CN1638552A - 有机电致发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机电致发光装置,包括:具有第一像素区域的第一基板,该第一像素区域包括第一、第二和第三子像素区域;位于第一基板内表面上的阵列元件层,该阵列元件层包括处于各子像素区域中的薄膜晶体管;面对第一基板并与第一基板分隔开的第二基板,该第二基板包括对应第一像素区域的第二像素区域,第二像素区域包括第四、第五和第六子像素区域;位于各子像素区域中的第二基板的内表面上的有机电致发光二极管;和连接电极,其将第一基板与第二基板电连接,其中第四、第五和第六子像素区域彼此具有不同的面积。
Description
本发明要求享有2003年12月31日韩国专利申请No.2003-101280的权益,在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光装置(ELD),特别是双板型的有机ELD及其制造方法。
背景技术
通常,有机ELD通过分别从阴极和阳极向发光层注入电子和空穴,使电子和空穴合并产生激子,并使该激子从激发态跃迁到基态,来实现发射光。由于激子在两个状态之间的跃迁会发射光,因此与液晶显示(LCD)装置相比,有机ELD不需要额外的光源。因此,有机ELD的面积和重量可以降低。该有机ELD还具有其他优良特征,例如低能耗、高亮度和快速响应时间。由于这些特征,有机ELD被认为是最有希望用于下一代消费电器的显示器,这些电器例如是蜂窝电话、车载导航系统(CNS)、个人数字助理(PDA)、可携式摄像机以及掌上型电脑。另外,由于有机ELD的制造仅简单地需要很少的处理步骤,因此制造有机ELD比制造LCD的成本要低。
目前存在两种不同类型的有机ELD:无源矩阵和有源矩阵。无源矩阵有机ELD和有源矩阵ELD都具有简单的结构并且都是通过简单的处理形成,但是无源矩阵有机ELD需要相对较大的能量来操作。另外,无源矩阵有机ELD的显示面积受其结构的限制。而且,随着导线数目的增加,无源矩阵有机ELD的图像孔径比会减小。相反,有源矩阵有机ELD更为有效,它可以利用相对较低能耗产生用于大屏幕显示的高质量图像。
同时,根据利用有机ELD显示图像时的光发射方向,可以将有机ELD分类为底部发射型和顶部发射型。
图1示出根据现有技术的底部发射型有机ELD的截面图。参照图1,在第一基板12上形成包括薄膜晶体管(TFT)“T”的阵列元件层14。在阵列元件层14上方形成第一电极16、有机电致发光(EL)层18和第二电极20。该有机EL层18可以分别显示对应各子像素区域的红、绿和蓝色。如图1所示,该红、绿和蓝色子像素区域构成一个像素区域。通常对于各子像素区中的有机EL层,将使用不同的有机材料来发射各颜色的光。通过利用密封剂26将第一基板12与第二基板28粘合,可以封装该有机ELD。该有机ELD包括湿气吸收材料22,用于去除可能进入有机EL层18密封腔中的湿气和氧气。在对第二基板28的一部分进行蚀刻后,在蚀刻后部分中填充湿气吸收材料22,利用保持元件25固定所填充的湿气吸收材料。
图2示出根据现有技术的有机ELD的等效电路图。参照图2,栅极线“GL”与数据线“DL”交叉。开关元件“TS”与栅极线“GL”和数据线“DL”连接,并位于栅极线“GL”和数据线“DL”的相交处。驱动元件“TD”与开关元件“TS”以及有机电致发光二极管“DEL”电连接。在驱动元件“TD”的驱动栅极“D2”和驱动漏极“D6”之间形成存储电容“CST”,且有机电致发光二极管“DEL”与电源线“PL”连接。
当向开关元件“TS”的开关栅极“S2”施加栅极线“GL”的扫描信号时,数据线“DL”的图像信号通过开关元件“TS”被提供到驱动元件“TD”的驱动栅极“D2”。由提供给驱动栅极“D2”的图像信号来调制驱动元件“TD”的电流密度。结果,有机电致发光二极管“DEL”可以显示具有灰度级的图像。另外,由于可以将存储在存储电容“CST”中的图像信号施加到驱动栅极“D2”,因此流到有机电致发光二极管“DEL”中的电流密度在施加下一图像信号之前将保持一致,即使当开关元件“TS”关闭时也是如此。开关元件“TS”和驱动元件“TD”可以由多晶硅TFT或非晶硅TFT形成。制造非晶硅TFT的处理比制造多晶硅TFT的处理要简单。
如上所述,在各子像素区域中可以显示红、绿和蓝色,可以利用从驱动TFT提供到子像素区域中的有机电致发光层的电流密度,来控制这些子像素区域的亮度。通过将各子像素区域的亮度合成来显示所需的色彩,通过向各子像素区域独立地施加不同电压,可以调节它们的亮度。但是,该调节方法需要子像素区域的电流密度较高,从而导致有机ELD快速升温,继而导致有机ELD使用寿命降低。
为了克服上述缺点,提出一种驱动方法,其中向所有子像素区域提供相同的电流电平。但是,由于本方法需要其他层作为有机电致发光层的一部分,因此制造处理变得复杂,这些其他层包括例如空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层。因此,很难获得对应各颜色的足够亮度。还提出了其他向有机EL层施加较高驱动电压的方法。但是,当驱动电压变高时,有机ELD的寿命也会降低,且有机ELD的发光层会受到损坏。
发明内容
因此,本发明提出一种有机电致发光显示装置以及制造该有机电致发光装置(ELD)的方法,它基本上克服了由于现有技术中的限制和缺点产生的上述一个或更多问题。
本发明的优点在于提供一种具有高亮度和高孔径比的有机ELD。
在下面的说明书中将对本发明的其他特征和优点进行说明,还有一部分特征和优点可以很明显从说明书中看出,或者将从实践本发明中可以看出。本发明的目的和其他优点可以从说明书中描述的特定结构以及权利要求和附图中实现和得到。
为了实现这些和其他优点,根据本发明的目的,在具体和广义描述中,一种有机电致发光装置包括:具有第一像素区域的第一基板,该第一像素区域包括第一、第二和第三子像素区域;位于第一基板内表面上的阵列元件层,该阵列元件层包括处于各子像素区域中的薄膜晶体管;面对第一基板并与第一基板分隔开的第二基板,该第二基板包括对应第一像素区域的第二像素区域,第二像素区域包括第四、第五和第六子像素区域;位于各子像素区域中的第二基板的内表面上的有机电致发光二极管;以及连接电极,它将第一基板与第二基板电连接,其中第四、第五和第六子像素区域彼此具有不同的面积。
在另一方面中,一种有机电致发光装置的制造方法包括:在第一基板上形成阵列元件层,该第一基板具有第一像素区域,该第一像素区域包括第一、第二和第三子像素区域,该阵列元件层包括处于各子像素区域中的薄膜晶体管;在第二基板上形成有机电致发光二极管,该第二基板面对第一基板并与第一基板分隔开,该第二基板包括对应第一像素区域的第二像素区域,该第二像素区域包括第四、第五和第六子像素区域;利用连接电极将第一基板与第二基板电连接,其中第四、第五和第六子像素区域彼此具有不同的面积。
应当理解前面的概括描述和下面的详细描述都仅是示例性和说明性的,它们仅是对权利要求所限定的本发明进行进一步说明。
附图说明
附图用于对本发明提供进一步理解,它构成说明书的一部分并示出本发明的实施例,它与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中:
图1示出根据现有技术的底部发光类型有机ELD的示意性截面图;
图2示出根据现有技术的有机ELD的等效电路图;
图3示出根据本发明实施例具有双板结构的顶部发光类型有机ELD的截面图;
图4示出图3所示的一个像素区域的透视图;
图5A-5D为多个示意性截面图,示出根据本发明实施例用于制造有机ELD的基板的过程;
图6的曲线图示出利用根据本发明实施例的独立驱动方法,施加到白色发光类型有机ELD的红、绿和蓝色子像素区域的不同电压。
具体实施方式
现在将对本发明最佳实施例进行描述,附图中已经示出它们的例子。
本发明涉及一种顶部发光类型有机ELD。特别是,本发明涉及双板类型有机ELD,其中包括薄膜晶体管(TFT)的阵列元件层和有机EL元件分别在其各自的基板上形成。由于本发明的有机ELD在顶部方向发射光,因此当设计在下基板上形成包括TFT的阵列元件层时,不需要考虑孔径比。
图3示出根据本发明实施例具有双板结构的顶部发光类型有机ELD的截面图。参照图3,第一和第二基板100和200彼此相对并彼此分隔开。如图3所示,在第一和第二基板100和200上分别限定出第一和第二像素区域“P1”和“P2”。第一像素区域“P1”包括第一、第二和第三子像素区域“sp1”、“sp2”、和“sp3”,第二像素区域“P2”包括第四、第五和第六子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”。第一像素区域“P1”的子像素区域“sp1”、“sp2”和“sp3”具有相同的面积,但是第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”彼此具有不同的面积。第一像素区域“P1”对应于第二像素区域“P2”,但第一像素区域“P1”的子像素区域“sp1”、“sp2”和“sp3”并不对应于第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”,如图3所示。该第四、第五和第六子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”分别发射红、绿和蓝色。
同时,阵列元件层150形成在第一基板100的内表面上,并包括多个TFT“T”。这些TFT“T”位于第一像素区域“P1”的各子像素“sp1”、“sp2”和“sp3”中。
在第二基板200的内表面上形成黑色矩阵202,该黑色矩阵202包括对应于第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”的开口部分(如图5A所示)。相应地,这些开口部分包括对应于第四、第五和第六子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”的第一、第二和第三开口部分(未示出)。另外,在第二像素区域“P2”中的黑色矩阵202的第一、第二和第三开口部分中分别形成红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c。由于对应于第四、第五和第六子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”的第一、第二和第三开口部分彼此具有不同的面积,因此对应于第一到第三开口部分的红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c的面积也彼此不同。
应当注意第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”的各自面积与其亮度成反比。换句话说,在图3中,蓝色子像素区域(对应于蓝色滤色片204c的第六子像素区域“sp6”)的亮度最高,绿色子像素区域(对应于绿色滤色片204b的第五子像素区域“sp5”)的亮度大于红色子像素区域(对应于红色滤色片204a的第四子像素区域“sp4”)的亮度。因此,红色滤色片204a大于绿色和蓝色滤色片204b和204c,且绿色滤色片204b大于蓝色滤色片204c。但是,红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c的总面积不会超过第二像素区域“P2”的面积。红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c构成滤色片层204。
在滤色片层204和黑色矩阵202的上面形成保护(overcoat)层206。如下所述,它可以保护滤色片层204还可有利于连接电极和有机EL层的均匀性。第一电极208在保护层206上形成,有机EL层210在第一电极100上形成,在该有机EL层210上形成多个第二电极212a、212b和212c。在第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”中分别形成第二电极212a、212b和212c。第一和第二电极208和212以及位于它们之间的有机EL层210构成有机EL二极管“DEL”。
应当注意多个第二电极212a、212b和212c分别对应于第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”。因此,对应于第四、第五和第六子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”(以及红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c)的第二电极212a、212b和212c彼此具有不同的面积。例如,当如图3所示,红色滤色片204a大于绿色和蓝色滤色片204b和204c,且绿色滤色片204b大于蓝色滤色片204c时,对应于红色滤色片204a的第二电极212a大于第二电极212b和212c,对应于绿色滤色片204b的第二电极212b大于对应于蓝色滤色片204c的第二电极212c。即,红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c之间的面积关系与第二电极212a、212b和212c之间的面积关系相同。
另外,有机EL层210包括单色发光层210a。在第一电极208和发光层210a之间形成第一电流传输层210b,在发光层210a和第二电极212a、212b和212c之间形成第二电流传输层。当第一和第二电极208和212分别作为阳极和阴极时,第一电流传输层210a还包括空穴注入层和空穴传输层,第二电流传输层210c还包括电子注入层和电子传输层。
另外,在第一和第二基板100和200之间形成多个连接电极400,用于将第一基板100和第二基板200电连接在一起。特别是,利用多个连接电极400将有机EL二极管“DEL”和阵列元件层150电连接在一起。例如,在各子像素区域中利用连接电极400将第二电极212和TFT“T”连接在一起。连接电极400应当形成在第一基板100上方并与具有另外图形的TFT“T”连接。例如,连接电极400可以与TFT“T”的漏极(未示出)连接。另外,利用密封图形300将第一和第二基板100和200粘结在一起。
应当注意第一像素区域“P1”的子像素区域“sp1”、“sp2”和“sp3”具有相同的面积,但考虑到亮度,第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”彼此具有不同的面积。因此,即使利用独立驱动方法在第二像素区域“P2”的各红、绿和蓝色子像素区域施加不同的电流电平,由于子像素区域的增加的面积需要更高的电流,因此这些子像素区域的电流密度也会降低。这样,就会最小化由电流应力导致的有机EL层210的升温。
图4示出图3中所示一个像素区域的透视图。参照图4,栅极线和电源线102和104在相同方向上彼此间隔开来,数据线106与栅极线和电源线102和104交叉。由栅极线102、电源线104和数据线106限定出子像素区域“sp1”到“sp6”。该栅极线、数据线、电源线102、106和104形成在各子像素区域“sp”中。虽然未在图4中示出,但电源线104与栅极线102交叉并与数据线106分隔开来。
在第一基板100的内表面上形成TFT“T”,且该TFT“T”与子像素区域“sp”相邻。TFT“T”包括位于各子像素区域“sp”中的开关TFT“TS”和驱动TFT“TD”。开关TFT“TS”与栅极线和数据线102和106连接,驱动TFT“TD”与开关TFT“TS”和电源线104连接。利用连接电极400,还可以将驱动TFT“TD”与有机EL二极管“DEL”的第二电极(未示出)连接。开关TFT“TS”包括与栅极线102连接的开关栅极110、与数据线106连接的开关源极112、和与驱动TFT“TD”连接的开关漏极114。另外,驱动电极TFT“TD”包括与开关漏极114连接的驱动栅极120、与电源线104连接的驱动源极122和与连接电极400连接的驱动漏极124。另外,在开关漏极114和电源线104之间形成存储电容“CST”。但是,存储电容“CST”也可以任何需要的方式形成。
同时,如图3所示,在第二像素区域“P2”的各子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”中的第二基板200的内表面上形成红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c。由于第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”彼此具有不同的面积,因此对应子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”的红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c也具有彼此不同的面积。另外,在图3所示的第二像素区域“P2”的各子像素区域“sp4”到“sp6”中形成有机EL二极管“DEL”。虽然并未在图4中示出,但是如图3所示,有机EL二极管“DEL”包括第一和第二电极208和212以及它们之间的有机EL层。特别是,第二电极是在各子像素区域“sp”中独立形成的。由于第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”具有彼此不同的面积,因此多个第二电极212(图3)也具有彼此不同的面积。例如,如图4所示,第四子像素区域“sp4”大于第五和第六子像素区域“sp5”和“sp6”,且第五子像素区域“sp5”大于第六子像素区域“sp6”。
第一基板100上的多个驱动TFT“TD”位于第一像素区域“P1”的各子像素区域“sp1”到“sp3”中,且子像素区域“sp1”到“sp3”具有相同的面积。另外,多个有机EL二极管“DEL”位于第二像素区域的各子像素区域“sp4”到“sp6”中,且子像素区域“sp4”到“sp6”具有彼此不同的面积。因此,当连接电极400将第一基板100与第二基板200电连接在一起时,第一基板100的子像素“sp1”到“sp3”将与第二基板200的子像素“sp4”到“sp6”具有不同的面积。
虽然并未示出,但是根据本发明的双板类型有机ELD具有作为全色元件的红、绿和蓝色有机EL层,而不是滤色片层204。在这种情况下,红、绿和蓝色有机EL层分别对应于第二像素区域的子像素区域“sp4”到“sp6”。因此,在多个第二电极的情况下,红、绿和蓝色有机EL层彼此具有不同的面积。例如,红色有机EL层大于绿色和蓝色有机EL层,而绿色有机EL层大于蓝色有机EL层。
图5A-5D为示意性截面图,示出根据本发明实施例制造有机ELD的基板的过程。
参照图5A,在图4所示的第二基板200上形成黑色矩阵202,该黑色矩阵202包括多个开口部分“op1”、“op2”和“op3”,这些开口部分彼此具有不同的面积。第四、第五和第六子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”(图4所示)分别对应于开口部分“op1”、“op2”和“op3”。通过对黑色树脂或不透明材料进行构图形成黑色矩阵202。另外,在开口部分“op1”、“op2”和“op3”中形成红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c。该红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c是通过在各子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”中涂覆彩色树脂而形成的,它们彼此之间具有不同的面积。例如,如图5A所示,红色滤色片204a大于绿色和蓝色滤色片204b和204c,绿色滤色片204b大于蓝色滤色片204c。但是,红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c的总面积不会超过一个像素区域的面积(例如第一像素区域“P1”或第二像素区域“P2”)。
参照图5B,在红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c以及黑色矩阵202上形成保护层206。该保护层206是由有机材料例如苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸(类)树脂等制成。该保护层206不仅保护具有红、绿和蓝色滤色片204a、204b和204c的滤色片层,而且还有助于连接电极和有机EL层(未示出)的均匀性。然后,在保护层206上形成第一电极208。该第一电极208由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等制成。由于第一电极208是由透明导电材料制成,因此本发明的双板类型有机ELD可以是顶部发射类型。
参照图5C,在第一电极208上形成有机EL层210,该有机EL层210包括单色发光层210a(例如白色发光层),第一电流传输层210b在第一电极208和发光层210a之间形成,第二电流传输层210c在发光层210a上形成。
在图5D中,在有机EL层210上形成多个第二电极212a、212b和212c。第二电极由具有高反射性的不透明材料制成。第二电极212a、212b和212c分别位于第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”到“sp6”中。当第一和第二电极208和212分别作为阳极和阴极时,第一电流传输层210a还包括空穴注入层和空穴传输层,第二电流传输层210c还包括电子注入层和电子传输层。
应当注意第二电极212a、212b和212c分别对应于第二像素区域“P2”的子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”,且对应于第四、第五和第六子像素区域“sp4”、“sp5”和“sp6”的第二电极212a、212b和212c(以及红、绿和蓝色滤色片)的面积彼此不同。例如当红色滤色片204a大于绿色和蓝色滤色片204b和204c,且绿色滤色片204b大于蓝色滤色片204c时,对应于红色滤色片204a的第二电极212a大于第二电极212b和212c,对应于绿色滤色片204b的第二电极212b大于对应于蓝色滤色片204c的第二电极212c。
第一和第二电极208和212以及位于它们之间的有机EL层构成有机EL二极管“DEL”。第一和第二基板100和200利用密封图形300彼此粘结在一起。利用粘结处理将第一和第二基板100和200封装,利用图3所示的多个连接电极400将有机EL二极管“DEL”与阵列元件层150电连接在一起。连接电极400可以形成在第一基板100上方,并与具有其他图形的TFT“T”(例如驱动TFT的漏极)连接。
图6的曲线图示出根据本发明实施例,利用独立驱动方法施加到白色发光类型有机ELD的红、绿和蓝色子像素区域中的不同电压。参照图6,“A”、“B”和“C”表示对应于有机ELD的红、绿和蓝色子像素区域的多个驱动TFT的示例性输出电流。如图6所示,从数据线施加到各子像素的数据电压不同,利用不同电流获得红、绿和蓝色亮度。但是,根据本发明,由于需要最高电流的子像素的面积是最大的,因此具有最大面积的子像素的电流密度没有增加。相应地,也将由电流应力所导致的有机ELD的寿命减少最小化。下面将说明子像素区域面积和发光亮度之间的公式。
Lt=[Lr*(Ar/At)+Lg*(Ag/At)+Lb*(Ab/At)]/At
在该公式中,“Lt”为红、绿和蓝色子像素区域的亮度,“At”为红、绿和蓝色子像素区域的总发光面积。另外,“Lr”、“Lg”和“Lb”为红、绿和蓝色子像素区域的亮度,“Ar”、“Ag”和“Ab”分别为红、绿和蓝色子像素区域的发光面积。根据现有技术,“Ar”、“Ag”和“Ab”具有相同的值,而“Lr”、“Lg”和“Lb”可以根据独立驱动方法直接改变,因此各子像素区域中的电流密度彼此不同。因此,会发生有机ELD的升温和寿命降低。相反,本发明中,“Lr”、“Lg”和“Lb”具有相同的值,而“Ar”、“Ag”和“Ab”彼此不同,因此可以控制亮度比率。
因此,根据本发明,即使施加到红、绿和蓝色子像素区域的电流量彼此不同,但由于红、绿和蓝色子像素区域彼此具有不同的面积,因此可以降低需要最高电流电平的子像素区域的电流密度,从而防止了有机ELD的升温,并使电流应力所导致的寿命减小最小化。相应地,根据本发明的有机ELD具有高寿命。
根据本发明的有机ELD以及制造它的方法还具有其他优点。首先,可以提高生产产率和生产管理效率。第二,由于本发明的有机EL装置为顶部发射类型,因此可以很容易设计薄膜晶体管,并且可以得到高的图像孔径比和高的图像分辨率。第三,由于阵列元件基板的红、绿和蓝色子像素区域具有相同的面积,而有机EL二极管基板的红、绿和蓝色子像素区域彼此具有不同的面积,因此可以降低需要最高电流电平的子像素区域的电流密度。换句话说,即使利用不同驱动电压独立驱动红、绿和蓝色子像素区域,也可以最小化有机ELD的升温,并使有机ELD的寿命增加。
在不脱离本发明精神和范围的情况下,本领于技术人员很容易对本发明进行多种修改和变化。因此,本发明将覆盖落入权利要去所限定的范围内的所有本发明的修改和变化。
Claims (49)
1.一种有机电致发光装置,包括:
具有第一像素区域的第一基板,该第一像素区域包括第一、第二和第三子像素区域;
位于第一基板内表面上的阵列元件层,该阵列元件层包括处于各子像素区域中的薄膜晶体管;
面对第一基板并与第一基板分隔开的第二基板,该第二基板包括对应第一像素区域的第二像素区域,第二像素区域包括第四、第五和第六子像素区域;
位于各子像素区域中的第二基板的内表面上的有机电致发光二极管;和
连接电极,其将第一基板与第二基板电连接,
其中第四、第五和第六子像素区域彼此具有不同的面积。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,有机电致发光二极管包括位于第二基板上的第一电极、位于第一电极上的有机电致发光层和位于有机电致发光层上的第二电极。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,还包括第二像素区域中的第一、第二和第三第二电极,各第一、第二和第三第二电极顺序对应第四、第五和第六子像素区域,各第一、第二和第三第二电极是各子像素区域中的第二电极。
4.如权利要求2所述的装置,其特征在于,还包括第二像素区域中的红、绿和蓝色发光层,该红、绿和蓝色发光层彼此具有不同的面积,各红、绿和蓝色发光层是各子像素区域中的有机电致发光层。
5.如权利要求3所述的装置,其特征在于,第二像素区域中的各子像素区域的面积与其亮度成反比。
6.如权利要求4所述的装置,其特征在于,对应红色发光层的第四子像素区域大于第五和第六子像素区域,对应绿色发光层的第五子像素区域大于对应蓝色发光层的第六子像素区域。
7.如权利要求2所述的装置,其特征在于,还包括位于第二基板与有机电致发光二极管之间的滤色片层,该滤色片层包括红、绿和蓝色滤色片,各红、绿和蓝色滤色片处于各子像素区域中。
8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括第二像素区域中的第一、第二和第三第二电极,该第一、第二和第三第二电极彼此面积不同,且各第一、第二和第三第二电极是各子像素区域中的第二电极。
9.如权利要求7所述的装置,其特征在于,第二像素区域中的各子像素区域的面积与其亮度成反比。
10.如权利要求7所述的装置,其特征在于,对应红色发光层的第四子像素区域大于第五和第六子像素区域,对应绿色发光层的第五子像素区域大于对应蓝色发光层的第六子像素区域。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,还包括第二像素区域中的第一、第二和第三第二电极,该第一、第二和第三第二电极顺序对应第四、第五和第六子像素区域,各第一、第二和第三第二电极是各子像素区域中的第二电极。
12.如权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括位于第二基板的整个表面上的黑色矩阵,该黑色矩阵具有多个开口部分,每个开口部分对应于第二像素区域的各子像素区域,且各红、绿和蓝色滤色片在各开口部分中滤光。
13.如权利要求7所述的装置,其特征在于,有机电致发光层为单色。
14.如权利要求13所述的装置,其特征在于,该单色为白色。
15.如权利要求2所述的装置,其特征在于,在各子像素区域中,连接电极将第二电极与薄膜晶体管连接。
16.如权利要求15所述的装置,其特征在于,各子像素区域中的薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,驱动薄膜晶体管基本上与第二电极连接。
17.如权利要求2所述的装置,其特征在于,有机电致发光层包括位于第一电极和第二电极之间的第一电流传输层、发光层、第二电流传输层。
18.如权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
位于各子像素区域中第一基板的内表面上的栅极线;
各子像素区域中与栅极线交叉的数据线;
各子像素区域中与薄膜晶体管连接的电源线。
19.如权利要求1所述的装置,其特征在于,第一、第二和第三子像素区域具有彼此对应的面积。
20.如权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括在滤色片层和有机电致发光二极管之间的保护层。
21.一种制造有机电致发光装置的方法,包括:
在第一基板上形成阵列元件层,该第一基板具有第一像素区域,该第一像素区域包括第一、第二和第三子像素区域,该阵列元件层包括处于各子像素区域中的薄膜晶体管;
在第二基板上形成有机电致发光二极管,该第二基板面对第一基板并与第一基板分隔开,该第二基板包括对应第一像素区域的第二像素区域,该第二像素区域包括第四、第五和第六子像素区域;
利用连接电极将第一基板与第二基板电连接,
其中第四、第五和第六子像素区域彼此具有不同的面积。
22.如权利要求21所述的方法,其特征在于,有机电致发光二极管包括位于第二基板上的第一电极、位于第一电极上的有机电致发光层和位于有机电致发光层上的第二电极。
23.如权利要求22所述的方法,其特征在于,还包括第二像素区域中的第一、第二和第三第二电极,各第一、第二和第三第二电极顺序对应第四、第五和第六子像素区域,各第一、第二和第三第二电极是各子像素区域中的第二电极。
24.如权利要求22所述的方法,其特征在于,还包括第二像素区域中的红、绿和蓝色发光层,该红、绿和蓝色发光层彼此具有不同的面积,各红、绿和蓝色发光层是各子像素区域中的有机电致发光层。
25.如权利要求21所述的方法,其特征在于,第二像素区域中的各子像素区域的面积与其亮度成反比。
26.如权利要求25所述的方法,其特征在于,对应红色发光层的第四子像素区域大于第五和第六子像素区域,对应绿色发光层的第五子像素区域大于对应蓝色发光层的第六子像素区域。
27.如权利要求21所述的方法,其特征在于,还包括位于第二基板与有机电致发光二极管之间的滤色片层,该滤色片层包括红、绿和蓝色滤色片,各红、绿和蓝色滤色片处于各子像素区域中。
28.如权利要求27所述的方法,其特征在于,还包括第二像素区域中的第一、第二和第三第二电极,该第一、第二和第三第二电极彼此面积不同,且各第一、第二和第三第二电极是各子像素区域中的第二电极。
29.如权利要求27所述的方法,其特征在于,第二像素区域中的各子像素区域的面积与其亮度成反比。
30.如权利要求27所述的方法,其特征在于,对应红色发光层的第四子像素区域大于第五和第六子像素区域,对应绿色发光层的第五子像素区域大于对应蓝色发光层的第六子像素区域。
31.如权利要求30所述的方法,其特征在于,还包括第二像素区域中的第一、第二和第三第二电极,该第一、第二和第三第二电极顺序对应第四、第五和第六子像素区域,各第一、第二和第三第二电极是各子像素区域中的第二电极。
32.如权利要求27所述的方法,其特征在于,还包括位于第二基板的整个表面上的黑色矩阵,该黑色矩阵具有多个开口部分,每个开口部分对应于第二像素区域的各子像素区域,且各红、绿和蓝色滤色片在各开口部分中滤光。
33.如权利要求27所述的方法,其特征在于,有机电致发光层为单色。
34.如权利要求33所述的方法,其特征在于,该单色为白色。
35.如权利要求22所述的方法,其特征在于,在各子像素区域中,连接电极将第二电极与薄膜晶体管连接。
36.如权利要求35所述的方法,其特征在于,各子像素区域中的薄膜晶体管包括开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管,驱动薄膜晶体管基本上与第二电极连接。
37.如权利要求22所述的方法,其特征在于,有机电致发光层包括位于第一电极和第二电极之间的第一电流传输层、发光层、第二电流传输层。
38.如权利要求21所述的方法,其特征在于,还包括:
位于各子像素区域中第一基板的内表面上的栅极线;
各子像素区域中与栅极线交叉的数据线;
各子像素区域中与薄膜晶体管连接的电源线。
39.如权利要求21所述的方法,其特征在于,第一、第二和第三子像素区域具有彼此对应的面积。
40.如权利要求27所述的方法,其特征在于,还包括在滤色片层和有机电致发光二极管之间的保护层。
41.如权利要求22所述的方法,其特征在于,对应第二像素区域的有机电致发光二极管包括第一、第二和第三第二电极,各第一、第二和第三第二电极对应第四、第五和第六子像素区域。
42.如权利要求22所述的方法,其特征在于,有机电致发光层包括红、绿和蓝色发光层,各红、绿和蓝色发光层顺序处于各第四、第五和第六子像素区域中。
43.如权利要求24所述的方法,其特征在于,各第四、第五和第六子像素区域的面积与其亮度成反比。
44.如权利要求25所述的方法,其特征在于,对应红色发光层的第四子像素区域是第四、第五和第六子像素区域中最大的,对应绿色发光层的第五子像素区域大于对应蓝色发光层的第六子像素区域。
45.如权利要求26所述的方法,其特征在于,对应第二像素区域的有机电致发光二极管包括第一、第二和第三第二电极,各第一、第二和第三第二电极对应于各第四、第五和第六子像素区域。
46.如权利要求27所述的方法,其特征在于,对应第二像素区域的有机电致发光二极管包括第一、第二和第三第二电极,该第一、第二和第三第二电极对应于各第四、第五和第六子像素区域。
47.如权利要求27所述的方法,其特征在于,各第四、第五和第六子像素区域的面积与其亮度成反比。
48.如权利要求29所述的方法,其特征在于,对应红色发光层的第四子像素区域是第四、第五和第六子像素区域中最大的,对应绿色发光层的第五子像素区域大于对应蓝色发光层的第六子像素区域。
49.如权利要求30所述的方法,其特征在于,对应第二像素区域的有机电致发光二极管包括第一、第二和第三第二电极,各第一、第二和第三第二电极对应各第四、第五和第六子像素区域。
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Publication Number | Publication Date |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1953021B (zh) * | 2005-10-18 | 2011-09-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及具有该显示装置的电子设备 |
CN103377615A (zh) * | 2012-04-16 | 2013-10-30 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器及其测试方法 |
CN110246874A (zh) * | 2019-02-12 | 2019-09-17 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005100724A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | トップエミッション型有機el表示装置 |
KR100637129B1 (ko) * | 2005-08-05 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
TWI299239B (en) * | 2005-11-10 | 2008-07-21 | Au Optronics Corp | Organic light emitting display |
US8115788B2 (en) * | 2006-05-31 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, driving method of display device, and electronic appliance |
KR101408962B1 (ko) | 2008-07-01 | 2014-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 트랜지스터의 제조방법 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법 |
CN101728973A (zh) * | 2008-10-31 | 2010-06-09 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 驱动装置及其过载保护方法 |
TWI424394B (zh) * | 2009-11-27 | 2014-01-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 一種顯示裝置與測量其表面結構的方法 |
KR101228885B1 (ko) | 2011-12-21 | 2013-02-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR101306843B1 (ko) | 2012-02-24 | 2013-09-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
CN103364998B (zh) * | 2012-03-28 | 2016-06-22 | 群康科技(深圳)有限公司 | 液晶显示装置 |
KR102053999B1 (ko) | 2013-04-30 | 2019-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10141378B2 (en) * | 2013-10-30 | 2018-11-27 | Industrial Technology Research Institute | Light emitting device free of TFT and chiplet |
TWI586012B (zh) | 2014-01-02 | 2017-06-01 | 財團法人工業技術研究院 | 發光元件 |
JP6318676B2 (ja) * | 2014-02-14 | 2018-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機発光装置の製造方法、有機発光装置、及び電子機器 |
KR102335498B1 (ko) * | 2015-04-30 | 2021-12-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
TWI665800B (zh) * | 2015-06-16 | 2019-07-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光二極體顯示器及其製造方法 |
KR102679757B1 (ko) * | 2018-12-13 | 2024-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
CN111697153B (zh) * | 2019-03-15 | 2023-03-03 | 纳晶科技股份有限公司 | 发光器件 |
KR20210084096A (ko) * | 2019-12-27 | 2021-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5294869A (en) | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
US5276380A (en) | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent image display device |
US5294870A (en) | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
US5701055A (en) | 1994-03-13 | 1997-12-23 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same |
JP3401356B2 (ja) | 1995-02-21 | 2003-04-28 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
US5952037A (en) | 1995-03-13 | 1999-09-14 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing the same |
JP3530362B2 (ja) | 1996-12-19 | 2004-05-24 | 三洋電機株式会社 | 自発光型画像表示装置 |
US6175345B1 (en) | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
KR100282393B1 (ko) * | 1998-06-17 | 2001-02-15 | 구자홍 | 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법 |
JP3963602B2 (ja) | 1999-01-27 | 2007-08-22 | 富士フイルム株式会社 | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
US6366025B1 (en) * | 1999-02-26 | 2002-04-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electroluminescence display apparatus |
JP2001092381A (ja) | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Nec Corp | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
JP2001117509A (ja) | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機el表示装置 |
US6794475B1 (en) | 2000-06-30 | 2004-09-21 | Noveon Ip Holdings Corp. | Antistatic polymers, blends, and articles |
JP3840926B2 (ja) | 2000-07-07 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示体及びその製造方法、並びに電子機器 |
GB0107236D0 (en) | 2001-03-22 | 2001-05-16 | Microemissive Displays Ltd | Method of creating an electroluminescent device |
US6548961B2 (en) | 2001-06-22 | 2003-04-15 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting devices |
KR100439648B1 (ko) * | 2001-08-29 | 2004-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 |
US6861810B2 (en) * | 2001-10-23 | 2005-03-01 | Fpd Systems | Organic electroluminescent display device driving method and apparatus |
KR100426964B1 (ko) | 2002-03-20 | 2004-04-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR100941129B1 (ko) * | 2002-03-26 | 2010-02-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
KR100464864B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
US6747618B2 (en) * | 2002-08-20 | 2004-06-08 | Eastman Kodak Company | Color organic light emitting diode display with improved lifetime |
KR100460210B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2004-12-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
-
2003
- 2003-12-31 KR KR1020030101280A patent/KR100579549B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-06-28 US US10/876,573 patent/US7342249B2/en active Active
- 2004-06-30 CN CN2004100625150A patent/CN1638552B/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1953021B (zh) * | 2005-10-18 | 2011-09-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及具有该显示装置的电子设备 |
CN103377615A (zh) * | 2012-04-16 | 2013-10-30 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器及其测试方法 |
CN110246874A (zh) * | 2019-02-12 | 2019-09-17 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置 |
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