CN1729379A - 极低含水量的o形环及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

制备很低水分的O形环，方法是将标准O－形环(16)置于真空，在惰性气氛中达足够长的时间(18)，以获得需要的脱气速率。不进行加热。O－形环处于真空中时，通过扩散从O－形环(20)除去水分。

Description

极低含水量的O形环及其制备方法
本发明涉及密封用O形环的制备，具体涉及极低含水量的O型环的制备。
背景技术
公知的半导体芯片的制造方法是在化学气相沉积(CVD)反应器内，在硅衬底上沉积出外延生长的锗化硅(SiGe)。SiGe在硅衬底上的沉积能提供一层形成晶体管的材料。SiGe的沉积通常被用来生产高速度、低功率的射频和光学器件。
在SiGe的沉积过程中，存在于CVD反应器室内的氧渗入到沉积的SiGe薄膜中。虽然大量氧渗入SiGe薄膜的机理人们还没有完全理解，但这是一个文献充分证明的现象。在用来沉积SiGe的CVD反应器室内高的氧含量导致在CVD反应室内生产SiGe薄膜时出现很多的问题。在这些问题中，有SiGep型基极的薄膜电阻增大，晶体质量变差的问题。此外，反应器必须撤离生产几周甚至几月后，在反应器室内的氧才达到可以接受的水平。为此，它被完全拆开以除去水分，再重新组装，然后进行试验直到获得在SiGe薄膜上可以接受的氧含量。撤离生产的反应器显然不能用来生产半导体芯片，这是不划算的。
希望减小并稳定CVD反应器内氧的含量，因为这可以减小SiGe p型基极的电阻波动，提高晶体质量，也延长一个CVD反应器用于生产芯片的时间。另外，每减小十个数位的氧，少数载流子的寿命会增加1.33个数量级。(T.Ghani etal.，″Effect of Oxygen on Minority-Carrier Lifetime and Recombination CurrentsinSi1-xGex Heterostructure Devices，n Applied Physics Letters，58(12)，1991)。增加少数载流子的寿命，就增加了电荷载流子的数量，从而改善半导体芯片的性能。
在CVD反应器内减小高氧含量的影响从而减少SiGe基极电阻的努力，集中于向反应器室内添加乙硼烷(B2H6)。虽然硼的加入减小了SiGe p型基极的薄膜电阻，可能还需要其它的工艺调整，而这最终对工艺的稳定性具有负面的影响。例如，已经发现，B2H6流量的波动会影响SiGe基极的宽度和Ge的浓度。
众所周知，在CVD反应器中高氧含量是由于脱气过程和气体(水分和溶剂)从CVD反应器上的密封O形环渗出的缘故。脱气作用是气体，通常是水汽从O形环靠近CVD反应室一侧的表面脱附，同时O形环内部的气体扩散至已经发生了气体脱附的O形环的表面的结果。来自环境中的气体可以通过扩散输送透过O形环并通过脱附进入反应器室内部(P.Danielson，″Gas Loads and O-Rings，″AJournal of Practical and Useful Vacuum Technology)。一旦水分在反应器室内后，它将反复地吸附和脱附。
渗透量是O形环的材料性质、O形环暴露于真空中的线性英寸长度以及在膜或密封O形环两侧压力差的函数。虽然由于渗透而导致的室内气体负荷恒定，由于脱气作用和实际的泄漏而导致的室内气体负荷则是变动的，通常而言，渗透速率决定了CVD反应器内的氧的浓度的下限，而脱气速率则设定了反应器内氧的浓度的上限。O形环的渗透速率可以用下述方程来进行数学描述：
O ‾ = K P 1 1 / j - P 2 1 / j h ;
其中，h是有效材料厚度，K是渗透常数，j是离解常数(通常，气体在非金属中取j＝1，双原子气体在金属中取j＝2)。
如图1(取自Phil Danielson，″Gas Loads and O-Rings，″A Journal ofPractical and Useful Vacuum Technology，2002)所示，当未经烘烤的新O形环安装在真空系统上时，经过此未经烘烤的O形环10扩散输送的脱气作用产生的气体量高于渗透作用12产生的气体负荷量。随着真空系统的抽气时间增加，由于从未经烘烤的O形环10的脱气作用而产生的气体负荷减小，而渗透作用变为主要产生气体的原因。渗透作用12产生的气体负荷保持恒定。在整个阶段中，从经烘烤的O形环14的脱气作用产生的气体负荷低于由于渗透作用12产生的气体负荷，但是，在以下将更加详细地说明，因为弹性和可能的渗透性质的关系，经烘烤的O形环不适合用作CVD反应器的密封环。
在SiGe沉积中，对O形环的脱气作用可能影响工艺的稳定性，因此需要频繁地对工艺进行调整。将在CVD反应器中的氧的浓度减小到仅由于渗透作用导致的水平是所希望的，因为，如上所述，由于渗透作用导致的氧含量随着时间是恒定的，并且通常低于由于脱气作用导致的氧含量。
来自O形环的气体负荷在很大程度上是由于环的制造工艺。一个新的O形环可能包含未反应的单体、溶剂、挥发性的固化剂和水蒸气。固化过程也可能提高其产生的气体负荷，因为在固化中形成了HF，并且加入酸性接受体如MgO与HF反应(上述文献)。从新的O形环中脱气除去水需要花费几周或几个月的时间，然而，在一个对氧敏感的工艺，例如在CVD中反应器内进行SiGe沉积的工艺，这可能是非常昂贵的，因为在达到可接受的氧含量以前，需要这样长的时间CVD反应器不能用于制造过程。O形环可以在安装使用前在大气里烘烤，但这只能除去O形环体内水分的一部分，而且会影响其弹性，致使不适合于密封CVD反应器。而真空烘烤能除去大部分水分，但其对弹性、质量损失、渗透速率的影响是个大问题。
虽然经真空和/或热处理的O形环可以购买，但这些O形环产生的气体负荷仍然不小。按照出售厂家的准备(安装前用异丙醇擦拭)规格，使用低水分含量O形环时制成的SiGe薄膜中最低的氧含量是1018个氧原子/cc。只有在超过5周的时间内处理大约1500晶片以后，这一氧含量才能达到。由于需要这样长的时间使新的O形环脱气，在新的O形环安装时需要进行一道预防性的维护程序之后，在CVD反应器内氧浓度达到可以接受的水平和一致性达到之前，SiGe的沉积过程可能有好几星期是不稳定的。因此，希望有一种除去水分的O形环，它可以安装在CVD反应器上，而不需要在达到可以接受的氧的含量以前，让反应器长时间地脱离生产。
本发明的目的是提供一种密封用O形环的制备方法，此方法可以从O形环内部除去过量的水分而不影响O形环的弹性、质量和渗透速率。
本发明的目的是提供一种产生低气体负荷的O形环。
本发明的另一个目的是提供一种用于CVD反应器的O形环，它不会因脱气作用，在反应器室内产生高的氧含量。
本发明的另一个目的是提供一种用于CVD反应器的O形环，使得在CVD反应器内的氧含量接近于在整个过程中保持恒定的渗透水平。
本发明的另一个目的是提供一种用于CVD反应器的除去了水分的O形环，用以减小SiGe薄膜中的氧浓度。
发明概述
为实现上述目的，本发明采用一种制备O形环的方法，此时O形环在真空下惰性气氛(如氮气)中放置一段预定的时间。不加热。当O形环置于真空下，水分通过扩散输送从O形环中除去。
当O形环以上述方式制备并用来密封CVD反应器时，在SiGe薄膜中的氧含量减小到低于典型的次级离子质谱(SIMS)法探测限，即低于2×1017原子/cc(作为对比，当使用没有在真空中放置的O形环时，氧的含量是1018原子/cc)。
附图说明
图1显示O形环在真空下的气体负荷随时间的变化。
图2显示了在真空下1000小时后每一线性英寸O形环的脱气和渗透速率。
图3显示了一种100线性英寸viton O形环的脱气速率，与室温下真空脱气时间的关系。
图4是在标准或除去了水分的O形环安装在CVD反应器上进行一道维护程序后，膜内氧的浓度与通过CVD反应器沉积处理的晶片的数目的关系图。
图5是在标准或除去了水分的O形环安装在CVD反应器上进行一道维护程序后，归一化薄膜电阻与通过CVD反应器沉积处理的晶片的数目的关系图。
最佳实施方式
为了得到最好的效果，当操作O形环时应该戴洁净室用的双层手套。每过30分钟或60分钟，手套应该更换，并且如果它被污染了必须要更换。0形环在使用之前应该保持在氮气环境的包装内，以避免不好地暴露在空气中。所有可能与O形环接触的工件表面应该用异丙醇(IPA)擦拭。
在将O形环置于真空中之前，应该检查的真空的氮气源以确保它被净化到＜1ppm H20。真空容器的内部应该用异丙醇擦拭。为了得到最好的结果，也应该检查真空室确认没有外部泄漏，并且应该进行升压速率(ROR)测试以保证泄漏小于1毫乇/分钟(mtorr/minute)。(ROR程序可以按以下步骤进行：1)关闭所有的气体进口，将容器抽气至一个初压；2＝关闭隔离阀，隔离真空容器；3＝记录初压，让系统“泄漏”30分钟到几个小时的时间；4＝计算ROR，即用最终压力减去初始压力之差再除以总的漏气时间。如果ROR超过了1毫乇/分钟，系统应该抽气并用氮气冲洗直到达到所需的ROR。
在将新的O形环置于真空中之前，应该在一洁净室擦垫上用异丙醇的擦拭至干。O形环在用异丙醇擦拭之后应该立即放入真空室内。氮气流量应为每分钟1标准升(slpm)，真空压力应在1毫乇到50乇之间的范围内。在另外的实施方案中，只要能够维持上述的真空压力，也可以使用大于1slpm的氮气流量。应该使用20℃～200℃之间的低温。如上所述，加热可以使水分从O形环中除去，但过分加热会导致质量、形状和弹性的损失，因此会引起安装困难、过早失效和提高渗透速率。
O形环应该在用氮气吹扫的真空中保持最小的处理时间。最小的处理时间主要考虑以下因素：1)脱气速率，它与抽气时间的关系(经烘烤和未经烘烤的材料不同)；2)尺寸，主要是O形环暴露在真空中的长度，以及每线性英寸O形环的脱气速率；3)如果使用掺杂剂，所达到的脱气速率，它低于掺杂剂注入速率2到3个数位(对p型SiGe而言，乙硼烷的注入速率是μ-sccm(sccm是标准立方厘米每分钟)到m-sccm的范围内)。
脱气速率表示为[(压力×体积)/(时间×长度)]，通常单位是乇-升/秒-英寸(torr-litter/sec-inch)，即每线性英寸的脱气速率。这可以按下式转化为sccm：Qtot＝Qinch(Istdatm/760torr)(1000cc/liter)(60sec/min)(x)，其中Qtot＝整个O形环的气体负荷，单位是sccm；x＝O形环暴露在真空中的线性英寸。
脱气速率可以从供应商那里获得，或者通过使用升压速率(ROR)的方法得到。在ROR方法中，O形环置于真空中，进行ROR测量。减去在真空预处理过程中预先测得的反应器室的ROR，将得到的ROR转化为相当脱气速率。
在本发明的一个实施方式中，脱气速率也可如下计算：试看图1，在给的小时时间后未经烘烤的viton O形环的总的脱气速率可以从实验和计算获得(例如按Phil Danielson进行计算，取自“Gas Loads and O-Rings”，实用真空技术杂志，2002)。假设这里的处理时间为1000小时(取决于O形环的尺寸和类型，处理时间可以变化)，每线性英寸的脱气速率大约为3×10-7torr-liters/sec/linear-inch。使用上述的方程，可以计算出O形环表面暴露在真空中的总脱气速率：
Qtot＝Qinch(Istdatm/760torr)(1000cc/liter)(60sec/min)(×)
其中Qtot＝O形环的总气体负荷，单位是sccm；x＝O形环暴露在真空中的线性英寸。
图2显示了在对未经烘烤的O形环16和经烘烤的O形环20进行1000小时抽气过程中，O形环的脱气和渗透速率18与O形环线性英寸的关系。不令人惊奇的是，O形环的线性英寸增加时，对经烘烤的O形环20和对未经烘烤的O形环16而言，由于脱气作用和渗透作用而导致的气体负荷均增加，
图3显示了一个100线性英寸viton O形环的脱气速率22与室温条件下真空时间的关系。如图3所示，从有100线性英寸暴露在真空中的viton O形环除去其内部的水分需要许多个小时。
使用上面的图1中所述的方程，
Qtot＝Qinch(Istdatm/760torr)(1000cc/liter)(60sec/min)(x)
其中Qtot＝O形环的总气体负荷，单位是sccm；x＝O形环暴露在真空中的线性英寸，对于一个有100线性英寸暴露于真空中的O形环而言，假设每线性英寸总的脱气量(Qinch)是大约3×10-7torr-liters/sec/linear-inch，该O形环的脱气速率是3×10-5torr-liters/sec(与乙硼烷注入到SiGe薄膜中的速率相似)。近似的计算也可对于不同材料制成的不同尺寸的O形环进行。确定除去O形环中水分所需的处理时间可能需要进行几次反复的上述计算。例如，在真空中1000小时太长，处理时间应该使用500小时重新进行计算，等等。几个反复可能是需要的。
可以用两种不同的方法来确定上述的除去水分过程达到其终点的时间。可以使用残余气体分析器(RGA)方法，但是其数据可能难以解释，因为在系统内部氧和水的分压特别低。另一种方法是采用次级离子质谱(SIMS)测量氧在膜内的渗入量。图4显示了膜内氧的浓度(用SIMS测定)与进行一道预防性维护程序(PM1)以后通过CVD反应器沉积处理的晶片的数目的关系，比较的两条曲线是在PM1时安装新的标准O形环和在预防性维护程序(PM2)时安装除去了水分的O形环。PM124显示了使用标准O形环时膜内氧的浓度，在大约沉积处理200个晶片以后，膜内氧的浓度是2×1019原子/cc。在大约沉积处理500个晶片以后，膜内氧的浓度降到3.5×1018原子/cc。在大约沉积处理1500个晶片以后，膜内氧的浓度降到5.6×1017原子/c。当在PM226中使用除去了水分的O形环时，初始膜内氧的浓度是1018原子/cc。在大约沉积处理450个晶片以后，膜内氧的浓度降到2.5×1017原子/cc。在CVD反应器中使用除去了水分的O形环明显地导致更低的膜内氧的浓度，它比在系统中使用标准的未除湿的O形环更快地达到。
图5显示了进行了预防性维护程序PM1和PM2的归一化薄膜电阻随在CVD反应器中沉积处理的晶片的数目的变化PM1 28，使用标准的未除去水分的O形环，在沉积处理500个晶片以后其归一化薄膜电阻大约为1.25，到500个晶片沉积处理以后，归一化薄膜电阻才下降到1.0。与此形成对照，PM230，使用除去了水分的O形环，其归一化薄膜电阻几乎立即下降到大约1.0，且或多或少地保持恒定。
根据图4和图5，使用图4所示PM226中的除去了水分的O形环而达到的初始膜内氧的浓度即1018原子/cc，，代表着氧不再影响薄膜电阻的浓度，因为如图5所示，当在PM2 30中使用除去了水分的O形环时，归一化薄膜电阻几乎立即达到1.0，此时，如图4所示，初始膜内氧的浓度是1018原子/cc。这种薄膜电阻与氧浓度临界值的关系是决定于处理过程的，然而，降低氧的浓度是任何处理过程临界值的必要条件。
根据图4和图5，可以清晰地看出，在CVD反应器中使用除了水分的O形环的维护程序达到可以接受的氧的浓度要比不使用时要快得多。膜内氧的浓度低于SIMS的探测极限即2×1017原子/cc，基于常规已经被证实。此外，使用除了水分的O形环导致在2-3天内的膜内氧浓度为1018原子/cc(即不影响膜电阻的氧浓度水平)；当使用未除水分的O形环时，需要5天以上的时间才达到这一水平，在此时间处理了大约1500个晶片。
如上所述，O-形环保持在真空下用氮气吹扫一段计算的最小处理时间，或者直至需要使用O形环时，视这两个时间哪个长而定。因此，应当认为真空室是个O-形环的储存装置。一旦对O-形环开始去除水分后，即当将O-形环置于真空中后，真空应当保持不受干扰。在以后的时间在真空室内加入另外的O-形环，使此前已进行了保水分处理的那些O-形环。还要避免将该室通向大气，因为这就加入水分，就需要额外的处理时间来除去这些水分。如果为了维护而必须打开真空室，O-形环必须储存在有氮气吹扫的橱柜中。当该室再次可供使用时，可恢复进行O-形环的处理。
在将O-形环安装在CVD反应器中之前，不应将其从真空中取出。一旦安装好后，应使用N2吹扫箱或某些类似装置来减少其暴露于大气，直到系统关闭。如上所述，O-形环应用手套进行处理，与O-形环接触的所有表面都要用IPA擦拭，但O-形环处理好后不应用IPA擦拭。
O形环安装好后，在加热以前应该测量冷却室的泄漏速率。温度应该在3-12小时内缓慢地上升到不要超过300℃。在温度升高并对室体调适以后，SIMS和薄膜电阻应该周期性地测量，以决定脱气程序的有效性。

Claims (6)

1：一种制备除去乃水分的○形环的方法，包括：
a)计算已知尺寸的○形环置于真空下达到所需脱气速率所需的时间；
b)将○形环放置于真空中上述计算出的时间，此时○形环中的水分在真空下除去；
c)当上述计算出的时间达到时，将○形环从真空中取出。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，○形环在真空中时不加热。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：趁○形环在真空中时将○形环置于惰性气体的氛围。
4.一种除去了水分的○形环，通过下述步骤制备：
a)计算已知尺寸的○形环置于真空下达到所需脱气速率所需的时间；
b)将○形环放置于真空中上述计算出的时间，此时○形环中的水分在真空下除去；
c)当上述计算出的时间达到时，将○形环从真空中取出。
5.根据权利要求4所述的○形环，其特征在于，其制备过程进一步包括：趁○形环在真空中时将○形环置于惰性气体的氛围。
6.根据权利要求4所述的○形环，其特征在于，○形环在真空中时不加热。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7080440B2 (en) * 2002-12-20 2006-07-25 Atmel Corporation Very low moisture o-ring and method for preparing the same
US20090151623A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Atmel Corporation Formation and applications of high-quality epitaxial films
US20090189159A1 (en) * 2008-01-28 2009-07-30 Atmel Corporation Gettering layer on substrate
US8042566B2 (en) * 2008-07-23 2011-10-25 Atmel Corporation Ex-situ component recovery

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3121915B2 (ja) * 1992-06-01 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 封止装置
US5316171A (en) * 1992-10-01 1994-05-31 Danner Harold J Jun Vacuum insulated container
US6114216A (en) * 1996-11-13 2000-09-05 Applied Materials, Inc. Methods for shallow trench isolation
DE69735938T2 (de) * 1997-01-10 2007-01-25 Nippon Valqua Industries, Ltd. Oberflächenmodifiziertes fluorokautschukdichtungsmaterial
US6791692B2 (en) * 2000-11-29 2004-09-14 Lightwind Corporation Method and device utilizing plasma source for real-time gas sampling
US7080440B2 (en) * 2002-12-20 2006-07-25 Atmel Corporation Very low moisture o-ring and method for preparing the same

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