CN1710700A - 场发射显示器及其制造方法 - Google Patents

场发射显示器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1710700A
CN1710700A CNA2005100779596A CN200510077959A CN1710700A CN 1710700 A CN1710700 A CN 1710700A CN A2005100779596 A CNA2005100779596 A CN A2005100779596A CN 200510077959 A CN200510077959 A CN 200510077959A CN 1710700 A CN1710700 A CN 1710700A
Authority
CN
China
Prior art keywords
adhesion layer
plate
minus plate
mesh grille
gate electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005100779596A
Other languages
English (en)
Inventor
宋炳权
申文珍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of CN1710700A publication Critical patent/CN1710700A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/467—Control electrodes for flat display tubes, e.g. of the type covered by group H01J31/123
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/028—Mounting or supporting arrangements for flat panel cathode ray tubes, e.g. spacers particularly relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48—Electron guns
    • H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/18—Assembling together the component parts of electrode systems
    • H01J9/185—Assembling together the component parts of electrode systems of flat panel display devices, e.g. by using spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86—Vessels
    • H01J2329/8625—Spacing members

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)

Abstract

提供了一种场发射显示器及其制造方法。该场发射显示器包括：具有形成在内侧的阳极电极和荧光层的阳极板；具有形成在内侧的电子发射源和栅电极的阴极板，所述电子发射源面对所述荧光层并发射电子，所述栅电极具有栅极孔，电子穿过该栅极孔；固定在所述阴极板内侧的网状格栅，其具有对应于所述栅极孔的电子束控制孔，并具有在面对所述阴极板的表面上的光敏粘附层；以及，隔离物，其设置在所述阳极板和所述网状格栅之间，并通过所述阳极板和所述阴极板之间的负压将所述网状格栅紧密的粘附到所述阴极板。

Description

场发射显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及配备有金属网状格栅的场发射显示器及其制造方法。
背景技术
当从场发射显示器(FED)的内部电子发射源发射电子时，在设置有电子发射源的阴极板与具有使电子与其碰撞的荧光层的阳极板之间的内部真空间隔中，有时会产生电弧(arcing)。一般认为这种电弧是由除气引起的瞬时气体电离(雪崩现象)所导致的放电而产生的。此外，为了在形成于阴极板上的场发射阵列(FEA)中的腔测试(chamber testing)或者为了在将阴极板和阳极板结合之后测试FED而施加1KV或更大的阳极电压时，可能出现电弧。当使用光学显微镜仔细检查发生电弧的FEA的表面时，可以看到由电弧引起的损坏主要发生在栅极边缘。这大概是由于栅极边缘较为尖锐，由此在高电场下出现电弧。电弧引起施加最高阳极电压的阳极与施加较低栅极电压的栅电极之间的短路。因此，阳极电压施加到栅电极，这种高电压对将阴极电极与栅电极电绝缘的栅极氧化物以及形成在阴极电极上的电阻层造成损坏。随着阳极电压增大，这种现象变得更加严重。结果，由于当施加1KV或更高的阳极电压时会出现电弧，所以很难从其中阴极和阳极通过隔离物彼此分离的常规的简单FED结构来获得通常在高电压下工作的具有高亮度的FED。
同时，因为这种常规的FED具有由栅电极所吸取的电子朝向荧光层加速的结构，所以其问题在于，电子发散并与除荧光层的指定象素区域之外的区域碰撞。通过将电子束聚焦到荧光层上的指定象素上的附加电极可以解决这一问题。该电极对应于FED中的第二栅电极，并通常整体形成而不像设置为条状形式的栅电极那样。第二栅电极不仅控制电子束而且还防止在FED中出现电弧。
韩国专利公开No.2001-81496以及美国专利No.5710483公开了配备有上述第二栅电极的双栅极FED。
在美国专利No.5710483中公开的FED具有通过淀积金属而形成的第二栅电极，在韩国专利公开No.2001-81496中所公开的FED具有由通过隔离物与阳极和阴极电极分离的附加金属网所形成的第二栅电极。
如在美国专利No.5710483中所描述的，通过淀积金属而形成的第二栅电极的尺寸受到淀积设备尺寸的限制，由此将FED的尺寸限制为不超过预定尺寸。因此，这不适合于制造大尺寸的FED，因此应重新制造用于生产大尺寸FED的金属膜淀积设备，由此需要巨大的成本。此外，因为通过淀积金属形成的第二栅电极的厚度局限于约1.5微米或更小，所以很难获得足以有效控制电子束的厚度。
在韩国专利公开No.2001-81496中所公开的FED中，从金属板获得第二栅电极(网状格栅)。因此，可以自由地选择第二栅电极的厚度而没有上述限制，由此有效地控制电子束。
图1是表示常规FED的一个实例的截面图，其中将网状格栅用作第二栅电极。
阴极板10和阳极板20通过隔离物30彼此分离。阴极板10和阳极板20之间的空间处于真空下，由此利用插入其间的下隔离物31和上隔离物32将阴极板10和阳极板20通过内部负压紧密结合在一起。
在阴极板10中，阴极电极12形成在后面板11上，而栅极绝缘层13形成在阴极电极12上。在栅极绝缘层13中形成透孔13a，经由透孔13a暴露阴极电极12。在经由透孔13a暴露的阴极电极12上形成诸如碳纳米管(CNT)的电子发射源14。在栅极绝缘层13上形成栅电极15。栅电极15具有对应于透孔13a的栅极孔15a。
同时，在阳极板20中，阳极电极22形成在前面板21的内侧。荧光层23形成在阳极电极22的一部分上，该部分面对栅极孔15a。黑矩阵24形成在阳极电极22的其余部分上。
在阴极板10和阳极板20之间，设置网状格栅40，其与阴极板10和阳极板20分离并通过下间隔物31和上间隔物32支撑。网状格栅40具有对应于栅极孔15a的电子束控制孔42。
在这种常规FED中，结合隔离物的方法如下。
首先，在网状格栅40的一侧形成绝缘层(下隔离物31)，在绝缘层31上印制玻璃料糊料34，并将涂敷有玻璃料糊料34的绝缘层31的一部分设置为与栅极绝缘层13接触。接着，在430℃的温度下烧结玻璃料糊料34预定时间，例如20分钟。
接下来，将以通常方式附着有上隔离物32的阳极板20与其上具有网状格栅40的阴极板10对准，然后真空封装。
根据这种常规方法，在约430℃的高温下烧制玻璃料糊料34花费约4至8小时，包括温度升高时间和冷却时间，并且金属网状格栅40和阴极板10之间的热膨胀差异会引起其间的未对准。此外，高温会引起网状格栅40的变形。另外，暴露的电子发射源14的劣化会削弱电子发射效果。
此外，玻璃料糊料34会流入网状格栅40的电子束控制孔42的横向侧，由此在驱动FED时出现电弧。
网状格栅的变形导致FED性能劣化。因此需要克服这一问题的新方法。
发明内容
本发明提供了一种FED及其制造方法，其中在低温下将网状格栅固定到阴极板。
根据本发明的一个方面，提供了一种FED，包括：具有形成在内侧的阳极电极和荧光层的阳极板；具有形成在内侧的电子发射源和栅电极的阴极板，所述电子发射源面对所述荧光层并发射电子，所述栅电极具有栅极孔，电子穿过该栅极孔；固定在所述阴极板内侧的网状格栅，其具有对应于所述栅极孔的电子束控制孔，并具有在面对所述阴极板的表面上的光敏粘附层；以及，隔离物，其设置在所述阳极板和所述网状格栅之间，并通过所述阳极板和所述阴极板之间的负压将所述网状格栅紧密的粘附到所述阴极板。
所述网状格栅可以进一步包括形成在面对所述阴极板的表面与所述光敏粘附层之间的绝缘层。
所述光敏粘附层可以由光敏聚酰亚胺层形成。
根据本发明的另一方面，提供了一种FED的制造方法，该方法包括：(a)制备具有形成在内侧的阳极电极和荧光层的阳极板；(b)制备具有形成在内侧的电子发射源和栅电极的阴极板，所述电子发射源面对所述荧光层并发射电子，所述栅电极具有栅极孔，电子穿过该栅极孔；(c)提供附加网状格栅，其具有电子束控制孔以面对所述栅极孔并具有顺序叠置在对应于所述阴极板的所述第一表面上的绝缘层和粘附层；(d)将所述网状格栅与所述阴极板结合使得所述网状格栅的粘附层面对所述阴极板；(e)使用插入在所述阴极板和所述阳极板之间的隔离物，将所述阳极板和所述阴极板结合并真空密封。
所述网状格栅的绝缘层可以由SiO2制成。
制备所述网状格栅可以包括：在金属板上形成电子束控制孔；形成绝缘层，其具有对应于所述金属板上的电子束控制孔的孔；在所述绝缘层上形成光敏粘附层；从所述金属板的第二表面曝光所述光敏粘附层；以及，去除曝光的光敏粘附层。
所述光敏粘附层可以由光敏聚酰亚胺形成。
同时，所述光敏粘附层可以通过从旋涂法、丝网印刷法和辊筒印刷法所构成的组中选取的方法而形成。
此外，所述密封可以在150-300℃的温度下固化。
根据本发明的又一方面，提供了一种FED的制造方法，该方法包括：(a)制备具有形成在内侧的阳极电极和荧光层的阳极板；(b)制备具有形成在内侧的电子发射源和栅电极的阴极板，所述电子发射源面对所述荧光层并发射电子，所述栅电极具有栅极孔，电子穿过该栅极孔；(c)提供附加网状格栅，其具有对应于所述栅极孔的电子束控制孔；(d)形成光敏粘附层，其覆盖所述阴极板上的所述栅电极；(e)将所述网状格栅设置在所述粘附层上；(f)从所述阴极板的上面曝光所述粘附层；(g)去除曝光的粘附层；(h)使用插入在所述阴极板和所述阳极板之间的隔离物，将所述阳极板和所述阴极板结合并真空密封。
操作(c)可以包括在所述网状格栅的一侧形成绝缘层，其具有对应于所述电子束控制孔的孔。
在操作(e)中，所述网状格栅的绝缘层可以接触所述粘附层。
附图说明
图1是表示常规FED的截面图；
图2是表示根据本发明的FED的截面图；
图3A和3B是表示阳极板制造工艺的截面图；
图4是表示阴极板制造工艺的截面图；
图5A至5E是表示根据本发明一实施例提供网状格栅的过程的图；
图6是表示附着在阴极板内侧的网状格栅的截面图；
图7是表示将阳极板与阴极板结合的过程的图；以及
图8A至8C是表示根据本发明另一实施例将网状格栅附着到阴极板上的过程的图。
具体实施方式
现将参照附图详细描述根据本发明的示例性实施例。为了本发明的清楚起见，夸大了附图中所示的层或区域的厚度。
图2是表示根据本发明的FED的截面图。
阴极板100和阳极板200通过隔离物300彼此分离。阴极板100和阳极板200之间的空间处于真空下，由此利用隔离物300将阴极板100和阳极板200通过内部负压紧密结合在一起。
在阴极板100中，阴极电极120形成在后面板110上，而栅极绝缘层130形成在阴极电极120上。在栅极绝缘层130中形成透孔130a。在经由透孔130a暴露的阴极电极120上形成诸如碳纳米管(CNT)的电子发射源140。在栅极绝缘层130上形成栅电极150。栅电极150具有对应于透孔130a的栅极孔150a。栅电极150和阴极电极120通常设置成条形并以直角设置。栅电极150由厚度约0.25μm的Cr形成。
同时，在阳极板200中，阳极电极220形成在前面板210的内侧。荧光层230形成在阳极电极220的一部分上，该部分面对栅极孔150a。黑矩阵240形成在阳极电极220的其余部分上，其用于阻挡外部光的吸收并防止光学串扰。
在阴极板100和阳极板200之间设置网状格栅400，网状格栅400通过设置在网状格栅400之下的绝缘层440和粘附层460以及设置在其上方的隔离物300与阴极板100和阳极板200分离。
网状格栅400之下的绝缘层440可以由SiO2形成。绝缘层440之下的粘附层460可以由光敏聚酰亚胺形成。该聚酰亚胺可以在约150-300℃的低温下固化。
网状格栅400具有对应于栅极孔150a的电子束控制孔420。
因此，在根据本发明的FED中，能够防止由于高温烧制所致的变形和未对准，因为用于将由金属板形成的网状格栅400与阴极板100相结合的加热工艺在低温下执行较短时间。
现将详细描述根据本发明的FED制造方法的实施例。
图3A和3B是表示阳极板制造工艺的截面图。
提供阳极板200，其中阳极电极220、荧光层230和黑矩阵240形成在前面板210的内侧(图中的上侧)。
隔离物300与阳极板20设置在一起并附着到黑矩阵240上。当附着隔离物300时，使用由糊料形成的粘合剂310。通过加热附着有间隔物300的阳极板200来烧制荧光层230并硬化粘合剂310。使用常规方法执行此工艺。
图4是表示阴极板制造工艺的截面图。
当在后面板110的内侧(图中的上侧)形成阴极电极120、栅极绝缘层130、栅电极150和电子发射源140时，提供了阴极板100。此处，栅极绝缘层130和栅电极150叠置在阴极电极120上并分别具有对应于荧光层230的透孔130a和栅极孔150a，在经由栅极孔150a暴露的阴极电极120上，电子发射源140发射电子。仍通过常规方法来制造阴极板100。
图5A至5E是表示根据本发明一实施例提供网状格栅的过程的图。
如图5A所示，通过挤压在约50-100μm厚的Invar的一侧上印制绝缘层440，例如SiO2糊料。在约460-500℃的温度下烧制绝缘层440。
如图5B所示，通过光刻工艺在Invar中形成电子束控制孔420。在这种情况下，使用光致抗蚀剂掩模。该光致抗蚀剂掩模具有对应于电子束控制孔420的窗，并且可以将FeCl3用作蚀刻剂。
如图5C所示，通过使用具有电子束控制孔420的Invar作为掩模蚀刻绝缘层440而完全穿通电子束控制孔420。在这种情况下，可以将HF用作蚀刻剂。
如图5D所示，通过旋涂法、丝网印刷法或辊筒印刷法，然后进行软烘烤，在绝缘层440上形成光敏粘合剂，例如光敏聚酰亚胺460或光敏环氧树脂。在这种情况下，聚酰亚胺460可以涂敷在电子束控制孔420的横向侧上或者网状格栅400的下侧。
接下来，在使用网状格栅400作为掩模将聚酰亚胺曝光于紫外线然后使其显影时，去除了涂敷在电子束控制孔420的横向侧或者网状格栅400的下侧的聚酰亚胺(参照图5E)。
图6和7是表示将分开制造的阴极板、网状格栅和阳极板结合的过程的图。
网状格栅400对准于阴极板100的内侧，并通过在约150-300℃的温度下固化10分钟而附着到阴极板100。
通过将阴极板100与阳极板200结合并密封来获得预期的FED。
图8A至8C是表示根据本发明另一实施例将网状格栅附着到阴极板上的过程的图。相同的部件用相同的附图标记来表示，再次省略其详细描述。
参照图8A，通过旋涂法、丝网印刷法或辊筒印刷法，然后进行软烘烤，在阴极板100上形成光敏聚酰亚胺层460，其覆盖电子发射源140和阴极电极150。
如图8B所示，将预先制备的网状格栅400(参照图5C)与阴极板100对准。接着，使用网状格栅400作为掩模将聚酰亚胺层460曝光于紫外线。附图标记460a表示曝光的部分。然后，使曝光部分460a显影。
图8C表示显影之后的所得物体。当所得物体在150-300℃的温度下固化10分钟时，网状格栅400固定到阴极板100。
将阴极板100与阳极板200结合并密封的过程与如上所述的相同，所以在此省略对其的详细描述。
同时，尽管上述实施例已说明了将其下形成有绝缘层的网状格栅对准在聚酰亚胺层上，但可以将没有绝缘层的网状格栅直接附着到聚酰亚胺层。在这种情况下，聚酰亚胺层的厚度增大到约20-50μm。
此外，尽管上述实施例已说明了在对准网状格栅之前软烘烤聚酰亚胺层，但也可以在对准网状格栅之后软烘烤聚酰亚胺层。在对准网状格栅之后执行软烘烤时，网状格栅可以坚固地附着到聚酰亚胺层上。
根据本发明，可以使网状格栅和阴极板之间的未对准最小化，因为在将网状格栅附着到阴极板时通过使用聚酰亚胺在低温下执行热处理工艺。此外，在附着工艺期间可以防止CNT电子发射源的劣化。因此，这种FED的制造方法适于制造大尺寸的FED。
尽管已参考其示例性实施例描述了本发明，但本领域技术人员应理解的是，在不背离由所附权利要求限定的本发明的范围的前提下，可以对其进行形式和细节上的各种变化。

Claims (16)

1.一种场发射显示器，包括：
阳极板，其具有形成在内侧的阳极电极和荧光层；
阴极板，其具有形成在内侧的电子发射源和栅电极，所述电子发射源面对所述荧光层并发射电子，所述栅电极具有栅极孔，电子穿过该栅极孔；
固定在所述阴极板内侧的网状格栅，其具有对应于所述栅极孔的电子束控制孔，并具有在面对所述阴极板的表面上的光敏粘附层；以及，
隔离物，其设置在所述阳极板和所述网状格栅之间，并通过所述阳极板和所述阴极板之间的负压将所述网状格栅紧密地粘附到所述阴极板。
2.根据权利要求1所述的场发射显示器，其中所述网状格栅还包括形成在面对所述阴极板的表面与所述光敏粘附层之间的绝缘层。
3.根据权利要求1或2所述的场发射显示器，其中所述光敏粘附层由光敏聚酰亚胺层形成。
4.一种场发射显示器的制造方法，该方法包括：
(a)制备阳极板，其具有形成在内侧的阳极电极和荧光层；
(b)制备阴极板，其具有形成在内侧的电子发射源和栅电极，所述电子发射源面对所述荧光层并发射电子，所述栅电极具有栅极孔，电子穿过该栅极孔；
(c)提供附加的网状格栅，其具有对应于所述栅极孔的电子束控制孔并具有顺序叠置在面对所述阴极板的第一表面上的绝缘层和粘附层；
(d)将所述网状格栅与所述阴极板结合使得所述网状格栅的粘附层面对所述阴极板；以及
(e)使用插入在所述阴极板和所述阳极板之间的隔离物，将所述阳极板与所述阴极板结合并真空密封。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述网状格栅的绝缘层由SiO2制成。
6.根据权利要求4所述的方法，其中提供所述网状格栅包括：
在金属板上形成电子束控制孔；
形成绝缘层，其具有对应于所述金属板上的电子束控制孔的孔；
在所述绝缘层上形成光敏粘附层；
从所述金属板的第二表面曝光所述光敏粘附层；以及，
去除曝光的光敏粘附层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述光敏粘附层由光敏聚酰亚胺形成。
8.根据权利要求5所述的方法，其中所述光敏粘附层通过从旋涂法、丝网印刷法和辊筒印刷法所构成的组中选取的方法而形成。
9.根据权利要求4所述的方法，其中所述密封在150-300℃的温度下固化。
10.一种场发射显示器的制造方法，该方法包括：
(a)制备阳极板，其具有形成在内侧的阳极电极和荧光层；
(b)制备阴极板，其具有形成在内侧的电子发射源和栅电极，所述电子发射源面对所述荧光层并发射电子，所述栅电极具有栅极孔，电子穿过该栅极孔；
(c)提供附加的网状格栅，其具有对应于所述栅极孔的电子束控制孔；
(d)形成光敏粘附层，其覆盖所述阴极板上的所述栅电极；
(e)将所述网状格栅设置在所述粘附层上；
(f)从所述阴极板的上方曝光所述粘附层；
(g)去除曝光的粘附层；以及
(h)使用插入在所述阴极板和所述阳极板之间的隔离物，将所述阳极板与所述阴极板结合并真空密封。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述光敏粘附层由光敏聚酰亚胺形成。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述光敏粘附层通过从旋涂法、丝网印刷法和辊筒印刷法所构成的组中选取的方法而形成。
13.根据权利要求10所述的方法，
其中提供附加的网状格栅包括在所述网状格栅的一侧形成绝缘层，该绝缘层具有对应于所述电子束控制孔的孔，以及
其中设置所述网状格栅包括使所述网状格栅上的绝缘层与所述粘附层接触。
14.根据权利要求10所述的方法，其中形成光敏粘附层包括软烘烤所述粘附层。
15.根据权利要求10所述的方法，其中设置所述网状格栅包括软烘烤所述粘附层。
16.根据权利要求10所述的方法，其中将所述阳极板与所述阴极板结合并真空密封包括在150-300℃的温度下进行固化。
CNA2005100779596A 2004-06-17 2005-06-16 场发射显示器及其制造方法 Pending CN1710700A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040045045A KR20050119905A (ko) 2004-06-17 2004-06-17 전계방출 표시소자 및 그 제조방법
KR45045/04 2004-06-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1710700A true CN1710700A (zh) 2005-12-21

Family

ID=35479917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005100779596A Pending CN1710700A (zh) 2004-06-17 2005-06-16 场发射显示器及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050280351A1 (zh)
JP (1) JP2006004940A (zh)
KR (1) KR20050119905A (zh)
CN (1) CN1710700A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101853761A (zh) * 2010-06-09 2010-10-06 福州大学 用于三极式场发射阴极的无机绝缘膜和聚酰亚胺复合膜
CN102243974A (zh) * 2011-05-25 2011-11-16 中山大学 一种利用两组栅极电极实现像素单元寻址的场发射显示器结构

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5710483A (en) * 1996-04-08 1998-01-20 Industrial Technology Research Institute Field emission device with micromesh collimator
US6015323A (en) * 1997-01-03 2000-01-18 Micron Technology, Inc. Field emission display cathode assembly government rights
US6254449B1 (en) * 1997-08-29 2001-07-03 Canon Kabushiki Kaisha Manufacturing method of image forming apparatus, manufacturing apparatus of image forming apparatus, image forming apparatus, manufacturing method of panel apparatus, and manufacturing apparatus of panel apparatus

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101853761A (zh) * 2010-06-09 2010-10-06 福州大学 用于三极式场发射阴极的无机绝缘膜和聚酰亚胺复合膜
CN101853761B (zh) * 2010-06-09 2013-04-17 福州大学 用于三极式场发射阴极的无机绝缘膜和聚酰亚胺复合膜
CN102243974A (zh) * 2011-05-25 2011-11-16 中山大学 一种利用两组栅极电极实现像素单元寻址的场发射显示器结构
CN102243974B (zh) * 2011-05-25 2014-03-12 中山大学 一种利用两组栅极电极实现像素单元寻址的场发射显示器结构

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050119905A (ko) 2005-12-22
US20050280351A1 (en) 2005-12-22
JP2006004940A (ja) 2006-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1581416A (zh) 具有碳纳米管发射极的场发射显示器及其制造方法
CN1707727A (zh) 场发射器件及使用该场发射器件的场发射显示器
JP2002505796A (ja) 薄型コンピュータ表示装置のための低温ガラス・フリット封止
CN1755881A (zh) 电子发射装置及其制造方法
CN1710700A (zh) 场发射显示器及其制造方法
KR100459906B1 (ko) 전계방출표시소자 및 그 제조방법
CN100341102C (zh) 电子发射装置
US7045948B2 (en) Field emission device with mesh grid
JP2007103346A (ja) 電子放出素子、電子放出ディスプレイ装置およびその製造方法
CN1750229A (zh) 电子发射装置及其制造方法
CN1801452A (zh) 平板显示器、栅电极结构和栅电极结构制造方法
CN1947214A (zh) 图像显示装置的制造方法
JP2003297230A (ja) 冷陰極電界電子放出素子の製造方法、及び、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
CN1741237A (zh) 平面型显示装置
CN1178264C (zh) 图象显示器的制造方法和制造装置
CN1883028A (zh) 图像显示装置
TWI269339B (en) Manufacturing method of image display device and image display device
CN1647232A (zh) 图像显示装置和其制造方法
CN1607870A (zh) 显示装置
US7455958B2 (en) Method for attaching spacers in an emission display
CN1659677A (zh) 图像显示装置
KR100786833B1 (ko) 전계방출 디스플레이장치 및 이의 제조방법과 전계방출디스플레이장치의 노말 게이트 구조 형성방법
CN1530997A (zh) 制造场发射器件的方法
KR100774222B1 (ko) 중성빔을 이용한 ｃｎｔ 전계방출 표시소자의 제조방법
US7108575B2 (en) Method for fabricating mesh of tetraode field-emission display

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication