起的电压进行整流后的电压，通过高电阻49将该电压输出到输出端子40。其他的作用与实施例一相同。

实施例四

图4是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例四的结构的电路图。本实施例的电位治疗器4的第一高压变压器52和其驱动电路与实施例一不同。另外，输出合成电路的结构与实施例一不同，该输出合成电路将第一高压变压器52的输出与第二高压变压器34的输出进行合成。

在图4中，本实施例的电位治疗器4具备：操作显示面板11；控制用微型计算机12；三端双向可控硅开关元件驱动电路15，由控制用微型计算机12进行控制；三端双向可控硅开关元件(双向半导体开关元件)51，通过三端双向可控硅开关元件驱动电路15驱动其栅极电极，并且其一个电极接地；第一高压变压器52，其一次绕组53的一端连接在三端双向可控硅开关元件51的另一个电极上，一次绕组53的另一端连接在商用交流电源(AC100V)上；电容器46，其一个电极连接在一端接地的第一高压变压器52的二次绕组54的另一端，另一个的电极连接在波形合成点45上；晶体管驱动电路14，由控制用微型计算机12进行控制；输出晶体管31，由晶体管驱动电路14进行驱动；二极管32，起到作为阻尼二极管的作用；电容器33，起到作为共振电容器的作用；第二高压变压器(回扫变压器)34，输出晶体管31的集电极连接在其一次绕组35上；高压整流二极管37，阴极连接在一端接地的第二高压变压器34的二次绕组36的另一端；第三高电阻47，连接高压整流二极管37的阳极与波形合成点45；第四高电阻48，连接波形合成点45与输出端子40；分压电阻43、44，将输出端子40的电压进行分压，反馈到控制用微型计算机12。

此外，本实施例中的从操作显示面板11、控制用微型计算机12以及晶体管驱动电路14到第二高压变压器34为止的结构及作用与实施例一相同。

接着，对本实施例的电位治疗器4的作用进行说明。本实施例的控制用微型计算机12对晶体管驱动电路14进行与实施例一相同的控制，并且，控制三端双向可控硅开关元件驱动电路15，对三端双向可控硅开关元件51的交流导通相位角进行控制。即，第一高压变压器52是交流升压用变压器，但是施加到其一次绕组53的交流电压的相位不是360°，正半波的导通相位角与负半波的导通相位角分别由三端双向可控硅开关元件51进行控制。并且，在第一高压变压器52的二次绕组54上，产生正负各导通相位角被控制的交流高电压。

由此，通过内置高压整流二极管37的第二高压变压器34的输出，在电容器46的波形合成点45侧产生直流负电压，并且，第一高压变压器52的相位角被控制的交流波形，作为波形合成点45的电压被叠加。因此，波形合成点45的波形，成为在直流负电压上叠加有相位角被控制的交流波形的电压波形。该波形合成点45的电压通过第四高电阻48出现在输出端子40上。

出现在该输出端子40上的电压的直流部分，可以通过由控制用微型计算机12控制晶体管驱动电路14的信号，任意地进行改变，这与实施例一相同。另外，出现在输出端子40上的电压的交流部分，可以通过由控制用微型计算机12控制三端双向可控硅开关元件驱动电路15的信号，任意地改变导通相位角。

实施例五

图5是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例五的结构的电路图。本实施例的电位治疗器5的输出合成电路的结构与实施例四不同，该输出合成电路合成第一高压变压器52的输出与第二高压变压器34的输出。即，本实施例中的输出合成电路的电容器46配置在高压整流二极管37的阳极与接地间，该电容器46将由高压整流二极管37对第二高压变压器34的二次电压进行整流后的输出进行平滑，产生负极性的直流高电压。并且，第一高压变压器52的二次绕组54的一端连接在高压整流二极管37的阳极上，二次绕组54的另一端通过高电阻49连接在输出端子40上。其他的结构与图4所示的实施例四相同，因此，相同的构成要素赋予相同的符号，省略重复说明。

接着，对本实施例的电位治疗器5的作用进行说明。在本实施例中，由高压整流二极管37对第二高压变压器34的二次绕组36的电压进行整流，并由电容器46进行平滑。由此，在电容器46未接地一方的电极上，产生高压直流的负电压。将第一高压变压器52的二次绕组54所引起的交流电压叠加到该直流负电压上，并通过高电阻49输出到输出端子40。其他的作用与实施例四相同。

在本实施例中，出现在输出端子40上的电压的直流部分，可通过由控制用微型计算机12对晶体管驱动电路14进行控制的信号，任意地进行改变，这与实施例一相同。另外，出现在输出端子40上的电压的交流部分，可通过由控制用微型计算机12对三端双向可控硅开关元件驱动电路15进行控制的信号，任意地改变导通相位角。

实施例六

图6是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例六的结构的电路图。本实施例的电位治疗器6的特征在于，第一高压变压器52及第二高压变压器62是交流用的高压变压器，并且由三端双向可控硅开关元件51对第一高压变压器52的一次侧的交流导通相位角进行控制，由三端双向可控硅开关元件61对第二高压变压器62的一次侧的交流导通相位角进行控制，还设置有对第二高压变压器62的输出进行倍压整流的科克劳夫特-沃尔顿电路(倍压整流电路)65。

在图6中，本实施例的电位治疗器6具备：操作显示面板11；控制用微型计算机12；三端双向可控硅开关元件驱动电路15，由控制用微型计算机12进行控制；三端双向可控硅开关元件(双向半导体开关元件)51，由三端双向可控硅开关元件驱动电路15驱动其栅极电极，并且一个电极接地；第一高压变压器52，其一次绕组53的一端连接在三端双向可控硅开关元件的另一个电极，一次绕组53的另一端连接在商用交流电源(AC100V)上；电容器46，其一个电极连接在一端接地的第一高压变压器52的二次绕组54的另一端上，另一个电极连接在波形合成点45上；三端双向可控硅开关元件驱动电路16，由控制用微型计算机12进行控制；三端双向可控硅开关元件(双向半导体开关元件)61，通过三端双向可控硅开关元件驱动电路16驱动其栅极电极，并且一个电极接地；第二高压变压器62，其一次绕组63的一端连接在三端双向可控硅开关元件61的另一个电极上，一次绕组63的另一端连接在商用交流电源(AC100V)上；科克劳夫特-沃尔顿电路65，将一端接地的第二高压变压器62的二次绕组64的电压进行倍压整流，产生负极性的直流高电压；第三高电阻47，连接科克劳夫特-沃尔顿电路65的负电压输出端子与波形合成点45；第四高电阻48，连接波形合成点45与输出端子40；分压电阻43、44，将输出端子40的电压进行分压，反馈到控制用微型计算机12。

此外，本实施例中的操作显示面板11及控制用微型计算机12的结构及作用与实施例一相同。

接着，对本实施例的电位治疗器6的作用进行说明。本实施例的控制用微型计算机12，对三端双向可控硅开关元件驱动电路15、16进行控制，分别控制三端双向可控硅开关元件51、61的交流导通相位角度。即，第一高压变压器52是交流升压用变压器，但是施加到其一次绕组53的交流电压的相位不是360°，正半波的导通相位角与负半波的导通相位角分别由三端双向可控硅开关元件51进行控制。并且，在第一高压变压器52的二次绕组54上，产生正负各导通相位角被控制的交流高电压。

另外，第二高压变压器62也是交流升压用变压器，施加到其一次绕组63的交流电压的相位不是360°，正半波的导通相位角与负半波的导通相位角分别由三端双向可控硅开关元件61进行控制。并且，在第二高压变压器62的二次绕组64上，产生正负各导通相位角被控制的交流高电压。该相位控制，作为结果可改变二次绕组64所引起的交流电压的p-p值。二次绕组64的交流电压，通过科克劳夫特-沃尔顿电路65进行其级数部分的倍压整流，产生负极性的直流高电压。该直流高电压通过第三高电阻47被加到波形合成点45，另一方面，由第一高压变压器52引起的交流高电压也被加到波形合成点45。作为结果出现在波形合成点45的电压，成为如下的电压：第一高压变压器52的二次绕组54所引起的交流高电压叠加到科克劳夫特-沃尔顿电路65所产生的负极性的直流高电压中。该波形合成点45的电压通过第四高电阻48出现在输出端子40上。

出现在该输出端子40上的电压的直流部分，可通过由控制用微型计算机12对三端双向可控硅开关元件驱动电路16进行控制的信号，任意地进行改变，另外，出现在输出端子40上的电压的交流部分，可通过由控制用微型计算机12对三端双向可控硅开关元件驱动电路15进行控制的信号，任意地改变导通相位角。

实施例七

图9是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例七的主要部分的电路图，是如下的实施例：将对图5所示的实施例五的电位治疗器5中的第一高压变压器52进行驱动的三端双向可控硅开关元件51，置换为中心引线(center tap)型推挽输出电路70。其他的结构与实施例五相同，因此，省略说明。

在图9中，本实施例中的交流高压输出部由中心引线型推挽输出电路70构成，在第一高压变压器52的一次绕组53上设置有中心引线。一次绕组53的两端分别连接在输出晶体管71、72的集电极，一次绕组53的中心引线连接在集电极电源(140V)上。晶体管71、72通过未图示的驱动电路，进行每半波交替驱动的推挽动作。

第二高压变压器34的二次电压连接在高压整流二极管37的阴极，平滑用的电容器46配置在高压整流二极管37的阳极与接地间。并且，第一高压变压器52的二次绕组54的一端连接在高压整流二极管37的阳极，二次绕组54的另一端通过高电阻48连接在输出端子40上。由此，由第二高压变压器34产生的二次电压被整流，成为负的直流高电压，第一高压变压器52的交流高电压叠加在该直流高电压中，通过高电阻48输出到输出端子40上。

根据本实施例，通过利用晶体管71、72的中心引线型推挽输出电路70对第一高压变压器52进行驱动，因此，可将任意的频率及任意电压的交流高电压施加到输出端子40上。

实施例八

图10是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例八的主要部分的电路图，是如下的实施例：将对图5所示的实施例五的电位治疗器5中的第一高压变压器52进行驱动的三端双向可控硅开关元件51，置换为晶体管桥输出电路80，并且，变更了合成第一高压变压器52的输出与第二高压变压器34的输出的输出合成电路的结构。其他的结构与实施例五相同，因此，省略说明。

在图10中，第一高压变压器52的一次绕组53由晶体管桥输出电路80进行驱动。晶体管桥输出电路80由四个晶体管81、82、83、84构成。晶体管81、82的集电极全都连接在集电极电源(140V)上。晶体管81、82的发射极分别连接在晶体管83、84的集电极上。晶体管83、84的发射极全都接地。并且，第一高压变压器52的一次绕组53的一端连接在晶体管81的发射极与晶体管83的集电极的连接点上，第一高压变压器52的一次绕组53的另一端连接在晶体管82的发射极与晶体管84的集电极的连接点上。

晶体管81与84、晶体管82与83分别成对地被驱动，在第一高压变压器52的一次绕组53中流动任意频率任意大小的交流电流。由此，在第一高压变压器52的二次绕组54中可得到所希望的交流高电压。二次绕组54通过电容器46连接在波形合成点45上。

另一方面，与实施例五相同，用于产生直流高电压的第二高压变压器34，其一次绕组35由晶体管31进行驱动。第二高压变压器34的二次绕组36的一端接地，二次绕组36的另一端连接在高压整流二极管37的阴极。高压整流二极管37的阳极通过第三高电阻47连接在波形合成点45上。波形合成点45通过第四高电阻48连接在输出端子40上。输出端子40上连接有将其电压进行分压后反馈到控制用微型计算机12的分压电阻43、44。

根据本实施例，通过利用晶体管81、82、83、84的晶体管桥输出电路80，对第一高压变压器52进行驱动，因此，在第一高压变压器52的一次绕组53上不需要中心引线，可将任意频率及任意电压的交流高电压施加到输出端子40上。

实施例九

图11是说明与本发明有关的电位治疗器的实施例九的主要部分的电路图。本实施例变更了图10所示的实施例八的电位治疗器8中的产生交流高电压的第一高压变压器52的输出、与用于产生直流高电压的第二高压变压器34的输出的合成方法。其他的结构与图10所示的实施例八相同。

在图11中，第二高压变压器34的二次绕组36的电压，通过高压整流二极管37和电容器46进行整流平滑，在电容器46中出现负的直流高电压。输出到第一高压变压器52的二次绕组54的交流高电压，叠加在该直流高电压中，通过高电阻48，输出到输出端子40。

根据本实施例，通过利用晶体管81、82、83、84的晶体管桥输出电路80，对第一高压变压器52进行驱动，因此，在第一高压变压器52的一次绕组53上不需要中心引线，可将任意频率及任意电压的交流高电压施加到输出端子40上。

此外，在以上的各实施例中，说明了第一、第二高压变压器使用绕组变压器或回扫变压器的例子，但是第一、第二高压变压器也可以使用压电变压器来构成本发明的电位治疗器。在使用了压电变压器的情况下，压电元件比起电磁材料，能够以能量密度高的状态使用，并可小型化这些高压变压器。

Claims (7)

1.一种电位治疗器，其特征在于，具备：

第一高压变压器；

第二高压变压器；和

输出合成电路，对第一高压变压器的输出以及第二高压变压器的输出进行合成，并输出到输出端子。

2.根据权利要求1所述的电位治疗器，其特征在于，

第一高压变压器对正极性的半波电压进行升压，

第二高压变压器对负极性的半波电压进行升压。

3.根据权利要求2所述的电位治疗器，其特征在于，

上述输出合成电路具备：

第一高电阻，连接第一高压变压器的输出与上述输出端子；和

第二高电阻，连接第二高压变压器的输出与上述输出端子。

4.根据权利要求1所述的电位治疗器，其特征在于，

上述输出合成电路具备高压整流电路，该高压整流电路对第二高压变压器的输出进行整流。

5.根据权利要求4所述的电位治疗器，其特征在于，

上述输出合成电路具备：

第三高电阻，连接上述高压整流电路的输出与波形合成点；

电容器，连接第一变压器的输出与上述波形合成点；和

第四高电阻，连接上述波形合成点与上述输出端子。

6.根据权利要求1所述的电位治疗器，其特征在于，

第一或第二高压变压器是绕组升压变压器、回扫变压器及压电变压器中的任一个。

7.根据权利要求1至6任一项所述的电位治疗器，其特征在于，

还包括控制电路，该控制电路将上述输出端子的电压反馈到第一及第二高压变压器的驱动电路，抑制上述输出端子的电压变动。

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