CN1670897A - 四极结构的场发射显示器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种四极结构的场发射显示器及其制造方法，其主要在阳极板与阴极板之间设置一网罩，该网罩设置有一闸极层及一收敛电极层，在该闸极层及收敛电极层之间用一绝缘层区隔，形成一独立的三层结构体。在该网罩上开设有多个通孔，每一通孔对应于每一组阴阳极单元。该网罩与阳极板之间用一玻璃板作为支撑器(spacer)，该网罩的收敛电极层面对阳极板，使由电子发射源所射出的电子束可通过该收敛电极限制并缩小其发散幅度，使电子束可精准地撞击对应的阳极区。

Description

四极结构的场发射显示器及其制造方法  

技术领域

本发明涉及一种场发射显示器的结构及其制造方法，尤其涉及一种在公知的三极(阴极、阳极与闸极)结构中增设第四极(即收敛极)且以玻璃板作为支撑器的四极结构场发射显示器及其制造方法。

背景技术

近年来，平面显示器(Flat Panel Display，FPD)在市场上极为盛行，各种类型的平面显示器也不断在市场上出现，包括有场发射显示器(FED)、液晶显示器(LCD)、电浆显示器(PDP)、有机发光二极管显示器(OLED)等等。轻与薄是这些平面显示器的共同特点，而按照各种平面显示器的不同特性(如尺寸及亮度等)，有些适合应用于小尺寸面板，如手机及个人数字助理(PDA)；有些适合应用于中、大型尺寸如计算机、电视等；或应用于超大型尺寸如室外看板。各种平面显示器技术的发展，其目的均是希望能达到兼具高画质、大画面、低成本及使用寿命长等特性。

其中，场发射显示器是近年来新兴的平面显示器之一，其原因在于其具有自体发光的效果，无需另外使用背光光源，与LCD相比，除具有较佳的亮度表现外，再加上更宽广的可视角度范围、耗电量低、反应速度快(不留残影)及操作温度较广等优点，其所呈现的影像画质非常近似于传统的阴极射线管(CRT)显示器，而其体积却远比阴极射线管轻、薄，因此，场发射显示器成为取代液晶显示器及电浆显示器的明日之星实为指日可待之事。由于近年来纳米技术的迅速发展，将纳米材料应用在场发射显示器中，将更加形促进其发展为成熟商品。

图1为一种公知的三极结构的场发射显示器的剖视图。其结构主要包括阳极板10与阴极板20。阳极板10与阴极板20之间设置有支撑器(spacer)14，提供阳极板10与阴极板20之间真空区域的间隔及作为阳极板10与阴极板20之间的支撑。阳极板10包括一阳极基板11、一阳极导电层12及一荧光粉体层(phosphors layer)13。阴极板20包括一阴极基板21、一阴极导电层22、一电子发射源层23、一介电层24及一闸极层25。其中，闸极层25具有一电位差用来吸引电子发射源层23的电子射出，由阳极导电层12提供的高电压来提供电子束的加速，使电子有足够的动能撞击(impinge)阳极板10上的荧光粉体层13激发而使其发光。由此，为了使电子在场发射显示器中移动，需要用真空设备将显示器保持至少10-5托(torr)以下的真空度，使电子获得一良好的平均自由程(mean freepath)，同时应避免电子发射源和荧光粉区的污染及毒化。为了使电子有足够能量去撞击荧光粉，在两板之间需有适当间隙，使电子有足够的加速空间来撞击荧光粉体，达到使荧光粉体能充分产生发光效应。

公知的电子发射源层的结构多以一种尖端结构(如图1所示)，或是一种Spindt Type(见应用物理学报(Journal of Applied Physics)1968年六月第39卷第七号的“薄膜场发射阴极”(A Thin-Film Field-EmissionCathode)一文，或美国专利第3665241号及第3755704号等。)，这种结构用薄膜制造工艺或微影制造工艺制作成尖端形状的结构，随着薄膜制造工艺的不断发展，各种包括Spindt type的场发射显示器结构不断被改良及提出，这种由电场在尖端吸引电子的方式往往导引出电子束路径呈现一种小半径的曲线，因此在这种公知的场发射显示器结构设计多会加入各种形态的控制电极来修正电子束的截面大小，或导引正确路径使电子束可准确撞击荧光粉的正确位置，因此结构上除使用电子发射源的尖端结构设置，再结合各种控制电极的设置，多以薄膜、微影或微机电制造工艺的繁复结构及制程方法加以制造，也可引用微机电结构内的一单元，不过就大型显示器领域的需求，虽然这种结构基础下的场发射显示器自1960年发展至今，但由于这种结构及制造过程越趋复杂，难以产生经济效益及达到高产量的要求，其所搭配的控制电路也更加繁复，造成制造成本过高，至今仍难以使此类产品的达到高产量化及市场化的需求。

近年来一种新的纳米碳管材料(Carbon nanotube)自1991年被Iijima提出后(1991年的自然(Nature)杂志)，由于该材料具有高长宽比(aspectratio)、高机械强度、不易被毒化(high chemical resistance)、不易磨耗、低启闸电场(threshold electric field)等特性，已成为一种场发射电子源(fieldemission electrons)的材料，被广泛地研究(见1995年的科学(Science)杂志)。其中，场电子发射利用一种施加在材料表面的高电场(high electricfield)，将材料的能障壁(energy barrier)的厚度减小，使电子可由量子力学的通道效应(Quantum-mechanical tunnelling effect)，从材料表面脱离成为自由电子(见上述1968年的应用物理学报)，因此场电子发射的电流可由材料具有低工作函数的表面而提高效果。该电子产生方式通过对该材料施予一电场来实现，无须对材料提供一定热源，因此这类场电子发射装置素有冷阴极(cold cathode)之称。因此这类纳米碳管已被普遍应用在场发射显示器阴极板的电子发射源。

由于这种纳米碳管材料仍持续的被改良及应用，电子射出特性不断被提高，因此目前该种纳米碳管已可以用一种厚膜制造工艺(如网板印刷或喷涂印刷方式)，直接将纳米碳管构图(patterning or patternize)在阴极导电层22上，以形成电子发射源层23，可参考我国专利公告第502395号，其可有效摆脱这种三极结构的场发射显示器受限于高成本的薄膜制造工艺。而这种搭配纳米碳管的电子发射源的方式，在公知技术中已有一种高效率的电子射出(在电流密度10μA/cm2的启始电场1.5V/μm，在电场2.5V/μm的操作电流密度可达10mA/cm2)，其只需搭配一种低成本的驱动电路即可达到极佳的动画显示效果。但即便如此，各个电子发射源单元由多个纳米碳管构成，其所产生的电子束，在一定的阴极与阳极的距离内，与尖端结构的电子发射源所射出的电子束类似，单元内所集合的各该纳米碳管所释出的电子束26，其截面愈接近阳极的路径过程会愈向两侧发散，如图2所示。而随着阴阳极的间隙加大，其电子束26的截面也会相对变大，使得电子束26的截面大于阳极荧光粉体层13的发光区域，甚至扩散的电子束26有可能击发相邻单元的荧光粉体层13，因而造成显示器所呈现画面的色纯度不佳，或画质分辨率不良的现象。因此，各阴阳极的单元结构在设计上为避免电子束的发散现象，公知技术为此也提供一些解决的方案。

其一是直接缩减阴极电子发射源对应于阳极荧光粉体层13的相对面积，或是将阴极电子发射源层23再加以区隔划分，由多个更小单元的电子发射源构成，使各单元电子发射源23所产生的电子束26截面可接近于阳极对应的被激发荧光粉体层13的区域面积，但该方式的设计导向往往使电子发射源层23面积缩小，电子产出效率减低，或使对应的荧光粉体层13单元面积减小，邻近的荧光粉体层13的间隙加大，使得画面分辨率降低。

其二是在这种三极结构中的闸极25与阴极导电层22间提供一可调制的电压，使闸极25除具有电子吸引的功能外，还可以调制电压的方式来控制所射出的电子束26截面大小(参见美国专利第5138237号)。但这种设计会使得电子产出效率降低，而且会使电路设计复杂度提高，画面反应时间增加，降低画面品质。

其三是在各场发射单元内阴极与阳极间设置一组或一组以上的控制电极，该控制电极可提供一收敛电压或偏向电压，使电子束的截面收敛或使偏向，使电子束可撞击预定的阳极荧光粉体层13的预定位置，然而这种设计会使制造过程过于繁复，多用薄膜制造工艺或黄光微影制造工艺，难以满足大尺寸显示器产品的高产量化的需求。

另一方面，公知的三极结构以上的场发射显示器阴极板20与阳极板10之间的真空间隙由一支撑器(spacer)14或阻隔壁(rib)维系。然而由于阴阳极板10、20间处于一种非常低压的真空状态，为了防止该两大片玻璃板崩塌，现有技术中所用的支撑器多为玻璃球或十字长条形玻璃，或用其它长条状物体来支撑。这种支撑器需要用一种固着剂黏附在阴极板20及阳极板10上，因此在制造过程上需要经过粘附固着剂，然后再黏附在阳极板10或阴极板20上，再经过一烧结过程以完成支撑器的固着。然而为了配合场发射显示器的画面需求，且不影响画面效果，支撑器14的尺寸大都介于50μm到200μm之间，其外观尺寸相当细小，因此该结构在制造过程上会有如下缺陷：

一、制造过程复杂：由于公知的支撑器外观尺寸极为细小，要通过吸附设备或移载设备来安装支撑器的要求精确度即相对提高，对位及操作的复杂及困难度相当高。

二、支撑装置粘附固着剂容易产生污染：由于公知支撑器14需要经过粘浆程序，才能黏着在阴、阳极板10、20上，其后必须再经加热以进行固着，使阴、阳极板10、20和支撑器14完成固定封着，将已粘有站浆的支撑器14安装在阴、阳极板10、20上，会使得粘浆对阴、阳极板10、20形成污染源。再者，在高温烧结过程中，粘浆内的溶剂会挥发出来，对阴、阳极板10、20造成二次污染。

此外，支撑器14在电场操作过程中，因支撑器14的表层容易聚集电荷，因此各支撑器14的周围也会形成一电场，该电场将影响电子束的路径及其撞击荧光粉体层13的效果。

本发明的内容

本发明的主要目的在于提供一种四极结构的场发射显示器及其制造方法，其是在阳极与阴极间设置一闸极层及一收敛电极层，形成一种四极结构，通过该第四极—收敛电极—的设置，有效地收敛电子束的发散程度，缩小截面电子束的截面，使电子束可精准地撞击荧光粉体层，却不会影响画面亮度、分辨率及色纯度，且不增加制造成本。

本发明的另一目的在于提供一种四极结构的场发射显示器及其制造方法，其是用一金属导电板形成收敛电极层，闸极与收敛电极分别布设在该金属导电板的两侧，形成一种三层结构的网罩(mesh)。该网罩可以独立加工制造，再与阴阳极板进行封装，彻底解决了现有技术中在阴极基板用微影制造工艺逐层累积形成所产生的成本高昂及其层积厚度难以均匀一致的问题。

本发明的再一目的在于提供一种四极结构的场发射显示器，其是使场发射显示器制造的难度降低，除了可以有效降低成本外，更适于大产量制造大尺寸的场发射显示器。

本发明之又一目的在于提供一种四极结构的场发射显示器及其制造方法，其是用一玻璃板取代多个支撑器，该玻璃板夹合在具有闸极及收敛电极的网罩与阳极板之间，使电荷不会聚集在该板状支撑器上，不会产生非预期(undesired)的电场，使电子束可准确的撞击对应的荧光粉体层。

为了实现上述目的，本发明主要在阳极板与阴极板之间设置一网罩，该网罩设置有一闸极层及一收敛电极层，闸极层及收敛电极层之间用一绝缘层区隔，形成一独立的三层结构体。在该网罩上开设有多个通孔，每一通孔对应于每一组阴阳极单元。该网罩的收敛电极层面对阳极板，使由电子发射源所射出的电子束可通过收敛电极限制并缩小其发散幅度。在阳极板与收敛电极层之间，用一支撑玻璃板(spacing glass plate)作为支撑器。

本发明的四极结构的场发射显示器及其制造方法可以使电子束可精准地撞击荧光粉体层，不会影响画面亮度、分辨率及色纯度，且不增加制造成本，适于大产量生产，并且适于制造大尺寸的场发射显示器。

附图的简要说明

图1为公知三极结构的场发射显示器的剖视图；

图2为公知三极结构的场发射显示器的电子束射出路径示意图；

图3为本发明实施例的场发射显示器的剖视图；

图4为本发明实施例的场发射显示器的网罩结构示意图；

图5为本发明实施例的场发射显示器的支撑玻璃板穿孔的一较佳实施例示意图；

图6为本发明实施例的场发射显示器的支撑玻璃板穿孔的另一较佳

实施例示意图；

图7为本发明实施例的场发射显示器的电子束射出路径示意图；

图8为本发明实施例的场发射显示器的收敛电极层通孔的一较佳实施例剖视图；

图9为本发明实施例的场发射显示器的收敛电极层通孔的另一较佳

实施例剖视图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

10-阳极板            11-阳极基板

12-阳极导电层        13-荧光粉体层

14-支撑器            20-阴极板

21-阴极基板          22-阴极导电层

23-电子发射源层      24-介电层

25-闸极层            26-电子束

30-阳极板            31-阳极基板

32-阳极导电层        33-荧光粉体层

34-支撑玻璃板        341-穿孔

342-无效区域         343-对位记号

35-阻隔壁            40-阴极板

41-阴极基板          42-阴极导电层

43-电子发射源层      44-阻隔壁

5-网罩               51-收敛电极层

52-绝缘层            53-闸极层

54-通孔              55-无效区域

551-对位记号

6-电子束

具体实施方式

图3为本发明的场发射显示器的剖视图。其是由一组阴阳极单元组成。阳极板30的每一阳极单元的荧光粉体层33附着在阳极导电层32上，阳极导电层32附着在阳极基板31上。阴极板40的每一阴极单元的电子源发射层43附着在阴极导电层42上，阴极导电层42附着在阴极基板41上。在阴极板40与阳极板30间对应固定安装有一网罩5，网罩5具有收敛电极层51、绝缘层52与闸极层53三层结构。收敛电极层51面对阳极板30，闸极层53面对阴极板40。闸极层53及收敛电极层51均具有适当的电位。在网罩5上开设有对应于每一阴阳极单元的多个通孔54，用于使由电子源发射层43射向荧光粉体层33的电子束穿越。

网罩5如图4所示，用一金属导电板为基板，即用该金属导电板作为收敛电极层51。在该金属导电板下侧面布设一绝缘层52，再在绝缘层52的下侧面布设一导电层，即形成闸极层53。其中，在网罩5的金属导电板(即收敛电极层51)上开设有多个成矩阵排列的通孔54，通孔54的位置对应于每一阴阳极单元(即电子发射源及荧光粉体)排列，作为阴极电子发射源层43产生的电子束射向阳极荧光粉体层33时穿越网罩5的通道。该金属导电板的外围部分为无效区域55，在无效区域55内的适当位置处可设置多个对位记号551，对位记号551用于真空封装时对位，利于阴、阳极单元对应于网罩5内的各通孔54。

阳极板30与收敛电极层51之间夹合有一支撑玻璃板34，如图5所示，支撑玻璃板34的材料为与阴阳极基板31、41具有相同或近似膨胀系数的玻璃，厚度可按照所需间隙决定，一般约在0.5mm至1.5mm之间。在支撑玻璃板34上开设有对应于每一阴阳极单元(即每一通孔54处)的多个穿孔341，使来自电子源发射层43的电子束穿越并射向荧光粉体层33。也可在支撑玻璃板34上开设较大的穿孔341’，如图6所示，每一个大穿孔341’对应覆盖二个或二个以上的阴阳极单元的范围。支撑玻璃板34的周围的无效区域342设置有对位记号343，用来与网罩5及阳极板30定位固着。在阳极板30与支撑玻璃板34之间用网版印刷方式设置有阻隔壁35，用来维持两者间的一定间隙，并在封装时提供抽真空通道(Vacuum extraction path)。

阴极基板41与闸极层53之间设置有公知的阻隔壁44或支撑器(spacer，一种柱状体)。阻隔壁44与支撑器为等效物，可互相取代，但在本发明的四极结构中，在阴极板40与闸极层53之间设置厚度约为10μm至150μm的阻隔壁44为佳，其用于提供抽真空通道(Vacuum extractionpath)。阻隔壁44设置在网罩5的各通孔54间。

在本发明的四极结构场发射显示器中，其电子束6的路径如图7所示，通过闸极层53将电子由电子发射源层43(即阴极)吸引出来后，即形成电子束6射向荧光粉体层33(即阳极)，在收敛电极层51具有一低于闸极层53的吸引电位的收敛电位，当电子束6经过收敛电极层51时，电子束6截面的发散程度即被限制，产生电子束6收敛的效果，电子束6即可被限制撞击荧光粉体层33的预定区域，而不会因为过度发散而撞击至邻近单元的荧光粉体层33。

本发明的网罩5的制造方法为选用一种膨胀系数接近于阴阳极基板31、41的金属导电板(如一种膨胀系数约在82×10-7～86×10-7/℃的铁镍碳复合板，厚度为150μm)，用来保证网罩5与阴阳极基板31、41在真空封装程序中减少因加热膨胀过程中三者的膨胀差异而造成裂片情况的发生。在该金属导电板上用激光或微影蚀刻工艺开设多个通孔54，该金属导电板即为收敛电极层51。在收敛电极层51的一侧表面用印刷或微影制造工艺构图(patterning or patternize)制作一绝缘层52，如用杜邦(DuPond)公司所生产的玻璃涂胶DG001，用印刷方式印制在收敛电极层51上，其厚度控制在10～100μm，并使绝缘层52烧结固着在收敛电极层51上。绝缘层52的外侧再用印刷、溅镀、蒸镀或微影制造工艺构图(patterning orpatternize)制作一导电层，如杜邦(Dupond)公司所生产的银导电涂胶DC206，用印刷方式印制在绝缘层52，其厚度控制在4～10μm，由此即形成闸极层53。绝缘层52的功能为阻隔闸极层53与收敛电极层51的导通。按照上述方法制造后即完成本发明的具有闸极53及收敛电极51的网罩5，网罩5为一独立组件，可独立加工制作，无需依附在基板上。

网罩5的金属导电板的通孔54可加工成特定形状，以达到更佳的效果。如图8所示即为其中一种，该种通孔54’为倒角锥形，其上方孔径大于下方孔径。如图9所示为第二种通孔54”的形状，通孔54”为沙漏形，上下方的开口孔径较大，而中段孔径较小，形成束腰形状。上述两种通孔54’、54”的最窄部分的孔径皆以大于电子发射源层43的对角距离为佳。

以上所述仅为本发明的实施例的举例说明，但并非是用来限制本发明专利范围的实施例，凡是运用本发明的技术特征所作的任何等效变换，均包括在本发明的专利范围内。

Claims (34)

1.一种四极结构的场发射显示器，包括：

一阳极板，在所述阳极基板上设置荧光粉体层；

一阴极板，在所述阴极基板上设置对应于所述荧光粉体层的电子源发射层；

其特征在于，在所述阳极板与阴极板之间设置一网罩，所述网罩设有一闸极层、一绝缘层及一收敛电极层，所述收敛电极层用一金属导电板制成，在其一侧面布设一绝缘层，在所述绝缘层的外侧面布设一导电层，所述导电层即形成所述闸极层，所述收敛电极层面对阳极板，并具有收敛电位，所述闸极层面对阴极板，并具有汲取电位；在所述网罩上开设有多个通孔，每一通孔对着一电子源发射层。

在所述阳极板与收敛电极层之间设置一支撑玻璃板，使所述阳极板与收敛电极层保持一定距离及绝缘；其中，所述闸极层与收敛电极层开设有多个通孔，所述支撑玻璃板开设有与所述通孔对应的多个穿孔，每一通孔及穿孔对着每一电子发射源层。

2.如权利要求1所述的四极结构的场发射显示器，其特征在于在所述阴极板与闸极层之间设置有阻隔壁或支撑器。

3.如权利要求2所述的四极结构的场发射显示器，其特征在于所述阻隔壁或支撑器配置在各通孔间。

4.如权利要求1所述的四极结构的场发射显示器，其特征在于所述支撑玻璃板的穿孔为对着多个相邻的电子发射源层的较大孔径。

5.如权利要求1所述的四极结构的场发射显示器，其特征在于所述金属导电板的外围部分为无效区域，在所述无效区域内的适当位置处可设置多个对位记号。

6.如权利要求1所述的四板结构的场发射显示器，其特征在于所述通孔为倒角锥形，其上方孔径大于下方孔径或所述通孔为沙漏形，上下方之开口孔径较大，而中段孔径较小。

7.如权利要求6所述的四极结构的场发射显示器，其特征在于所述通孔的下方孔径大于电子发射源层的对角距离。

8.如权利要求1所述的四极结构的场发射显示器，其特征在于所述收敛电位低于所述吸引电位。

9.如权利要求1所述的四极结构的场发射显示器，其特征在于在所述支撑玻璃板与阳极板之间设置有阻隔壁。

10.一种四极结构的场发射显示器的制造方法，特征在于，包括：

提供一阳极基板及一阴极基板；

布设多个阴极单元在所述阴极基板上；

布设多个阳极单元在所述阳极基板上；

制作具有闸极层及收敛电极层的网罩；

提供一支撑玻璃板；

将所述网罩及支撑玻璃板固定安装在所述阴极及阳极基板之间。

11.如权利要求10所述的四极结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述网罩选用一种膨胀系数接近于阴阳极基板的金属导电板，在所述金属导电板上开设多个通孔，所述金属导电板即形成收敛电极层，在所述收敛电极层的一侧表面，制作一绝缘层，并使所述绝缘层烧结固着在收敛电极层上，在所述绝缘层的外侧制作一导电层，所述导电层即形成所述闸极层。

12.如权利要求11所述的四板结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述金属导电板为铁镍碳复合板。

13.如权利要求11所述的四板结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述通孔用激光或微影蚀刻工艺开设。

14.如权利要求11所述的四极结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述绝缘层用印刷或微影制造工艺构图制作。

15.如权利要求14所述的四极结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述绝缘层为杜邦公司生产的玻璃涂胶DG001，用印刷方式印制在收敛电极层上。

16.如权利要求11所述的四极结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述闸极层用印刷、溅镀、蒸镀或微影制造工艺构图制作。

17.如权利要求16所述的四极结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述闸极层为杜邦公司生产的银导电涂胶DC206，用印刷方式印制在绝缘层上。

18.如权利要求11所述的四极结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述网罩可独立加工制作。

19.如权利要求11所述的四极结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述通孔为倒角锥形，其上方孔径大于下方孔径或所述通孔为沙漏形，上下方之开口孔径较大，而中段孔径较小。

20.如权利要求19所述的四极结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述通孔的下方孔径大于电子发射源层的对角距离。

21.如权利要求10所述的四极结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述支撑玻璃板选用一种膨胀系数接近于阴阳极基板的玻璃板，在所述支撑玻璃板上开设多个穿孔。

22.如权利要求21所述的四极结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于所述穿孔对着一个或一个以上相邻的阴极或阳极单元。

23.如权利要求10所述的四板结构的场发射显示器的制造方法，其特征在于在所述支撑玻璃板与阳极板之间设置有阻隔壁。

24.一种四极结构的场发射显示器的网罩，设置在所述阳极与阴极基板之间，其特征在于，所述网罩设置有闸极层及收敛电极层，包括：

一金属导电板，作为基板，其上开设有多个通孔，用所述金属导电板作为收敛电极层；

一绝缘层，布设在所述金属导电板之一侧面；

一导电层，布设在所述绝缘层的外侧面，即用所述导电层形成所述闸极层。

25.如权利要求24所述的四极结构的场发射显示器的网罩，其特征在于所述金属导电板的外围部分为无效区域，在所述无效区域内的适当位置设置多个对位记号。

26.如权利要求24所述的四极结构的场发射显示器的网罩，其特征在于所述通孔为倒角锥形，其上方孔径大于下方孔径或所述通孔为沙漏形，上下方之开口孔径较大，而中段孔径较小。

27.如权利要求26所述的四极结构的场发射显示器的网罩，其特征在于所述通孔的下方孔径大于电子发射源层的对角距离。

28.一种四极结构的场发射显示器的网罩的制造方法，其特征在于，选用一种膨胀系数接近于场发射显示器的阴阳极基板的金属导电板，在所述金属导电板上开设多个通孔，所述金属导电板形成收敛电极层，在所述收敛电极层的一侧表面制作一绝缘层，并使所述绝缘层烧结固着在收敛电极层上，在所述绝缘层的外侧制作一导电层，所述导电层形成闸极层。

29.如权利要求28所述的四极结构的场发射显示器的网罩的制造方法，其特征在于所述金属导电板为铁镍碳复合板。

30.如权利要求28所述的四极结构的场发射显示器的网罩的制造方法，其特征在于所述通孔用激光或微影蚀刻工艺开设。

31.如权利要求28所述的四极结构的场发射显示器的网罩的制造方法，其特征在于所述绝缘层用印刷或微影制造工艺构图制作。

32.如权利要求31所述的四极结构的场发射显示器的网罩的制造方法，其特征在于所述绝缘层为杜邦公司生产的玻璃涂胶DG001，用印刷方式印制在收敛电极层上。

33.如权利要求28所述的四板结构的场发射显示器的网罩的制造方法，其特征在于所述闸极层用印刷、溅镀、蒸镀或微影制造工艺构图制作。

34.如权利要求33所述的四极结构的场发射显示器的网罩的制造方法，其特征在于所述闸极层为杜邦公司生产的银导电涂胶DC206，用印刷方式印制在绝缘层上。

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