CN1760379A - 磁性器件的旋转磁场热处理方法与装置 - Google Patents

磁性器件的旋转磁场热处理方法与装置 Download PDF

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Abstract

本发明属于磁性器件技术领域,具体为一种磁性器件的磁场热处理方法与装置。本发明方法是在进行磁场热处理时,把待处理器件固定在一旋转轴上,使器件旋转,从而使器件的各点磁化均匀,受热均匀。本发明装置为在现有磁场热处理装置中加设一由马达驱动的旋转轴,待处理器件固定于轴的前端置于加热炉和磁场中。由本发明进行磁场热处理的器件,测量其磁通,不均匀性小于4%,较不加旋转的磁化器件,其磁化均匀性大大改善,能满足特定情况下的使用要求,扩大了器件的应用范围。这种磁性器件可用于陀螺马达,激光导引头部件和方位定位仪等。

Description

磁性器件的旋转磁场热处理方法与装置
技术领域
本发明属磁性器件技术领域,具体涉及一种磁性器件的磁场热处理方法和装置。
背景技术
目前国内外传统的磁场热处理是把器件放置在加有磁场的炉子内,进行静态热处理,通过一定的磁场和热处理温度来提高器件的磁性能,如AlNiCo、FeCrCo、FeNi合金等加工成的磁性器件都采用此方法。但这样处理后,器件各部位的磁性不均匀性往往达20%左右。这种磁性器件,特别是较大断面的磁性器件,不能满足使用的技术要求。
发明内容
本发明的目的在于提出一种磁化均匀性高的磁性器件的磁场热处理方法和装置。
本发明提出的磁场热处理方法,是将待处理器件固定于旋转轴上,在进行磁场热处理时,使器件旋转。转速要求不限,一般转速为5-60转/分钟即可。其它条件与原来磁场热处理条件相同,即磁场强度为1000-3000Oe即可,当然磁场强度越大越好,可以在3000Oe以上。加热处理温度为500-900℃,保持时间为0.5-2小时。
根据上述方法,本发明设计了相应的磁场热处理装置。该装置包括原来磁场热处理装置:电磁铁A,绕在电磁铁A上的磁化线圈E,加热炉B。另外,再设置有旋转轴C,旋转轴C由马达驱动,旋转轴C的前端部用于固定待处理器件D并进入加热炉B中。
工作时,将待处理器件D固定于旋转轴C的前端部。马达驱动旋转轴C旋转,带动器件D在加热炉B中旋转,通电,通过线圈E,使电磁铁A产生强磁场,器件D在磁场中旋转并进行热处理,其每个点的磁化都很均匀,受热也均匀,大大改善了其磁均匀性,尤其对大断面的器件,效果更为明显。测量磁通量,其不均匀性小于4%(非旋转处理的不均匀性达20%),能满足产品在特定情况下的使用要求,扩大了器件的应用范围。这种磁性器件可用于陀螺马达、激光导引头部件和方位定位器等。
附图说明
图1为磁场热处理装置结构图示。
图中标号:A为电磁铁,B为加热炉,C为旋转轴,D为器件,E为线圈,F为电源线。
具体实施方式
下面通过实施例进一步具体描述本发明。
实施例1,经过高温过溶处理(处理温度为1000-1300℃)的FeCrCo合金制成的外径为Φ80mm的圆环形器件固定于本发明装置的旋转轴C前端,进行磁场热处理。在升温时施加磁场。器件在电磁铁A产生的磁场中随轴C的转动而不断旋转。转速为10-30转/分钟,热处理温度为600-700℃左右,磁场强度为2000-3000Oe,保温时间为1-2小时。处理完毕后,器件出炉冷却,经500-600℃回火处理,测试3个产品的磁通量,其不均匀性如下表1:
编号 稳磁后ΔΦ(%) 高温后ΔΦ(%) 低温后ΔΦ(%) 温冲后ΔΦ(%)
 6-1  1.80  2.25  2.40  2.25
 6-2  1.50  1.80  1.95  1.95
 6-3  1.65  1.62  1.65  1.95
ΔΦ为磁通不均匀性, ΔΦ = C Δn N , ΔΦ为毫韦伯计指针最大最小读数差,C为毫韦伯计测量系数(常数),N为测量线圈的匝数,
试验条件:高温:50℃,2小时。低温:-40℃,2小时。温度冲击:-60℃,1小时+70℃,1小时,3个循环。
实施例2,器件为材料AlNiCo或FeCoV合金制成的直径为Φ100mm的圆环,用本发明装置进行磁场热处理,轴C的转速为30-60转/分钟,升温时加磁场,强度为1000-2000Oe,热处理温度为700-850℃,保温时间为1-2小时,器件磁化后的磁通量均匀性与表1结果相近(具体略)。

Claims (3)

1、一种磁性器件的旋转磁场热处理方法,其特征在于待处理的器件固定于一旋转轴上,并置于加热炉中,在进行磁场热处理时,控制旋转轴旋转,从而使器件旋转。
2、根据权利要求1所述的旋转磁场热处理方法,其特征在于旋转轴转速为5-60转/分钟,磁场强度为1000-3000Oe,加热处理温度为500-900℃,保持时间为0.5-2小时。
3、一种磁性器件的旋转磁场热处理装置,由电磁铁(A)、电磁铁(A)上的磁化线圈(E)和加热炉(B)组成磁场热处理装置,其特征在于另设有由马达驱动的旋转轴(C),旋转轴(C)的前端部用于固定待处理器件,并进入加热炉(B)中。
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