CN1564330A - 高散热led发光组件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高散热LED发光组件，以散热粉体与封装树脂混合成散热树脂，再分别以透明封装树脂与散热封装树脂进行LED发光组件之分层散热封装，封装时，LED发光组件的上层发光区，以透明封装树脂进行一次封装，而LED发光组件的下层散热区，以散热封装树脂进行多次封装，使得LED发光组件以高电流点亮时，所产生的热能可经由此下层散热区向外传导出，可大幅改善LED发光组件点亮时的热聚集问题，增加LED发光组件的发光效率；同时，本发明的制造方法，适用于支架型LED发光组件，量产时不须改变现有支架型LED发光组件的原有制程及机台，仅须在相同生产条件下，多进行一次散热封装树脂的灌胶程序即可。

Description

高散热LED发光组件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种高散热LED发光组件及其制造方法，尤指支架型LED发光组件的树脂封装层中含有散热粉体，可以改善支架型LED发光组件高电流点亮时的热聚集问题，和可提升支架型LED发光组件的发光效率。
背景技术
现有支架型LED发光组件10的构造，如图1所示，在LED芯片11上连结金属线12与支架碗14相接后，再利用透明封装树脂13封装成支架型LED发光组件10；当电流通过支架型LED发光组件10的支架15后，即可激发LED芯片11发出光线，和产生照明功用。
然而，用于封装现有支架型LED发光组件10的透明封装树脂13，由于其材质的导热性质不佳，经常导致现有支架型LED发光组件10或者模块有散热上的问题。而且，一旦发生散热不佳和过热现象时，现有支架型LED发光组件10的LED芯片11，就容易产生热聚集，导致所放射出来的激光波宽，会随着电流及热量聚集而渐增，而发光强度则随之渐减。
因此，现有支架型LED发光组件10在使用上，无法以高电流进行点亮，仅能以小电流，约20mA，驱动点亮，故现有支架型LED发光组件10的单位发光密度低，应用上亦受限制。
为改善上述现有支架型LED发光组件10的散热问题，在作法上，虽有非树脂型封装、陶瓷散热模式、或金属板散热模式等数种，但这些解决手段都必须改变现有支架型LED发光组件10的封装方式，绝大部分皆须改变、更动整个生产流程和改变原物料、以及必须重新发展相关机台，使得现有支架型LED发光组件10的生产成本大增、良率却下降、以及生产时间反而大幅拉长，和售价大幅攀升，影响一般应用。
发明内容
本发明的主要目的即在揭示一种高散热LED发光组件及其制造方法，尤其是一种高散热支架型LED发光组件，在不影响及现有支架型LED发光组件10的原本生产流程、原物料、及相关机台的情况下，令支架型LED发光组件或模块的散热不佳问题，可以获得改善，使得支架型LED发光组件具有高散热能力和可提升发光效率，以及制作成本降低。
本发明的次要目的亦在揭示一种高散热支架型LED发光组件及其制造方法，将散热粉体(例如，AlN、BN、ZnO、SiO2、CaCO3、MgO、CeO2、MoO3等)与封装树脂混合成散热树脂，再分别以透明封装树脂与散热封装树脂，对支架型LED发光组件进行分层散热封装；封装时，LED发光组件的上层发光区，以透明封装树脂进行一次封装，所以，不影响LED发光组件之发光条件；而LED发光组件的下层散热区，则以散热封装树脂进行多次封装，故LED芯片点亮时所产生的热能，可经由散热封装树脂层向外传导出，可大幅改善高电流点亮时之热聚集问题，以增加发光效率。
请参考图3及图4，本发明的主要目的，是在不影响及现有支架型LED发光组件10的原本生产流程、原物料、及相关机台的情况下，发明出一种可改善散热问题的高散热LED发光组件20，如图3所示。
请参考图1及图2，现有支架型LED发光组件10的原本制作方法，包括以下步骤：
1)点银胶：在支架碗14中点上银胶，其功能为黏着芯片用；
2)固晶：将LED芯片11放入支架碗14中的银胶上；
3)热硬化烘烤：将银胶硬化；
4)焊线：在LED芯片11的金属垫上连结金属线12，以及与支架15构成电性连接，使得电流通过支架15时，就可激发LED芯片11发光；
5)封胶：利用封装树脂13灌注于模粒中，封装成所需要的支架型LED发光组件10形状；
6)热硬化烘烤：将封装树脂13硬化；
7)后段处理及量测：将封装完之支架型LED发光组件10，根据顾客需求进行折脚弯脚检测包装等后段处理。
请参考图3，本发明所示之高散热LED发光组件20，主要以支架型LED发光组件为主，包括双脚直立式Lamp LED发光组件或多脚Power LED发光组件等，在LED芯片21上连结金属线22与支架26相接后，在封装时，高散热LED发光组件20的上层发光区，以透明封装树脂，封装成透明封装树脂层23，而高散热LED发光组件20的下层散热区，则以由散热粉体25与封装树脂混合成的散热树脂，进行多次封装，而封装成散热封装树脂层24；当电流通过支架26后，可激发LED芯片21发出光线，而且，LED芯片21点亮时所产生的热能，可经由散热封装树脂层24向外传导出，故LED芯片21不会产生热聚集，和不会有过热现象，可以增加高散热LED发光组件20的发光效率。
而本发明之高散热LED发光组件20的制造方法，请参考图4，包括以下步骤：
1)点银胶：在支架碗26中点上银胶，其功能为黏着芯片用；
2)固晶：将LED芯片21放入支架碗26中的银胶上；
3)热硬化烘烤：将银胶硬化；
4)焊线：在LED芯片21的金属垫上连结金属线22，以及与支架27构成电性连接，使得电流通过支架27时，就可激发LED芯片21发光；
5)第一段封胶：利用透明封装树脂灌注于高散热LED发光组件20的上层发光区，灌注至支架碗26约一半处(视支架27与模粒样式而定)，构成如图3所示之透明封装树脂层23；本段封装的目的，主要在保持LED芯片21的发光性质不受影响；
6)第一段封胶热硬化烘烤：将第一段透明封装树脂层23烘干，或以UV光进行树脂硬化；
7)第二段封胶：利用散热封装树脂灌注于高散热LED发光组件20的下层散热区，构成如图3所示之散热封装树脂层24；本段封装的目的，主要在使LED芯片21被电流驱动发光时，所逐渐聚集的热能，可经由散热封装树脂层24中之散热粉体25往外散出，以增加支架型LED发光组件20的使用寿命及发光效率；另可视需要再进行多次封装；
8)第二段封胶热硬化烘烤：将第二段散热封装树脂层24烘烤，或以UV光硬化；
9)后段处理及测量：将封装完之高散热LED发光组件20，根据顾客需求进行折脚弯脚检测包装等后段处理。
将上述现有支架型LED发光组件10的制程，与本发明之高散热LED发光组件20的制程相互比较可得知，本发明的制程，不会影响现有支架型LED发光组件10的原本生产流程、原物料及相关机台，在实际生产时，不须改变原有制程及机台，仅须在相同生产条件下，多进行一次散热封装树脂层24灌胶程序，就可提高LED发光组件的散热功能，在高电流点亮高散热LED发光组件20时，可得到较佳的发光效率，而且，对生产成本影响甚小。
附图说明
图1为现有支架型LED发光组件10之结构示意图。
图2为现有支架型LED发光组件10之制造流程图。
图3为本发明之高散热支架型LED发光组件20之结构示意图。
图4为本发明之高散热支架型LED发光组件20之制造流程图。
图5为本发明之实施例1以样本B至样本I的散热粉体25成分及占有比例为实施例，与比较例样本A，各经过以10mA，20mA，40mA，60mA，80mA，100mA，120mA，及140mA驱动电流激发LED发光组件发射蓝光，所记录的发光强度比较表，其中，横轴为不同驱动电流，纵轴为发光强度，并以10mA驱动之发光强度定为1，其余与之作比较。
图6为本发明之实施例2以样本K至样本T的散热粉体25成分及占有比例为实施例，与比较例样本J，各经过以10mA，20mA，40mA，60mA，80mA，100mA，120mA，及140mA驱动电流激发LED发光组件发射白光，所记录的发光强度比较表，其中，横轴为不同驱动电流，纵轴为发光强度，并以10mA驱动之发光强度定为1，其余与之作比较。
图7为本发明之实施例3以样本V至样本Z5的散热粉体25成分及占有比例为实施例，与比较例样本U，各经过以10mA，20mA，40mA，60mA，80mA，100mA，120mA，及140mA驱动电流激发LED发光组件发射红光，所记录的发光强度比较表，其中，横轴为不同驱动电流，纵轴为发光强度，并以10mA驱动之发光强度定为1，其余与之作比较。
附图标识
10、现有支架型LED发光组件        11、LED芯片
12、导电金属线                   13、透明封装树脂层
14、LED支架                      20、高散热LED发光组件
21、LED芯片                      22、导电金属线
23、透明封装树脂层               24、散热封装树脂层
25、散热粉体                     26、支架碗
27、支架
具体实施方式
本发明所选用的散热粉体25，可自由选择AlN、BN、ZnO、SiO2、CaCO3、MgO、CeO2或MoO3中的单一种粒子或多种粒子混合使用。
其中，散热粉体25的颗粒大小，可为500um至5nm；而散热粉体25的粒子形状，可为圆形、针状或不规则型；散热粉体25在支架型LED发光组件20的散热封装树脂层24中所占的比例，可为1％～70％，根据散热粉体25之热传导能力、高散热LED发光组件20实际操作之散热要求与树脂本身性质作最佳化之调整。
以下所提供之实施例是根据本发明之方法所制成的高散热LED发光组件20，具有由散热粉体25与封装树脂混合成散热封装树脂层24。
实施例1
本实施例为发射蓝光的高散热LED发光组件20，其中，LED芯片21为GaN蓝色芯片，所使用的支架27为双脚立式支架，而散热封装树脂层24的散热粉体25，其成分及所占有比例，分别选用如表一所示的样本B至样本I为实施例，同时，采用只有单层透明树脂封装层23，没有使用散热封装树脂层24的样本A，作为比较例。亦即，将一般封装的与本发明分层散热封装之散热情况，对高散热LED发光组件20的发光效率影响作一比较。
表1
  散热封装树脂层24   散热粉体25系选用   散热粉体25占有的比例
    样本A     --     0
    样本B     AlN     20％
    样本C     CaCO3(1)     20％
    样本D     CaCO3(2)     20％
    样本E     SiO2     20％
    样本F     ZnO(1)     20％
    样本G     ZnO(2)     20％
    样本H     ZnO(3)     20％
    样本I     MoO3     20％
经过分别以10mA，20mA，40mA，60mA，80mA，100mA，120mA，及140mA驱动电流，令高散热LED发光组件20发射蓝光，和记录其发光强度，但以高散热LED发光组件20经由10mA驱动电流所发出的发光强度定为1，其余与之作比较，其结果如图5所示。
显示样本B至样本I的高散热LED发光组件20的发光效率，应与驱动电流(10mA、20mA、40mA、60mA、80mA、100mA、120mA、140mA)呈近似线性关系，随着驱动电流愈大，发光效率也应随之增加。但，一般封装之样本A LED发光组件，在驱动电流逐渐增加时，其发光效率并未随之等比例增加，其原因，就是高驱动电流会造成LED发光组件因热聚集而过热，进而严重影响发光效率。
上述样本B至样本I中，样本F选用ZnO为散热粉体25的散热效果最佳，在140mA高驱动电流时，其发光效率约为一般封装的两倍。
实施例2
本实施例为发射白光的高散热LED发光组件20，其中，LED芯片21为GaN蓝色芯片，支架碗26中填充黄色萤光粉体，所使用的支架27为双脚立式支架，而散热封装树脂层24的散热粉体25，其成分及所占有比例，分别选用如表2所示的样本K至样本T为实施例，同时，采用只有单层透明树脂封装层23，没有使用散热封装树脂层24的样本J，作为比较例。亦即，将一般封装的与本发明分层散热封装之散热情况，对高散热LED发光组件20的发光效率影响作一比较。
表2
  散热封装树脂层   散热粉体25系选用   散热粉体25占有的
    样本J     --     0
    样本K     AlN     20％
    样本L     奈米CaCO3(1)     20％
    样本M     奈米CaCO3(2)     20％
    样本N     奈米SiO2     20％
    样本O     ZnO(1)     20％
    样本P     ZnO(2)     20％
    样本Q     ZnO(3)     20％
    样本R     AlN     40％
    样本S     BN     20％
    样本T     MoO3     20％
经过分别以10mA，20mA，40mA，60mA，80mA，100mA，120mA，及140mA驱动电流，令支架型LED发光组件20发射白光，和记录其发光强度，但以支架型LED发光组件20经由10mA驱动电流所发出的发光强度定为1，其余与之作比较，其结果如图6所示。
显示样本K至样本T的支架型LED发光组件20的发光效率，随着散热粉体25占有的比例愈大，发光效率也应随之增加。其中，样本R的散热树脂封装层24中有40％的AlN散热粉体25，在140mA高驱动电流时，其发光效率约为一般封装的两倍。
实施例3
本实施例为发射红光的高散热LED发光组件20，其中，LED芯片21为四元红色芯片，所使用的支架27为双脚立式支架，而散热封装树脂层24的散热粉体25，其成分及所占有比例，分别选用如表三所示的样本V至样本Z5为实施例，同时，采用只有单层透明树脂封装层23，没有使用散热封装树脂层24的样本U，作为比较例。亦即，将一般封装的与本发明分层散热封装之散热情况，对支架型LED发光组件20的发光效率影响作一比较。
表3
  散热封装树脂层   散热粉体25系选用   散热粉体25占有的比例
    样本U     --     0
    样本V     AlN     20％
    样本W     奈米CaCO3(1)     20％
    样本X     奈米CaCO3(2)     20％
    样本Y     奈米SiO2     20％
    样本Z     ZnO(1)     20％
    样本Z1     ZnO(2)     20％
    样本Z2     ZnO(3)     20％
    样本Z3     AlN     40％
    样本Z4     BN     20％
    样本Z5     MoO3     20％
经过分别以10mA，20mA，40mA，60mA，80mA，100mA，120mA，及140mA驱动电流，令高散热LED发光组件20发射红光，和记录其发光强度，但以高散热LED发光组件20经由10mA驱动电流所发出的发光强度定为1，其余与之作比较，其结果如图7所示。
显示样本X的散热树脂封装层24中有20％的奈米CaCO3-2散热粉体25，在140mA高驱动电流时，其发光效率约为一般封装的二倍。
由上述所知，本发明之高散热LED发光组件20，在可明显改善支架型LED发光组件或模块的散热问题，增加支架型LED发光组件之使用寿命及发光效率，并在生产制作上，不须改变原有生产流程、原物料及相关机台，因此对支架型LED发光组件的应用层面、产品普及化及未来发展，有极大之助益。

Claims (11)

1、一种高散热LED发光组件，以透明封装树脂封装成LED发光组件的上层发光区，以由散热粉体与封装树脂混合成的散热树脂，封装成LED发光组件的下层散热区。
2、如权利要求1所述之高散热LED发光组件，该LED发光组件为双脚直立式Lamp LED组件或多脚Power LED组件。
3、如权利要求1所述之高散热LED发光组件，其中，所使用的散热粉体，为AlN、BN、ZnO、SiO2、CaCO3、MgO、CeO2、MoO3或其组合。
4、如权利要求3所述之高散热LED发光组件，其中，散热封装树脂所使用的散热粉体占1％～70％。
5、如权利要求3或4所述之高散热LED发光组件，其中，所使用的散热粉体的颗粒大小为500um至5nm。
6、如权利要求5所述之高散热LED发光组件，其中，所使用的散热粉体形状，为圆形或针状。
7、一种高散热LED发光组件的制法，包括以下步骤：
(1)点银胶：在支架碗中点上银胶，其功能为黏着芯片用；
(2)固晶：将LED芯片放入步骤(1)之支架碗(26)中的银胶上；
(3)热硬化烘烤：将银胶硬化；
(4)焊线：将步骤(2)之LED芯片连结上金属线，与LED发光组件的支架构成电性连接；
(5)第一段封胶：利用透明封装树脂灌注至LED发光组件的支架碗约一半处，封装成LED发光组件的上层发光区；
(6)第一段封胶热硬化烘烤：将步骤(6)之上层发光区烘干，或以UV光进行树脂硬化；
(7)第二段封胶：利用由散热粉体与封装树脂混合成的散热树脂，封装成LED发光组件的下层散热区；及
(8)第二段封胶热硬化烘烤：将步骤(7)之下层散热区烘烤，或以UV光硬化。
8、如权利要求7所述之制法，其中，步骤(2)所使用的LED芯片，为可发射白光、紫外光、紫光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光的LED芯片。
9、如权利要求7或8所述之制法，其中，步骤(7)所使用的散热粉体，为AlN、BN、ZnO、SiO2、CaCO3、MgO、CeO2、MoO3或其组合。
10、如权利要求7或8所述之制法，用于制造双脚直立式Lamp LED组件或多脚Power LED组件。
11、如权利要求9所述之制法，用于制造双脚直立式Lamp LED组件或多脚Power LED组件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007041902A1 (fr) * 2005-10-12 2007-04-19 Xuelin Li Structure de conduction et de dissipation thermique pour un boitier a diodes electroluminescentes de lumiere blanche
CN102064244A (zh) * 2010-11-09 2011-05-18 杭州杭科光电有限公司 大功率发光二极管的分层封装方法
CN103000786A (zh) * 2012-11-14 2013-03-27 深圳大学 白光发光二极管
CN111928127A (zh) * 2020-08-11 2020-11-13 浙江西兴光电科技有限公司 一种节能灯制造工艺

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007041902A1 (fr) * 2005-10-12 2007-04-19 Xuelin Li Structure de conduction et de dissipation thermique pour un boitier a diodes electroluminescentes de lumiere blanche
CN102064244A (zh) * 2010-11-09 2011-05-18 杭州杭科光电有限公司 大功率发光二极管的分层封装方法
CN102064244B (zh) * 2010-11-09 2012-08-22 杭州杭科光电有限公司 大功率发光二极管的分层封装方法
CN103000786A (zh) * 2012-11-14 2013-03-27 深圳大学 白光发光二极管
CN111928127A (zh) * 2020-08-11 2020-11-13 浙江西兴光电科技有限公司 一种节能灯制造工艺

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