CN1579642A - 独石流体喷射装置的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种独石流体喷射装置的制作方法。首先在衬底的第一面上形成图案化牺牲层。接着，形成图案化结构层于衬底上，且覆盖图案化牺牲层。然后，形成图案化电阻层于结构层上，以形成加热器。再形成图案化隔离层，并覆盖结构层，且其具有加热器接触窗和第一开口。形成图案化导电层于结构层上，并经由加热器接触窗与加热器连接，以形成信号传送线路。此后，再形成图案化保护层于衬底上，并覆盖隔离层和导电层，且其具有信号传送线路接触窗和对应于第一开口的第二开口。形成流体通道于衬底的第二面上，以露出牺牲层。接着，移除牺牲层以形成流体腔。最后，沿第二开口和第一开口来刻蚀结构层，从而形成与流体腔连通的喷孔。
Description
技术领域
本发明涉及一种独石(monolithic)流体喷射装置的制作方法，特别是涉及一种独石流体喷射装置的制作过程的改善。
背景技术
在一般独石流体喷射装置制作工艺中，由于通常微机电与集成电路制造厂为分别的厂商，将集成电路装置以及微机电组件分为两独立的制造流程，故通常是在集成电路制造厂先完成所有集成电路装置制作工艺后，再送入微机电系统制造厂，进行之后的微机电组件制作。
但是在集成电路装置和微机电组件制作过程中，常使用相同的沉积金属、介电层以及刻蚀通孔等薄膜制作步骤，因而造成许多生产成本的重复增加以及浪费。
公知的独石流体喷射装置，由于运用了部分微机电制作工艺，因此不需要封装工艺，便可在芯片上同时形成喷射装置所需的各项组件，如流体腔、加热器、驱动电路与喷孔等，具有较高的制造精度。
然而就目前独石流体喷射装置的制作工艺而言，是先利用半导体工艺完成所需的驱动电路和加热器等组件，再利用微机电工艺完成所需的流体腔和喷孔等组件。图1A和1B示出的是公知的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图，其中图1A示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图1B示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺。请参见图1A，提供有衬底10，如硅衬底。形成图案化牺牲层20于衬底10上。牺牲层20由氧化硅构成。接着，形成图案化结构层30于衬底10上，且覆盖图案化牺牲层20。结构层30可由化学气相沉积法(CVD)所形成的氮化硅层构成。形成图案化电阻层40于结构层30上，以作为加热器。电阻层40由HfB2、TaAl、TaN或TiN所构成。形成图案化隔离层50，其覆盖结构层30且具有加热器接触窗45。形成图案化导电层60于结构层30上，并填入加热器接触窗45，以形成信号传送线路62。形成保护层70于衬底10上，其覆盖隔离层50和导电层60且具有信号传送线路接触窗75，使导电层露出，以利于后续封装工序。
请参见图1B，采用湿刻法，例如以氢氧化钾(KOH)溶液，进行刻蚀以在衬底10的的背面上形成流体通道80，且露出牺牲层20。接着，再以氢氟酸溶液刻蚀牺牲层20以形成流体腔90。最后，在经过光致抗蚀剂涂布、曝光、显影工序后，刻蚀结构层30，以形成与流体腔90连通的喷孔95。至此，完成独石流体喷射装置。
由上述的工艺过程，可知喷孔95的制作至少需要穿透结构层30、隔离层50及保护层70。而在前段工艺中，在进行信号传送线路62和加热器40连接时以及在制作信号传送线路的接触窗75时，都会对隔离层50和保护层70进行刻蚀。因此若将后段工艺的喷孔制作工艺中的隔离层50和保护层70的刻蚀合并于前段工艺中来，将可使后段的喷孔制作工艺减少为仅对结构层30进行刻蚀。
美国专利6,102,530显示了通过结合半导体工艺和微机电工艺制作的一种独石流体喷射装置。由于结构层悬空于流体腔之上，因此对于产品的成品率及耐久度，均需做相当苛刻的控制，因此增加了制作工艺的难度。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的是提供一种独石流体喷射装置的制作方法，将部分后段工艺步骤合并于前段工艺中，由此可以使得后段的喷孔工艺减少，提高制作效率。
根据上述目的，本发明提供一种独石流体喷射装置的制作方法，其中包括以下步骤：提供衬底；形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；形成图案化结构层于衬底上，且覆盖图案化牺牲层；形成图案化电阻层于结构层上，以形成加热器；形成图案化隔离层，覆盖结构层且具有加热器接触窗和第一开口，其中加热器接触窗至少露出部分加热器；形成图案化导电层于结构层上，并经由加热器接触窗和加热器连接，以形成信号传送线路；形成图案化保护层于衬底上，覆盖隔离层和导电层，且具有信号传送线路接触窗和对应于第一开口的第二开口；形成流体通道于衬底的第二面上，且第二面与第一面相对，以露出牺牲层；移除牺牲层以形成流体腔；以及沿第二开口和第一开口以刻蚀结构层，从而形成与流体腔连通的喷孔。
根据上述目的，本发明还提供一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤：提供衬底；形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；形成图案化结构层于衬底上，且覆盖图案化牺牲层；形成图案化电阻层于结构层上，以形成加热器；形成图案化隔离层，覆盖结构层且具有加热器接触窗，其中加热器接触窗至少露出部分加热器；形成图案化导电层于结构层上，并经由加热器接触窗与加热器连接，以形成信号传送线路；形成保护层于衬底上，覆盖隔离层和导电层；形成流体通道于基板的第二面，且第二面与第一面相对，以露出牺牲层；移除牺牲层以形成流体腔；以及刻蚀保护层、隔离层与结构层，以形成与流体腔连通的喷孔。
根据上述目的，本发明还提供一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤：提供衬底；形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；形成图案化结构层于衬底上，且覆盖图案化牺牲层；形成图案化电阻层于结构层上，以形成加热器；形成图案化隔离层，覆盖结构层且具有加热器接触窗，其中加热器接触窗至少露出部分加热器；形成图案化导电层于结构层上，并填入加热器接触窗，以形成信号传送线路；形成保护层于衬底上，覆盖隔离层和导电层；至少刻蚀保护层与隔离层，以形成开口；形成流体通道于基板的第二面，且第二面与第一面相对，以露出牺牲层；移除牺牲层，以形成流体腔；以及沿开口刻蚀结构层，以形成与流体腔连通的喷孔。
根据上述目的，本发明还提供一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤：提供衬底；形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；形成图案化结构层于衬底上，且覆盖图案化牺牲层；形成导电层于结构层上；形成图案化电阻层于导电层上，以形成加热器；对导电层进行图案化，以形成信号传送线路；形成保护层于衬底上，覆盖结构层、导电层和电阻层；刻蚀保护层，以形成开口；形成流体通道于基板的第二面，且第二面与第一面相对，以露出牺牲层；移除牺牲层以形成流体腔；以及沿开口刻蚀结构层，以形成与流体腔连通的喷孔。
以下配合图示以及优选实施例，更详细地说明本发明。
附图说明
图1A和1B示出的是公知的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图，其中图1A示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图1B示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺；
图2A至2F示出的是本发明第一优选实施例的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图，其中图2A至2D示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图2E和2F示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺；
图3A至3C示出的是本发明第二优选实施例的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图，其中图3A示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图3B和3C示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺；
图4A和4C示出的是本发明第三优选实施例的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图，其中图4A示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图4B和4C示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺；以及
图5A至5D示出的是本发明第四优选实施例的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图，其中图5A和5B示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图5C和5D示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺。
具体实施方式
第一实施例
图2A至2F示出的是本发明第一实施例的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图，其中图2A至2D示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图2E和2F示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺。请参见图2A，形成图案化牺牲层120于例如单晶硅衬底的衬底100上。牺牲层120由化学气相沉积(CVD)法所沉积的硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)或其它氧化硅材料构成。接着，顺应性地形成图案化结构层130于衬底100上，且覆盖图案化牺牲层120。结构层130可由化学气相沉积法(CVD)所形成的一氮化硅层。然后，形成图案化电阻层140于结构层130上，以作为加热器。电阻层140由例如蒸镀、溅射法或反应性溅射法的物理气相沉积法(PVD)，形成如HfB2、TaAl、TaN或其它电阻材料。接着，顺应性地形成隔离层150，并覆盖结构层130。
请参见图2B，采用光刻及刻蚀步骤，定义出隔离层150以形成加热器接触窗145和第一开口195a。其中第一开口195a作为流体喷射装置的喷孔的前身。
请参见图2C，采用物理气相沉积法(PVD)沉积例如Al、Cu、AlCu或其它导线材料的图案化导电层162，并填入加热器接触窗145中，以形成信号传送线路162。
请参见图2D，形成保护层170于衬底100上，并覆盖隔离层150和信号传送线路162。接着，采用光刻及刻蚀步骤，定义出保护层170以形成信号传送线路接触窗175，使得导电层露出，以便后续封装作业；以及沿第一开口195a刻蚀隔离层150，以形成第二开口195b。其中第二开口195b作为流体喷射装置的喷孔的前身。
请参见图2E，采用湿刻法，在衬底100的背面进行刻蚀以形成流体通道180，且露出牺牲层120。接着，再刻蚀牺牲层120以形成流体腔190。
请参见图2F，在经过光致抗蚀剂涂布、曝光、显影工艺后，沿第二开口195b刻蚀结构层130，优选采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺，以形成与流体腔190连通的喷孔195。至此，完成独石流体喷射装置。
第二实施例
图3A至3C示出的是本发明第二实施例的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图。其中图3A示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图3B和3C示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺。请参见图3A，形成图案化牺牲层120于例如单晶硅衬底的衬底100上。牺牲层120由化学气相沉积(CVD)法所沉积的硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)或其它氧化硅材料构成。接着，顺应性地形成图案化结构层130于衬底100上，且覆盖图案化牺牲层120。结构层130可由化学气相沉积法(CVD)所形成的氮化硅层构成。然后，形成图案化电阻层140于结构层130上，以做为加热器。电阻层140由例如蒸镀、溅射法或反应性溅射法的物理气相沉积法(PVD)，形成如HfB2、TaAl、TaN或其它电阻材料。接着，顺应性地形成隔离层150，并覆盖结构层130。
接着，采用光刻及刻蚀步骤，定义出隔离层150以形成加热器接触窗145。然后，以物理气相沉积法(PVD)沉积例如Al、Cu、AlCu或其它导线材料的图案化导电层162于隔离层150上，并填入加热器接触窗145，以形成信号传送线路162。形成保护层170于衬底100上，覆盖隔离层150和信号传送线路162。
请参见图3B，在衬底100的背面进行刻蚀以形成流体通道180，且露出牺牲层120。接着，刻蚀牺牲层120以形成流体腔190。
请参见图3C，在经过光致抗蚀剂涂布、曝光、显影步骤后，刻蚀保护层170并以信号传送线路162为刻蚀停止层，形成信号传送线路接触窗175，使得导电层露出，以利于后续封装作业。同时在两加热器140之间刻蚀保护层170、隔离层150和结构层130，优选采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺，从而形成与流体腔连通的喷孔195。贯穿结构层130，以形成与流体腔190连通的喷孔195。至此，完成独石流体喷射装置。
第三实施例
图4A至4C示出的是本发明第三实施例的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图。其中图4A示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图4B和4C示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺。请参见图4A，形成图案化牺牲层120于例如单晶硅衬底衬底100上。牺牲层120由化学气相沉积(CVD)法所沉积的硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)或其它氧化硅材料构成。接着，顺应性地形成图案化结构层130于衬底100上，且覆盖图案化牺牲层120。结构层130可由化学气相沉积法(CVD)所形成的氮化硅层构成。然后，形成图案化电阻层140于结构层130上，以作为加热器。电阻层140由例如蒸镀、溅射法或反应溅射法的物理气相沉积法(PVD)，形成如HfB2、TaAl、TaN或其它电阻材料。接着，顺应性地形成隔离层150，覆盖结构层130。接着，采用光刻及刻蚀步骤，定义出隔离层150以形成加热器接触窗145。
然后，以物理气相沉积法(PVD)沉积例如Al、Cu、AlCu或其它导线材料的图案化导电层162于隔离层150上，并填入加热器接触窗145，以形成信号传送线路162。形成保护层170于衬底100上，并覆盖隔离层150和信号传送线路162。接着，在经过光致抗蚀剂涂布、曝光、显影步骤后，刻蚀保护层170并以信号传送线路162为刻蚀停止层，形成信号传送线路接触窗175，使得导电层露出，以利于后续封装作业。同时在两加热器140之间刻蚀保护层170和隔离层150，以形成开口195b。其中开口195b作为流体喷射装置的喷孔的前身。
请参见图4B，以湿刻法在该衬底100的背面进行刻蚀以形成流体通道180，且露出牺牲层120。接着，刻蚀牺牲层120以形成流体腔190。
请参见图4C，在经过光致抗蚀剂涂布、曝光、显影工艺后，沿开口195b刻蚀结构层130，优选采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺，以形成与流体腔190连通的喷孔195。至此，完成独石流体喷射装置。
第四实施例
图5A至5D示出的是本发明第四实施例的独石流体喷射装置的制作工艺的剖面图。其中图5A和5B示出了利用半导体工艺所完成的前段工艺，图5C和5D示出了利用微机电工艺所完成的后段工艺。请参见图5A，形成图案化牺牲层120于例如单晶硅衬底的衬底100上。牺牲层120由化学气相沉积(CVD)法所沉积的硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)或其它氧化硅材料构成。接着，顺应性地形成图案化结构层130于衬底100上，且覆盖图案化牺牲层120。结构层130可由化学气相沉积法(CVD)所形成的一氮化硅层构成。然后，以物理气相沉积法(PVD)沉积例如Al、Cu、AlCu或其它导线材料的导电层162于结构层130上。形成图案化电阻层140以作为加热器。电阻层140由例如蒸镀、溅射法或反应溅射法的物理气相沉积法(PVD)，形成如HfB2、TaAl、TaN或其它电阻材料。对导电层进行图案化以形成信号传送线路162。接着，形成保护层170于衬底100上，并覆盖电阻层140和信号传送线路162。
请参见图5B，在经过光致抗蚀剂涂布、曝光、显影步骤之后，刻蚀保护层170并以信号传送线路162为刻蚀停止层，形成信号传送线路的接触窗175，使得导电层露出，以利于后续封装作业。同时在两加热器140之间刻蚀保护层170，以形成开口195b。其中开口195b作为流体喷射装置的喷孔的前身。
请参见图5C，以湿刻法在该衬底100的背面进行刻蚀以形成流体通道180，且露出牺牲层120。接着刻蚀牺牲层120以形成流体腔190。
请参见图5D，在经过光致抗蚀剂涂布、曝光、显影工艺之后，沿开口195b刻蚀结构层130，优选采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺，以形成与流体腔190连通的喷孔195。至此，完成独石流体喷射装置。
第五实施例
请再参考图5A图，形成图案化牺牲层120于例如单晶硅衬底的衬底100上。牺牲层120由化学气相沉积(CVD)法所沉积的硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)或其它氧化硅材料构成。接着，顺应性地形成图案化结构层130于衬底100上，且覆盖图案化牺牲层120。结构层130可由化学气相沉积法(CVD)所形成的一氮化硅层构成。然后，以物理气相沉积法(PVD)沉积例如Al、Cu、AlCu或其它导线材料的导电层162于结构层130上。形成图案化电阻层140，以作为加热器。电阻层140由例如蒸镀、溅射法或反应溅射法的物理气相沉积法(PVD)，形成如HfB2、TaAl、TaN或其它电阻材料。对导电层进行图案化以形成信号传送线路162。接着，形成保护层170于衬底100上，覆盖电阻层140和信号传送线路162。
接着，以湿刻法在衬底100的背面进行刻蚀以形成流体通道180，且露出牺牲层120。接着刻蚀牺牲层120以形成流体腔190。
请再参考第5C图，在经过光致抗蚀剂涂布、曝光、显影步骤之后，刻蚀保护层170和结构层130，优选采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺，并以信号传送线路162为刻蚀停止层，形成信号传送线路接触窗175，使得导电层露出，以利于后续封装作业。同时在两加热器140之间刻蚀保护层170和结构层130，以形成与流体腔190连通的喷孔195。至此，完成独石流体喷射装置。
本发明的特征和效果在于将单一喷孔制作过程分成两个以上制作过程，并将其融合于其它工艺中，使得其成本分散于其它工艺中。
因此，本发明主要使部分的微机电工艺融合于半导体工艺中或使部分半导体工艺融合于微机电工艺中。使其降低整体工艺的生产成本，并改善喷孔制作过程中所产生的缺点，进而改善已知的工艺成品率。
虽然本发明已通过优选实施例描述如上，然而其并非用来限定本发明，任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可以做出改动和润饰，因此本发明的保护范围应当以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (50)
1.一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤：
提供衬底；
形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；
形成图案化结构层于衬底上，并覆盖图案化牺牲层；
形成图案化电阻层于结构层上，以形成加热器；
形成图案化隔离层，并覆盖结构层，且其具有加热器接触窗和第一开口，其中加热器接触窗至少露出部分加热器；
形成图案化导电层于结构层上，并经由加热器接触窗与加热器连接，以形成信号传送线路；
形成图案化保护层于衬底上，并覆盖隔离层和导电层，且其具有信号传送线路接触窗和对应于第一开口的第二开口；
形成流体通道于衬底的第二面上，以露出牺牲层，其中第二面与第一面相对；
移除牺牲层以形成流体腔；以及
沿第二开口和第一开口刻蚀结构层，从而形成与流体腔连通的喷孔。
2.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中形成流体通道的步骤采用湿刻法完成。
3.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中移除牺牲层以形成流体腔的步骤采用湿刻法完成。
4.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中同时形成加热器接触窗和第一开口。
5.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中图案化保护层还具有信号传送线路接触窗，且信号传送线路接触窗至少露出部分信号传送线路。
6.如权利要求5所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中同时形成信号传送线路接触窗和第二开口。
7.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中刻蚀结构层的步骤采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺。
8.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中牺牲层的材料为硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃或氧化硅。
9.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中结构层的材料为氮化硅。
10.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中电阻层的材料为HfB2、TaAl、TaN或TiN。
11.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中导电层的材料为Al、Cu或其合金。
12.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中隔离层的材料为氧化硅。
13.如权利要求1所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中保护层的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅或由其复合堆叠而成。
14.一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤：
提供衬底；
形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；
形成图案化结构层于衬底上，且覆盖图案化牺牲层；
形成图案化电阻层于结构层上，以形成加热器；
形成图案化隔离层，并覆盖结构层，且其具有加热器接触窗，其中该加热器接触窗至少露出部分加热器；
形成图案化导电层于结构层上，并经由加热器接触窗与加热器连接，以形成信号传送线路；
形成保护层于衬底上，且覆盖隔离层和导电层；
形成流体通道于衬底的第二面上，且第二面与第一面相对，以露出牺牲层；
移除牺牲层以形成流体腔；以及
刻蚀保护层、隔离层和结构层，以形成与流体腔连通的喷孔。
15.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中形成流体通道的步骤采用湿刻法完成。
16.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中移除牺牲层以形成流体腔的步骤采用湿刻法完成。
17.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中图案化保护层还具有信号传送线路接触窗，且信号传送线路接触窗至少露出部分信号传送线路。
18.如权利要求17所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中同时形成信号传送线路接触窗和喷孔。
19.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中刻蚀结构层的步骤采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺。
20.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中牺牲层的材料为硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃或氧化硅。
21.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中结构层的材料为氮化硅。
22.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中电阻层的材料为HfB2、TaAl、TaN或TiN。
23.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中导电层的材料为Al、Cu或其合金材料。
24.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中隔离层的材料为氧化硅。
25.如权利要求14所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中保护层的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅或由其复合堆叠而成。
26.一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤：
提供衬底；
形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；
形成图案化结构层于衬底上，且覆盖图案化牺牲层；
形成图案化电阻层于结构层上，以形成加热器；
形成图案化隔离层，并覆盖结构层，且其具有加热器接触窗，其中加热器接触窗至少露出部分加热器；
形成图案化导电层于结构层上，并填入加热器接触窗，以形成信号传送线路；
形成保护层于衬底上，并覆盖隔离层和导电层；
至少刻蚀保护层和隔离层，以形成开口；
形成流体通道于衬底的第二面上，且第二面与第一面相对，以露出牺牲层；
移除牺牲层以形成流体腔；以及
沿开口刻蚀结构层，以形成与流体腔连通的喷孔。
27.如权利要求26所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中形成流体通道的步骤采用湿刻法完成。
28.如权利要求26所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中移除牺牲层以形成流体腔的步骤采用湿刻法完成。
29.如权利要求26所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中图案化保护层还具有信号传送线路接触窗，且信号传送线路接触窗至少露出部分信号传送线路。
30.如权利要求29所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中同时形成信号传送线路接触窗和开口。
31.如权利要求26所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中形成开口的步骤还包括刻蚀部分结构层。
32.如权利要求23所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中刻蚀结构层的步骤采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺。
33.如权利要求26所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中牺牲层的材料为硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃或氧化硅。
34.如权利要求26所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中结构层的材料为氮化硅。
35.如权利要求26所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中电阻层的材料为HfB2、TaAl、TaN或TiN。
36.如权利要求26所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中导电层的材料为Al、Cu或其合金材料。
37.如权利要求26所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中隔离层的材料为氧化硅。
38.如权利要求26所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中保护层的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅或由其复合堆叠而成。
39.一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤：
提供衬底；
形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；
形成图案化结构层于衬底上，且覆盖图案化牺牲层；
形成导电层于结构层上；
形成图案化电阻层于导电层上，以形成加热器；
对导电层进行图案化，以形成信号传送线路；
形成保护层于衬底上，并覆盖结构层、导电层和电阻层；
刻蚀保护层，以形成开口；
形成流体通道于衬底的第二面上，且第二面与第一面相对，以露出牺牲层；
移除牺牲层以形成流体腔；以及
沿开口刻蚀结构层，以形成与流体腔连通的喷孔。
40.如权利要求39所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中形成流体通道的步骤采用湿刻法完成。
41.如权利要求39所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中移除牺牲层以形成流体腔的步骤采用湿刻法完成。
42.如权利要求39所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中图案化保护层还具有信号传送线路接触窗，且信号传送线路接触窗至少露出部分信号传送线路。
43.如权利要求42所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中同时形成信号传送线路接触窗和开口。
44.如权利要求34所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中刻蚀结构层的步骤采用等离子体刻蚀、化学气体刻蚀、反应离子刻蚀或激光刻蚀工艺。
45.如权利要求39所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中牺牲层的材料为硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃或氧化硅。
46.如权利要求39所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中结构层的材料为氮化硅。
47.如权利要求39所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中电阻层的材料为HfB2、TaAl、TaN或TiN。
48.如权利要求39所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中导电层的材料为Al、Cu或其合金材料。
49.如权利要求39所述的独石流体喷射装置的制作方法，其中保护层的材料为氧化硅、氮化硅、碳化硅或由其复合堆叠而成。
50.一种独石流体喷射装置的制作方法，包括以下步骤：
提供衬底；
形成图案化牺牲层于衬底的第一面上；
形成图案化结构层于衬底上，且覆盖图案化牺牲层；
形成导电层于结构层上；
形成图案化电阻层于导电层上，以形成加热器；
对导电层进行图案化，以形成信号传送线路；
形成保护层于衬底上，且覆盖结构层、导电层和电阻层；
形成流体通道于衬底的第二面上，且第二面与第一面相对，以露出牺牲层；
移除牺牲层以形成流体腔；以及
依序刻蚀保护层和结构层，以形成与流体腔连通的喷孔。
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