CN112786796A - 显示装置 - Google Patents
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- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 188
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 188
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 360
- 239000010408 film Substances 0.000 description 87
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 MTDATA (4 Chemical class 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C\C(O)=C\C(C)=O.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.[C-]1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 IWZZBBJTIUYDPZ-DVACKJPTSA-N 0.000 description 1
- ZKXGQPQAMRSBOL-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trifluoro-9h-fluorene Chemical compound C12=CC=CC=C2CC2=C1C=C(F)C(F)=C2F ZKXGQPQAMRSBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 2,5,8,11-tetratert-butylperylene Chemical group CC(C)(C)C1=CC(C2=CC(C(C)(C)C)=CC=3C2=C2C=C(C=3)C(C)(C)C)=C3C2=CC(C(C)(C)C)=CC3=C1 BFTIPCRZWILUIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C(C)(C)C)=CC=C21 OBAJPWYDYFEBTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKZFBFSFZILINR-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-N-[4-[4-(N-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-N-phenylaniline Chemical compound CC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)C)C=C1)C1=CC=CC=C1.CC=1C=C(C=CC1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(N(C2=CC=CC=C2)C2=CC(=CC=C2)C)C=C1)C1=CC=CC=C1 QKZFBFSFZILINR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- YPJRZWDWVBNDIW-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[2-[4-[4-[2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]aniline Chemical group C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YPJRZWDWVBNDIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLZHUQDVWUXWEZ-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1.C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 KLZHUQDVWUXWEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
Abstract
本发明涉及一种显示装置。显示装置可以包括：基板；第一电极，布置于基板上；像素定义膜，使第一电极的上表面暴露，并且覆盖第一电极的侧部；第二电极，布置于第一电极上；空穴注入层，布置于第一电极与第二电极之间，并且具有侧部向第二电极方向凸出的上表面；发光层，布置于空穴注入层与第二电极之间，并且具有侧部向第二电极方向凸出的上表面；电子注入层，布置于发光层上，其中，定义于空穴注入层的上表面的侧部和像素定义膜的交界的第一固定点与定义于发光层的上表面的侧部和像素定义膜的交界的第二固定点之间的最短距离大于或等于发光层的介电击穿极限距离。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置。尤其涉及一种通过防止电流泄漏来改善发光效率的显示装置。
背景技术
有机发光显示装置是利用发光的有机发光二极管(OLED：organic lightemitting diode)显示影像的自发光型显示装置。这样的有机发光显示装置具有低功耗、高亮度、较快的响应速度、宽视角及优异的对比度等高品质特性，因此作为下一代显示装置而受到瞩目。
有机发光显示装置可以在第一电极与第二电极之间配备有利用有机发光物质构成的发光层。随着分别向这些电极施加阳极电压及阴极电压，从第一电极注入的空穴(hole)经由空穴注入层及空穴传输层移动至发光层，电子从第二电极经由电子注入层和电子传输层移动至发光层，从而电子与空穴可以在发光层复合。通过这样的复合生成激子(exciton)，随着该激子从激发态变为基态，发光层发光，从而可以显示图像。
在有机发光二极管(OLED)的下部可以布置有基板，在其上部依次布置有第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、第二电极和封装层。
在空穴注入层与第二电极之间可能发生电流泄漏现象。在发生电流泄漏现象的情况下，可能出现包括有机发光二极管(OLED)的有机发光显示装置的性能降低的问题。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种防止电流泄漏的显示装置。
本发明的另一目的在于提供一种通过调节各个层的固定点的位置来改善发光效率的显示装置。
本发明的另一目的在于提供一种通过调节各个层的侧部而形成具有均匀厚度的平坦部的发光层来改善发光效率的显示装置。
但是，本发明的目的并不限于上述目的，本发明可以在不脱离本发明的思想和领域的范围内实现多种扩展。
为了达成上述的本发明的一目的，根据实施例的显示装置包括：基板；第一电极，布置于所述基板上；像素定义膜，使所述第一电极的上表面暴露，并且覆盖所述第一电极的侧部；第二电极，布置于所述第一电极上；空穴注入层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，并且具有侧部向所述第二电极方向凸出的上表面；发光层，布置于所述空穴注入层与所述第二电极之间，并且具有侧部向所述第二电极方向凸出的上表面；电子注入层，布置于所述发光层上，其中，定义于所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部和所述像素定义膜的交界的第一固定点与定义于所述发光层的所述上表面的所述侧部和所述像素定义膜的交界的第二固定点之间的间隔可以大于或等于所述发光层的介电击穿极限距离。
在一实施例中，还可以包括：空穴传输层，布置于所述空穴注入层与所述发光层之间。
在一实施例中，所述空穴注入层对于所述像素定义膜的拒墨性可以大于所述空穴传输层对于所述像素定义膜的拒墨性。
在一实施例中，还可以包括：电子传输层，布置于所述发光层与所述电子注入层之间。
在一实施例中，从所述第一固定点到所述空穴注入层的所述上表面的中央的平坦部与所述侧部的曲率部相交的点为止的水平距离可以为0.5μm至3μm。
在一实施例中，从所述第一固定点到所述空穴注入层的所述上表面的中央的平坦部与所述侧部的曲率部相交的点为止的水平距离可以为0.5μm。
在一实施例中，从所述第二固定点到所述发光层的所述上表面的中央的平坦部与所述侧部的曲率部相交的点为止的水平距离可以为0.5μm至3μm。
在一实施例中，从所述第二固定点到所述发光层的所述上表面的中央的平坦部与所述侧部的曲率部相交的点为止的水平距离可以为0.5μm。
在一实施例中，所述空穴注入层对于所述像素定义膜的拒墨性可以大于所述发光层对于所述像素定义膜的拒墨性。
在一实施例中，所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部的曲率半径可以大于所述发光层的所述上表面的所述侧部的曲率半径。
在一实施例中，所述空穴注入层的所述上表面可以具有“U”字形态。
在一实施例中，所述空穴注入层的所述上表面具有宽度大于所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部的宽度的中央的平坦部。
在一实施例中，所述空穴注入层的所述上表面可以具有“W”字形态。
在一实施例中，所述空穴注入层的所述上表面可以具有中央的平坦部，所述中央的平坦部的高度低于第一固定点的高度，并且高于所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部的曲率部的最低点的高度，并且具有大于所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部的宽度的宽度。
在一实施例中，所述发光层的所述上表面可以具有“U”字形态。
在一实施例中，所述发光层的所述上表面可以具有宽度大于所述发光层的所述上表面的所述侧部的宽度的中央的平坦部。
在根据本发明的实施例的显示装置中，由于定义于所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部和所述像素定义膜的交界的第一固定点与定义于所述发光层的所述上表面的所述侧部和所述像素定义膜的交界的第二固定点之间的最短间隔大于或等于所述发光层的介电击穿极限距离，因此能够防止电流泄漏。据此，能够改善显示装置的发光效率。
在根据本发明的实施例的显示装置中，通过调节所述发光层与所述空穴注入层的侧部的曲率半径的长度来防止电流泄漏，从而能够改善显示装置的发光效率。
在根据本发明的实施例的显示装置中，通过调节所述发光层与所述空穴注入层的上表面的形态，能够改善显示装置的发光效率。
然而，本发明的效果并不限于上述效果，其可以在不脱离本发明的思想和领域的范围内实现多种扩展。
附图说明
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。
图2是示出在图1的显示装置中将空穴注入层的上表面的形态变形的显示装置的剖视图。
图3是示出在图1的显示装置中追加空穴传输层的显示装置的剖视图。
图4是示出在图3的显示装置中将空穴注入层的上表面的形态变形的显示装置的剖视图。
图5是示出在图1的显示装置中追加电子传输层的显示装置的剖视图。
图6是示出在图5的显示装置中将空穴注入层的上表面的形态变形的显示装置的剖视图。
图7是示出在图1的显示装置中追加空穴传输层和电子传输层的显示装置的剖视图。
图8是示出在图7的显示装置中将空穴注入层的上表面的形态变形的显示装置的剖视图。
图9及图10是用于说明发光层和空穴注入层各自的曲率部的水平距离的剖视图。
图11及图12是用于示出发光层和空穴注入层各自的固定点的位置关系的剖视图。
图13及图14是用于示出发光层和空穴注入层各自的曲率部的曲率的剖视图。
符号说明
10：基板 100：像素定义膜
110：第一电极 120、120a：空穴注入层
130：发光层 140：电子注入层
150：第二电极 160：封装层
170：空穴传输层 180：电子传输层
L120、L120a：空穴注入层的上表面
L130：发光层的上表面
P1、P10：关于空穴注入层的曲率部的曲率半径的中心点
P2：关于发光层的曲率部的曲率半径的中心点
R1、R3：关于空穴注入层的曲率部的曲率半径
R2：关于发光层的曲率部的曲率半径
P3、P8：第一固定点 P4：第二固定点
D1：在“U”字形空穴注入层中从第一固定点到中央的平坦部为止的水平距离
D2：在“U”字形发光层中从第二固定点到中央的平坦部为止的水平距离
D3：在“W”字形空穴注入层中从第一固定点到中央的平坦部为止的水平距离
D4：在“U”字形发光层中从第二固定点到第一电极的上表面为止的垂直距离
D5：在“U”字形空穴注入层中从第一固定点到第一电极的上表面为止的垂直距离
D6：在“W”字形空穴注入层中从第一固定点到第一电极的上表面为止的垂直距离
具体实施方式
以下，参照附图，对根据本发明的实施例的显示装置进行更详细的说明。
图1是示出根据本发明的一实施例的显示装置的剖视图。
参照图1，显示装置可以包括基板10、像素定义膜100、第一电极110、空穴注入层120、发光层130、电子注入层140、第二电极150及封装层160。
基板10可以包括绝缘基板。所述绝缘基板可以包括以透明的SiO2为主要成分的透明材质的玻璃材料。在一实施例中，所述绝缘基板可以包括非透明材质。所述绝缘基板可以包括塑料材质。在一实施例中，所述绝缘基板可以是柔性基板。
所述显示装置还可以包括形成于基板10上的其他结构物。所述其他结构物例如可以是布线、电极、绝缘膜等。在一实施例中，所述显示装置可以包括形成于基板10上的多个薄膜晶体管。所述多个薄膜晶体管中的至少一个可以与第一电极110电连接。所述薄膜晶体管可以包括利用非晶硅、多晶硅、或单晶硅等形成的有源层。在一实施例中，所述薄膜晶体管也可以包括利用氧化物半导体形成的有源层。
所述有源层可以包括沟道区域。在所述沟道区域的各个端部可以布置有源极(source)电极及漏极(drain)电极。所述源极电极及所述漏极电极可以形成为利用钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)及铜(Cu)中的任意一种或者其合金构成的单层或多层。显示装置还可以包括重叠形成于所述有源层、所述源极电极及所述漏极电极上的保护膜。所述保护膜起到防止在工序中发生的划伤或水分渗透的作用。所述保护膜可以利用无机膜形成，例如利用氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或其多层膜形成。所述保护膜可以利用化学气相沉积(CVD)法形成。
在所述沟道区域的上部可以布置有用于调节沟道区域的电流的栅极(gate)电极。所述栅极电极可以形成为利用钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)及铜(Cu)中的任意一种或者其合金构成的单层或多层。在所述沟道区域与所述栅极电极之间可以布置有栅极绝缘膜。所述栅极绝缘膜可以分离所述沟道区域与所述栅极电极。所述栅极绝缘膜可以利用无机膜，例如氧化硅膜(SiOx)、氮化硅膜(SiNx)或其多层膜形成。
第一电极110可以用作透明电极、反射电极或半透射电极。当第一电极110用作透明电极时，可以包括氧化铟锡(ITO：Indium Tin Oxide)、氧化铟锌(IZO：Indium ZincOxide)、氧化锌(ZnO：Zinc Oxide)或In2O3。当第一电极110用作反射电极时，可以包括利用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其混合物等形成的反射膜以及利用ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的透射膜。当第一电极110用作半透射电极时，可以包括利用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其混合物等形成的反射膜以及利用ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的透射膜。第一电极110可以通过光刻法形成，并且并不局限于此。
当第一电极110用作透明电极时，显示装置可以为从发光层130产生的光向第一电极110方向射出的背面发光型。并且，当第一电极110用作反射电极时，显示装置可以为从发光层130产生的光向第二电极150方向射出的前面发光型。并且，当第一电极110用作半透射电极时，显示装置可以为从发光层130产生的光向第一电极110方向射出的背面发光型，并且具有共振结构。
像素定义膜100可以覆盖第一电极110的侧部并布置于基板10上。像素定义膜100可以具有使第一电极110的上表面暴露的开口。像素定义膜100的侧面可以具有倾斜的形态。
在通过像素定义膜100的所述开口暴露的第一电极110上可以布置有空穴注入层120、发光层130、电子注入层140、第二电极150、封装层160等。像素定义膜100可以包括绝缘物质。例如，像素定义膜100可以包括选自苯并环丁烯(BCB：Benzo Cyclo Butene)、聚酰亚胺(PI：polyimide)、聚酰胺(PA：polyamide)、丙烯酸树脂及酚醛树脂等中的至少一种有机物质。作为又一例，像素定义膜100也可以包括诸如氮化硅等无机物质。
空穴注入层120可以起到降低第一电极110与发光层130之间的能垒的缓冲材料作用。空穴注入层120可以容易地将从第一电极110提供的空穴注入到发光层130。空穴注入层120可以包括有机化合物，例如MTDATA(4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine))、铜酞菁(CuPc：copperphthalocyanine)或PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐(poly(3,4-ethylenedioxythiphene)/polystyrene sulfonate))等。
空穴注入层120的厚度可以从空穴注入层120的中央的平坦部越向像素定义膜100方向越厚。
在一实施例中，空穴注入层120对于像素定义膜100的拒墨性可以大于发光层130对于像素定义膜100的拒墨性。因此，在形成空穴注入层120的过程中涂覆的墨与所述像素定义膜100的表面结合力可能较低，在形成发光层130的过程中涂覆的墨与所述像素定义膜100的表面结合力可能较大。因此，第一固定点P3与第二固定点P4之间的距离可以增加。
发光层130可以在像素定义膜100内部布置于空穴注入层120上。发光层130可以使从第一电极110提供的空穴与从第二电极150提供的电子复合而发光。更详细地进行说明，若向发光层130提供所述空穴及所述电子，则所述空穴及所述电子可以复合而形成激子。所述激子从激发态变为基态，从而能够将能量以光的形态射出。
发光层130例如可以包括发出红色的红色发光层。所述红色发光层可以包括一种红色发光物质，或者包括主体和红色掺杂剂而形成。所述红色发光层的主体例如可以使用Alq3、CBP(4,4'-N,N'-二咔唑-联苯(4,4'-N,N'-dicarbazol-biphenyl))、PVK(聚(N-乙烯基咔唑)(poly(N-vinylcarbazole)))、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-Di(naphthyl-2-yl)anthracene))、TCTA、TPBI(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene))、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene))、E3、DSA(二苯乙烯基亚芳基化合物(distyrylarylene))等，然而并不局限于此。并且，所述红色掺杂剂例如可以使用PtOEP、Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)等，然而并不局限于此。
发光层130例如可以包括发出绿色的绿色发光层。所述绿色发光层可以包括一种绿色发光物质，或者包括主体和绿色掺杂剂。所述绿色发光层的主体可以与所述红色发光层的主体相同。并且，所述绿色掺杂剂例如可以使用Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3等，并且并不局限于此。
发光层130例如可以包括发出蓝色的蓝色发光层。所述蓝色发光层可以包括一种蓝色发光物质，或者包括主体和蓝色掺杂剂而形成。所述蓝色发光层的主体可以与所述红色发光层的主体相同。并且，所述蓝色掺杂剂例如可以使用F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴(ter-fluorene)、DPAVBi(4,4'-双(4-二苯基氨基苯乙烯基)联苯(4,4'-bis(4-diphenylaminostyryl)biphenyl))、TBPe(2,5,8,11-四叔丁基苝(2,5,8,11-tetra-tert-butyl pherylene))等，并且并不局限于此。
所述红色光的波长可以为大约650nm，所述绿色光的波长为大约550nm，所述蓝色光的波长为大约430nm。
发光层130的厚度可以从发光层130的平坦部越向像素定义膜100方向越薄。
电子注入层140可以布置于发光层130上。电子注入层140可以起到降低发光层130与第二电极150之间的能垒的缓冲材料作用。电子注入层140可以使从第二电极150提供的电子容易地注入到发光层130。电子注入层140例如可以利用LiF或CsF等形成，并且并不局限于此。电子注入层140可以通过沉积法等形成，并且并不局限于此。
电子注入层140的厚度可以从电子注入层140的中央的平坦部越向像素定义膜100方向越薄。
第二电极150可以布置于电子注入层140上，并且是向发光层130提供电子的阴极电极。第二电极150可以用作透明电极、反射电极或半透射电极。当第二电极150用作透明电极时，显示装置可以为从发光层130产生的光向第二电极150方向射出的前面发光型。并且，当第二电极150用作反射电极时，显示装置可以为从发光层130产生的光向第一电极110方向射出的背面发光型。并且，当第二电极150用作半透射电极时，显示装置可以为从发光层130产生的光向第二电极150方向射出的前面发光型，并且是共振结构。第二电极150可以通过沉积方法等形成，并且并不局限于此。
封装层160能够防止外部的氧气或水分等渗透到有机发光二极管。在这种情况下，当封装层160形成为单层结构时，外部的杂质也可能通过封装层160渗透，因此封装层160优选地具有多层膜结构。当封装层160仅利用有机膜或无机膜形成时，氧气或水分等可能从外部通过形成于封装层160内部的微细的通路渗透。因此，为了防止产生从封装层160内到有机发光二极管为止相互连接的微细通路，封装层160可以具有有机膜与无机膜交替层叠的层状结构。
另外，在形成封装层160的情况下，优选地使封装层160的最外层利用诸如氮化硅和/或氧化硅等物质而成为无机膜。其原因在于相比于有机膜，无机膜的机械强度更高。
在实施例中，第一固定点P3可以被定义为空穴注入层120的上表面的侧部与像素定义膜100相交的点。第二固定点P4可以被定义为发光层130的上表面的侧部与像素定义膜100相交的点。第一固定点P3与第二固定点P4之间的最短距离可以大于或等于发光层130的介电击穿极限距离。更详细地进行说明，从第二固定点P4到第一电极110的上表面为止的直线距离可以比从第一固定点P3到第一电极110的上表面为止的直线距离大相当于在预定电压下发光层130的介电击穿极限距离或者更大。
所述介电击穿极限距离可以表示在所述预定电压下用于使布置在发光层130下部的层与发光层130绝缘的发光层130与布置在发光层130下部的层之间的最小距离。
如果像素定义膜100与空穴注入层120的上表面、像素定义膜100与发光层130的上表面以及像素定义膜100与电子注入层140的上表面相交的点相接或者靠近为基准厚度以下，则电流可能泄漏。为了防止这种情况，空穴注入层120、发光层130及电子注入层140可以分别具有多样的形状。
在实施例中，空穴注入层120、发光层130及电子注入层140各自的上表面可以在两侧部向第二电极150方向给以曲率而形成为“U”字形。据此，能够防止电流泄漏。空穴注入层120的上表面的中央的平坦部的高度可以低于空穴注入层120的上表面的侧部的最高点的高度。发光层130的上表面的中央的平坦部的高度可以低于发光层130的上表面的侧部的最高点的高度。电子注入层140的上表面的中央的平坦部的高度可以低于电子注入层140的上表面的侧部的最高点的高度。并且，空穴注入层120的上表面的中央的平坦部的宽度可以大于空穴注入层120的上表面的侧部的宽度。发光层130的上表面的中央的平坦部的宽度可以大于发光层130的上表面的侧部的宽度。电子注入层140的上表面的中央的平坦部的宽度可以大于电子注入层140的上表面的侧部的宽度。
第一固定点P3与第二固定点P4可以彼此不相交。由于空穴注入层120、发光层130及电子注入层140各自的上表面构成为“U”字形，因此空穴注入层120、发光层130及电子注入层140各自的上表面与像素定义膜100相交的点彼此隔开，从而能够防止电流泄漏。
图2是示出在图1的显示装置中将空穴注入层120a的上表面的形态变形的显示装置的剖视图。
除了空穴注入层120a的上表面的形态之外，图2的显示装置与图1的显示装置实质上相同或相似。因此，省略关于重复构成的说明。
参照图2，空穴注入层120a的上表面可以具有与像素定义膜100接触的第一固定点P8。第一固定点P8可以是空穴注入层120a的上表面的最高点。空穴注入层120a的上表面可以具有最低点P9。空穴注入层120a的上表面可以具有中央的平坦部的开始点P7。开始点P7的高度可以低于第一固定点P8的高度，并高于最低点P9的高度。空穴注入层120a的上表面可以形成为具有所述中央的平坦部的宽度大于空穴注入层120a的上表面的两侧部的曲率部的宽度的形态的“W”字形。
显示装置可以经过干燥过程。在干燥过程中，空穴注入层120a、发光层130及电子注入层140各自的上表面的中央的平坦部的高度可能变低。在这种情况下，中央的平坦部的在垂直方向上的厚度可能变窄。在空穴注入层120a形成为“W”字形的情况下，空穴注入层120a的上表面的中央的平坦部的高度可以比以往的“U”字形的空穴注入层的上表面的中央的平坦部的高度变低的程度稍小一些。因此，发光层130及电子注入层140各自的上表面的中央的平坦部的高度也比以往变低的程度稍小一些。
第二固定点P4可以是发光层130的上表面的侧部与像素定义膜100相交的点。第一固定点P8与第二固定点P4可以彼此不相交。空穴注入层120a的上表面可以形成为“W”字形，发光层130、电子注入层140各自的上表面可以形成为“U”字形。因此，空穴注入层120a、发光层130及电子注入层140各自的上表面与像素定义膜100相交的点彼此隔开，从而能够防止电流泄漏。
图3是示出在图1的显示装置中追加空穴传输层170的显示装置的剖视图。
除了在空穴注入层120与发光层130之间追加有空穴传输层170之外，图3的显示装置与图1的显示装置实质上相同或相似。因此，省略关于重复构成的说明。
参照图3，空穴传输层170可以起到将通过空穴注入层120接收的空穴传递至发光层130的作用。空穴传输层170可以利用导电性低于空穴注入层120的空穴传输物质形成。空穴传输层170可以利用有机化合物形成，例如利用TPD(N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-bi-phenyl-4,4'-diamine))或NPB(N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(N,N'-di(naphthalen-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine))等形成，并且并不局限于此。
第一固定点P3可以是空穴注入层120的上表面的侧部与像素定义膜100相交的点。第二固定点P4可以是发光层130的上表面的侧部与像素定义膜100相交的点。第一固定点P3与第二固定点P4可以彼此不相交。空穴注入层120、发光层130、电子注入层140及空穴传输层170各自的上表面构成为“U”字形。因此，空穴注入层120、发光层130、电子注入层140及空穴传输层170各自的上表面与像素定义膜100相交的点相互隔开，从而能够防止电流泄漏。
空穴传输层170的厚度可以从空穴传输层170的中央的平坦部越向像素定义膜100方向越薄。
在一实施例中，空穴注入层120对于像素定义膜100的拒墨性可以大于空穴传输层170对于像素定义膜100的拒墨性。
图4是示出在图3的显示装置中将空穴注入层120a的上表面的形态变形的显示装置的剖视图。
除了空穴注入层120a的上表面的形态之外，图4的显示装置与图3的显示装置实质上相同或相似。因此，省略关于重复构成的说明。
参照图4，空穴注入层120a的上表面可以具有与像素定义膜100接触的第一固定点P8。第一固定点P8可以是空穴注入层120a的上表面的最高点。空穴注入层120a的上表面可以具有最低点P9。空穴注入层120a的上表面可以具有位于第一固定点P8的高度与最低点P9的高度之间的中央的平坦部的开始点P7。空穴注入层120a的上表面可以形成为所述中央的平坦部的宽度大于空穴注入层120a的上表面的两侧部的曲率部的宽度的“W”字形。
显示装置可以经过干燥过程。在干燥过程中，空穴注入层120a、发光层130、电子注入层140及空穴传输层170各自的上表面的中央的平坦部的高度可能变低。在这种情况下，中央的平坦部的在垂直方向上的厚度可能变窄。在空穴注入层120a形成为“W”字形的情况下，空穴注入层120a的上表面的中央的平坦部的高度可以比以往的“U”字形的空穴注入层的上表面的中央的平坦部的高度变低的程度稍小一些。因此，发光层130、电子注入层140及空穴传输层170各自的上表面的中央的平坦部的高度也比以往变低的程度稍小一些。
第二固定点P4可以是发光层130的上表面的侧部与像素定义膜100相交的点。第一固定点P8与第二固定点P4可以彼此不相交。空穴注入层120a的所述上表面可以形成为“W”字形。发光层130、电子注入层140及空穴传输层170的所述上表面可以构成为“U”字形。因此，空穴注入层120a、发光层130及电子注入层140各自的上表面与像素定义膜100相交的点相互隔开，从而能够防止电流泄漏。
图5是示出在图1的显示装置中追加电子传输层180的显示装置的剖视图。
除了在发光层130与电子注入层140之间追加有电子传输层180之外，图5的显示装置与图1的显示装置实质上相同或相似。因此，省略关于重复构成的说明。
参照图5，电子传输层180可以布置于发光层130上。电子传输层180可以将从第二电极150通过电子注入层140接收的电子传递至发光层130。电子传输层180可以利用有机化合物形成。例如，有机化合物可以包括Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline))、BAlq、Alq3(三(8-羟基喹啉)铝(Tris(8-quinolinorate)aluminum))、Bebq2(双(苯并喹啉-10-羟基)铍(berylliumbis(benzoquinolin-10-olate)))、TPBI等，并且并不局限于此。电子传输层180可以通过沉积方法等形成，并且并不局限于此。
第一固定点P3与第二固定点P4可以彼此不相交。空穴注入层120、发光层130、电子注入层140及电子传输层180各自的上表面可以构成为“U”字形。因此，空穴注入层120、发光层130、电子注入层140及电子传输层180各自的上表面与像素定义膜100相交的点相互隔开，从而能够防止电流泄漏。
电子传输层180的厚度可以从电子传输层180的中央的平坦部越向像素定义膜100方向越薄。
图6是示出在图5的显示装置中将空穴注入层120a的上表面的形态变形的显示装置的剖视图。
除了空穴注入层120a的上表面的形态之外，图6的显示装置与图5的显示装置实质上相同或相似。因此，省略关于重复构成的说明。
参照图6，空穴注入层120a的上表面可以具有与像素定义膜100接触的第一固定点P8。第一固定点P8可以是空穴注入层120a的上表面的最高点。空穴注入层120a的上表面可以具有最低点P9。空穴注入层120a的上表面可以具有位于第一固定点P8的高度与最低点P9的高度之间的中央的平坦部的开始点P7。空穴注入层120a的上表面可以形成为所述中央的平坦部的宽度大于空穴注入层120a的上表面的两侧部的曲率部的宽度的“W”字形。
显示装置可以经过干燥过程。在干燥过程中，空穴注入层120a、发光层130、电子注入层140及电子传输层180各自的上表面的中央的平坦部的高度可能变低。在这种情况下，中央的平坦部的在垂直方向上的厚度可能变窄。在空穴注入层120a的上表面形成为“W”字形的情况下，空穴注入层120a的上表面的中央的平坦部的高度可以比以往的“U”字形的空穴注入层的上表面的中央的平坦部的高度变低的程度稍小一些。因此，发光层130、电子注入层140及电子传输层180各自的上表面的中央的平坦部的高度也比以往变低的程度稍小一些。
第一固定点P8与第二固定点P4可以彼此不相交。空穴注入层120a的所述上表面可以形成为“W”字形。发光层130、电子注入层140及电子传输层180的所述上表面可以构成为“U”字形。因此，空穴注入层120a、发光层130及电子注入层140各自的上表面与像素定义膜100相交的点相互隔开，从而能够防止电流泄漏。
图7是示出在图1的显示装置中追加空穴传输层170和电子传输层180的显示装置的剖视图。
除了追加有空穴传输层170及电子传输层180之外，图7的显示装置与图1的显示装置实质上相同或相似。并且，参照图1、图3及图5，能够掌握图7。因此，省略关于重复构成的说明。
图8是示出在图7的显示装置中将空穴注入层120a的上表面的形态变形的显示装置的剖视图。
除了空穴注入层120a的上表面的形态之外，图8的显示装置与图7的显示装置实质上相同或相似。因此，省略关于重复构成的说明。
图9及图10是用于说明发光层130和空穴注入层120、120a各自的曲率部的水平距离的剖视图。
图9可以示出在图1、图3、图5及图7中空穴注入层120的上表面L120的侧部和像素定义膜100相交的第一固定点P3与作为空穴注入层120的上表面L120的侧部的曲率部和空穴注入层120的上表面L120的中央的平坦部相交的点P5之间的水平距离D1。
并且，图9可以示出发光层130的上表面L130的侧部和像素定义膜100相交的第二固定点P4与作为发光层130的上表面L130的侧部的曲率部和发光层130的中央的平坦部相交的点P6之间的水平距离D2。
参照图9，第二固定点P4与点P6之间的水平距离D2可以为约0.5μm至约3μm，优选地可以为约0.5μm。
并且，第一固定点P3与点P5之间的水平距离D1可以为约0.5μm至约3μm，优选地可以为约0.5μm。
据此，可以确保第一固定点P3和第二固定点P4之间的间隔大于或等于介电击穿极限距离的区域(例如，发光层130的两侧部)，同时确保用于发光层130发光的发光区域(例如，发光层130的中央的平坦部)。
图10可以示出在图2、图4、图6及图8中空穴注入层120a的上表面L120a的侧部和像素定义膜100相交的第一固定点P8与作为空穴注入层120a的上表面L120a的侧部的曲率部和空穴注入层120a的中央的平坦部相交的点P7之间的水平距离D3。
参照图10，第二固定点P4与点P6之间的水平距离D2可以为约0.5μm至约3μm，优选地可以为约0.5μm。
并且，第一固定点P8与点P7之间的水平距离D3可以为约0.5μm至约3μm，优选地可以为约0.5μm。
图11及图12是用于示出发光层130和空穴注入层120、120a各自的固定点的位置关系的剖视图。
图11可以示出在图1、图3、图5及图7中空穴注入层120的上表面L120的侧部和像素定义膜100相交的第一固定点P3到第一电极110的上表面之间的垂直距离D5。
并且，图11可以示出发光层130的上表面L130的侧部和像素定义膜100相交的第二固定点P4到第一电极110的上表面为止的垂直距离D4。
第二固定点P4到第一电极110的上表面为止的垂直距离D4可以比第一固定点P3到第一电极110的上表面为止的垂直距离D5大相当于在预定电压下发光层130的介电击穿极限距离或者更大。
图12可以示出在图2、图4、图6及图8中空穴注入层120a的上表面L120a的侧部和像素定义膜100相交的第一固定点P8到第一电极110的上表面为止的垂直距离D6。
并且，图12可以示出发光层130的上表面L130的侧部和像素定义膜100相交的第二固定点P4到第一电极110的上表面为止的垂直距离D4。
垂直距离D4可以比垂直距离D6大相当于在预定电压下发光层130的介电击穿极限距离或者更大。
图13及图14是用于示出发光层130和空穴注入层120、120a各自的曲率部的曲率的剖视图。
图13可以是用于示出在图1、图3、图5及图7中空穴注入层120的上表面L120的侧部和像素定义膜100相交的第一固定点P3与发光层130的上表面L130的侧部和像素定义膜100相交的第二固定点P4之间的关系的剖视图。
若画出关于发光层130的上表面L130的侧部的曲率部的虚拟的圆，则可以形成具有中心点P2、曲率半径R2的圆。若画出关于空穴注入层120的上表面L120的侧部的曲率部的虚拟的圆，则可以形成具有中心点P1、曲率半径R1的圆。曲率半径R2可以小于或等于曲率半径R1。
在具有如上所述的曲率半径的关系的情况下，可以产生第二固定点P4与第一固定点P3之间的距离差，从而防止电流泄漏。
图14可以是用于示出在图2、图4、图6及图8中空穴注入层120a的上表面L120a的侧部和像素定义膜100相交的第一固定点P8与发光层130的上表面L130的侧部和像素定义膜100相交的第二固定点P4之间的关系的剖视图。
若画出关于发光层130的上表面L130的侧部的曲率部的虚拟的圆，则可以形成具有中心点P2、曲率半径R2的圆。若画出关于空穴注入层120a的上表面L120a的侧部的曲率部的虚拟的圆，则形成具有中心点P10、曲率半径R3的圆。曲率半径R2可以小于或等于曲率半径R3。
在具有如上所述的曲率半径的关系的情况下，可以产生第二固定点P4与第一固定点P8之间的距离差，从而防止电流泄漏。
以上，虽然参照附图对本发明的实施例进行了说明，但是在本发明所属技术领域中具有普通知识的人员可以理解，在不改变本发明的技术思想或必要特征的前提下能够实施为其他具体的形态。因此，以上描述的实施例应当在所有方面均被理解为示意性的，而并非限定性的。
产业上的可利用性
本发明可以应用于显示装置以及包括该显示装置的多样的电子设备。例如，本发明可以应用于便携式电话、智能电话、视讯电话、智能平板电脑、智能手表、平板PC、车辆用导航仪、电视、计算机监视器、笔记本电脑、头戴式显示器等。
以上，虽然参照本发明的示例性的实施例进行了说明，但只要是在本技术领域中具有普通知识的人员，则可以理解在不脱离记载于权利要求书的本发明的思想和领域的范围内可以对本发明进行多种修改以及变更。
Claims (13)
1.一种显示装置，包括：
基板；
第一电极，布置于所述基板上；
像素定义膜，使所述第一电极的上表面暴露，并且覆盖所述第一电极的侧部；
第二电极，布置于所述第一电极上；
空穴注入层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，并且具有侧部向所述第二电极方向凸出的上表面；
发光层，布置于所述空穴注入层与所述第二电极之间，并且具有侧部向所述第二电极方向凸出的上表面；以及
电子注入层，布置于所述发光层与所述第二电极之间，
其中，定义于所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部和所述像素定义膜的交界的第一固定点与定义于所述发光层的所述上表面的所述侧部和所述像素定义膜的交界的第二固定点之间的最短距离大于或等于所述发光层的介电击穿极限距离。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
空穴传输层，布置于所述空穴注入层与所述发光层之间，
其中，所述空穴注入层对于所述像素定义膜的拒墨性大于所述空穴传输层对于所述像素定义膜的拒墨性。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
电子传输层，布置于所述发光层与所述电子注入层之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
从所述第一固定点到所述空穴注入层的所述上表面的中央的平坦部与所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部的曲率部相交的点为止的水平距离为0.5μm至3μm。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
从所述第二固定点到所述发光层的所述上表面的中央的平坦部与所述发光层的所述上表面的所述侧部的曲率部相交的点为止的水平距离为0.5μm至3μm。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述空穴注入层对于所述像素定义膜的拒墨性大于所述发光层对于所述像素定义膜的拒墨性。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部的曲率半径大于所述发光层的所述上表面的所述侧部的曲率半径。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述空穴注入层的所述上表面具有“U”字形态。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述空穴注入层的所述上表面具有宽度大于所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部的宽度的平坦部。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述空穴注入层的所述上表面具有“W”字形态。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
所述空穴注入层的所述上表面的中央的平坦部的高度低于所述第一固定点的高度，所述空穴注入层的所述上表面的中央的平坦部的高度高于所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部的曲率部的最低点的高度，所述空穴注入层的所述上表面的所述平坦部的宽度大于所述空穴注入层的所述上表面的所述侧部的宽度。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述发光层的所述上表面具有“U”字形态。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述发光层的所述上表面的中央的平坦部的宽度大于所述发光层的所述上表面的所述侧部的宽度。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2019-0143671 | 2019-11-11 | ||
| KR1020190143671A KR20210057274A (ko) | 2019-11-11 | 2019-11-11 | 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112786796A true CN112786796A (zh) | 2021-05-11 |
Family
ID=75750784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011161013.9A Pending CN112786796A (zh) | 2019-11-11 | 2020-10-27 | 显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11744099B2 (zh) |
| KR (1) | KR20210057274A (zh) |
| CN (1) | CN112786796A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220001024A (ko) | 2020-06-26 | 2022-01-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016091841A (ja) * | 2014-11-06 | 2016-05-23 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機発光デバイスと有機表示装置 |
| KR102466191B1 (ko) * | 2016-01-15 | 2022-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2018133144A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-08-23 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機電界発光パネルおよび発光装置 |
| JP2018139262A (ja) | 2017-02-24 | 2018-09-06 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示素子、有機ｅｌ表示パネル、および、有機ｅｌ表示素子の製造方法 |
| KR102408906B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
-
2019
- 2019-11-11 KR KR1020190143671A patent/KR20210057274A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-06-18 US US16/905,570 patent/US11744099B2/en active Active
- 2020-10-27 CN CN202011161013.9A patent/CN112786796A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210143357A1 (en) | 2021-05-13 |
| US11744099B2 (en) | 2023-08-29 |
| KR20210057274A (ko) | 2021-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |