CN1617640A - 活性基质型有机电致发光器件 - Google Patents
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- CN1617640A CN1617640A CNA2004100852008A CN200410085200A CN1617640A CN 1617640 A CN1617640 A CN 1617640A CN A2004100852008 A CNA2004100852008 A CN A2004100852008A CN 200410085200 A CN200410085200 A CN 200410085200A CN 1617640 A CN1617640 A CN 1617640A
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 155
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 32
- -1 3-aminomethyl phenyl Chemical group 0.000 claims description 26
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FCVHBUFELUXTLR-UHFFFAOYSA-N [Li].[AlH3] Chemical compound [Li].[AlH3] FCVHBUFELUXTLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 6
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000003854 isothiazoles Chemical class 0.000 claims description 4
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 4
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种活性基质型有机电致发光器件，该器件有多个设置在基底上的子象素，其中，每个子象素包括由驱动电路驱动的第1薄膜晶体管、由第1薄膜晶体管驱动的第2薄膜晶体管，和由第2薄膜晶体管驱动的显示部分；显示部分包括从第2薄膜晶体管接收第1电荷的第1电极、从设置在子象素外面的第2电极连接端子接收第2电荷的第2电极、插在第1电极和第2电极之间的发光层和插在发光层和至少一个第1和第2电极之间的电荷传导层；第2电极和第2电极连接端子直接进行电连接。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求得到2003年11月12日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.2003-79900的优先权，现将该专利的内容列于此处作为参考。
发明背景
1.发明领域
本发明涉及活性基质型有机电致发光器件，更具体地说，是涉及一种电极与电极接触端子之间接触电阻减少的活性基质型有机电致发光器件。这种有机电致发光器件与传统的显示器件相比，具有优异的光亮度、对比度和视角。
2.相关技术描述
图1是子象素和邻近子象素的连接区A的剖面图。连接区的意思是第2电极62与第2电极连接端子90之间电连接的一个区域，而该连接区并不属于子象素。
如图1所示，在传统的有机电致发光器件中，电荷传导层87a和/或87c是插在第2电极62和第2电极连接端子90之间。如果电荷传导层87a和/或87c是由氟化锂、钙或钡构成，第2电极62和第2电极连接端子90之间的电阻就会变大。在这种情况下，由于电阻很高，电力就不能供给第2电极62，或由电阻引起的电力消耗有可能升高。
发明简述
本发明提供一种可靠性高和电力消耗低的活性基质型有机电致发光器件。
本发明的其它方面和/或其优点将部分地陈述在下面的叙述中，部分将可在叙述中看到，或通过本发明的实践得知。
按照本发明的一个方面，活性基质型有机电致发光器件包括多个设置在基底上的子象素，其中，每个象素包含一个由驱动电路驱动的第1薄膜晶体管、由第1薄膜晶体管驱动的第2薄膜晶体管和由第2薄膜晶体管驱动的显示部分。
显示部分包括用于接收来自第2薄膜晶体管第1电荷的第1电极、，用于接收来自设置在子象素外面的第2电极连接端子第2电荷的第2电极、插在第1电极和第2电极之间的发光层和插在发光层和第1电极和第2电极之中至少一个电极之间的电荷传导层。第2电极和第2电极连接端子直接与电连接。
按照本发明的另一方面，活性基质型有机电致发光器件包括设置在基底上的多个子象素，其中，每个象素包含一个由驱动电路驱动的第1薄膜晶体管、由第1薄膜晶体管驱动的第2薄膜晶体管和由第2薄膜晶体管驱动的显示部分。
显示部分包括用于接收来自第2薄膜晶体管的第1电荷的第1电极、用于接收来自设置在子象素外面的第2电极连接端子第2电荷的第2电极、插在第1电极和第2电极之间的发光层和插在发光层和第1电极和第2电极之中至少一个电极之间的电荷传导层。第2电极和第2电极连接端子仅通过无机导电中间层与电连接。
面对第2电极连接端子的第2电极的表面材料可以不同于面对第2电极的第2电极连接端子的表面材料。
无机导电中间层可以包括氧化层。该氧化层可以由一种透明的导电氧化物构成。该透明的导电氧化物可以包含ITO、IZO、In2O3和ZnO中的至少一种。
第2电极可以包括选自锂、镁、铝、铝-锂、钙、镁-铟和镁-银中的一种金属。
第2电极连接端子可以包括铝。
电荷传导层可以包括电荷传输层。
电荷传输层可以包括由至少一种由下列化合物构成的空穴传输层：N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-二胺(TPD)和N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺：αNPD，也可包括由至少一种下列化合物构成的电子传输层：A-噁唑化合物、异噁唑化合物、三唑化合物、异噻唑化合物、噁二唑化合物、噻二唑化合物、二萘嵌苯化合物、铝络合物和镓络合物。
电荷传导层可以包括电荷注入层。
电荷注入层可以包括至少由一种CuPu和starburst型胺构成的空穴注入层，也可以包括由至少一种LiF、NaCl、CsF、Li2O和BaO构成的电子注入层。
第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管可以在基底的缓冲层上形成和覆盖着一层绝缘层，第1电极可以通过绝缘层上形成的接触空穴与第2薄膜晶体管连接。
平面层可以在第1电极部分上形成，绝缘层设置在子象素显示部分的外面。
保护层可以在第2电极上形成。
第1薄膜晶体管的门电极和源电极、第2薄膜晶体管的源电极和第2电极可以连接到驱动电路上，第1薄膜晶体管的泄放电极可以连接到第2薄膜晶体管的门电极上。
附图简述
通过下面实施方案的叙述并结合附图，本发明的各个方面和优点将会变得显而易见和更加容易明白：
图1是传统活性基质型电致发光器件的子象素剖面图；
图2是活性基质型电致发光器件的电路图；
图3示出的是按照本发明实施方案的有机电致发光显示器件的物理结构图；
图4示出的是图3的III部分的更详细的物理结构图；
图5是按照本发明实施方案沿图4上P1-P8线剖面的子象素剖面图；和
图6是本发明另一个实施方案沿图4上P1-P8线剖面的子象素剖面图；
优选实施方案详述
现在将对本发明的实施方案进行详细的叙述，其实例将结合附图进行叙述，其中相同的参考数字适用于全部相同的元件。下面将参照附图对实施方案进行叙述，以便对本发明进行解释。
现将参照图2-5对本发明实施方案的有机电致发光器件进行叙述。
图2示出具有子象素的电路，该子象素设置在电致发光器件的基底上。每个子象素包括一个由驱动电路(图中未示出)驱动的第1薄膜晶体管10、由第1薄膜晶体管10驱动的第2薄膜晶体管50，和由第2薄膜晶体管50驱动的显示部件60。驱动电路可以设置在基底的外围部分上，或者，也可以不设置在基底上。
第1薄膜晶体管10的第1源电极12，通过第1导线20与驱动电路(图中未示出)连接。第1薄膜晶体管10的第1门电极11，通过第2导线30与驱动电路连接。第1薄膜晶体管10的第1泄放电极13与第2薄膜晶体管50的存储电容器40和第2门电极51连接。
存储电容器40的第2电容器电极42和第2源电极52与第3导线70连接，第2薄膜晶体管50的第2泄放电极53与显示部分60的第1电极61连接。如图5所示，显示部分60的第2电极62是设置在第1电极61的预定距离上。发光层87b和至少一个电荷传导层87a和/或载电荷层87c设置在第1电极61和第2电极62之间。
图3示出本发明实施方案的有机电致发光显示器件的物理结构。图3的部分III相当于图2的部分II。为了清楚起见，图5中示出的基底81、缓冲层82、第1绝缘层83、第2绝缘层84、第3绝缘层85、平面层86、第1电荷传导层87a、发光层87b、第2电荷传导层87c、第2电极62和保护层89都不在图3中示出。如图3所示，每个子象素都有一个红的显示部分60r、一个绿色的显示部分60g和一个兰色的显示部分60b，图象是按照显示部分60r、60g和60b的光发射而形成的。
图4示出图3部分III的更详细的物理结构。图4中元件的重叠部分，除用缩窄的方框所表示的部分外，都是相互绝缘的。
当通过驱动电路(图中未示出)给第1门电极11施加电压时，与第1源电极12和第1泄放电极13相连的半导体层80上，会形成一个导电通道。这时，由第1导线20将电荷提供给第1源电极12，然后电荷传导给第1泄放电极13。当决定发光层87b发光量的电荷被施加到第3导线70上，当通过第1泄放电极13将电荷施加到第2门电极51上的时候，第2源电极52的电荷就通过第2泄放电极53传输到第1电极61上。
为便于参考起见，实施方案中第1薄膜晶体管10和第2薄膜晶体管50的剖面结构是彼此相似的，但本发明并不局限于这种结构。
参照图5，对本发明实施方案的子象素的详细构形进行叙述。子象素的显示部分60处于线P1和P2之间，第2薄膜晶体管50处于线P2和P3之间，存储电容器40是处于P3和P7之间。图5中还示出一个连接区A，其中，第2电极62和第2电极连接端子90是直接连接的。
如图5所示，缓冲层82是在基底81上形成，由硅等半导体材料构成的半导体层80在缓冲层82上以预定的形式形成，第1绝缘层83不按一定的形式形成，它覆盖着半导体层80。在第1绝缘层83上，第1和第2门电极11和51和存储电容器40的下部电极41以预定的形式形成，第2绝缘层84不按一定的形式形成，它覆盖着第1和第2门电极11和51和下部的电极41。
接触空穴在第1绝缘层83和第2绝缘层84的预定部位中形成，该预定部分是处于第1和第2门电极11和51的两个横向端部。在包括形成接触空穴区域的区域内，以预定的形式形成第1源电极12、第2源电极52、第1泄放电极13、第2泄放电极53和第2电极接触端子90。
然后，第3绝缘层85不按一定的形式形成，覆盖着第1源电极12、第2源电极52、第1泄放电极13和第2泄放电极53。至少有一部分第2电极接触端子90没有被第3绝缘层85所覆盖。
半导体层80、第1绝缘层83、第1门电极层11、第2绝缘层84、第1源电极12和第1泄放电极13构成了第1薄膜晶体管10。晶体管层80、第1绝缘层83、第2门电极51、第2绝缘层84、第2源电极52和第2泄放电极53构成了第2薄膜晶体管50。
接触空穴在相对应于第2泄放区电极53的区域上的第3绝缘层85中形成，第1电极61在预定的区中形成，该区包括形成接触空穴的那个区。第1电极61通过在第3绝缘层85中形成的接触空穴与第2薄膜晶体管50的第2泄放电极53连接。
第1门电极11和第1薄膜晶体管10的第1源电极12、第2薄膜晶体管50的第2源电极52和第2电极62与驱动电路(图中未示出)相连。第1薄膜晶体管10的第1泄放电极13与第2薄膜晶体管50的第2门电极51连接。
第2源电极52与第3导线70连接，第2泄放电极53与第1电极61连接，第1薄膜晶体管10的第1源电极12与第1导线20连接，第1门电极11与第2导线30连接。在本发明的这个实施方案中，第1导线20相当于数据传输线，第2导线30相当于扫描线。
本发明这个实施方案的薄膜晶体管10和50可以是交错型、反向交错型、共面型或反向共面型。在这个实施方案中，选用共面型作为实例，但本发明并不局限于共面型。
平面层86在第1电极61的一部分上不按一定形式形成，第3绝缘层85设置在显示部分的外区，但平面层86可以省略。在平面层86形成的情况下，第2电极连接端子90没有被平面层86覆盖。
同时，在平面层86形成的情况下，第1电荷传导层87在第1电极61部分上形成，它不被平面层86覆盖，发光层87b在位于显示部分60中的第1电荷传导层87a上形成，第2电荷传导层87c在发光层87b和第1电荷传导层87a的一部分上形成，该层不被发光层87b覆盖。第1电荷传导层87a和第2电荷传导层87c中的任何一层都可省略。
在第2电荷传导层87c形成的情况下，第2电极62在第2电荷传导层87c和第2电极连接端子90上形成。因此，第2电极62是直接与第2电极连接端子90进行电连接。保护层89可以在第2电极62上形成。
在电致发光器件为底部发射型的情况下，基底81、缓冲层82、第1绝缘层83、第2绝缘层84、第3绝缘层85、第1电极61、第1电荷传导层87a和第2电荷传导层87c可以由透明材料构成，第2电极62可以由选自锂、镁、铝、铝-锂、钙、镁-铟和镁-银中的一种金属构成。
在电致发光器件为顶部发射型的情况下，第1电极61可以由具有高光反射系数的金属构成，第1电荷传导层87a、第2电荷传导层87b、第2电极62和保护层89可以由透明材料构成。
显示部分60包括第1电极61，该电极接收来自第2薄膜晶体管50的第2泄放电极53的电荷，第2电极62，该电极接收来自第2电极连接端子90的电荷，发光层87b插在第1电极61和第2电极62之间，电荷传导层87a和/或87c插在第1和第2电极61和62之一与发光层87b之间。
发光层87b的材料可以是低分子有机材料，如铜钛菁(CuPu)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)或高分子有机材料，如聚亚苯基亚乙烯基(polyphenylenevinylene(PPV))、和聚芴。当电荷被施加到第1电极61和第2电极62上的时候，空穴和电子的结合就会产生激子。当激子的能量下降的时候，发光层87b就会发射光。
第1和第2电荷传导层87a和87b中的每一层都可以包括电荷注入层，该层由能顺利地注入电荷的元件构成，和/或由能顺利地传输电荷的电荷传输层构成。电荷注入层可以分为电荷注入层和空穴注入层，电荷传输层可以分为电荷传输层和空穴传输层。电子电荷注入层可以由选自下列的一种材料构成：氟化锂、钙和钡。
存储电容器40包括一个下部电极41和上部电极42。下部电极41可以在带有第2门电极51的一个物体中形成，上部电极42可以在带有第2源电极52的一个物体中形成。
当第1电极61是阳极和第2电极62是阴极的时候，第1电荷传导层87a就会变成空穴传导层，第2电荷传导层87c就会变成电子传导层。空穴传导层可以包括空穴注入层和空穴传输层。空穴注入层可以由选自下列的一种材料构成：CuPu和starburst型胺，例如，TCTA、m-MTDATA和m-MTDAPB。空穴传导层可以由，例如下列物质构成：N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-二胺(TPD)或N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺：αNPD。电子传输层可以包括电子注入层和电子传输层。电子注入层可以由选自下列的一种物质构成：LiF、NaCl、CsF、Li2O和BaO。电子传输层可以由A-噁唑化合物、异噁唑化合物、三唑化合物、异噻唑化合物、噁二唑化合物、噻二唑化合物、二萘嵌苯化合物、铝络合物，诸如，三(8-喹啉并lato-铝)Balq、SAlq和Almq3和镓络合物，诸如Gaq’20piv、Gaq’20Ac和2(Gaq’2)。
当本发明实施方案的电致发光器件是底部发射型时，第1电极可以由透明的和导电的材料，如ITO，构成，第2电极可以由具有高反射率和导电率的材料，如锂、镁、铝、铝-锂、钙、镁-铟和镁-银构成。相反，当电致发光器件是顶部发射型时，第1电极可以由具有高反射率和导电率的材料，如锂、镁、铝、铝-锂、钙、镁-铟和镁-银构成，第2电极可以由透明的和导电的材料，如ITO，构成。
第2电极连接端子90可以由与第1和第2门电极、第1和第2源电极或第1和第2泄放电极相同的材料构成。第2电极连接端子90可以是由铝、铝合金或MoW构成的单层，或是由MoW/AlNd、Ti/Al/Ti、Ti/Al合金/Ti、Ti/TiN/Al/TiN/Ti、Ti/TiN/Al合金/TiN/Ti、TiN/Al、TiN/Ti/Al、或TiN/Al/Ti构成的重叠层。
当电荷传导层插在第2电极62和第2电极连接端子90之间时，第2电极62和第2电极连接端子90之间的电阻可能变大，因为组成电荷传导层的元件的导电性很差。电荷传导层可以换成绝缘层，因为在生产中会发生不希望有的氧化作用。在这种情况下，供给第2电极62的电力会变得很弱，或至少电荷传导层上的电力消耗有可能明显升高。但是，由于本发明实施方案的第2电极62和第2电极连接端子90是直接接触的，所以上述问题就得以解决。
电荷传导层是在所有子象素的上面形成的。但是，如图5所示，在连接区A上并没有形成电荷传导层。为了形成所述的电荷传导层，在安放电荷传导层时，可以使用一块中心有一个大方形孔的方形罩子。因为罩子的外缘是放在连接区A的上面，所以在连接区A上不形成电荷传导层。
图6示出本发明另一个实施方案的有机电致发光器件。与前述实施方案的电致发光器件的不同之处是，如图6所示，第2电极62和第2电极连接端子90只是通过无机导电中间层91进行电连接。也就是说，在前面的实施方案中，第2电极62和第2电极连接端子90是直接电连接的，但是，在这个实施方案中，第2电极62和第2电极连接端子90只是通过插在它们中间的无机导电中间层91进行连接。
当面对第2电极连接端子90的第2电极62的表面材料(例如，铝)与面对第2电极62的第2电极连接端子90的表面材料(例如，铝或氮化钛)不同时，接触面上的接触电阻常常会变大。在这种情况下，第2电极62和第2电极连接端子90之间的接触电阻可以通过插入无机导电中间层91使其降低。无机导电中间层91是由与第2电极62的表面材料和第2电极连接端子90的表面材料接触时接触电阻较低的材料构成的材料层。
无机导电中间层91可以是一个氧化层，该氧化层可以由诸如ITO、IZO、In2O3和ZnO等透明的导电氧化物构成。无机导电中间层91可以在第1电极61形成的同时形成。
本发明提供一种有机电致发光器件，该器件能减少产生低质量产品的可能性并可降低较高的动力消耗。
虽然已经示出并叙述了本发明的一些实施方案，但熟悉本技术领域的人员会很清楚，无须偏离本发明的原则和精神就可在这些实施方案中作出改变，本发明的范围被界定在权利要求及其相当的文字中。
Claims (33)
1.一种活性基质型有机电致发光器件，该器件有多个设置在基底上的子象素，其中：
每个子象素包括：
一个由驱动电路驱动的第1薄膜晶体管，
一个由第1薄膜晶体管驱动的第2薄膜晶体管，和
一个由第2薄膜晶体管驱动的显示部分；
该显示部分包括：
一个从第2薄膜晶体管接收第1电荷的第1电极；
一个从设置在子象素外面的第2电极连接端子接收第2电荷的第2电极，
一个插在第1电极和第2电极之间的发光层，和
一个插在发光层和至少一个第1和第2电极之间的电荷传导层，
其中，电荷传导层和第2电极由至少两个子象素共用；和
第2电极和第2电极连接端子是直接电连接的。
2.权利要求1的活性基质型有机电致发光器件，其中，第2电极包括选自下列的一种金属：锂、镁、铝、铝-锂、钙、镁-铟和镁-银。
3.权利要求1的活性基质型有机电致发光器件，其中，第2电极连接端子是包括选自下列一种材料的单层：铝、铝合金和MoW。
4.权利要求1的活性基质型有机电致发光器件，其中，第2电极连接端子由多个选自下列金属的重叠层构成：MoW/AlNd、Ti/Al/Ti、Ti/Al合金/Ti、Ti/TiN/Al/TiN/Ti、Ti/TiN/Al合金/TiN/Ti、TiN/Al、TiN/Ti/Al和TiN/Al/Ti。
5.权利要求1的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷传导层包括电荷传输层。
6.权利要求5的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷传输层包括由下面至少一种化合物构成的空穴传输层：N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-二胺(TPD)或N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺：α-NPD。
7.权利要求5的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷传输层包括由下面至少一种化合物构成的电子传输层：A-噁唑化合物、异噁唑化合物、三唑化合物、异噻唑化合物、噁二唑化合物、噻二唑化合物、二萘嵌苯化合物、铝络合物和镓络合物。
8.权利要求1的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷传导层包括电荷注入层。
9.权利要求8的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷注入层包括由CuPu和starbust型胺中至少一种构成的空穴注入层。
10.权利要求8的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷注入层包括由至少一种下列材料构成的电子注入层：LiF、NaCl、CsF、Li2O和BaO。
11.权利要求1的活性基质型有机电致发光器件，还包括：在基底上形成的缓冲层；和
绝缘层；
其中，第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管在缓冲层上形成，并由绝缘层覆盖着，第1电极通过绝缘层上形成的接触空穴与第2薄膜晶体管连接。
12.权利要求1的活性基质型有机电致发光器件，还包括：
平面层；和
在第1电极下面形成的绝缘层；
其中，平面层在第1电极和设置在子象素显示部分外面的绝缘层的部分上形成。
13.权利要求1的活性基质型有机电致发光器件，还包括在第2电极上形成的保护层。
14.权利要求1的活性基质型有机电致发光器件，其中，第1薄膜晶体管的门电极和源电极、第2薄膜晶体管的源电极和第2电极连接到驱动电路上，第1薄膜晶体管的泄放电极连接到第2薄膜晶体管的门电极上。
15.一种活性基质型有机电致发光器件，该器件具有设置在基底上的多个子象素，其中：
每个子象素包括：
由驱动电路驱动的第1薄膜晶体管，
由第1薄膜晶体管驱动的第2薄膜晶体管，和
由第2薄膜晶体管驱动的显示部分；
所述显示部分包括：
接收从第2薄膜晶体管来的第1电荷的第1电极，
接收从设置在子象素外面的第2电极连接端子来的第2电荷的第2电极，
插在第1电极和第2电极之间的发光层，和
插在发光层和至少一个第1和第2电极之间的电荷传导层，
其中，电荷传导层和第2电极由至少两个子象素共用；和
第2电极和第2电极连接端子仅通过无机导电中间层进行电连接。
16.权利要求15的活性基质型有机电致发光器件，其中，面对第2电极连接端子的第2电极的表面材料，不同于面对第2电极的第2电极连接端子的表面材料。
17.权利要求15的活性基质型有机电致发光器件，其中，无机导电中间层包括氧化层。
18.权利要求15的活性基质型有机电致发光器件，其中，第2电极包括选自下列的一种金属：锂、镁、铝、铝-锂、钙、镁-铟和镁-银。
19.权利要求15的活性基质型有机电致发光器件，其中，第2电极连接端子包括铝。
20.权利要求15的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷传导层包括电荷传输层。
21.权利要求20的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷传输层包括由至少一种下列化合物构成的空穴传输层：N，N’-双(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-二胺(TPD)和N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺：αNPD。
22.权利要求20的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷传输层包括至少一种下列化合物构成的电子传输层：A-噁唑化合物、异噁唑化合物、三唑化合物、异噻唑化合物、噁二唑化合物、噻二唑化合物、二萘嵌苯化合物、铝络合物和镓络合物。
23.权利要求15的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷传导层包括电荷注入层。
24.权利要求23的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷注入层包括由CuPu和starbust型胺中至少一种构成的空穴注入层。
25.权利要求23的活性基质型有机电致发光器件，其中，电荷注入层是至少一种LiF、NaCl、CsF、Li2O和BaO构成的电子注入层。
26.权利要求15的活性基质型有机电致发光器件，还包括：
在基底上形成的缓冲层；和
绝缘层；
其中，第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管在缓冲层上形成，并被绝缘层覆盖，第1电极通过绝缘层中形成的接触空穴与第2薄膜晶体管连接。
27.权利要求15的活性基质型有机电致发光器件，还包括：
平面层；和
在第1电极下面形成的绝缘层；
其中，平面层在第1电极和设置在子象素显示部分外面的绝缘层部分上形成。
28.权利要求25的活性基质型有机电致发光器件，还包括在第2电极上形成的保护层。
29.权利要求15的活性基质型有机电致发光器件，其中，第1薄膜晶体管的门电极和源电极、第2薄膜晶体管的源电极和第2电极连接到驱动电路上，第1薄膜晶体管的泄放电极连接到第2薄膜晶体管的门电极上。
30.权利要求17的活性基质型有机电致发光器件，其中，氧化层由透明的导电氧化物构成。
31.权利要求30的活性基质型有机电致发光器件，其中，透明导电氧化物包括ITO、IZO、In2O3和ZnO中的至少一种。
32.权利要求15的活性基质型有机电致发光器件，其中，无机导电中间层包括ITO、IZO、In2O3和ZnO中的至少一种。
33.权利要求1的活性基质型有机电致发光器件，其中，第2电极连接端子是由与第1和第2薄膜晶体管的门电极、第1和第2薄膜晶体管的源电极、或第1和第2薄膜晶体管的泄放电极的相同材料构成。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR79900/03 | 2003-11-12 | ||
| KR79900/2003 | 2003-11-12 | ||
| KR1020030079900A KR100544138B1 (ko) | 2003-11-12 | 2003-11-12 | 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1617640A true CN1617640A (zh) | 2005-05-18 |
| CN1617640B CN1617640B (zh) | 2010-06-09 |
Family
ID=34431759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2004100852008A Active CN1617640B (zh) | 2003-11-12 | 2004-09-30 | 活性基质型有机电致发光器件 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7319445B2 (zh) |
| EP (1) | EP1531495A3 (zh) |
| JP (1) | JP2005148714A (zh) |
| KR (1) | KR100544138B1 (zh) |
| CN (1) | CN1617640B (zh) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100536807B1 (ko) * | 2004-06-24 | 2005-12-14 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 장치의 캐패시터 및 그의 제조 방법 |
| KR100712294B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 |
| KR100712214B1 (ko) * | 2005-07-14 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 |
| KR100776480B1 (ko) | 2005-08-30 | 2007-11-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
| JP4736890B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2011-07-27 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| KR101254560B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2013-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| JP5408856B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR101310917B1 (ko) * | 2008-07-17 | 2013-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
| KR101084195B1 (ko) | 2010-02-19 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101671342B1 (ko) | 2010-04-06 | 2016-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US9236372B2 (en) * | 2011-07-29 | 2016-01-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Combined output buffer and ESD diode device |
| KR102132884B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2020-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102157762B1 (ko) * | 2014-01-10 | 2020-09-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102236381B1 (ko) * | 2014-07-18 | 2021-04-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102616580B1 (ko) | 2015-11-23 | 2023-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| US11063237B2 (en) * | 2016-12-02 | 2021-07-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3288637B2 (ja) | 1998-08-28 | 2002-06-04 | 富士通株式会社 | Ｉｔｏ膜接続構造、ｔｆｔ基板及びその製造方法 |
| KR100274871B1 (ko) | 1998-11-12 | 2000-12-15 | 김순택 | 발광 화합물 및 이를 발색 재료로서 채용하고 있는 표시소자2 |
| JP3423232B2 (ja) | 1998-11-30 | 2003-07-07 | 三洋電機株式会社 | アクティブ型ｅｌ表示装置 |
| JP4075028B2 (ja) | 1999-06-14 | 2008-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、表示装置、および電子機器 |
| JP4627843B2 (ja) * | 1999-07-22 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2001109395A (ja) | 1999-10-01 | 2001-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌ表示装置 |
| US6992439B2 (en) | 2001-02-22 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element |
| JP4079655B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2008-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP3969152B2 (ja) | 2001-06-21 | 2007-09-05 | 昭和電工株式会社 | 有機発光素子および発光材料 |
| US7042024B2 (en) * | 2001-11-09 | 2006-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
| JP2003316296A (ja) | 2002-02-01 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | 回路基板、電気光学装置、電子機器 |
-
2003
- 2003-11-12 KR KR1020030079900A patent/KR100544138B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-08-11 US US10/915,569 patent/US7319445B2/en active Active
- 2004-08-16 JP JP2004236500A patent/JP2005148714A/ja active Pending
- 2004-09-29 EP EP04255995A patent/EP1531495A3/en not_active Withdrawn
- 2004-09-30 CN CN2004100852008A patent/CN1617640B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7319445B2 (en) | 2008-01-15 |
| KR20050045730A (ko) | 2005-05-17 |
| JP2005148714A (ja) | 2005-06-09 |
| CN1617640B (zh) | 2010-06-09 |
| EP1531495A3 (en) | 2007-03-14 |
| EP1531495A2 (en) | 2005-05-18 |
| KR100544138B1 (ko) | 2006-01-23 |
| US20050099369A1 (en) | 2005-05-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090116 Address after: Gyeonggi Do Korea Suwon Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD. Effective date: 20090116 |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20121116 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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