CN1758445A - 开关元件及使用该开关元件的保护电路 - Google Patents

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Abstract

一种开关元件及使用该开关元件的保护电路,现有的双向开关元件通过准备相同尺寸的两个开关元件实现,因此,存在不能降低成本,不能实现尺寸小型化的问题。本发明的开关元件具有沿双向形成电流经路的主要的第一开关元件;和在第一开关元件断开时,切断寄生二极管的第二开关元件。第二开关元件由于进行第一开关元件的辅助动作,故可以为小的芯片尺寸,可实现开关元件的小型化及低导通电阻化。另外,通过在保护电路中使用开关元件,实现保护电路尺寸的小型化。

Description

开关元件及使用该开关元件的保护电路
技术领域
本发明涉及开关元件及使用该开关元件的保护电路,涉及可切换双向的电流经路,且降低占有面积的开关元件及使用该开关元件的保护电路。
背景技术
作为开关元件,不仅对进行开关的切换,而且对例如用于二次电池的保护电路的开关元件那样,切换电流经路方向(电流流动的方向)的元件也进行了开发。
图4中,作为现有的双向开关元件的例子,表示二次电池用保护电路的电路图。
双向开关元件86是将过放电阻止开关元件82和过充电阻止开关元件83串联连接的元件,利用控制电路84进行开关控制。
控制电路84检测电池电压,在检测到的电压比最高设定电压高时,将过充电阻止开关元件83切换为断开,阻止二次电池1的过充电。另外,在检测到的电压比最低设定电压低时,将过放电阻止开关元件82切换为断开,阻止二次电池1的过放电。
过放电阻止开关元件82和过充电阻止开关元件83由可减小接通状态的内部电阻,减小功率损失和电压降的MOSFET构成。MOSFET由于具有寄生二极管,故即使MOSFET断开,也可以通过寄生二极管形成规定方向的电流经路。
因此,即使在例如电池电压比最高设定电压高,过充电阻止开关元件83的MOSFET为断开的情况下,也可以通过寄生二极管进行二次电池1的放电。
相反,即使在电池电压比最低设定电压低,过放电阻止开关元件82的MOSFET为断开的情况,也可以通过寄生二极管进行二次电池1的充电。
图4所示的二次电池1的保护电路85进行上述的动作,阻止二次电池1的过充电及过放电(例如参照专利文献1)。
专利文献1:特开平10-12282号公报(第7页,图1)
如上所述,在现有的技术中,将一方作为用于阻止过充电的过充电阻止开关元件83,将另一方作为用于阻止过放电的过放电阻止开关元件82,实现双向开关元件86。而且,它们是将相同尺寸的两个开关元件(MOSFET)串联连接的元件,存在阻碍尺寸的小型化,不能降低制造成本等问题。
发明内容
本发明是鉴于这样的课题而开发的,本发明第一方面提供一种开关元件,其包括分别具有控制端子和两个端子的第一、第二开关元件,所述第二开关元件将一端子与所述第一开关元件的一端子连接,将另一端子与该第二开关元件及所述第一开关元件各自的反向栅连接。
另外,在所述第一开关元件2接通时,将所述第二开关元件接通,在所述第一开关元件断开时,将第二开关元件断开。
所述第一开关元件具有两个寄生二极管,所述第二开关元件分别具有一个寄生二极管,在所述第一开关元件断开时,将所述第二开关元件断开,切断所述第一开关元件的一个寄生二极管的连接。
所述第二开关元件为所述第一开关元件的芯片尺寸的1/2以下的尺寸。
本发明第二方面提供一种保护电路,其具有开关元件和进行所述开关元件的控制的控制装置,其中,所述开关元件包括分别具有控制端子和两个端子的第一、第二开关元件,所述第二开关元件将一端子与所述第一开关元件的一端子连接,将另一端子与该第二开关元件及所述第一开关元件各自的反向栅连接,将所述开关元件与二次电池串联连接,进行该二次电池的充电方向及放电方向的电流经路的切换。
所述控制装置在所述二次电池的电压比最高设定电压高时,或比最低设定电压低时,将所述第一开关元件及所述第二开关元件断开,切断电流经路。
所述第一开关元件具有两个寄生二极管,所述第二开关元件具有一个寄生二极管,所述控制装置在断开所述第一开关元件时,将所述第二开关元件断开,切断所述第一开关元件的一个寄生二极管的连接。
另外,所述第二开关元件为所述第一开关元件的芯片尺寸的1/2以下的尺寸。
根据本发明,在开关元件断开时,可通过第二开关元件切断第一开关元件的两个寄生二极管内的一个。即,由于可切断断开时动作的寄生二极管,故可将进行电流的导通及切断的MOSFET设为一个。因此,可提供降低成本、降低占有面积的开关元件。另外,在维持开关元件占有面积的情况下,可实现导通电阻的降低。
另外,第二开关元件在第一开关元件导通的状态时,可在第一开关元件的反向栅施加规定的电位,因此,可使动作时的阈值电压稳定。
通过在二次电池等保护电路中采用上述开关元件,可大幅降低切换过充电、过放电的开关元件的尺寸。由此,可谋求制造成本的降低。
在保护电路中,需要沿充电侧及放电侧双向流过电流,目前,实现了使用两个MOSFET的双向开关元件。但是,根据本实施例,在断开流过电流的MOSFET时,可切断寄生二极管,因此,可由一个MOSFET进行双向开关。
另外,双向的开关元件可通过一个控制端子进行控制,和现有的保护电路相比,可降低控制端子的数量。
附图说明
图1是说明本发明的开关元件的(A)电路图、(B)剖面示意图;
图2是本发明的保护电路的电路图;
图3是本发明的保护电路的剖面示意图;
图4是现有的保护电路的电路图。
符号说明
1  二次电池
2  保护电路
3  开关元件
4  控制电路
5  第一MOSFET
6  第二MOSFET
9  充放电控制电路
51、61  漏极
52、62  源极
54、64  栅极
55、56、65  寄生二极管
53、63  反向栅触子
58、68  反向栅
82  过放电阻止开关元件
83  过充电阻止开关元件
84  控制电路
85  保护电路
86  双向开关元件
具体实施方式
参照图1~图3详细说明本发明的实施例。
图1表示本发明的第一实施例。图1(A)是开关元件的电路图,图1(B)是开关元件的剖面示意图。
本实施例的开关元件3由第一MOSFET5、第二MOSFET6构成。
第二MOSFET6将漏极(或源极)与第一MOSFET5的漏极(或源极)连接。另外,将第二MOSFET6的源极(或漏极)分别与第二MOSFET6的反向栅68及第一MOSFET5的反向栅58连接。
参照图1(B),说明开关元件3的结构。另外,在本实施例中,源极及漏极等价,以下的说明将源极及漏极交换也是相同的。
第一MOSFET5、第二MOSFET6例如为n沟道型MOSFET。第一MOSFET5在构成反向栅58的p-型衬底上设置n+型源极52及漏极51。另外,为降低反向栅58的接触电阻,而设置p+型反向栅触子53。
第二MOSFET6也和第一MOSFET5相同,在构成反向栅68的p-型衬底上设置n+型源极62及漏极61。另外,设置p+型反向栅触子63。而且,将源极62及反向栅68(反向栅触子63)短路,并与第一MOSFET5的反向栅58(反向栅触子53)连接。另外,第二MOSFET6的漏极61与第一MOSFET5的漏极51连接。
第一MOSFET5根据动作状态在衬底上形成寄生二极管55、寄生二极管56。另一方面,第二MOSFET6通过使反向栅68与源极62短路构成相同电位,仅形成一个寄生二极管65。
将第一MOSFET5、第二MOSFET 6各自的栅极54、64连接,即,施加相同的控制信号。另外,在第一MOSGET5的漏极51(第二MOSFET6的漏极61)及第一MOSFET的源极52上施加不同的电位。对应该施加的电位差和施加于第一、第二MOSFET5、6的栅极54、64的信号,进行形成于第一MOSFET的漏极51及第一MOSFET的源极52间的电流经路的双向的切换。
其次,参照附图具体说明上述开关元件3的动作。
首先,在第一MOSFET5的栅极54接通时,为通常的导通状态,第二MOSFET6的栅极64也导通,在第一MOSFET5的源极52-漏极51间(及第二MOSFET6的源极62-漏极61间)流过电流。例如,在第一MOSFET的漏极51(第二MOSFET6的漏极61)为高电位,第一MOSFET的源极52为低电位的情况下,电流如图1(B)的箭头a所示流动。另一方面,在漏极51、源极52的电位关系相反的情况下,电流如箭头b所示流动。这样,通过接通第一MOSFET5,根据第一MOSFET5的源极52及第一MOSFET5的漏极51(第二MOSFET6的漏极61)间的电位差,电流沿双向流动。无论在哪种情况下,都通过第二MOSFET6在第一MOSFET5的反向栅58上施加规定的电位,因此,可使第一MOSFET5的阈值电压稳定。
其次,说明断开第一MOSFET5的情况。第一MOSFET可沿双向流动电流,因此,具有两个寄生二极管55、56。即,当在该状态下在反向栅58上施加电位时,即使断开第一MOSFET5,此时也利用成为顺方向的寄生二极管在第一MOSFET5中流过电流。但是,在本实施例中,在该情况下,通过断开第二MOSFET6,使第一MOSFET5的反向栅58形成浮置电位。由此,可切断顺向的寄生二极管,将第一MOSFET5完全设为断开状态。
即,在第一MOSFET5断开的状态下,无论第一MOSFET5的源极52及第一MOSFET5的漏极51(第二MOSFET6的漏极61)的电位关系为任何状态,也不形成电流经路。
在此,本实施例的主要的开关是第一MOSFET5。即,通常使第一MOSFE5为导通状态,切换施加于第一MOSFET5两端子(即第一MOSFET5的源极52和漏极51)的电压,形成双向的电流经路。而且,第二MOSFET6是用于使第一MOSFET5的反向栅58的电位稳定化,或用于将第一MOSFET5设为完全断开的状态的开关。因此,可以不过分考虑第二MOSFET6的导通电阻的降低。
因此,第二MOSFET6的芯片尺寸与第一MOSFET5相比可足够小。例如,和现有的将相同尺寸的两个MOSFET串联连接的双向开关元件86相比,可实现开关元件3的小型化。
或,如果维持现有的双向开关元件86的占有面积,则可扩大第一MOSFET5的芯片尺寸,因此,可降低开关元件3的导通电阻。
图2及图3是本发明的第二实施例,表示将上述的开关元件用于保护电路的情况。
保护电路2和二次电池1串联连接,具有开关元件3和控制电路4。
开关元件3由第一MOSFET5和第二MOSFET6构成。另外,它们的详细结构和第一实施例相同,故省略说明。
第一MOSFET5和二次电池1串联连接,沿充电方向及放电方向形成电流经路,同时,阻止二次电池1的过充电和过放电。即,在第一MOSFET5上形成双向的电流经路,内装两个寄生二极管。另一方面,第二MOSFET6与第一MOSFET5的漏极51及反向栅58连接,在第一MOSFET5断开时,阻止内装于第一MOSFET5的两个寄生二极管55、56中顺向的寄生二极管的动作。
第一MOSFET5的源极52侧与例如负端子(-)连接,漏极51侧与正端子(+)连接。在负端子、正端子间连接AC接合器及负载。
控制电路4具有控制第一MOSFET5的栅极54及第二MOSFET6的栅极64的导通、断开的充放电控制端子9。
控制电路4在充放电动作时,将MOSFET5切换为导通,沿二次电池1的充电方向及二次电池1的放电方向使电流流动。
另外,判定例如在过充电状态下,在正端子、负端子间连接了AC接合器等电源的状态。而且,在该情况下,断开第一MOSFET5及第二MOSFET6,切断电流经路,阻止过充电。
另外,判定在过放电状态下,在正端子、负端子间连接有负载的状态。而且,在该情况下,断开第一MOSFET5及第二MOSFET6,切断电流经路,阻止过放电。
这样的过充电及过放电状态,可通过控制电路4判定例如负端子的电位来进行控制(这一点后述)。
图3是表示保护电路的结构的剖面概要图。
第一MOSFET5及第二MOSFET6的栅极54、64通过充放电控制端子9的输出进行控制。在第一MOSFET5、第二MOSFET6导通的情况下,正端子负端子存在电位差,因此,沿箭头方向进行充电或放电。另外,内装于第一MOSFET5的寄生二极管55、56通过断开第二MOSFET6被切断,并切断电流经路。
参照图2及图3说明保护电路2的动作。
在正常的放电时,在正端子及负端子上连接负载,进行放电(例如携带终端的操作等)直至规定的电压。
而且,在该状态下,在形成过放电的情况下,为防止进一步过放电,需要切断电流经路。在该情况下,例如电池1的电位为1V,在此,将电池的负极电位设为0V。
控制电路4判定负端子的电位,在正电位的情况下,判断为过放电状态下连接了负载的状态。然后,控制电路4将第一MOSFET5及第二MOSFET6设为断开状态。通过断开第二MOSFET6,使第一MOSFET5的反向栅58形成浮置电位,因此,寄生二极管55、56不动作,即,开关元件3变为断开状态,电流经路被切断。
另一方面,在从该状态(过放电状态)下进行充电时,只要将AC接合器等电源连接于正端子及负端子之间,使电流沿充电方向流过即可。在该情况下,例如正端子的电位为3V,负端子的电位为-1V。
控制电路4判定负端子的电位,在为负电位的情况下,判断为过放电状态下连接AC接合器的状态。而且,控制电路4将第一MOSFET5及第二MOSFET6设为导通状态。由此,开关元件3变为导通状态,如箭头所示,沿充电方向流过电流。
在正常的充电时,在正端子、负端子上连接AC接合器等电源,沿箭头方向供给充电电流,进行二次电池的充电。
而且,在该状态下,在构成过充电的情况下,需要切断电流经路。在该情况下,例如正端子为4V,负端子为-1V。
控制电路4判定负端子的电位,在为负电位的情况下,判断为在过充电状态下连接有AC接合器的状态。而且,控制电路4将第一MOSFET5及第二MOSFET6设为断开状态。由此,第一MOSFET5的反向栅58变为浮置电位,故寄生二极管55、56不动作,即,开关元件3变为断开状态,切断电流经路。
另一方面,在从该状态(过充电状态)进行放电时,只要将负载与两端子连接,沿放电方向流动电流即可。在该情况下,例如正端子的电位为4V,负端子的电位为1V。
控制电路4判定负端子的电位,在为正电位的情况下,判断为过放电状态下连接有负载。而且,控制电路4将第一MOSFET5及第二MOSFET6设为导通状态。由此,沿箭头的放电方向流过电流。
第二MOSFET6在第一MOSFET5中流过电流时,将反向栅58的电位稳定化,另外,在第一MOSFET5断开时,阻止寄生二极管55、56的动作。因此,与第一MOSFET5相比,第二MOSFET6可以不过分考虑导通电阻的降低。
因此,第二MOSFET6的尺寸与第一MOSFET5的尺寸相比,可减小到非常小,可比现有的双向开关元件86的芯片尺寸小。
在保护电路中,有时检测开关元件3的电阻值(导通电阻)来进行控制,有时希望在开关元件3上维持规定的导通电阻值这样的设计。即,在维持现有的导通电阻的情况下,根据本实施例,可将芯片尺寸降低到约1/4。
下面具体地进行说明。例如,将现有的MOSFET82、83的导通电阻分别定为20mΩ,将尺寸设为2mm2。即,现有的双向开关元件86的导通电阻为40mΩ,芯片尺寸(占有面积)为4mm2
而在本实施例中,在维持现有的导通电阻(40mΩ),且使第二MOSFET6的芯片尺寸足够小时,可将开关元件3的芯片尺寸降低到1mm2。即,可将作为开关元件3的芯片尺寸减小为约1/4。
另外,上述开关元件3可通过控制电路4的一个控制端子9进行动作,与现有的开关元件86相比,可降低控制端子数。
另外,在上述开关元件3及保护电路2具有的各MOSFET5、6中,使用了n沟道的横型MOSFET,但不限于此,也可以使用p沟道MOSFET,另外,使用纵型MOSFET,也可以得到相同的效果。
另外,上述说明了将开关元件3用于二次电池的例子,但也可用作需要双向开关的电路开关。

Claims (8)

1、一种开关元件,其特征在于,包括分别具有控制端子和两个端子的第一、第二开关元件,所述第二开关元件将一端子与所述第一开关元件的一端子连接,将另一端子与该第二开关元件及所述第一开关元件各自的反向栅连接。
2、如权利要求1所述的开关元件,其特征在于,在所述第一开关元件接通时,将所述第二开关元件接通,在所述第一开关元件断开时,将所述第二开关元件断开。
3、如权利要求1所述的开关元件,其特征在于,所述第一开关元件具有两个寄生二极管,所述第二开关元件具有一个寄生二极管,在所述第一开关元件断开时,将所述第二开关元件断开,切断所述第一开关元件的一个寄生二极管的连接。
4、如权利要求1所述的开关元件,其特征在于,所述第二开关元件为所述第一开关元件的芯片尺寸的1/2以下的尺寸。
5、一种保护电路,其特征在于,具有开关元件和进行所述开关元件的控制的控制装置,其中,所述开关元件包括分别具有控制端子和两个端子的第一、第二开关元件,所述第二开关元件将一端子与所述第一开关元件的一端子连接,将另一端子与该第二开关元件及所述第一开关元件各自的反向栅连接,将所述开关元件与二次电池串联连接,进行该二次电池的充电方向及放电方向的电流经路的切换。
6、如权利要求5所述的保护电路,其特征在于,所述控制装置在所述二次电池的电压比最高设定电压高的充电状态时,或比最低设定电压低的放电状态时,将所述第一开关元件及所述第二开关元件断开,切断电流经路。
7、如权利要求5所述的保护电路,其特征在于,所述第一开关元件具有两个寄生二极管,所述第二开关元件具有一个寄生二极管,所述控制装置在断开所述第一开关元件时,将所述第二开关元件断开,切断所述第一开关元件的一个寄生二极管的连接。
8、如权利要求5所述的保护电路,其特征在于,所述第二开关元件为所述第一开关元件的芯片尺寸1/2以下的尺寸。
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