CN1510722A - 半导体装置的研磨方法、半导体装置的制造方法及研磨装置 - Google Patents

Abstract

一种包含采用CMP研磨基板的工序在内的半导体装置制造方法，为了实现抑制晶体表面发生损伤、划痕的目的，在研磨工序中，为了供给浆料使用了管式浆料供给泵(15)。在管式浆料供给泵(15)中，作为供给浆料的管道(12)使用了聚氯乙稀类管道。

Description

半导体装置的研磨方法、半导体装置的制造方法及研磨装置

技术领域

本发明涉及半导体装置的研磨方法、半导体装置的制造方法及研磨装置。

背景技术

近来，随着半导体装置的微细化，为了确保刻蚀工序的焦点深度，就必需提高层间绝缘膜的平坦度，因此，就需要利用CMP技术进行平坦化。另外，为了降低布线电阻，也要求采用Cu布线。采用Cu布线时因也难以进行干刻蚀。所以需要利用CMP进行研磨。

由于CMP是用研磨布直接触到晶片的表面进行研磨的，所以很有可能使晶片表面出现损伤、划痕等。因此，减少划痕的产生成了CMP的重要课题。至今为止，改善划痕发生的对策方案有多种。具体地讲，是通过用超声波粉碎在浆料里的研磨粒的凝集粒子，或用过滤器去除凝集粒子，从而防止晶片表面出现损伤、划痕等的。(例如，特开2001-150346号公报)。

图1表示的是上述公报公开发表的浆料供给装置。如图1所示，在浆料供给装置里有：浆料供给单元101；连接在浆料供给单元101进口及出口处的浆料循环线102；以及超声波振动器103。浆料循环线102里的浆料靠第1泵106得到驱动而循环。而且，在浆料循环线102上还连接有对浆料照射超声波的超声波振动器103。

在浆料循环线12与作为浆料的使用源的CMP装置105之间，通过管道110而被连接。在管道110中安装有过滤浆料凝集粒子的过滤器104。另外，在管道110上还安装有从浆料循环线102中吸取浆料并供给CMP装置105的第2泵108。此外，在过滤器104与第2泵之间还安装有阀门107。阀门107的功能是，调整向CMP装置105的浆料供给量，并控制向CMP装置105的浆料供给或停止。

依据图1所示的浆料供给装置，通过在浆料循环线102上安装超声波振动器103，使超声波照射在浆料循环线里的浆料上，就可以防止浆料粒子的凝缩。也就是说：在浆料循环线102内虽然因浆料里含有的微小二氧化硅凝集粒子互相结合有形成大的凝集粒子的趋势，但通过超声波振动器103所产生的超声波可以将大的凝集粒子的结合粉碎。利用这一点，就可以稳定地将含有微小粒子的浆料供给到CMP装置105。另外，利用过滤器104，去除浆料里的尘埃等。这样就可以将干净的浆料供给CMP装置105。并且，由于浆料里不含凝集的大粒子，所以，过滤器104的寿命就能得到延长。

虽然上述公报里讲叙了利用图1所示的超声波振动器103，可以防止浆料粒子的凝缩，但是，本申请发明人通过实验发现，既使设置超声波振动器103，进行CMP时，在晶片表面上仍出现了损伤、划痕等。并且，还发现了既使安装了过滤器，有时也不能防止晶片表面的损伤、划痕等。

如上所述，随着半导体装置的不断微细化，CMP技术就成了不可缺少的技术了。虽然说它使晶片表面产生损伤、划痕的可能性高，但是，要想不用CMP技术却是件非常难办的事。

发明内容

本发明正是鉴于上述原因而提出的。其主要目的是提供可抑制在晶片表面发生损伤、划痕的研磨装置。其次的目的是提供可抑制在晶片表面发生损伤、划痕等的CMP技术或半导体装置的研磨方法、以及含该研磨方法的半导体装置的制造方法。

本发明的第1半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于：在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用聚氯乙稀类管道。

所述聚氯乙稀类管道，实际上不含有用于加强管道强度的微粒子即可。

本发明的第2半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于：在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用由内面为聚氯乙稀类管道而外面为橡胶类管道所构成的管道。

所述聚氯乙稀类管道，实际上不含有用于加强管道强度的微粒子即可。

本发明的第3半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于：在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述浆料供给泵的下游侧，配置有去除浆料中含有的凝集粒子及异物的过滤器。

在所述管道式浆料供给泵中，作为供给浆料的管道，也可以使用至少内面是由聚氯乙稀类材料构成的管道。

本发明的第4半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于：在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用实际上不含有用于加强管道强度的微粒子的管道。

在某一实施例中，所述管道是聚氯乙稀类管道或者硅酮橡胶制管道。

本发明的半导体装置的制造方法，包含上述半导体装置的研磨方法。

本发明的第1研磨装置，是采用CMP对基板进行研磨的研磨装置，其特征在于：所述研磨装置具备研磨所述基板的CMP装置和供给研磨时的浆料的管式浆料供给泵，所述管式浆料供给泵用的管道，是至少内面为由聚氯乙稀类材料构成的管道。

在某一实施例中，所述管道是二层结构，所述管道的内面由聚氯乙稀类材料构成，外面由橡胶类材料构成。

本发明的第2研磨装置，是采用CMP对基板进行研磨的研磨装置，其特征在于：所述研磨装置具备：研磨所述基板的CMP装置；向所述CMP装置供给浆料的浆料供给装置；将所述浆料供给装置与所述CMP装置连接的配管；以及配置在所述配管的一部分处的管式浆料供给泵，在所述管式浆料供给泵与所述CMP装置之间，配置有至少能去除所述浆料中含有的凝集粒子及异物中的一种的过滤器。

所述管式浆料供给泵用的管道，最好是至少其内面是由聚氯乙稀类材料构成的管道。

本发明的第3研磨装置，是采用CMP对基板进行研磨的研磨装置，其特征在于：所述研磨装置具备研磨所述基板的CMP装置和供给研磨时的浆料的管式浆料供给泵，所述管式浆料供给泵用的管道，是实际上不含有用于加强管道强度的微粒子的管道。

根据本发明，在包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置时，在研磨工序中所使用的管式浆料供给泵中，作为浆料供给管道，由于是使用了聚氯乙稀类管道，所以，可以抑制晶体表面发生损伤、划痕等。

附图说明

图1表示现有技术的浆料供给装置的构成。

图2表示浆料供给形态的一种例子的构成图。

图3表示的是浆料供给形态的另一种例子的构成图。

图4表示的是管式浆料供给泵的局部剖面的放大图。

图5表示的是本发明的实施例1的研磨装置的构成模式图。

图6表示的是管式浆料供给泵的局部剖面的放大图。

图7表示的是测量从管道里放出的粒子的测量装置构成的模式图。

图8表示的是管道种类与粒子放出量的关系图表。

图9表示的是橡胶类及聚氯乙稀类管道交换后的微小划痕数的图表。

图10表示的是使用橡胶类及聚氯乙稀类管道时，产品的合格率的图表。

图11表示的是两层结构的管道的剖面构造图。

图12表示的是关于本发明的实施例2的研磨装置的构成模式图。

具体实施方式

下面根据附图详细说明本发明的实施例。此外，本发明并不局限以下实施例。

首先，在说明本发明的实施例之前，先说明一下本申请发明人发现的、在进行CMP时，在晶片表面发生的损伤、划痕等现象。

在CMP中，作为使晶体表面发生损伤、划痕等的原因，可以认为有两种可能：一种是因为浆料里有凝缩的粗大粒子致使晶体表面发生损伤，另一种就是浆料中存在的异物致使晶体表面发生损伤。那么，作为其对策，可以例举出：通过将凝缩的粒子粉碎，形成微粒子，消灭粗大粒子的方法，和利用过滤器，将粗大粒子、异物去除的方法。

图2模式地示出了利用前一方法的构成。而图3模式地示出了利用后一方法的构成。

无论是图2还是图3。这两种构成都安装有：浆料供给装置1、CMP装置3、以及用于将浆料送入CMP装置的配管2。浆料供给装置1是用于混合浆料，进行储备，从那里将浆料供给CMP装置3的装置。另外，CMP装置3是通过化学性的机械研磨法对基板(例如，形成半导体集成电路的晶片)的表面进行研磨，使它平坦化的装置。配管2里的浆料通过管式泵15被挤出，供给CMP装置3的研磨机构部。

另外，在图2所示的构成中，安装有为了将凝缩的浆料粒子进行粉碎的超声波振动器4。而在图3所示的构成中，安装有为了捕获凝缩的浆料粒子、浆料中异物的过滤器5。

用于研磨的浆料，在浆料供给装置1处，例如，有时让它与氧化剂等混合，有时只单单作为储备而被保持。这时，为了防止研磨粒的沉淀，一般都要间歇地进行搅拌。但是，一旦加上机械性的压力时，浆料中的砥粒就开始凝缩，在浆料内发生粗大粒子。混合有粗大粒子的浆料，通过配管2，由管式泵15被送入CMP装置3。

在此，依据图2所示的构成，利用超声波振动器4对浆料照射超声波，以粉碎粗大粒子，从而应该可以向CMP装置3供给不含粗大粒子的浆料，其结果应该是可以防止晶片表面发生划痕。而依据图3所示的构成，利用过滤器5捕获浆料中的粗大粒子、异物，就能向CMP装置3供给没有粗大粒子、异物的浆料。其结果就应该是可以防止晶片表面发生划痕。

但是，实际上无论是图2所示的构成，还是图3所示的构成都没有能够完全防止了晶片表面发生划痕。据此本申请发明人得出以下结论。也就是说，至目前为止，我们一直认为浆料中的凝集粒子、异物等对晶片表面的损伤影响很大，但是，不仅如此，还有其它要因也在影响。

本申请发明人经进一步研究查明：从设置在CMP装置3内以及设置在附近的管式浆料供给泵15处发生的异物，诱发晶片表面出现划痕。图4是将图2及图3所示的管式浆料供给泵15的一部分扩大了的图。

如图4所示的那样，管式浆料供给泵15是由泵主体侧接受侧6和泵送液滚轴7构成的。泵主体侧接受侧6是为了压住输送浆料10的管道的部件。而泵送液滚轴7的功能是：将输送浆料10的输送管道8压向泵主体侧接受侧6，通过捋动而将浆料挤出。也就是说，通过使送液滚轴7朝着图中的箭头方向移动，捋动管道8，将浆料10送出。此外，浆料输送管道8与配管2连接。

如图4所表示的那样，设置在CMP装置3内或附近的作为供给浆料用的管式泵，通过送液滚轴7将浆料输送管8压向泵的接受侧6，并进行捋动而输送浆料10。这时，作为浆料输送管8，多数是采用机械性能强度高的橡胶类管道。在这种橡胶类管道8里含有为了使其具有弹力的加强材料。该加强材料一般由SiO₂、AI₂O₃等粒子9构成。也就是说，为了加强管道的机械性能强度，橡胶类管道里含有SiO₂、AI₂O₃等微细粒子9。这些粒子9的大小为数μm～数百μ m。

浆料输送管道8因为被送液滚轴7挤到泵的接受侧6，所以，管道8内的粒子9作为粒子11而扩散到浆料10内。然后，因为含有粒子11的浆料10被供给到如图2及图3所示的CMP装置3中，所以，在研磨时晶片表面就发生了损伤、划痕等。

在这种情况下，既使照射超声波，或者，既使紧接着在浆料供给装置的下游配置过滤器，也不能去除从管式泵里发生的异物。因此，是不能够减少划痕的。

于是，本申请发明人根据此发现，完成了可以减少晶片表面发生损伤、划痕的CMP技术，得出了本发明。

下面，参照附图，说明利用本发明的实施例。在下列的附图中，为了使说明简洁化，将具有实质相同的功能的构成要素用同一的参照符号表示。此外，本发明不只局限于下列实施例。

(实施例1)

参照图5及图6，对本发明的实施例1进行说明。图5是表示本实施例的研磨装置的构成的模式图。图6是表示将管式浆料供给泵15的剖面构成的一部分扩大后的模式图。

图5所示的研磨装置，是采用CMP研磨基板的研磨装置。它具备研磨基板的CMP装置3和供给研磨浆料的管式浆料供给泵15。管式浆料供给泵15，通过配管2，与浆料供给装置1相连接。

管式浆料供给泵(以下称“管式泵”)15是将浆料供给到CMP装置3的研磨机构部的泵。在本实施例中，作为管式泵15用的管道(浆料输送管道)12，采用了由聚氯乙稀树脂构成的聚氯乙稀类管道。因为聚氯乙稀类管道12里不含橡胶类管道里作为加强材料所必需的的微粒子(SiO₂、AI₂O₃等)，所以，如图6所示的那样，微粒子不会扩散到浆料10内。因为在浆料10里没有存在微粒子，所以，供给图3的CMP装置3的是没有微粒子(即异物)的浆料。其结果是：在研磨时，不会让晶片表面发生损伤、划痕等。因此，可以提供合格率高的半导体装置的研磨方法及研磨装置。

下面为了确认关于本发明的实施例的CMP技术的效果，本申请发明人进行了实验。在此，对实验及结果进行说明。

首先，在确认因研磨使晶片表面发生划痕之前，先针对6种类的管道，确认了从管道放出的微粒子发生状况。6种类管道的明细是：橡胶类管道4种类(A～D)，硅酮类管道1种类(E)，聚氯乙稀类管道1种类(F)。

图7示意性地示出了使用用于测量从管道里放出的微粒的测量装置的结构。如图7所表示的那样，将各种管道40安装在管式浆料供给泵15上之后，用泵送纯水，用连接在管道下游的液中微粒计数器30来测量送进的纯水。用此方法，确认了粒径为0.2μm以上微粒的发生状况。其结果如图8所示。

图8所示的是：连续送液12小时之后，进入纯水中的微粒数(0.2μm以上的微粒数)。从图8就可以看出，目前使用的橡胶类管道，既使过了12个小时之后，仍然有1000个/ml左右的大量微粒进入水中。可是，聚氯乙稀类、硅酮类的管道的微粒量只有0.5个/ml左右，是几乎检测不出来的水平。

在此，所谓目前使用的橡胶类管道，是以乙稀-丙稀三元共聚物为主要成分的乙丙橡胶。在这种管道里含有SiO₂、AI₂O₃等无机填料。既使是在其它的橡胶类管道里也含有无机的填料。含有无机填料的管道，因为相同的结构，致使晶片表面发生损伤、划痕等。

在本实施例里使用的氯乙稀类管道是聚氯乙稀(PVC)类管道，含有可塑剂、稳定剂等。它不含无机填料。还有，它抗耐磨性能好。既使是聚氯乙稀系以外的管道，只要不含无机填料的话，因为它不会使微粒子扩散到浆料中，所以，就可以防止晶体表面发生损伤、划痕等。

从图8所示的结果可以看出：从6种类的管道中，挑选用聚氯乙稀系的管道、硅酮类管道，就可能减少微粒。比较两者，聚氯乙稀类的管道的寿命比硅酮类管道的寿命长10倍左右。因此，从实用的观点来看，作为本实施例的管式泵15用的管道，最好是用聚氯乙稀类的管道。当然，如果不考虑寿命及成本，使用硅酮类管道，也可以进行CMP。另外，聚氯乙稀类管道比硅酮类管道有价格便宜的优点。

此外，因为要求管式浆料供给泵用的管道的寿命要尽量长。所以，目前使用的是比其它管道机械性强度要高的橡胶类管道。另外，由于橡胶类的管道价格也便宜，并且，也没有橡胶类管道弊病的报道，所以，目前仍继续在使用着橡胶类管道。

如上述那样，本申请发明人，发现了用橡胶类管道的问题点，而且，既使寿命特性变坏，为了防止晶体表面发生损伤、划痕等，在本发明中，使用了不实质性含有为了加强管道强度而加有微粒的管道。(特别是聚氯乙稀类管道)

然后，管道交换后，马上用光学式缺陷检查装置对晶体表面发生的微划痕数进行了检查。其结果如图9所示。从图9所示的检查后的晶体表面的划痕检查结果就可看出；通过用聚氯乙稀类管道更换掉橡胶类，可以使更换后的晶片表面的划痕从数百个/晶片减少到10个/晶片。

另外，图10表示的是：在CMP工序上，实际上使用了橡胶类及聚氯乙稀类管道时的产品的合格率的图表。也就是说，图10的结果示出了用聚氯乙稀类管道后合格率的改善效果。从图10可以看出：通过用聚氯乙稀类管道代替橡胶类管道，可以将实际的产品合格率最大提高10％～20％。在本实施例中，使用了外径是6.35mm，，内径是3.18mm的管道。但是，不必局限于此，只要考虑到泵的种类等因素。选择合适的外径、内径就可以。

如上述的那样，通过用聚氯乙稀类来更换管道，就可以减少晶片表面的划痕，而且，还可以提高合格率。本申请发明人研究后发现：橡胶类管道在新更换时，放出的填料最多。因此，刚更换橡胶类管道后，会有许多0.2μm左右的微粒发生，所以不能使CMP马上进入运转状态。为了抑制填料的放出，有必要进行预运转。为了进行预运转就要花费几天工夫以及还要多次对微粒放出进行检查。不能使CMP装置立刻进入运转状态。

如果如本实施例那样，使用聚氯乙稀类管道的话，既使是刚更换后也可以抑制微粒的发生，其结果就是可以使装置也马上进入运转状态。另外，既使在稳定状态下，由于聚氯乙稀类管道放出的微粒量也比其它类管道放出的微粒量少得多，所以，使用聚氯乙稀类管道比使用橡胶类管道更加有利。此外，即使聚氯乙稀类管道的寿命比橡胶类管道的寿命短，在一定时期内的更换次数要比橡胶类管道多，但是因为聚氯乙稀类的管道既使是在刚更换后，微粒的发生也少，所以，即使仅此一点其技术上的意义也是大的。

随着半导体装置的微细化，就必须对致使合格率降低的因素，例如：晶片表面的微粒、损伤、划痕等进行更加微细地管理。从以前到现在的水平中，多数只要对氧化膜上的0.3μm以上微粒进行管理就可以了。但是，今后就必须管理得更加微细了。例如，希望对0.2μm左右的微粒也进行管理。本发明的目标是：既使用精度更高的测量装置来进行管理，也能达到完全检查不出微粒、表面损伤、划痕水平的CMP技术。而且，通过使用聚氯乙稀类管道作为浆料输送管道，此目的已经实现了。

另外，作为为了挤压浆料的泵15，使用的是管式浆料供给泵。因为此种泵不但价格便宜，而且，它的浆料供给的定量性也好，再就是它的脉动较少。因为管式浆料供给泵通过挤压管道而挤出浆料，所以由不含无机填料等加强材料的橡胶类材料(例如，生橡胶)构成的管道，因其机械性强度低，所以不能直接作为管道用于管式浆料供给泵上。因此，就必需让其含有象无机填料那样的加强材。与此相反，聚氯乙稀类材料由于它的机械性强度满足要求，所以，就不需要让它含有象无机系填料那样的东西。另一方面，为了增加它的可塑性，希望使其含有可塑剂。

在半导体装置的制造方法中，作为用CMP研磨基板的工序，可以例举出：STI(shallow Trench Isolation)形成工序、层间绝缘膜的平坦化工序，钨插塞(plug)或者硅插塞的形成工序、布线形成工序(例如，Cu布线形成工序)等。随着近年半导体装置的微细化，在设计规则为0.15μm以下(特别是0.13μm以下)时，就需要Cu布线技术。因而抑制在晶片表面发生损伤、划痕的CMP技术的技术性的意义显得非常重要。换句话说，本发明的实施例的CMP技术，在制造设计规则为0.15μm以下(特别是0.13μm以下)的半导体装置上特别有用。另外，与使用铝布线的半导体装置相比，在制造使用铜布线的半导体装置上更加能发挥效果。

用CMP装置3研磨的基板一般是成形有半导体集成电路的半导体晶片(硅晶片或者是SOI基板)，在这种半导体晶片上大多数是成形有单数或多个的层。在本说明书中，为了方便起见，既使在基板上形成有其它层，有时也将带有该层的叫作“基板”。而且，形成有半导体集成电路的半导体晶片，既使不是最终产品形态(例如，半导体芯片或者是IC芯片)有时也将其叫作“半导体装置”。

在上述实施例中，作为管式浆料供给泵15的管道12，虽然全部是采用由聚氯乙稀系材料构成的管道，但是，因为只要接触浆料的内面不实质性地含象无机填料那样的微粒子就可以了。所以，也可以采用内面是由聚氯乙稀系材料构成的，外面是由其它材料构成的管道。图11表示的是二层构造的管道的剖面构造。图11表示的管道是由与不含加强材等粒子的管道相同的材质(例如，聚氯乙稀)构成的内管(例如，聚氯乙稀类管道)13和将内管13覆盖地形成的外管14构成的，外管14可以是含加强材等粒子的管道，例如，机械性强度高的橡胶类管道。

这样，即使使用最起码内面是聚氯乙稀系材料构成的管道，与聚氯乙稀类管道一样，可以向CMP装置供给没有异物扩散的浆料，所以研磨时晶体表面就不会发生损伤、划痕等。而且，由于外面采用的是机械性强度高的材料，所以可以延长寿命。另外，还可以再设置外层，也就是说可以是3层以上的构造。

另外，在上述例子中，虽然以图2及图3为例对于使用橡胶类管道进行了说明，但作为管式泵15用的管道，只要使用聚氯乙稀类管道，作为实现防止浆料的凝集粒子的结合以及去除浆料里含有的尘埃的目的，也可以如图2及图3所示的那样，使用超声波振动器4、过滤器5等。

(实施例2)

参照图12，对本发明的实施例2进行说明。在上述实施例1中，作为管式浆料供给泵15用的管道12，通过采用聚氯乙稀类管道抑制了晶片表面发生损伤、划痕等。但在本实施例中，如图1 2所示的那样，通过在浆料供给泵15的下游处设置过滤器16，抑制晶片表面发生损伤、划痕等。

过滤器16具有去除浆料中含有的凝集粒子、异物等功能。如果管式浆料供给泵15用的管道是橡胶类管道的话，过滤器16还具有去除从该橡胶类管道扩散出来的异物(例如，无机填料)的功能。管式泵15在图12中，是被配置在CMP装置3内的。当然配置在CMP装置3的附近也行。另外，过滤器16只要位于管式泵15的下游，无论将它配置在CMP装置3内，或者配置在CMP装置3的附近都可以。

下面，对本实施例的构成动作进行说明。

用于研磨的浆料，在浆料供给装置1处，例如与氧化剂等混合，或仅仅是作为单纯的储备而被保持着。这时，为了防止研磨砥粒的沉淀，一般都要间断地进行搅拌。但是，当施加了机械性的压力后，浆料中的砥粒就开始凝缩，在浆料中发生粗大粒子。还有，混入浆料中的异物，一经搅拌，就会扩散到浆料中。混合有粗大粒子、异物的浆料通过配管2被输送到CMP装置3。另外，在管式浆料泵15处，因为要通过挤压管道来供给浆料，所以有时异物会从这里混入浆料中。在本实施例中，由于在管式浆料泵15的下游配置有过滤器16，所以可以将浆料中的粗大粒子、异物以及从管式泵15里发生的异物都能全部实质性地捕获。

另外，在图1所示的构成中，在泵的下游(后方)没有配置过滤器，而是配置在泵的上游(前方)。其理由可能是：用于去除浆料中的尘埃等的过滤器，一旦发生过滤器的网眼被堵塞，用于输送液体的阻力就会增大。但由于管式浆料供给泵，在抑制脉动的同时，还可以容易地得到其稳定的定量性。所以，输送液体阻力有变动可能性的过滤器，必须被配置到泵的上游侧。因为同样的理由，在图3所示的构成中，过滤器也被配置在泵的上游。

依据本申请发明人的研究，因已知受管式浆料泵1 5的影响从橡胶类管道会发生无机填料样等的异物，所以，在如图1及图3所示的构成中，是不能抑制晶体表面发生损伤、划痕等的。因此，即使输送液体阻力有变动的可能也应该将过滤器16安装到管式浆料泵15与CMP装置3之间的配管2的一部分中。此外，为了减少异物发生，同时也为了防止过滤器16发生网眼被堵，通过管式浆料泵15的管道，最好使用最起码它的内面是由聚氯乙稀系构成的管道。可以防止过滤器16的网眼被填，同时也就是延长过滤器16的寿命的优点。

以上，是通过适合的实施例将本发明进行了说明。但上述说明并不是对本发明进行限制，不用说本发明可以有各种各样的改变。另外，也可以将上述的各种实施例的构成进行组合。例如，可以将实施例1的改变例——二层构造的管道构成与实施例2的构成进行组合。

根据以上本发明的实施例，就可以提供：能够抑制从管式浆料供给泵处发生异物、防止在CMP处发生损伤及划痕、具有合格率高的半导体装置的研磨方法及研磨装置。另外，还可以提供：既使用不发生异物的管道又能够确保长寿命、防止在CMP处发生损伤及划痕、具有合格率高的半导体装置的研磨方法及研磨装置。更进一步，还可以提供：即使异物扩散进了浆料里也可以将其捕获、防止在CMP发生损伤及划痕、具有合格率高的半导体装置的研磨方法及研磨装置。

Claims (14)

1、一种半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于：

在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，

在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用聚氯乙稀类管道。

2、根据权利要求1所述的半导体装置的研磨方法，其特征在于：

所述聚氯乙稀类管道，实际上不含有用于加强管道强度的微粒子。

3、一种半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于：

在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，

在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用由内面为聚氯乙稀类管道而外面为橡胶类管道所构成的管道。

4、根据权利要求3所述的半导体装置的研磨方法，其特征在于：

所述聚氯乙稀类管道，实际上不含有用于加强管道强度的微粒子。

5、一种半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于：

在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，

在所述浆料供给泵的下游侧，配置有去除浆料中含有的凝集粒子及异物的过滤器。

6、根据权利要求5所述的半导体装置的研磨方法，其特征在于：

在所述管道式浆料供给泵中，作为供给浆料的管道，使用至少内面是由聚氯乙稀类材料构成的管道。

7、一种半导体装置的研磨方法，是包含采用CMP研磨基板的工序在内的制造半导体装置的方法，其特征在于：

在所述研磨工序中，为了供给浆料，使用管式浆料供给泵，

在所述管式浆料供给泵中，作为供给浆料用的管道，使用实际上不含有用于加强管道强度的微粒子的管道。

8、根据权利要求7所述的半导体装置的研磨方法，其特征在于：

所述管道是聚氯乙稀类管道或者硅酮橡胶制管道。

9、一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包含权利要求1～8中任一项半导体装置的研磨方法。

10、一种研磨装置，是采用CMP对基板进行研磨的研磨装置，其特征在于：

所述研磨装置具备研磨所述基板的CMP装置和供给研磨时的浆料的管式浆料供给泵，

所述管式浆料供给泵用的管道，是至少内面为由聚氯乙稀类材料构成的管道。

11、根据权利要求10所述的研磨装置，其特征在于：

所述管道是二层结构，

所述管道的内面由聚氯乙稀类材料构成，外面由橡胶类材料构成。

12、一种研磨装置，是采用CMP对基板进行研磨的研磨装置，其特征在于：

所述研磨装置具备：

研磨所述基板的CMP装置；

向所述CMP装置供给浆料的浆料供给装置；

将所述浆料供给装置与所述CMP装置连接的配管；以及

配置在所述配管的一部分处的管式浆料供给泵，

在所述管式浆料供给泵与所述CMP装置之间，配置有至少能去除所述浆料中含有的凝集粒子及异物中的一种的过滤器。

13、根据权利要求12所述的研磨装置，其特征在于：

所述管式浆料供给泵用的管道，是至少其内面是由聚氯乙稀类材料构成的管道。

14、一种研磨装置，是采用CMP对基板进行研磨的研磨装置，其特征在于：

所述研磨装置具备研磨所述基板的CMP装置和供给研磨时的浆料的管式浆料供给泵，

所述管式浆料供给泵用的管道，是实际上不含有用于加强管道强度的微粒子的管道。

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