CN1721876A - X射线ct设备 - Google Patents

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Abstract

目的是提供一种能执行高分辨率摄影的X射线CT设备(100)，该X射线CT设备(100)装备有多检测器(24)，其中没有被反射器或者狭缝或者类似物分成部分的闪烁体(42)以薄层覆盖在光电二极管阵列(41)的上表面上，该光电二极管阵列(41)包括在通道和切片方向上二维排列的光电二极管；DAS(26)，其采集从光电二极管发送的信号；以及信号传送部分，其在是传送从相应各个光电二极管发送的信号到DAS(26)还是将从光电二极管的2×2个光电二极管发送的信号相加并将相加结果传送到DAS(26)之间切换。

Description

X射线CT设备
技术领域
本发明涉及一种X射线CT设备，并且特别是一种能够执行高分辨率摄影的X射线CT设备。
背景技术
为了使X射线CT设备能执行高分辨率摄影，至今为止提出了一种X射线检测器，其中多个光电二极管具有由准直器分开的各个单元(例如，参考下列专利文献1)，还提出了一种X射线检测器(例如，参考下列专利文献2)，其中将闪烁体分成大量单元的反射器是倾斜的，等等。
【专利文献1】
日本未经审查的专利公开No.2004-93489
【专利文献2】
日本未经审查的专利公开No.2004-28815
传统的X射线CT设备具有下列问题。
(1)尽管该X射线CT设备具有在执行高分辨率摄影时获得高分辨率图像的优点，其也具有增加了信号处理负担的缺点，例如，只要不增加光电二极管的数量，就不会收缩图像的摄影的范围。也就是说，如果在即使低分辨率图像已经足够的应用中使用高分辨率摄影，那么就只存在缺点。
(2)在传统的X射线检测器中，由反射器或者狭缝(slit)将闪烁体分成部分以避免彼此相邻的光电二极管接收由给定光电二极管单独光接收的光。然而，反射器或者狭缝或者类似物的存在降低了闪烁体光发射的效率。尽管至今为止接受了这种光发射或者发光效率的降低，但是在分辨率增强处这种光发射效率的降低就不能被接受了。
(3)在常规X射线检测器中，将准直器置于反射器上以分隔或者划分(block out)单元。然而，准直器的存在降低了闪烁体的发光效率。尽管至今为止接受了这种光发射效率的降低，但是在分辨率增强处这种发光效率的降低就不能被接受了。
(4)在传统的X射线检测器中，在通道方向延伸的X射线遮板置于闪烁体上以防止切片方向上单元之间的相互干扰。然而，X射线遮板的存在降低了闪烁体的发光效率。尽管至今为止接受了这种发光效率的降低，但是在分辨率增高处这种发光效率的降低就不能被接受了。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能执行高分辨率摄影的X射线CT设备。
在第一方面，本发明提供一种X射线CT设备，其包括：X射线管；X射线检测器，其中未分开(unfractionated)的闪烁体以薄层覆盖在光电二极管阵列的上表面上，该二极管阵列包括在通道方向和切片方向二维排列的光电二极管；DAS，其采集从该光电二极管发送的信号；以及信号切换装置，其在是将从相应各个光电二极管发送的信号传送到DAS还是将从光电二极管的N×N(其中N：是大于或者等于2的整数)个光电二极管发送的信号相加并将相加的结果传送到DAS之间进行切换。
根据该第一方面的X射线CT设备，在需要高分辨率图像的应用的情况下，将从相应各个光电二极管发送的信号传送到DAS。而对于低分辨率图像就足够了的应用，将从光电二极管的N×N(其中N：是大于或者等于2的整数)个光电二极管发送的信号相加并将相加的结果传送到DAS。如果在高分辨率摄影和低分辨率摄影时的摄影范围基本相等，那么信号的数量可以减少，并且在低分辨率摄影时信号处理的负担可以减轻。另一方面，如果信号处理负担的程度相同，那么可以增加用于低分辨率摄影的光电二极管，因此能够扩展摄影的范围。
另外，上述结构中的术语“未分开的闪烁体”表示没有由反射器或者狭缝或者类似物分成大量单元的闪烁体。为了防止给定单元的光电二极管接收与其相邻单元的光，此前用反射器或者狭缝或者类似物将闪烁体分成各个单元。然而，反射器或者狭缝或者类似物的存在降低了闪烁体光发射的效率。尽管当光电二极管阵列中各个光电二极管的间距增加(例如，到1.0mm)时这种光发射效率的降低是可以接受的，但是当光电二极管阵列中各个光电二极管的间距减小(例如，到0.5mm)时这种光发射效率的降低就不能被接受了。因此，在根据该第一方面的X射线CT设备中采用未分开的闪烁体。依照该光电二极管间距的减小来薄化该闪烁体(例如，到1mm或者更薄)，使得能够防止与给定光电二极管相邻的光电二极管接收由给定光电二级光接收或者检测的光。
在第二方面，本发明提供一种X射线CT设备，其中在根据第一方面的X射线CT设备中，高分辨率区中的光电二极管阵列在通道方向和切片方向中每一个方向上延伸的间距Ph≤0.6mm，而各个低分辨率区在通道方向和切片方向中每一个方向上延伸的间距P1＝N×Ph，并且当高分辨率区中通道方向上的光电二极管数量为Ch，切片方向上的光电二极管数量为Sh，每个低分辨率区中通道方向上的光电二极管数量为C1，切片方向上的光电二极管数量为S1，能输入到DAS的信号数量D为D时，建立下列关系：
D＝Ch×Sh＝Ch×Sh/(N×N)+C1×S1
因为在根据该第二方面的X射线CT设备中输入到DAS的信号的数量为常数D，所以在高分辨率摄影和低分辨率摄影时信号处理的负担基本相等。然而，由于低分辨率区的光电二极管还可以增加并用于低分辨率摄影，所以摄影的范围能够扩展。
在第三方面，本发明提供一种X射线CT设备，其包括X射线管；高分辨率X射线检测器，其中未分开的闪烁体以薄层覆盖在光电二级管阵列上表面上，该光电二极管阵列包括在通道方向和切片方向中每一方向上以间距Ph≤0.6mm二维排列的光电二极管；低分辨率X射线检测器，其中闪烁体以薄层覆盖在光电二级管阵列上表面上，该光电二极管阵列包括在通道方向和切片方向上以间距P1＞Ph二维排列的光电二极管；DAS，其采集来自光电二极管的信号；以及信号切换装置，其在是将来自高分辨率X射线检测器的光电二极管的信号传送到DAS还是将来自低分辨率X射线检测器的光电二极管的信号传送到DAS之间进行切换。
在根据该第三方面的X射线CT设备中，在需要高分辨率图像的应用中，从高分辨率X射线检测器发送的信号传送到DAS。在低分辨率图像就足够了的应用中，从低分辨率X射线检测器发送的信号传送到DAS。如果在高分辨率摄影和低分辨率摄影中的摄影范围程度相同，那么信号的数量可以减少，并且在低分辨率摄影时信号处理的负担能够减小。另一方面，如果信号处理的负担程度相同，那么在低分辨率摄影时摄影的范围可以扩展。
另外，上述结构中的术语“未分开的闪烁体”表示没有由反射器或者狭缝或者类似物分成大量单元的闪烁体。为了防止给定单元的光电二极管接收与其相邻单元的光，此前用反射器或者狭缝或者类似物将闪烁体分成各个单元。然而，反射器或者狭缝或者类似物的存在降低了闪烁体光发射的效率。尽管当光电二极管阵列中各个光电二极管的间距增加(例如，到1.0mm)时这种光发射效率的降低是可以接受的，但是当光电二极管阵列中各个光电二极管的间距减小(例如，到0。5mm)时这种光发射效率的降低就不能被接受了。因而，在根据该第三方面的X射线CT设备中采用未分开的闪烁体。依照该光电二极管间距的减小来薄化该闪烁体(例如，到1mm或者更薄)，使得能够防止与给定光电二极管相邻的光电二极管接收由给定光电二级光接收或者检测的光。
在第四方面，本发明提供一种X射线CT设备，其包括X射线管；高分辨率X射线检测器，其中未分开的闪烁体以薄层覆盖在光电二极管阵列的上表面上，该光电二极管阵列包括在通道方向和切片方向上以间距P1≤0.6mm二维排列的光电二极管；低分辨率X射线检测器，其中闪烁体以薄层覆盖在光电二极管阵列的上表面上，该光电二极管阵列包括在通道方向和切片方向上以间距P1＞Ph二维排列的光电二极管；DAS，其采集来自光电二极管的信号；信号相加装置，其将从高分辨率X射线检测器的光电二极管发送的信号与从低分辨率X射线检测器的光电二极管发送的信号相加，并将相加的结果传送到DAS；以及X射线调整装置，其在是将X射线单独投射入高分辨率X射线检测器还是将X射线单独投射入低分辨率X射线检测器之间切换。
在根据该第四方面的X射线CT设备中，对于需要高分辨率图像的应用，X射线单独投射入高分辨率X射线检测器，而对于低分辨率图像就足够了的应用，X射线投射入低分辨率X射线检测器。如果高分辨率X射线检测器和低分辨率X射线检测器摄影范围的程度相同，那么信号的数量可以减少并且在低分辨率摄影中信号处理的负担可以减轻。另一方面，如果信号处理的负担程度相同，那么低分辨率X射线检测器摄影的范围可以扩展。
另外，上述结构中的术语“未分开的闪烁体”表示没有由反射器或者狭缝或者类似物分成大量单元的闪烁体。为了防止给定单元的光电二极管接收与其相邻单元的光，此前用反射器或者狭缝或者类似物将闪烁体分成各个单元。然而，反射器或者狭缝或者类似物的存在降低了闪烁体光发射的效率。尽管当光电二极管阵列中各个光电二极管的间距增加(例如，到1.0mm)时这种光发射效率的降低是可以接受的，但是当光电二极管阵列中各个光电二极管的间距减小(例如，到0.5mm)时这种光发射效率的降低就不能被接受了。因而，在根据该第四方面的X射线CT设备中采用未分开的闪烁体。依照该光电二极管间距的减小来薄化该闪烁体(例如，到1mm或者更薄)，使得能够防止与给定光电二极管相邻的光电二极管接收由给定光电二级光接收或者检测的光。
在第五方面，本发明提供一种X射线CT设备，其中在如上结构的X射线CT设备中，当位于通道方向上高分辨率X射线检测器中的光电二极管数量为Ch，位于切片方向上高分辨率X射线检测器中的光电二极管数量为Sh，位于通道方向上低分辨率X射线检测器中的光电二极管数量为C1，位于切片方向上低分辨率X射线检测器中的光电二极管数量为S1，能输入到DAS的信号数量为D，则建立下列关系：
D＝Ch×Sh＝C1×S1
由于根据该第五方面的X射线CT设备输入到DAS的信号数量为常数D，在高分辨率摄影和低分辨率摄影时信号处理的负担基本相同。然而，低分辨率X射线检测器的摄影范围可以扩展。
在第六方面，本发明提供一种X射线CT设备，其包括X射线管，以及X射线检测器，其中未分开的闪烁体以薄层覆盖在光电二极管阵列的上表面上，该光电二极管阵列包括在通道方向和切片方向上二维排列的光电二极管。
上述结构中的术语“未分开的闪烁体”表示没有由反射器或者狭缝或者类似物分成大量单元的闪烁体。为了防止给定单元的光电二极管接收与其相邻单元的光，此前用反射器或者狭缝或者类似物将闪烁体分成各个单元。然而，反射器或者狭缝或者类似物的存在降低了闪烁体光发射的效率。尽管当光电二极管阵列中各个光电二极管的间距增加(例如，到1.0mm)时这种光发射效率的降低是可以接受的，但是当光电二极管阵列中各个光电二极管的间距减小(例如，到0.5mm)时这种光发射效率的降低就不能被接受了。
因而，在根据该第六方面的X射线CT设备中采用未分开的闪烁体。因此，光电二极管阵列中各个光电二极管的间距可以减小(例如，到0.6mm或者更小)。
依照该光电二极管间距的减小来薄化该闪烁体(例如，到1mm或者更薄)，使得能够防止与给定光电二极管相邻的光电二极管接收由给定光电二级光接收或者检测的光。
在第七方面，本发明提供一种X射线CT设备，其中在如上结构的X射线CT设备中，闪烁体的厚度小于或者等于1mm。
当使用“未分开的闪烁体”时，与由反射器分割的闪烁体相比，与给定光电二极管相邻的光电二极管很可能会接收由该给定光电二极管检测和接收的光。
因此，在根据该第七方面的X射线CT设备中使闪烁体薄化到1mm或者1mm以下。因此，由给定光电二极管接收的光以很小的入射角投射入其相应的光电二极管光接收表面，中央的入射角为0°，而该光以很大的入射角投射入相邻光电二极管的光接收表面，从而抑制了干扰。
在第八方面，，本发明提供一种X射线CT设备，其中在根据第六方面的X射线CT设备中，该X射线检测器具有准直器，该准直器在闪烁体上的切片方向上以多个通道跳跃(channel skip)的间隔延伸。
至今为止，将准直器置于闪烁体上以分隔或者划分该单元。然而，准直器的存在降低了闪烁体光发射的效率。尽管当光电二极管阵列中各个光电二极管间距较大(例如，1.0mm)时该光发射效率的降低能够被接受，但是在光电二极管间距较小(例如，0.5mm)时该光发射效率的降低就不能被接受了。
因此，在根据该第八方面的X射线CT设备中采用在切片方向上以多个通道跳跃的间隔延伸的准直器。因此，由于能够抑制由各个准直器引起的光发射效率的降低，所以光电二极管阵列中各个光电二极管的间距可以减小(例如，到0.6mm或者更小)。
根据该光电二极管间距的减小来薄化闪烁体(例如到1mm或者更小)，使得能够抑制与给定的光电二极管相邻的光电二极管接收由该给定光电二极管接收或检测的光。因此，即使在切片方向上延伸的准直器具有多个通道跳跃的间隔也不会出现问题。
在第九方面，本发明提供一种X射线CT设备，其中在根据第六方面的X射线CT设备中，该X射线检测器不具有沿闪烁体上的通道方向延伸的X射线遮板。
至今为止，在通道方向上延伸的X射线遮板被放置在闪烁体上以防止从切片方向观察的两个单元之间的干扰。然而，X射线遮板的存在降低了闪烁体光发射的效率。尽管当光电二极管阵列中各个光电二极管间距较大(例如，1.0mm)时该光发射效率的降低能够被接受，但是在光电二极管间距减小(例如，到0.5mm)时该光发射效率的降低就不能被接受了。
因此，在根据该第九方面的X射线CT设备中不设置在通道方向延伸的X射线遮板。因此，由于能够抑制由X射线遮板引起的光发射效率的降低，所以光电二极管阵列中各个光电二极管的间距可以减小(例如，到0.6mm或者更小)。
根据该光电二极管间距的减小来薄化闪烁体(例如到1mm或者更小)，使得能够抑制与给定的光电二极管相邻的光电二极管接收由该给定光电二极管接收或检测的光。因此，即使放弃X射线遮板也不会有问题。
在第十方面，本发明提供一种X射线CT设备，其中在根据第八方面的X射线CT设备中，该X射线检测器不具有沿闪烁体上的通道方向延伸的X射线遮板。
在根据该第十方面的X射线CT设备中，由于第八方面的作用和第九方面的作用之间相配合，可进一步充分抑制光发射效率的降低。
在第十一方面，本发明提供一种X射线CT设备，其中在具有上述结构的X射线CT设备中，位于光电二极管阵列通道方向和切片方向上的各个光电二极管的间距Ph小于或者等于0.6mm。
在根据该第十一方面的X射线CT设备中，与常规实例(在间距为1.0mm或者更大的情况)相比较，可以执行高分辨率摄影，这是因为各个光电二极管的间距是0.6mm或者更小。
在第十二方面，本发明提供一种X射线CT设备，其中在根据第十一方面的X射线CT设备中，提供了X射线焦点控制装置，其移动X射线焦点以第一位置作为X射线焦点采集从光电二极管发送的信号，然后接着以在通道方向上从该第一位置移动距离Δ的第二位置作为X射线焦点采集从光电二极管发送的信号
由于X射线束从X射线焦点放射状发射，所以在旋转中心附近(在受检者位置处)的X射线束的通道方向宽度大约是闪烁体位置处的X射线束通道方向宽度的1/2。
因此，在根据该第十二方面的X射线CT设备中，在从通道方向上观察的由彼此分开距离Δ的X射线焦点处执行两次信号收集。因此，即使X射线束投射入该闪烁体的区域相同，也能收集或者采集在旋转中心附近(受检者位置)的X射线束通道方向位置中的不同信号。因此可增加通道方向的分辨率。
另外，X射线焦点控制装置是，例如，布置在电子枪和靶之间的电磁偏转装置或者静电偏转装置。
在第十三方面，本发明提供一种X射线CT设备，其中在根据第十二方面的X射线CT设备中，Ph/2≤Δ≤Ph。
如在第十二方面所述，在旋转中心附近(在受检者位置处)的X射线束的通道方向宽度大约是闪烁体位置处的X射线束通道方向宽度的1/2。然而，X射线束在实际受检者位置处精确的通道方向宽度依赖于X射线焦点、受检者和X射线检测器的几何布置以及根据设备和受检者而变化。也就是说，X射线焦点移动经过的距离Δ根据设备和受检者而变化。
因此，在根据该第十三方面的X射线CT设备中设置Ph/2≤Δ≤Ph。在这一范围内，该距离可以根据设备和受检者进行调整。
在第十四方面，本发明提供一种X射线CT设备，其中在具有上述结构的X射线CT设备中，光电二极管在与光接收表面相对的表面上分别具有信号终端。
至今为止，由于采用在光接收表面侧的表面上具有信号终端的光电二极管，所以需要在该光接收表面侧提供布线空间。这会妨碍高分辨率。
因此，在根据该第十四方面的X射线CT设备中采用在与光接收表面相对的表面上具有信号终端的光电二极管。因此，在该光接收表面侧不需要提供布线空间。这对高分辨率有效。
在第十五方面，本发明提供一种X射线CT设备，其包括X射线管和X射线检测器，其中闪烁体以薄层覆盖在光电二极管阵列的上表面上，在该光电二极管阵列中的光电二极管在通道方向和切片方向上二维排列，并且在切片方向上彼此相邻的光电二极管被排列成在位置上移动通道方向上的1/2间距。
在根据该第十五方面的X射线CT设备中，螺旋间距减小并且使受检者的相同位置近似地在通道方向上移动1/2间距，由此可以对其进行摄影。因此，通道方向上的分辨率能够提高两倍。
在第十六方面，本发明提供一种X射线CT设备，其包括X射线管和X射线检测器，其中多个X射线检测器模块在通道方向沿圆弧排列，其中该X射线检测器模块在通道方向上的末端形成逐渐变细的表面，从而使得彼此相邻的X射线检测器模块彼此紧密接触。
由于各个传统X射线检测器模块是以矩形的平行六面体形式成形的，所以当多个X射线检测器模块在通道方向沿圆弧排列时，相邻X射线检测器模块之间限定了三角形杆状间隙。
相反，在根据该第十六方面的X射线CT设备中不会限定三角形杆状间隙，并且相应地该闪烁体和光电二极管可以达到较大尺寸。因此，增加了检测的灵敏度。
根据本发明的X射线CT设备，可以执行高分辨率摄影。
本发明的X射线CT设备用于高分辨率摄影。
本发明的其它目标和优点将在下面由附图示出的本发明优选实施例的描述中体现。
附图说明
图1示出了根据实施例1的X射线CT设备的结构示意图。
图2示出了根据实施例1的X射线检测器模块的侧视图。
图3示出了根据实施例1的X射线检测器模块的正视图。
图4示出了根据实施例1的X射线检测器模块的底视图。
图5示出了根据实施例1的X射线检测器模块的顶视图。
图6示出了根据实施例1的多检测器的正视图。
图7示出了根据实施例1的信号传送部分的结构的电路图。
图8示出了根据实施例1的信号传送部分的另一种结构的电路图。
图9示出了X射线束的示意图。
图10示出了在X射线焦点Fa和Fb收集信号的状态的示意图。
图11示出了根据实施例2的高分辨率X射线检测器模块的侧视图。
图12示出了根据实施例2的高分辨率X射线检测器模块的底视图。
图13示出了根据实施例2的高分辨率X射线检测器模块的顶视图。
图14示出了根据实施例2的低分辨率X射线检测器模块的侧视图。
图15示出了根据实施例2的低分辨率X射线检测器模块的正视图。
图16示出了根据实施例2的低分辨率X射线检测器模块的底视图。
图17示出了根据实施例2的低分辨率X射线检测器模块的顶视图。
图18示出了根据实施例2的信号传送部分的结构的电路图。
图19示出了根据实施例2的信号传送部分的另一种结构的电路图。
图20示出了根据实施例3的多检测器的侧视图。
图21示出了根据实施例3的多检测器的正视图。
图22示出了根据实施例3的多检测器的底视图。
图23示出了根据实施例3的多检测器的顶视图。
具体实施方式
下面通过示例性实施例进一步详细描述本发明。另外，本发明不局限于这些实施例。
【实施例1】
图1是示出根据本发明实施例1的X射线CT设备100的平面图。
该X射线CT设备100装备有操作台1，床装置10以及扫描架20。
该操作台1装备有：输入装置2，其接受来自操作员的输入；中央处理器3，其执行图像重建过程或者类似过程；数据采集缓冲器5，其采集或者收集由扫描架20采集的投影数据；CRT 6，其显示从投影数据量建的CT图像，以及存储装置7，其中存储程序，数据和CT图像。
床装置10具有工作台12，受检者位于该工作台上，并由该工作台送入扫描架20的孔(腔部)或从扫描架20的孔(腔部)中拖出。通过安装在床装置10中的电机来升高(在y轴方向)以及线性移动(在Z轴方向)该工作台12。
扫描架20装备有：X射线管21，控制管电压/管电流的X射线管控制器22，控制X射线焦点的位置的X射线焦点控制器23，控制光圈(aperture)以控制X射线束的分布的光圈调整装置28，具有多个检测器序列的多检测器24，将多检测器24输出的信号传送到DAS(数据采集系统)26的信号传送部分25，DAS26，使X射线管21或者类似物围绕旋转中心(大体上相当于受检者的体轴)旋转的旋转控制器27，对来自操作台1和床装置10以及送到操作台1和床装置10的控制信号进行传送的控制控制器29，以及滑环30。
工作台12线性移动的量由安装在床装置10内的编码器计数。控制控制器29从该线性移动的量来计算工作台12的Z轴坐标，并经由滑环30将该Z轴坐标发送到DAS 26，然后加到投影数据上。
在多检测器24获得的信号由DAS 26进行AD转换并作为投影数据与Z轴坐标一起经由滑环30发送到数据采集缓冲器5。
中央处理器3对图像采集缓冲器5中收集的投影数据执行预处理和图像重建过程以产生CT图像。
图2是根据该实施例1的X射线检测器模块40的侧视图。图3是其正视图。图4是其底视图。图5是其顶视图。
X射线检测器模块40的结构在于，未分开的或者未分割的闪烁体42以薄层覆盖在光电二极管阵列41的上表面上，以多个通道跳跃的间隔在切片方向(Z轴方向)上延伸的准直器43放置在闪烁体42上。该X射线检测器模块40没有在通道方向上延伸的X射线遮板。
光电二极管阵列41包括高分辨率区41h和低分辨率区411，当从切片方向看时该低分辨率区插入高分辨率区41h之间。
高分辨率区41h相当于一个整体(one)，其中光电二极管41p以间距Ph＝0.5mm二维排列(其在一个半导体衬底上形成)。从通道方向看，光电二极管的数量为32个，且从切片方向看，光电二极管的数量为32个。
另外，如图3所示，由于从通道方向看X射线检测器模块40的末端具有成α角逐渐变细的表面，从通道方向看，光电二极管41p的两端在通道方向比其它部分仅稍微大些。
α角等于扇形角÷构成多检测器24的X射线检测器模块的数量÷2。例如，如果扇形角为60°，并且构成多检测器24的X射线检测器模块的数量为60，那么α＝0.5°。
每个低分辨率区411相当于一个整体，其中从通道方向和切片方向上看，每个光电二极管41p’的大小是高分辨率区41h的每个光电二极管41p的两倍，该光电二极管41p’以间距P1＝2×Ph＝1.0mm二维排列(低分辨率区411在一个半导体衬底上形成)。从通道方向上看，光电二极管的数量为16个，且从切片方向看，光电二极管的数量为24个。
另外，如图3所示，由于从通道方向看X射线检测器模块40的末端具有成α角逐渐变细的表面，从通道方向看，光电二极管41p’的两端在通道方向比其它部分仅稍微大些。
闪烁体42没有反射器和狭缝。也就是说，该闪烁体不会被分成单元，并且其是由高密度材料制成，且其厚度为1mm。
每个准直器43都是在切片方向上延伸的金属板。像从通道方向上看那样，从两端看其分别置于第四通道和第五通道之间。
图6是多检测器24的正视图。
多检测器24相当于一个整体，其中，例如从通道方向看60个X射线检测器模块40沿圆弧排列。由于从通道方向上看各个X射线检测器模块40的末端都具有成α角逐渐变细的表面，从而彼此邻接的X射线检测器模块40能够排列成彼此相接触。由于各个X射线检测器模块40的光电二极管阵列41是展开的，所以闪烁体42以及光电二极管41p和41p’可以相应地制造得较大。因此，检测的灵敏度得以提高。
从通道方向看，作为多检测器24使用的高分辨率区41h中的光电二极管数量为Ch＝60×32＝1820，而从切片方向看，该光电二极管的数量为Sh＝32。
从通道方向看，低分辨率区411中的光电二极管数量为C1＝60×16＝960，而从切片方向看，该光电二极管的数量为S1＝2×24＝48。
信号传送部分25能够在传送从64个X射线检测器模块40的各自高分辨率区41h的光电二极管41p发送的61440(＝60×32×32)个信号到DAS 26，或传送通过将从60个X射线检测器模块40的各自高分辨率区41h的光电二极管41p发送的信号逐四个(four by four)(＝2×2)与从低分辨率模块411各自的光电二极管41p’发送的46080(＝60×16×24×2)个信号相加获得的15360(＝60×32×32/(2×2))个信号到DAS 26之间执行切换。
能输入到DAS 26的信号数量D达到61440。
图7是示出根据实施例1的信号传送部分25的结构的典型视图。
为了使说明简单，多检测器24简化为一个整体，其具有包含在高分辨率区41h中的2×4个光电二极管41p和具有包含在各个低分辨率区411中的1×3个光电二极管41p’。另外，DAS 26简化为能接收八个信号的整体。
另外，在各个光电二极管41p和41p’中示出的白色的圆和黑色的圆分别指示分别在相对于光检测表面的表面上提供的信号终端。由白色的圆指示的终端在图7中示出了布线，其作为信号取出(fetch)或者拿出终端。由黑色的圆所指示的终端用作公共布线终端，其布线没有在附图中示出。
信号传送部分25将开关切换到图7中实线表示的位置或者虚线所表示的位置。
在开关切换到图7中由实线所指示的位置的情况下，从高分辨率区41h的光电二极管41p发送的8(＝2×4)个信号传送到DAS 26。
在开关切换到图7中由虚线所指示的位置的情况下，通过将从高分辨率区41h的光电二极管41p发送的信号逐四个(＝2×2)与从各个低分辨率区411的光电二极管41p’发送的6＝(1×3×2)个信号相加获得的2(＝2×4/(2×2))个信号传送到DAS 26。
图8是示出根据实施例1的信号传送部分25的另一种结构的典型视图。
图8中示出的信号传送部分25将从图7的信号传送部分25中各个低分辨率区411的光电二极管41p’发送的信号通过布线的或运算(wired-Oring)与从相应高分辨率区41h的光电二极管41p发送的信号相加，并将相加的结果传送到DAS 26。
在这种结构中，需要通过光圈调整装置28使X射线束变狭窄，从而使得该X射线束在高分辨率摄影时单独投射入高分辨率区41h。
如图9所示，由于X射线束B从X射线焦点Fa放射状发射，所以当考虑到对应于给定光电二极管41p的X射线束b时，X射线束b在旋转中心IC附近(在受检者位置处)的通道方向宽度大约是X射线束在闪烁体位置的通道方向宽度的1/2，X射线束在闪烁体位置的通道方向宽度＝给定光电二极管41p的间距Ph。例如，当光电二极管41p的间距Ph＝0.5mm时，X射线束b在旋转中心IC附近(在受检者位置处)的通道方向宽度大约是0.25mm。
图9中头部为白色的箭头m指示具有X射线束b的光投射入其相应的光电二极管41p。当假定闪烁体42的厚度为1mm，假定该具有X射线束b的光的发射中心定位在从该闪烁体42表面看0.3mm的深度上并在该相应光电二极管41p中线上，并且该光电二极管41p的间距Ph＝0.5mm时，入射角θm由下式给出：
|θm|＜19.7°
另一方面，图9中头部为黑色的箭头s指示的是具有X射线束b的光投射入与相应光电二极管41p相邻的各个光电二极管。当假定闪烁体42的厚度为1mm，假定该具有X射线束b的光的发射中心定位在从该闪烁体42表面看0.3mm的深度上并在该相应光电二极管41p中线上，并且该光电二极管41p的间距Ph＝0.5mm时，入射角θm由下式给出：
19.7°≤|θs|≤47°
因此，由于该入射角的范围变化很大，即使在具有X射线管b的光投射到各个与相应光电二极管41p相邻的光电二极管时也不会有问题。
如图10所示，中央处理器3经由X射线焦点控制器23以第一位置作为X射线焦点Fa发射或施加X射线束B，以收集或者采集从光电二极管41p发送的信号。
然后，中央处理器3经由X射线焦点控制器23以第二位置作为X射线焦点Fb施加X射线束B以收集从光电二极管41p发送的信号，该第二位置在通道方向上从该第一位置移动离开距离Δ。
该距离Δ依照该设备和受检者在Ph/2≤Δ≤Ph范围内调整。对于在旋转中心IC附近(在受检者位置处)的X射线束b，在X射线焦点Fa的通道方向位置，与其在X射线焦点Fb的通道方向位置彼此相差X射线束b在旋转中心IC附近(在受检者位置处)的宽度。
因此能够提高通道方向上的分辨率。
根据实施例1的X射线CT设备100，带来了下列有益的效果。
(1)对于需要高分辨率图像的应用，从高分辨率区41h中相应各个光电二极管41p发送的信号被传送到DAS 26。对于低分辨率图像就足够了的应用，将从高分辨率区41h中光电二极管41p的2×2个光电二极管发送的信号相加并传送到DAS 26，且从各个低分辨率区411中相应各个光电二极管41p’发送的信号传送到DAS 26。因此，可以在高分辨率摄影和低分辨率摄影之间自由选择。由于在高分辨率摄影或低分辨率摄影的情况下信号D的数量相同(D＝Ch×Sh＝Ch×Sh/(N×N)+C1×S1)，所以DAS 26可以得到充分的使用。可以在低分辨率摄影中扩充摄影的范围。
(2)使用的闪烁体42不被反射器或者狭缝或者类似物分割成大量单元。因此，由于没有因各个反射器或者狭缝或者类似物引起的发光或光发射的减少，所以光电二极管阵列41中各个光电二极管41p的间距Ph可以减少到少于或等于0.6mm。
(3)闪烁体42被薄化到少于或等于1mm。因此，可以抑制彼此相邻的光电二极管41p接收由给定光电二极管41p接收的光。
(4)采用在闪烁体42上沿切片方向以多个通道跳跃的形式延伸的准直器43。因此，由于能够抑制由于各个准直器43而导致的发光效率降低，所以光电二极管阵列41中各个光电二极管41p的间距Ph能减少到少于或等于0.6mm。
(5)不具有在闪烁体42上沿通道方向延伸的X射线遮板。因此，由于能够抑制由于X射线遮板而导致的发光效率降低，所以光电二极管阵列41中各个光电二极管41p的间距Ph能减少到少于或等于0.6mm。
(6)在从通道方向上看彼此分开距离Δ(Ph/2≤Δ≤Ph)的X射线焦点Fa和Fb执行两次信号采集。因此能够增加通道方向上的分辨率。
(7)采用在与光接收表面相对表面上具有信号终端的光电二极管41p。因此，不需要在各个光接收表面侧提供布线空间。这对于高分辨率有效。
(8)X射线检测器模块40在通道方向上的末端成形为以α角逐渐变细表面。因此，当多个X射线检测器模块40在通道方向上沿圆弧排列时，在彼此相邻的两个X射线检测器模块40之间没有限定三角形杆状间隙，并且它们彼此紧贴。由此能够使闪烁体42和光电二极管41p达到较大尺寸，并增加检测的灵敏度。
【实施例2】
实施例2装备有相隔离的高分辨率X射线检测器和低分辨率X射线检测器作为多检测器24。
图11是根据实施例2的高分辨率X射线检测器模块40h的侧视图。其正视图与图3中所示的相同。图12是其底视图。图13是其顶视图。
高分辨率X射线检测器模块40h的结构在于，其中未分开的或者未分割的闪烁体42以薄层覆盖在光电二极管阵列41的上表面上，在切片方向上以多个通道跳跃的形式延伸的准直器43放置在闪烁体42上。该X射线检测器模块40h不具有在通道方向上延伸的X射线遮板。
光电二极管阵列41相当于整体，其中光电二极管41p以间距Ph＝0.5mm二维排列(其在一个半导体衬底上形成)。从通道方向看，光电二极管的数量为32个，且从切片方向看，光电二极管的数量为32个。
另外，如图3所示，由于从通道方向上看高分辨率X射线检测器模块40h的末端具有成α角逐渐变细的表面，所以从通道方向看，光电二极管41p的两端在通道方向比其它部分仅稍微大些。该角度α为0.5°。
闪烁体42没有反射器和狭缝。也就是说，该闪烁体不会被分成单元，并且其是由高密度材料制成，且其厚度为1mm。
各个准直器43都是在切片方向上延伸的金属板。像从通道方向上看那样，从两端看其分别置于第四通道和第五通道之间。
与图6中所示的方式相似，64个高分辨率X射线检测器模块40h在通道方向上沿圆弧排列以形成高分辨率X射线检测器。
图14是根据根据实施例2的低分辨率X射线检测器模块401的侧视图。图15是其正视图。图16是其底视图。图17是其顶视图。
低分辨率X射线检测器模块401的结构在于，其中由反射器44分成部分或者划分的闪烁体42’以薄层覆盖在光电二极管阵列41’的上表面上，在切片方向上以多个通道跳跃间隔延伸的准直器43布置在闪烁体42’上。该低分辨率X射线检测器模块401不具有在通道方向延伸的X射线遮板。
该光电二极管阵列41’相当于一个整体，其中从通道方向和切片方向上看，各个光电二极管41p’的尺寸是高分辨率X射线检测器的每个光电二极管41p的两倍大，所述光电二极管41p’以间距P1＝2×Ph＝1.0mm二维排列(该光电二极管阵列在一个半导体衬底上形成)。从通道方向上看，光电二极管的数量为16，从切片方向上看，光电二极管的数量为32个。
各个闪烁体42’都是由反射器44分成单元的闪烁体并且具有4mm的厚度。
各个准直器43都是在切片方向上延伸的金属板。像从通道方向上看那样，从两端看它们分别置于第四通道和第五通道之间。
与图6中所示的方式相似，64个低分辨率X射线检测器模块401在通道方向上沿圆弧排列以形成低分辨率X射线检测器。
图18是示出根据实施例2的信号传送部分25的结构的典型视图。
为了使说明简单，多检测器24简化为一个整体，其具有包含在高分辨率X射线检测器24h中的2×4个光电二极管41p，并且具有包含在低分辨率X射线检测器241中的1×8个光电二极管41p’。另外，DAS26简化为能接收八个信号的整体。
另外，在各个光电二极管41p和41p’中示出的白色的圆和黑色的圆分别指示在相对于光检测表面的表面上分别提供的信号终端。由白色的圆指示的终端在图18中示出布线，其作为信号取出或者拿出终端。由黑色的圆所指示的终端用作公共布线终端，其布线没有在附图中示出。
信号传送部分25将开关切换到图18中实线表示的位置或者虚线所表示的位置。
在开关切换到图18中由实线所指示的位置的情况下，从高分辨率X射线检测器24h的光电二极管41p发送的8(＝2×4)个信号传送到DAS 26。
在开关切换到图18中由虚线所指示的位置的情况下，从低分辨率X射线检测器241的光电二极管41p’发送的8＝(1×8)个信号传送到DAS 26。
图19是示出根据实施例2的信号传送部分25的另一种结构的典型视图。
图19中示出的信号传送部分25将从图18的信号传送部分25中低分辨率X射线检测器241的光电二极管41p’发送的信号通过布线的或运算与从其相应高分辨率X射线检测器24h的光电二极管41p发送的信号相加，并将相加的结果传送到DAS 26。
在这种结构的情况下，需要由光圈调整装置28来执行X射线束的切换，从而使得在高分辨率摄影时X射线束只投射入高分辨率X射线检测器24h而在低分辨率摄影时X射线束只投射入低分辨率X射线检测器241。
实施例2中的方式与实施例1中的相似，中央处理器3经由X射线焦点控制器23以第一位置作为X射线焦点Fa发射或施加X射线束B，以收集或者采集从光电二极管41p发送的信号。然后，中央处理器3经由X射线焦点控制器23以第二位置作为X射线焦点Fb施加X射线束B以收集从光电二极管41p发送的信号，该第二位置在通道方向上从该第一位置移动离开距离Δ。
该距离Δ依照该设备和受检者在Ph/2≤Δ≤Ph范围内调整。
因此能够提高通道方向上的分辨率。
根据实施例2的X射线CT设备，带来了下列有利的效果。
(1)对于需要高分辨率图像的应用，从高分辨率X射线检测器24h中光电二极管41p发送的信号被传送到DAS 26。对于低分辨率图像就足够了的应用，从低分辨率X射线检测器241中光电二极管41p’发送的信号传送到DAS 26。因此，可以在高分辨率摄影和低分辨率摄影之间自由选择。由于在高分辨率摄影或低分辨率摄影的情况下信号D的数量相同(D＝Ch×Sh＝C1×S1)，所以DAS 26可以得到充分的使用。可以在低分辨率摄影中扩充摄影的范围。
(2)在高分辨率X射线检测器24h中，采用未被反射器或者狭缝或者类似物分割成大量单元的闪烁体42。因此，由于没有因各个反射器或者狭缝或者类似物引起的发光或光发射的减少，所以光电二极管阵列41中各个光电二极管41p的间距Ph可以减少到少于或等于0.6mm。(3)在高分辨率X射线检测器24h中，闪烁体42被薄化到少于或等于1mm。因此，可以抑制彼此相邻的光电二极管41p接收由给定光电二极管41p接收的光。
(4)采用在闪烁体42上沿切片方向以多个通道跳跃的形式延伸的准直器43。因此，由于能够抑制由于各个准直器43而导致的发光效率降低，所以光电二极管阵列41中各个光电二极管41p的间距Ph能减少到少于或等于0.6mm。
(5)不具有在闪烁体42上沿通道方向延伸的X射线遮板。因此，由于能够抑制由于X射线遮板而导致的发光效率降低，所以光电二极管阵列41中各个光电二极管41p的间距Ph能减少到少于或等于0.6mm。
(6)在从通道方向上看彼此分开距离Δ(Ph/2≤Δ≤Ph)的X射线焦点Fa和Fb执行两次信号采集。因此能够增加通道方向上的分辨率。
(7)采用在与光接收表面相对表面上具有信号终端的光电二极管41p。因此，不需要在各个光接收表面侧提供布线空间。这对于高分辨率有效。
(8)高分辨率X射线检测器40h在通道方向上的末端成形为以α角逐渐变细的表面。因此，当多个高分辨率X射线检测器模块40h在通道方向上沿圆弧排列时，在彼此相邻的两个高分辨率X射线检测器模块40h之间没有限定三角形杆状间隙，并且它们彼此紧贴。由此能够使闪烁体42和光电二极管41p达到较大尺寸，并增加检测的灵敏度。
【实施例3】
在实施例3中，使用其中的光电二极管排列成锯齿形的多检测器24。
图20是根据该实施例3的多检测器24的侧视图。图21是其正视图。图22是其底视图。图23是其顶视图。
该多检测器24的结构在于，其中未分开的闪烁体42以薄层覆盖在光电二极管阵列41的上表面上，并且在切片方向上以多个通道跳跃的形式延伸的准直器43布置在闪烁体42上。多检测器24不具有在通道方向上延伸的X射线遮板。
光电二极管阵列41相当于一个整体，其中光电二极管41p以间距Ph＝0.5mm二维排列(其在一个半导体衬底上形成)。然而，在切片方向上彼此相邻的光电二极管41p排列成在位置上移动通道方向中的1/2间距。
闪烁体42不具有反射器或者狭缝。也就是说，该闪烁体不被分割成单元，并且其由高密度材料制成，其厚度为1mm。
各个准直器43都是在切片方向上延伸的金属板。像在通道方向上看那样，从两端看它们分别置于第四通道和第五通道之间。
在根据实施例3的X射线CT设备中，螺旋间距减小，从而受检者的相同位置近似地在通道方向上移动1/2间距，由此能够进行摄影。因此，通道方向上的分辨率能提高两倍。
在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以形成很多不同的本发明的实施例。应该理解本发明并不限定于说明书中描述的特定实施例，而是由所附的权利要求限定的。
附图部件说明
图1100…X射线CT设备
1…操作台，2…输入装置，3…中央处理器，5…数据采集缓冲器，7…存储装置，10…床装置，12…工作台，20…扫描架，21…X射线管，22…X射线控制器，23…X射线焦点控制器，24…多检测器，25…信号传送部分，27…旋转控制器，28…光圈调整装置，29…控制控制器，30…滑环
图240…X射线检测器模块
切片方向
41…光电二极管阵列，411…低分辨率区，41h…高分辨率区，411…低分辨率区，41p’…光电二极管，42…闪烁体，43…准直器
图3 40…X射线检测器模块
41…光电二极管阵列，42…闪烁体，43…准直器
通道方向
图4 40…X射线检测器模块
切片方向
41(图中是，11)…光电二极管阵列，411…低分辨率区，41h…高分辨率区，411…低分辨率区，41p…光电二极管，41p’…光电二极管，
通道方向
图5 40…X射线检测器模块
切片方向
42…闪烁体，43…准直器，
通道方向
图6 24…多检测器
40…X射线检测器模块，
通道方向
图7
24…多检测器
通道方向，
切片方向
25…信号传送部分
41…光电二极管阵列
图8
24…多检测器
切片方向
25…信号传送部分
41…光电二极管阵列
图9
21…X射线管(靶)
焦点
X射线束，扇形角
旋转中心
X射线束
24…多检测器，42…闪烁体
41…光电二极管阵列，41p…光电二极管
通道方向
图10
21…X射线管(靶)
焦点，焦点
X射线束，X射线束
X射线束，X射线束
旋转中心
24…多检测器，42…闪烁体
41…光电二极管阵列，41p…光电二极管
通道方向
图11 40h…高分辨率X射线检测器模块
41…光电二极管阵列，41p…光电二极管，42…闪烁体，43…准直器
切片方向
图12 40h…高分辨率X射线检测器模块
41…光电二极管阵列，41p…光电二极管
切片方向，通道方向
图13 40h…高分辨率X射线检测器模块
42…闪烁体，43…准直器
切片方向，通道方向
图14 401…低分辨率X射线检测器模块
切片方向
41’…光电二极管阵列，41p’…光电二极管，42’…闪烁体，43…准直器，44…反射器
图15 401…低分辨率X射线检测器模块
41’…光电二极管阵列，42…闪烁体，43…准直器，44…反射器
通道方向
图16 401…低分辨率X射线检测器模块
切片方向
41p’…光电二极管，41’…光电二极管阵列
通道方向
图17 401…低分辨率X射线检测器模块
切片方向
42’…闪烁体，43…准直器，44…反射器
通道方向
图18
24…多检测器，25…信号传送部分，241…低分辨率X射线检测器，24h…高分辨率X射线检测器
41p’…光电二极管，41p…光电二极管
图19
24…多检测器，25…信号传送部分，241…低分辨率X射线检测器，24h…高分辨率X射线检测器
41p’…光电二极管，41p…光电二极管
图20 24…多X射线检测器
41…光电二极管阵列，41p…光电二极管，42…闪烁体，43…准直器，
切片方向
图2124…多X射线检测器
41…光电二极管阵列，41p…光电二极管，42…闪烁体，43…准直器，
通道方向
图22
24…多X射线检测器
41p…光电二极管
切片方向，通道方向
图23
24…多X射线检测器
切片方向通道方向
42…闪烁体，43…准直器，43…准直器

Claims (10)

1、一种X射线CT设备(100)，包括：
X射线管(21)；
X射线检测器(24)，其中未分开的闪烁体(42)以薄层覆盖在光电二极管阵列(41)的上表面上，该光电二极管阵列(41)包括在通道方向和切片方向上二维排列的光电二极管；
DAS(26)，其采集从该光电二极管发送的信号；以及
信号切换装置(29)，其在是传送从相应各个光电二极管发送的信号到该DAS(26)还是将从该光电二极管的N×N(其中：N是大于或者等于2的整数)个光电二极管发送的信号相加并将相加结果传送到DAS(26)之间切换。
2、如权利要求1所述的X射线CT设备(100)，其中该光电二极管阵列(41)包括，高分辨率区(41h)，该高分辨率区具有在通道方向和切片方向中每一个方向上延伸的间距Ph＜0.6mm，以及低分辨率区(411)，该低分辨率区的每一个均具有在通道方向和切片方向中每一个方向上延伸的间距P1＝N×Ph，并且，当高分辨率区(41h)中通道方向上的光电二极管的数量是Ch，切片方向上的光电二极管的数量是Sh，每个低分辨率区(411)中在通道方向上的光电二极管的数量是C1，切片方向上的光电二极管的数量是S1，以及能输入到该DAS(26)的信号的数量D是D时，建立下列关系：
D＝Ch×Sh＝Ch×Sh/(N×N)+C1×S1
3、一种X射线CT设备(100)，包括：
X射线管(21)；
高分辨率X射线检测器(24)，其中未分开的闪烁体(42)以薄层覆盖在光电二极管阵列(41)的上表面上，该光电二极管阵列(41)包括在通道方向和切片方向中每一个方向上均以间距Ph＜0.6mm二维排列的光电二极管；
低分辨率X射线检测器(24)，其中闪烁体(42)以薄层覆盖在光电二极管阵列(41)的上表面上，该光电二极管阵列(41)包括在通道方向和切片方向上以间距P1＞Ph二维排列的光电二极管；
DAS(26)，其采集来自该光电二极管的信号；以及
信号切换装置(29)，其在是传送来自高分辨率X射线检测器(24)的光电二极管的信号到该DAS(26)还是传送来自低分辨率X射线检测器(24)的光电二极管的信号到该DAS(26)之间切换。
4、一种X射线CT设备(100)，包括：
X射线管(21)；
高分辨率X射线检测器(24)，其中未分开的闪烁体(42)以薄层覆盖在光电二极管阵列(41)的上表面上，该光电二极管阵列(41)包括在通道方向和切片方向上以间距P1＜0.6mm二维排列的光电二极管；
低分辨率X射线检测器(24)，其中闪烁体(42)以薄层覆盖在光电二极管阵列(41)的上表面上，该光电二极管阵列(41)包括在通道方向和切片方向上以间距P1＞Ph二维排列的光电二极管；
DAS(26)，其采集来自该光电二极管的信号；
信号相加装置(25)，其将从高分辨率X射线检测器(24)的光电二极管发送的信号与从低分辨率X射线检测器(24)的光电二极管发送的信号相加，并将相加的结果传送到该DAS(26)；以及
X射线调整装置(29)，其在是将X射线单独投射到高分辨率X射线检测器(24)还是将X射线单独投射到低分辨率X射线检测器(24)之间切换。
5、如权利要求3或4所述的X射线CT设备(100)，其中，当高分辨率X射线检测器(24)中位于通道方向上的光电二极管的数量是Ch，高分辨率X射线检测器(24)中位于切片方向上的光电二极管的数量是Sh，低分辨率X射线检测器(24)中位于通道方向上的光电二极管的数量是C1，低分辨率X射线检测器(24)中位于切片方向上的光电二极管的数量是S1，并且能够输入到该DAS(26)的信号数量是D时，建立下列关系：
D＝Ch×Sh＝C1×S1
6、一种X射线CT设备(100)，包括：
X射线管(21)；以及
X射线检测器(24)，其中未分开的闪烁体(42)以薄层覆盖在光电二极管阵列(41)的上表面上，该光电二极管阵列(41)包括在通道方向和切片方向上二维排列的光电二极管。
7、如权利要求1至6中任一项所述的X射线CT设备(100)，其中该闪烁体(42)的厚度小于或者等于1mm。
8、如权利要求1至7中任一项所述的X射线CT设备(100)，其中该光电二极管在与光接收表面相对的表面上分别具有信号终端。
9、一种X射线CT设备(100)，包括：
X射线管(21)；以及
X射线检测器(24)，其中闪烁体(42)以薄层覆盖在光电二极管阵列(41)的上表面上，在该光电二极管阵列(41)中光电二极管在通道方向和切片方向上二维排列，并且在切片方向上彼此邻接的光电二极管排列成在位置上移动了通道方向上的1/2间距。
10、一种X射线CT设备(100)，包括：
X射线管(21)；以及
X射线检测器(24)，其中多个X射线检测器(24)模块在通道方向上沿圆弧排列；
其中，该X射线检测器(24)模块在通道方向上的末端形成逐渐变细的表面，从而使得彼此邻接的X射线检测器(24)模块彼此紧密接触。
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