CN1515712A - 石墨纳米纤维的制造方法、电子发射源以及显示元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供用于发射器时不发生短路、可改善制造FED时的发光点斑的石墨纳米纤维的制造方法以及利用所得石墨纳米纤维的电子发射源、显示元件。根据本发明，在形成有规定膜厚催化剂层的基板上导入碳供给气与氢气组成的混合气，在基板上形成控制膜厚的石墨纳米纤维层与非纤维层构成的石墨纳米纤维。作为催化剂，使用Fe，Co或含有这些金属的至少一种的合金，并在350～650℃成长1～60分钟，利用所得石墨纳米纤维制得电子发射源以及显示元件。

Description

石墨纳米纤维的制造方法、 电子发射源以及显示元件
技术领域
本发明涉及石墨纳米纤维的制造方法、利用所得石墨纳米纤维的电子发射源以及显示元件。尤其是涉及使基板上所形成的催化剂层的膜厚变化而制造可控制整体膜厚的石墨纳米纤维的方法，以及利用所得石墨纳米纤维的电子发射源与场致发射形显示元件。
背景技术
近年来，期待着石墨纳米纤维可作为电子发射源、储氢、锂(Li)离子电池等的构件。
作为现有的石墨纳米纤维的制造方法，例如，有使用一氧化碳或二氧化碳气体与氢气反应的方法(参照特许文献1：特开2001-288625号公报，权利要求6，第4页第6栏)
根据上述现有技术使用一氧化碳与氢气制造石墨纳米纤维时，获得卷曲的纤维。这种卷曲的形状(弯曲状态)使各个纤维不均匀。另外，卷曲的纤维在电场的影响下靠近电极侧，有可能引起形状变化。由于这种现象，石墨纳米纤维在3极结构FED(场发射显示)的发射器中利用时，担心发射器栅极间发生短路。这种短路在制造FED上对发光点的斑等品质影响很大。因此要求用于发射器、又不发生短路的石墨纳米纤维的制造方法。
本发明是为了解决上述现有的石墨纳米纤维制造方法的问题而完成的。例如，把提供用于发射器等而不发生短路、可改善制造FED时的发光点的斑的碳纳米纤维的制造方法，以及利用所得碳纳米纤维的电子发射源与显示元件作为课题。
发明内容
本发明的石墨纳米纤维的制造方法，是在形成石墨纳米纤维成长催化剂层的基板上导入原料气、利用热CVD法等的CVD法制造石墨纳米纤维的方法，其特征在于，形成具有规定膜厚的该催化剂层，然后在该基板的催化剂层上形成由控制整体膜厚的石墨纳米纤维层与不是纤维的非纤维层构成的石墨纳米纤维。
基板上的石墨纳米纤维成长催化剂层的催化剂是Fe、Co或含这些金属的至少1种的合金。
原料气优选作为碳供给气体的乙炔、一氧化碳或二氧化碳与氢气的混合气。
上述混合气中的碳供给气的比例优选是10体积％-80体积％。小于10体积％及超过80体积％时，石墨纳米纤维的成长速度极慢。
优选在350℃～650℃的温度下、并优选用1分～60分钟的时间进行前述石墨纳米纤维的制造。该温度低于350℃时，石墨纳米纤维的成长速度极慢，而超过650℃时，考虑工业应用的场合，存在热能成本高的问题。另外，制造时间少于1分钟时，难以控制反应，超过60分钟时，成本高，接触时间(タクトタィム)太长。
本发明的石墨纳米纤维的制造方法，还可以采用溅射法等的已知方法，例如在玻璃基板及硅片等不能制造石墨纳米纤维的基板上形成上述催化剂层的催化剂金属构成的线，然后，采用热CVD法等的CVD法，只在所形成的金属线上选择性地制造石墨纳米纤维。
本发明的电子发射源，是设于电极基板表面上、或制成图形的电极基板表面的图形化部分上的碳膜构成的电子发射源，其特征在于，该碳膜是具有采用上述方法所制石墨纳米纤维的膜。
本发明的场致发射形显示元件，在制成图形的阴极基板表面的图形化部分上，具有设置用上述方法制得的石墨纳米纤维而构成的作为电子发射源的阴极，和与该石墨纳米纤维相对地隔规定的距离而配置的带有荧光体及制成规定形状图形的透明导电膜的阳极，其特征是，选择石墨纳米纤维和透明导电膜施加电压时，石墨纳米纤维发射电子后，只有荧光体的特定部分进行发光。
根据本发明，调整石墨纳米纤维成长催化剂层的膜厚，可控制整体膜厚或非纤维层厚度，可以制造控制膜厚的石墨纳米纤维。由于可任意地控制石墨纳米纤维的膜厚，因此可按照膜厚制造各种尺寸的电子发射源、显示元件等。即，利用这样使催化剂层厚变化所制的整体膜厚得到控制的石墨纳米纤维，例如可制造高度受到控制的电子发射源、高度控制发射器部分的显示元件等。场致发射形显示元件的场合，由于可适当确保发射器栅极间距离，故有利于发光点的斑改善。
以下，参照附图说明本发明的实施方案。
根据本发明，石墨纳米纤维，例如，可通过以下方法制造，在带有电炉的热CVD装置内，载置形成含Fe、Co或含这些金属的至少1种的合金的催化剂层的基板，使装置内保持减压状态后，向装置内导入一氧化碳、二氧化碳之类的含碳气体组成的碳供给气及氢气，优选6500～133000Pa(50～1000乇)的压力，不超过基板耐热温度的程度的成膜温度，优选350℃～650℃，以规定的时间在基板上使含石墨纳米纤维的层成长。压力低于6500Pa时，看不到石墨纳米纤维的成长，超过133000Pa时，装置成本增高。
如上所述，使石墨纳米纤维堆积在基板上，形成电子发射源。另外，利用所得石墨纳米纤维作为显示器的场合，必须在不超过玻璃基板等的基板耐热温度的温度下使石墨纳米纤维成长。
在基板上成长的石墨纳米纤维如图1与图2所示，由在规定厚度催化剂层上形成的非纤维层与在该非纤维层上形成的石墨纳米纤维层构成。再者，催化剂层的厚度薄时(小于20nm)，不形成非纤维层，只是石墨纳米纤维层。
通过使基板上如上述的石墨纳米纤维成膜，可以使碳系电子发射源发射出的电场电子发射特性高性能化。具体来讲，采用与现有的碳纳米管相同程度的外加电压，可进行更高电流密度的电子发射，得到足够高的电流密度的电子发射，达到可用于CRT用电子源的程度。
本发明构成电子发射源的碳膜是在阴极基板表面上成膜。在制有图形的阴极基板表面的图形化部分上成膜的碳膜的场合，通过在阴极基板表面上进行涂布公知的感光性树脂液的光刻工序，或通过印刷工序等，获得制有所期望图形的阴极基板，然后在该特定的图形化部分上如上述地使石墨纳米纤维成长，将所期望的图形形状的碳膜成膜后，可将其作为电子发射源。
通过从基板上收集回收在基板上制造的石墨纳米纤维，可以获得石墨纳米纤维的粉末。使该粉末例如分散在银糊等的导电性糊中调制糊，把该糊涂布在电极基板上，干燥，使石墨纳米纤维粘附在电极基板的规定位置，或者把电极基板浸渍在使粉末分散在公知的导电性溶剂中而调制的分散液中，采用电沉积法使石墨纳米纤维粘附在电极基板的规定位置，由此可以制作作为电子发射源的冷阴极源。这样通过作为粉末操作，采用印刷法或电沉积法，也可以容易地制造符合目的的具有所期望图形的电子发射源(冷阴极源)。
本发明的显示元件是场致发射形，由于具有带如上述的所期望图形形状的石墨纳米纤维构成的碳膜的电子发射源，因此若把荧光体与制有所期望图形形状的透明导电膜组合，可根据需要只使荧光体的特定部分发光。
该场致发射形显示元件，例如可采用如下的工序制造。首先，在阴极基板上形成上述石墨纳米纤维所形成的作为场致发射源的阴极，在阳极基板上形成阳极，使该阴极基板与阳极基板相隔规定的距离彼此相对地固定，然后把阴极基板与阳极基板的两基板的周围密封，使内部成为高真空状态，最后封死排气孔，制得显示元件。
制得的显示元件中，在阴极基板的阳极基板侧的表面形成场致发射阴极，而在阳极基板的阴极基板侧的表面用荧光体层覆盖形成阳极导体，作为发光显示部的阳极发挥作用。该阳极导体，例如可以用Al，Ag，Cu，Au，Nb，Ta，Mo，W，In，Sn等制作。也可以在阳极基板与阳极导体之间形成SiN，TiO2，SiON等构成的绝缘性掩蔽膜。该掩蔽膜阻隔阳极基板产生的气体，具有防止内部环境气氛恶化的功能。
在阴极基板的内面形成阴极导体，在该阴极导体上形成绝缘层，在该绝缘层上形成栅极。贯通绝缘层与栅极，开设空孔，在空孔内露出的阴极导体上形成石墨纳米纤维形成的发射器。
附图说明
[图1]采用本发明的制作方法制得的石墨纳米纤维中催化剂层薄(10nm)的样品的SEM照片。
[图2]采用本发明的制作方法制得的石墨纳米纤维中催化剂层厚(50nm)的样品的SEM照片。
具体实施方式
以下，通过实施例详细地说明本发明，但本发明不受这些实施例的任何限定。
(实施例1)
使用因瓦合金(invar)42作为催化剂，采用溅射法在玻璃基板上将5、10、20、25、50nm厚度的催化剂层成膜。把有该催化剂层的玻璃基板放入热CVD装置中，使装置内成为1Pa。然后，向装置内导入CO/H2为50/50体积％的工艺气体，直至达到大气压。将基板加热到550℃，保持该温度，进行15分钟反应。制得的纳米纤维是直径约50nm、长1μm的石墨纳米纤维(GNF)。
把该样品的由扫描电子显微镜(SEM)截面照片所得的相对于催化剂层厚度的非纤维(NF)层厚度与GNF厚度的关系示于表1。表1中，NF层的比例(％)根据{NF厚/(NF厚+GNF厚)}×100算出。
表1
催化剂层厚度(nm)   5   10   20   25   50
NF层厚度(nm)   0   0   150   200   1000
GNF层厚度(nm)   1500   1500   1200   1200   1000
NF层的比例(％)   0   0   11   14   50
把表1所示样品中催化剂层薄(10nm)的样品的SEM截面照片示于图1，而催化剂厚度厚(50nm)的样品的SEM截面照片示于图2。由图1及图2看出，催化剂层薄时(图1)，没观测到非纤维层，而催化剂层厚时(图2)，观测到非纤维层接近1μm。由表1及图1～2确认，催化剂层薄时，非纤维层也薄。
(实施例2)
测定实施例1所得石墨纳米纤维形成的电子发射源的特性。其结果确认，外加电压达到0.8V/μm时，开始发射电子，然后随外加电压加大而电子发射量增加，在5V/μm下达到10mA/cm2。现有技术中使用碳纳米管的针状电子发射源，在外加电压3V/μm下是1mA/cm2的电子发射量，而本发明的电子发射源，如上述在非常小的外加电压下获得了大的电子发射量。
(实施例3)
在玻璃基板上采用溅射法形成Fe膜后，使用光刻等的技术形成Fe膜的线，通过玻璃棱在该Fe线上制作栅极，把这样制有栅极的基板设置在与实施例1同样的热CVD装置内，使装置内成为1Pa。然后，向装置内导入氢气与二氧化碳气组成的工艺气，气体在1个大气压下流动，使用电炉使基板的温度达到550℃，在该温度下反应10分钟，结果在基板表面出现的Fe线上与实施例1的情况同样地有石墨纳米纤维成长。
如上所述，把石墨纳米纤维成长的阴极基极与具有规定荧光体线的阳极基板的周围密封，使内部成真空状态，制作显示元件。边对阳极施加数kV的电压，边对栅极加100V电压时，确认从任意的点发射电子。
上述实施例中，装置内的压力为1个大气压，使石墨纳米纤维成长，但只要在6500-133000Pa的范围，就可适当地使石墨纳米纤维成长。
根据本发明，通过调整催化剂层厚度，可控制催化剂层上形成的非纤维层厚度，同时也可控制石墨纳米纤维层厚度。由于可以制作这样控制整体膜厚的石墨纳米纤维层，因此利用具有这种石墨纳米纤维层的基板，例如作为三极结构FED发射器时，可以解决靠近栅极而与栅极发生短路的问题，有助于解决FED的发光点斑。
另外，通过利用上述石墨纳米纤维，可以提供能达到现有的碳纳米管不能达到或难以达到的高电子发射密度、低场致电子发射性能的碳系电子发射源(冷阴极源)。
此外，只要使用这种电子发射源，就可以提供能使荧光体的所期望部分发光的显示元件。

Claims (10)

1.石墨纳米纤维的制作方法，是在形成石墨纳米纤维成长催化剂层的基板上导入原料气、采用CVD法制作石墨纳米纤维的方法，其特征在于，形成具有规定膜厚的该催化剂层，然后，在该基板的催化剂层上形成整体膜厚受到控制的石墨纳米纤维层与非纤维层构成的石墨纳米纤维。
2.权利要求1所述的石墨纳米纤维的制造方法，其特征在于，前述基板上的石墨纳米纤维成长催化剂层的催化剂，是Fe，Co或含这些金属的至少一种的合金。
3.权利要求1或2所述的石墨纳米纤维的制造方法，其特征在于，前述原料气是作为碳供给气的乙炔、一氧化碳或二氧化碳与氢气的混合气。
4.权利要求3所述的石墨纳米纤维的制造方法，其特征在于，前述混合气中的碳供给气的比例是10体积％～80体积％。
5.权利要求1～4的任一项所述的石墨纳米纤维的制造方法，其特征在于，在350℃～650℃的温度进行前述石墨纳米纤维的制造。
6.权利要求1～5的任一项所述的石墨纳米纤维的制造方法，其特征在于，以1分钟～60分钟的时间进行前述石墨纳米纤维的制造。
7.权利要求1～6的任一项所述的石墨纳米纤维的制造方法，其特征在于，在不能制造石墨纳米纤维的基板上形成前述催化剂层的催化剂金属构成的线，然后，采用CVD法选择性地只在所形成的金属线上制造石墨纳米纤维。
8.权利要求1～7的任一项所述的石墨纳米纤维的制造方法，其特征在于，前述基板是玻璃基板或硅片。
9.电子发射源，是设于电极基板表面上或设于制有图形的电极基板表面的图形化部分上的碳膜构成的电子发射源，其特征在于，该碳膜是具有采用权利要求1～8的任一项所述的方法制得的石墨纳米纤维的膜。
10.场致发射形显示元件，具有在制有图形的阴极基板表面的图形化部分上设置按权利要求1～8的任一项所述方法制的石墨纳米纤维而构成的作为电子发射源的阴极，和与该石墨纳米纤维相对地隔规定的距离配置的、带有荧光体及制成规定形状图形的透明导电膜的阳极，其特征在于，选择该石墨纳米纤维和该透明导电膜，施加电压时，该石墨纳米纤维放出电子，只有该荧光体的特定部分发光。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100404736C (zh) * 2006-01-10 2008-07-23 华东理工大学 一种制备板式纳米碳纤维的方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4607513B2 (ja) * 2004-07-27 2011-01-05 株式会社アルバック カソード基板及びこのカソード基板の作製方法。
JP5016791B2 (ja) * 2005-05-31 2012-09-05 株式会社アルバック グラファイトナノファイバーの製造方法
KR20090026568A (ko) 2007-09-10 2009-03-13 삼성전자주식회사 그라펜 시트 및 그의 제조방법
KR101443217B1 (ko) 2007-09-12 2014-09-19 삼성전자주식회사 그라펜 쉘 및 그의 제조방법
KR101443222B1 (ko) 2007-09-18 2014-09-19 삼성전자주식회사 그라펜 패턴 및 그의 형성방법
KR101463064B1 (ko) 2007-10-17 2014-11-19 삼성전자주식회사 나노도트 형성방법, 이 방법으로 형성된 나노도트를포함하는 메모리 소자 및 그 제조방법
CN101959788B (zh) * 2008-02-29 2017-03-08 富士通株式会社 片状结构体、半导体器件及碳结构体的生长方法
US20120107525A1 (en) * 2009-07-08 2012-05-03 Nobuo Ohmae CO2 Recycling Method and CO2 Reduction Method and Device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2194328C2 (ru) * 1998-05-19 2002-12-10 ООО "Высокие технологии" Холодноэмиссионный пленочный катод и способ его получения
US6630772B1 (en) * 1998-09-21 2003-10-07 Agere Systems Inc. Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device
US6181055B1 (en) * 1998-10-12 2001-01-30 Extreme Devices, Inc. Multilayer carbon-based field emission electron device for high current density applications
US6504292B1 (en) * 1999-07-15 2003-01-07 Agere Systems Inc. Field emitting device comprising metallized nanostructures and method for making the same
WO2001061719A1 (en) * 2000-02-16 2001-08-23 Fullerene International Corporation Diamond/carbon nanotube structures for efficient electron field emission
US6664728B2 (en) * 2000-09-22 2003-12-16 Nano-Proprietary, Inc. Carbon nanotubes with nitrogen content
US6649431B2 (en) * 2001-02-27 2003-11-18 Ut. Battelle, Llc Carbon tips with expanded bases grown with simultaneous application of carbon source and etchant gases
WO2003027368A1 (en) * 2001-09-20 2003-04-03 Showa Denko K. K. Fine carbon fiber mixture and composition thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100404736C (zh) * 2006-01-10 2008-07-23 华东理工大学 一种制备板式纳米碳纤维的方法

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