CN1723531A - 用于生物和反应性样品的基质辅助激光解吸衬底 - Google Patents

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Abstract

一种用于基质辅助激光解吸电离质谱仪的衬底(16)。该衬底具有一主体(109),该主体(109)具有支撑表面(107)和固定在支撑表面上的氮化物化合物层。氮化物化合物的主要重量含量来自氮化钛、氮化锆和氮化铪的组。

Description

用于生物和反应性样品的基质辅助激光解吸衬底
相关申请的交叉引用
无。
关于联邦政府资助研究开发的声明
本发明未经任何联邦政府资助研究开发项目的资金资助或赞助。
技术领域
本发明一般地涉及质谱仪领域,更具体地涉及具有用于减少与反应性样品和激光辐射的相互作用的表面的样品衬底。
背景技术
在质谱(在下文中称之为MS,mass spectrometry)技术中有几种有用的表面电离技术。表面电离的类型包括但不限于,快离子或原子轰击、场解吸、激光解吸、等离子体解吸。在Hillenkamp等人的美国专利5,118,937以及Hillenkamp的美国专利5,777,324中对这种技术进行了更充分地描述。最广泛使用的一种表面电离技术利用基质辅助激光解吸电离(在下文中称之为MALDI,matrix assisted laser desorption ionization)。MALDI技术的一个问题是样品的清洁度以及其与衬底的相互作用,这会影响样品晶化过程。例如,衬底表面钠的存在可能很容易污染样品,从而产生失真的谱线。对这种失真数据的解释有些困难。而且,衬底表面较高的离子含量由于减小了样品的离子产率,而会对该技术的灵敏度产生负面的影响。此外,表面反应性是反应性样品所关心的。理想地,样品在分析过程中应该保持不受影响。例如,镀金的衬底通常产生令人满意的结果。还存在使用不锈钢和非晶硅作为样品衬底的几种尝试。
MALDI技术的变化包括基质的去除以及与样品反应的样品衬底表面的引入。在Siuzdak等人的美国专利6,288,390中说明了这种改进的MALDI技术的例子。该专利描述了多孔吸光半导体衬底。该专利对大量吸光材料系列进行了描述。当辐射源在减压情况下照射衬底、并且来自样品的被分析物被吸附在衬底上时,照射还会导致被分析物的解吸和电离。虽然这种技术消除了对基质的需要,但是衬底在有限的使用之后必须被更换。
本发明消除了与用于质谱的激光吸收/电离技术(不管是否使用基质)相关联的这些以及其他困难。
因此,本发明的特征是提供一种用于光谱分析的装置,该装置使用了MALDI技术,并包括一种就样品劣化和衬底的污染而言不与待分析样品中的材料以及基质中的材料起化学作用的样品衬底。
发明的另一个特征是提供一种用于使用MALDI的分析仪的样品衬底,其相对导电且不吸光。
发明的另一个特征是提供一种用于使用MALDI的分析仪的样品衬底,其具有机械硬度并在将样品涂覆在衬底上以及在被激光照射的过程中阻止样品渗入衬底表面。
发明的另一个特征是提供了一种容易清洁并且可以在多个样品周期中重复使用的样品衬底。
发明的另一个特征是提供了一种廉价且可以作为一次性的样品衬底,例如通过将样品与衬底一起编档保存而提供了一种用于编档保存一部分样品的廉价途径。
发明内容
本发明涉及与具有MALDI的质谱(MS)或MS系统一起使用的装置和方法。本发明的衬底具有用于减小与样品的相互作用的表面,并包括具有无机、导电氮化物化合物的表面,所述氮化物化合物的主要重量含量来自氮化钛、氮化锆和氮化铪的组。氮化物化合物可以是例如混合金属氮化物,例如氮化铝钛或氮化铬钛。也可以使用氮化碳钛。
本发明还提供了一种生产与反应性样品具有被减小了的相互作用的衬底表面的方法。该方法包括向衬底表面涂覆衬底主体涂层,所述涂层选自由氮化钛、氮化锆和氮化铪组成的金属氮化物组。
本发明还涉及用于向分析仪提供材料的离子化样品的MALDI装置,其包括本发明的经改善的衬底。本发明还涉及包括本发明的衬底的质谱仪,其具有MALDI装置用于向所述质谱仪提供材料的离子化样品。
附图说明
参照下面的附图对本发明进行详细地描述,在附图中:
图1是本发明及其在质谱仪上的应用的简图;
图2是放大比例的衬底表面区域的局部视图;以及
图3示出了根据本发明在涂覆有氮化钛的衬底上沉积的8种肽(神经降压素片断(neurotensin Frag.)、血管紧缩素(angiotensin)II、缓激肽(bradykinin)、合成肽(synthetic peptide)、血管紧缩素I、syntydeII、纤维蛋白肽(fibrinopeptide)A以及神经降压素(neurotensiun))中每一个的250阿托摩尔(attomole)级的质谱。
具体实施方式
图1示出了本发明的应用。虽然该图图示了AP(大气压)MALDI技术,但是本发明不应该被狭义地解释为只包括这种具体类型的MALDI和系统,而本发明还可以应用于本领域中公知的真空MALDI和快原子轰击(FAB)。
现在参照图1,由标号10指示的具有本发明的质谱仪的例子包括腔体11和样品衬底16。腔体11包括在前壁6和第一内壁8之间的第一真空室9、在壁8和第二内壁12之间的第二真空室15以及第三真空室19。虽然在示图中示出了三个真空室,但是与本发明一起使用的可以是任意数量的室。从由箭头3指示的方向向沉积在衬底16上的样品和基质进行激光辐射,由此产生离子化的样品23。在大气压下产生的离子被取样毛细管5收集。取样毛细管5被定位在前壁6中,并连接大气压区与第一真空室9。除沫器(skimmer)13位于第一内壁8中并在第一真空室9和第二真空室15之间。离子光学系统17位于室15内,并且从除沫器13延伸到位于室19内的质量分析仪21。被取样的离子束被离子光学系统17运送到质量分析仪21。本领域中公知的其他组合、系统和实施例也可能与本发明一起使用。
参照图2,衬底16包括衬底主体109、金属层107和氮化物化合物层105。根据本发明,衬底主体109可以由铝、不锈钢、玻璃或塑料、导电或不导电固体材料或膜制成。在一个实施例中,衬底主体109由铝制成。第二层是中间金属层,其为氮化物化合物层105提供到衬底主体109的良好粘附。已经认识到,取决于具体的制造工艺可能不一定要在衬底设计中包含第二层。例如,在不锈钢衬底主体109的情况中,可以直接将氮化钛固定到衬底主体上,这样只产生两个层的衬底。还发现对于由铝制成的衬底主体部分来说,可以使用中间无电镀镍层107来提供氮化物涂层的良好粘附和均一性。还发现,形成氮化物化合物的金属的薄层提供了氮化物化合物到由玻璃制成的衬底主体109的良好粘附。但是,对于本发明很重要的是,氮化物表面或层应该在衬底16的外面,以减小与反应性样品或激光辐射的相互作用。
与例如不锈钢、金、镍的一般衬底表面材料相比,来自氮化钛、氮化锆和氮化铪的组中的无机、导电氮化物化合物出乎意料地使衬底16的表面相对于某些已知的反应性被分析物更加惰性化。那些反应性被分析物包括但不限于蛋白质、肽和烟酸。导电氮化物化合物可以是氮化钛、氮化锆或氮化铪,或者如氮化钛铝的混合金属氮化物。氮化钛、氮化锆和氮化铪显示出相对于许多这种被分析物的异常惰性特性。其他氮化物化合物包括但不限于氮化碳钛、氮化铬钛和氮化钨钛。但是,混合金属氮化物化合物应该是主要重量含量来自氮化钛、氮化锆和氮化铪的组中,少量的重量含量来自除钛、锆和铪之外的能够形成氮化物的元素。此外,本发明的氮化物化合物一般显示出尤其有益于质谱应用的其他特性。例如,本发明的氮化物化合物当被涂覆在衬底表面上时是极硬的,并允许由此涂覆的部分可以使用较硬的研磨料来清洁。本发明的氮化物化合物具有比约2000kg/mm努氏或维氏显微硬度更大的硬度,一般大约为2500到约3500。这相当于约85Rc。此外,一些氮化物化合物显示出了可能取决于或不取决于化合物的化学计量的微结构多态现象。多态现象可能是化合物是如何被形成的结果。说句离题的话,对于沉积在衬底表面上的一些氮化物膜来说,例如对于沉积在金属衬底上的氮化钛来说,已经发现膜的硬度取决于衬底的硬度。
如果衬底用电介质涂覆,那么随着时间的流逝静电将在衬底上累积。这种充电可能导致离子化效率的下降。因此,如果在衬底的任何表面上使用惰性涂层,那么涂层充分地导电以允许电荷的消散将是有利的。本发明的氮化物化合物具有不大于约10-1ohm-cm、优选不大于约10-3ohm-cm的电阻率,与具有更高电阻率的材料相比,提供对例如有机钠盐的某种离子化合物的表面吸附有抵抗力的导电表面。不管涂层的电阻率如何,涂层都应该被均匀地沉积以确保不存在未被涂覆的区域或者针孔,同时提供充分的覆盖以遮盖表面上的活性点。
可以使用许多方法来将本发明的化合物涂覆到衬底表面上。一种方法包括两个步骤的工艺:在感兴趣的表面上沉积金属或合金的薄层,并将该表面暴露在能够有效形成期望化合物的反应条件下的适当元素中。存在许多方法来沉积金属薄层,例如通过蒸发、溅射、电镀、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等本领域中公知的技术。但是,值得注意的是,不是所有的金属层沉积方法可以被轻而易举地使用于任何特定的金属。例如,具有低熔点或沸点温度的金属特别适合于通过蒸发沉积。相反,具有高熔点的金属不容易通过蒸发沉积。一旦沉积了金属层,该层就可以被暴露于在适于形成期望化合物的条件下的氮中。例如,金属层表面可以暴露于辉光放电等离子体中。对于氮化,具有金属层表面的衬底被放在真空室中。然后,离子化的氮气与其他气体混合,并且施加高压以起辉光而与衬底反应。很明显,适当的膜形成条件可能包括高温处理;因此,其上的表面将发生转变的材料必须能够经受所有的处理条件。此外,金属层到本发明的化合物的转变取决于氮到金属层中的扩散速率,并且这种转变对于本发明的一些化合物来说可能效率较低。可替换地,本发明的化合物可以在不包含上述的两个分立步骤的真空处理中沉积在表面上。这种真空处理包括但不限于,阴极电弧PVD、电子束蒸发、增强电弧PVD、CVD、磁溅射、分子束外延、这些技术的组合以及本领域的普通技术人员所公知的其他多种技术。本领域的普通技术人员将知道,CVD通常包括将衬底表面加热到足够高的温度,以分解气态的有机物质,从而形成期望的膜。这种加热通常避免使用塑料作为在其上沉积膜的表面。另一方面,PVD不必排除塑料作为衬底,并允许受遮盖膜沉积。但是,该方法只涂覆在涂层材料源的“视线”之内的表面,而“盲”点没有被涂覆。此外,在物理气相沉积中可以使用一定的衬底加热,以增强膜的粘附。在氮化钛的情况下,已经广泛使用空心阴极放电离子镀。这种方法包括在作为反应气体的氮气的存在下沉积钛。在空心阴极放电离子镀中,因为在蒸发钛分子的同时引入氮气,所以可以形成致密的膜。但是,必须小心,以确保最佳沉积。如果该过程中的能量过低,则被蒸发的钛与氮不反应,并且得到的膜与表面粘附不好。另一方面,过多的能量导致衬底的再蒸发或者对表面的毁坏。
可以使用上述方法来提供本发明的表面。一般地,本发明的涂层可以被沉积成具有从约1000埃到约10微米的厚度。通过PVD获得的厚度通常为约0.5到约2微米,而CVD工艺通常导致约2到约5微米的厚度。值得注意的是,本发明的化合物与表面之间的粘附在非常高的厚度处倾向于具有勉强的质量。此外,涂层与在其上沉积涂层的表面之间的热膨胀系数的差异在表面经受温度的急剧改变时也可能导致粘附问题。
所使用的具体涂覆技术一般影响被沉积材料的微结构、形态和其他物理特性。此外,当使用上述沉积技术时,处理参数的变化可以大大改变沉积膜的形态。一般来说,期望产生总体上厚度均匀的平滑的膜。平滑的膜往往提供更低的表面面积,从而使得膜动力学上不利于与被分析物反应。但是,膜的平滑度将非常依赖于并且一般由下覆表面的平滑度决定。作为另一种替换,表面涂层材料可以以粉末涂覆。一种粉末涂覆方法包括以粉末的形式提供导电化合物,并使用高压以高速喷射夹带在液体中的粉末,使得粉末机械地粘附到表面上。另一种方法包括在溶剂中悬浮粉末以形成涂料,将涂料涂覆到表面上,以及蒸发溶剂。溶剂可以是相对惰性的载体或者便于粉末粒子之间或粉末与表面之间的化学键合的载体。此外,可以加热以蒸发溶剂或增强化学键合。一般地,不使用有机粘结剂,因为有机材料在足够高的蒸汽压下会放气以产生与样品一起被离子化的气相,在质谱中产生高的本底。但是,如果整个放气足够低,那么本发明的膜不一定排除包含有少量的有机粘结剂。
对于本领域的普通技术人员来说,上述内容的改变将是很清楚的。例如,这些涂层可以被涂覆在包含不锈钢的表面上,同时这种涂层还可以被涂覆在包含例如塑料、玻璃或陶瓷或其他结构材料的其他表面上。还认识到,通过改变衬底结构材料的表面纹理可以使氮化钛上层实现特定表面纹理(例如粗糙的或抛光的),所述表面纹理对于随后的离子化处理可以提供对样品晶化有利的某些优势。
此外,一些化合物对一些被分析物来说将是尤其惰性的,并且可以对被设计用于暴露于特定样品的表面涂覆特定的涂层。本发明的衬底可以与不同的表面离子化技术一起使用,所述离子化技术包括但不限于快原子轰击。还认识到,衬底可以使本发明的氮化物表面由例如本领域中公知的特氟隆(Teflon)之类的其他材料遮盖,以提供多种好的样品衬底。还认识到衬底可以制成特定的形状,以便于样品沉积以及样品离子化。
应该理解,虽然已经结合本发明的优选的具体实施例描述了本发明,但是上述的描述以及下面的例子意在说明而不是限制本发明的范围。在本发明范围内的其他方面、优点和改变对于本发明所属领域的技术人员来说是很显然的。
例1
图3示出了沉积在根据本发明的涂覆有氮化钛的衬底上沉积的8种肽(神经降压素片断、血管紧缩素II、缓激肽、合成肽、血管紧缩素I、syntyde II、纤维蛋白肽A以及神经降压素)中每一个的250个阿托摩尔(attomole)级的质谱。通常,对于MALDI/MS技术来说,想要得到在图谱中能观察到所有混合成分的这种图谱是一个挑战。识别来自混合物各个成分的每一个的任务,在每单个成分的绝对重量含量很低(比5飞摩尔稍低)的时候更加复杂。在图3示出的图谱中,来自混合物的所有肽即使在实际上更加低的绝对重量含量(即250阿托摩尔)下也被观察为质子化的分子离子峰,而没有观察到钠或其他干扰加合物。本发明的TiN衬底为MALDI/MS提供了极度惰性且有利的表面作为样品衬底。还可以从衬底清洗掉样品。

Claims (39)

1.一种用于基质辅助激光解吸电离质谱的衬底,包括:
(a)具有支撑表面的主体;以及
(b)固定到所述支撑表面的氮化物组合物层,所述氮化物组合物的
主要重量含量来自氮化钛、氮化锆和氮化铪的组。
2.根据权利要求1所述的衬底,其中,所述支撑表面是不锈钢。
3.根据权利要求1所述的衬底,其中,所述氮化物组合物是氮化钛。
4.根据权利要求1所述的衬底,其中,所述氮化物组合物是氮化锆。
5.根据权利要求1所述的衬底,其中,所述氮化物组合物包含占少量重量含量的除钛、锆和铪之外能够形成氮化物的元素。
6.根据权利要求5所述的衬底,其中,所述元素是铝。
7.根据权利要求5所述的衬底,其中,所述元素是碳。
8.根据权利要求5所述的衬底,其中,所述元素是铬。
9.根据权利要求1所述的衬底,其中,所述氮化物组合物的表面硬度至少为2000kg/mm努氏或维氏显微硬度。
10.根据权利要求1所述的衬底,其中,所述氮化物组合物具有不大于10-1ohm-cm的电阻率。
11.根据权利要求1所述的衬底,其中,所述氮化物组合物层通过中间材料层被固定到所述支撑表面。
12.根据权利要求11所述的衬底,其中,所述中间材料层是金属。
13.根据权利要求11所述的衬底,其中,所述主体是铝,并且所述中间材料层是无电镀镍。
14.根据权利要求11所述的衬底,其中,所述支撑表面是玻璃,并且所述中间材料层是钛。
15.一种制造质谱仪中用于支撑表面上的生物样品和反应性样品的衬底的方法,所述方法包括在所述支撑表面上涂覆氮化物组合物层,所述氮化物组合物的主要重量含量来自由氮化钛、氮化锆和氮化铪组成的组。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述支撑表面是不锈钢。
17.根据权利要求15所述的方法,其中,所述氮化物组合物是氮化钛。
18.一种制造质谱仪中用于生物样品和反应性样品的衬底的方法,所述方法包括:
(a)在所述衬底的支撑表面上沉积元素材料层,所述元素材料选自由钛、锆和铪组成的组;以及
(b)在反应条件下将所述元素材料暴露于氮中,以将所述层转变成氮化物组合物。
19.根据权利要求18所述的方法,其中,所述沉积包括蒸发。
20.根据权利要求18所述的方法,其中,所述沉积包括溅射。
21.根据权利要求18所述的方法,其中,所述沉积包括电镀。
22.根据权利要求18所述的方法,其中,所述沉积包括气相沉积。
23.根据权利要求18所述的方法,其中,所述沉积包括物理气相沉积。
24.根据权利要求18所述的方法,其中,所述暴露步骤包括将所述元素材料暴露于包括氮气的辉光放电等离子体中。
25.根据权利要求18所述的方法,其中,所述暴露操作包括:
(a)生成压力低于大气压的包括氮气的气体混合物;以及
(b)对所述气体混合物施加电压以在所述气体混合物中形成辉光,使所述氮气与所述元素材料反应。
26.一种用于向分析仪器提供材料的离子化样品的装置,该装置包括:
(a)用于支持材料样本的衬底,所述样品从所述材料得到,所述衬底具有拥有支撑表面的主体以及固定到所述支撑表面的氮化物组合物层,所述氮化物组合物包含的主要重量含量来自氮化钛、氮化锆和氮化铪的组;
(b)对准所述层的发光装置,用于照射所述样本以导致材料从所述样本的解吸而形成所述材料的离子;以及
(c)用于捕获所述离子以及用于将所述离子传递到所述分析仪的接口。
27.根据权利要求26所述的装置,其中,所述氮化物组合物主要的重量含量是氮化钛。
28.根据权利要求26所述的装置,其中,所述氮化物组合物主要的重量含量是氮化锆。
29.根据权利要求26所述的装置,其中,所述氮化物组合物具有不大于10-1ohm-cm的电阻率。
30.根据权利要求26所述的装置,其中,所述氮化物组合物包含占少量重量含量的除钛、锆和铪之外能够形成氮化物的元素。
31.根据权利要求26所述的装置,其中,所述发光装置是激光器。
32.根据权利要求26所述的装置,其中,所述接口包括:
(a)具有第一真空室和临接所述第一真空室的第二真空室的壳体;
(b)从所述衬底延伸到所述第一真空室的取样毛细管,用于将所述离子传送到所述第一真空室;
(c)在所述第一真空室和所述第二真空室之间的除沫器,用于引导所述离子进入所述第二真空室;以及
(d)位于所述第二真空室内用于将所述离子聚焦到所述分析仪的离子光学器件。
33.一种质谱仪,包括:
(a)用于分析材料的离子化样品的分析仪;
(b)用于支持材料样本的衬底,所述样品从所述材料样本得到,所述衬底具有拥有支撑表面的主体以及固定到所述支撑表面的氮化物组合物层,所述氮化物组合物的主要重量含量来自氮化钛、氮化锆和氮化铪的组;
(c)对准所述层的发光装置,用于照射所述样本以导致材料从所述样本的解吸而形成所述材料的离子;以及
(d)在所述壳体内用于捕获所述离子以及用于将所述离子传递到所述分析仪的接口。
34.根据权利要求33所述的质谱仪,其中,所述氮化物组合物主要的重量含量是氮化钛。
35.根据权利要求33所述的质谱仪,其中,所述氮化物组合物主要的重量含量是氮化锆。
36.根据权利要求33所述的质谱仪,其中,所述氮化物组合物具有不大于10-1ohm-cm的电阻率。
37.根据权利要求33所述的质谱仪,其中,所述氮化物组合物包含占少量重量含量的除钛、锆和铪之外能够形成氮化物的元素。
38.根据权利要求33所述的质谱仪,其中,所述发光装置是激光器。
39.根据权利要求33所述的质谱仪,其中,所述壳体具有第一真空室、第二真空室和包含所述质量分析仪的第三真空室,所述第二真空室位于所述第一真空室和所述第三真空室之间,并且所述接口包括:
(a)具有第一真空室和临接所述第一真空室的第二真空室的壳体;
(b)从所述衬底延伸到所述第一真空室的取样毛细管,用于将所述离子传送到所述第一真空室;
(c)位于所述第二真空室内的离子光学器件,所述离子光学器件从除沫器延伸并进入所述第三真空室直到所述分析仪,用于将所述离子聚焦到所述分析仪。
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